液处理装置和液处理方法与流程

本申请涉及液处理装置和液处理方法。

背景技术：

1、在半导体器件的制造工序中，通过对半导体晶圆(以下，记载为晶圆)供给各种处理液，来进行处理。在专利文献1中记载有以下显影装置：在杯(外杯)内容纳有晶圆，将从第1显影液(正性显影液)和第2显影液(负性显影液)中选择的显影液向晶圆供给，来进行处理。在该显影装置中，第1显影液用的排气口、第1显影液用的排液口、第2显影液用的排气口、第2显影液用的排液口配置在外杯的径向上的互相不同的位置。并且，根据所使用的显影液，在外杯内设置的环状体(内杯)的高度发生变化，从而外杯内的排气和排液的流路发生变化。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2018－18854号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本申请提供能够防止可切换杯内的排气的流路的液处理装置大型化的技术。

3、用于解决问题的方案

4、本申请的液处理装置具备：

5、载置部，其载置基板；

6、杯，其包围载置于所述载置部的基板；

7、处理液供给部，其向所述基板供给处理液而进行处理；

8、排气口，其设于所述杯的底部，使该杯内进行排气；

9、环状体，其以在俯视时包围所述基板的方式设于所述杯内，并形成从所述杯的开口向该杯内流入的气体的流路；

10、升降机构，其使所述环状体相对于所述杯相对地升降，以在第1状态和第2状态之间切换，在该第1状态下，使所述环状体位于第1相对高度，进行使所述气体从所述杯的中心侧向所述排气口流入的第1流路的排气，在该第2状态下，使所述环状体位于第2相对高度，进行使所述气体从所述杯的外周侧向所述排气口流入的第2流路的排气；以及

11、排液口，在所述第1流路、所述第2流路，所述排液口分别开设在所述排气口的上游侧。

12、发明的效果

13、根据本申请，能够防止可切换杯内的排气的流路的液处理装置大型化。

技术特征：

1.一种液处理装置，其中，

2.根据权利要求1所述的液处理装置，其中，

3.根据权利要求2所述的液处理装置，其中，

4.根据权利要求3所述的液处理装置，其中，

5.根据权利要求4所述的液处理装置，其中，

6.根据权利要求3所述的液处理装置，其中，

7.根据权利要求6所述的液处理装置，其中，

8.一种液处理方法，其中，

技术总结
本发明涉及液处理装置和液处理方法。防止可切换杯内的排气的流路的液处理装置大型化。该液处理装置具备：杯，其包围载置于载置部的基板；排气口，其设于杯的底部，使该杯内进行排气；环状体，其以在俯视时包围基板的方式设于杯内，并形成从杯的开口向该杯内流入的气体的流路；升降机构，其使环状体相对于杯相对地升降，以在第1状态和第2状态之间切换，在该第1状态下，使环状体位于第1相对高度，进行使气体从杯的中心侧向排气口流入的第1流路的排气，在该第2状态下，使环状体位于第2相对高度，进行使气体从杯的外周侧向排气口流入的第2流路的排气；以及排液口，在第1流路、第2流路，排液口分别开设在排气口的上游侧。

技术研发人员：吉村好贵,中木户智史
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/2/19