二氧化硅粒子、调色剂、显影剂、盒、成像装置及方法与流程

本公开涉及一种二氧化硅粒子、静电潜像显影用调色剂、静电潜像显影剂、调色剂盒、处理盒、图像形成装置及图像形成方法。

背景技术：

1、在日本特开2021-151944号公报中，公开了“一种二氧化硅粒子，其含有季铵盐，由清洗前的二氧化硅粒子中的氮气吸附法的孔分布曲线求出的孔径为2nm以下的频度的最大值fbefore与由清洗后的二氧化硅粒子中的氮气吸附法的孔分布曲线求出的孔径为2nm以下的频度的最大值fafter之比fbefore/fafter为0.90以上且1.10以下，并且最大值fbefore与由将清洗前的二氧化硅粒子在600℃下煅烧后的二氧化硅粒子中的氮气吸附法的孔分布曲线求出的孔径为2nm以下的频度的最大值fsintering之比fsintering/fbefore为5以上且20以下”。

2、在日本特开2011-185998号公报中，公开了“一种静电图像显影调色剂，其是将调色剂粒子与用于控制所述调色剂粒子的摩擦带电量的、在平均粒径20～500nm的传送粒子的表面上附着有电荷控制剂(cca)的外添用电荷控制粒子混合而成，其特征在于，

3、所述外添用电荷控制粒子是用于控制由传送粒子和附着于该传送粒子的表面上的电荷控制剂构成的静电图像显影调色剂的摩擦带电量的外添用电荷控制粒子，所述传送粒子由通过对用溶胶凝胶法获得的亲水性球状二氧化硅微粒的表面进行疏水化处理而获得的平均粒径20～500nm的疏水性球状二氧化硅微粒构成，所述外添用电荷控制粒子相对于所述传送粒子1质量份在1×10-3～1×10-1质量份的范围内具有所述电荷控制剂(cca)，并且所述静电图像显影调色剂是相对于所述调色剂粒子1质量份混合0.001～0.05质量份的所述外添用电荷控制粒子而成。”。

技术实现思路

1、本公开的课题在于提供一种二氧化硅粒子，其相较于包含含氮元素化合物，在将350℃煅烧前后的bet比表面积分别设为α及β时，α/β小于0.30或超过0.80，350℃煅烧前与350℃煅烧后的带电序列比以绝对值计小于0.10或超过0.85的二氧化硅粒子，抑制低温低湿下的过度负带电，并且低温低湿下的带电上升性优异。

2、根据本公开的第一方案，提供一种二氧化硅粒子，其包含含氮元素化合物，在将350℃煅烧前后的bet比表面积分别设为α及β时，α/β为0.30以上且0.80以下，350℃煅烧前与350℃煅烧后的带电序列比以绝对值计为0.10以上且0.85以下。

3、根据本公开的第二方案，在基于所述第一方案的所述二氧化硅粒子中，所述α/β为0.50以上且0.75以下。

4、根据本公开的第三方案，在基于所述第一或第二方案的所述二氧化硅粒子中，所述带电序列比以绝对值计为0.20以上且0.70以下。

5、根据本公开的第四方案，在基于所述第一～第三方案中的任一个的所述二氧化硅粒子中，在350℃煅烧后的氮气吸附法的孔分布曲线中，在孔径为2nm以下的范围及超过2nm且50nm以下的范围内分别具有至少一个峰，在将由350℃煅烧后的氮气吸附法的孔分布曲线求出的孔径为2nm以下的孔体积设为d时，d为0.10cm3/g以上且0.70cm3/g以下。

6、根据本公开的第五方案，在基于所述第四方案的所述二氧化硅粒子中，所述d为0.10cm3/g以上且0.65cm3/g以下。

7、根据本公开的第六方案，在基于所述第四或第五方案的所述二氧化硅粒子中，所述d为0.10cm3/g以上且0.55cm3/g以下。

8、根据本公开的第七方案，在基于所述第四～第六方案中的任一个的所述二氧化硅粒子中，在将由350℃煅烧前的氮气吸附法的孔分布曲线求出的孔径为2nm以下的孔体积设为c时，与所述d之比d/c为2.0以上且9.0以下。

9、根据本公开的第八方案，在基于所述第七方案的所述二氧化硅粒子中，所述d/c为2.0以上且3.0以下。

10、根据本公开的第九方案，在基于所述第七或第八方案的所述二氧化硅粒子中，在将由350℃煅烧前后的氮气吸附法的孔分布曲线求出的孔径超过2nm且50nm以下的孔体积分别设为a及b时，(d-c)/(b-a)为1.0以上且5.0以下。

11、根据本公开的第十方案，在基于所述第一～第九方案中的任一个的所述二氧化硅粒子中，个数平均粒径为40nm以上且200nm以下。

12、根据本公开的第十一方案，在基于所述第一至第十方案中的任一个的所述二氧化硅粒子中，所述含氮元素化合物为选自由季铵盐、伯胺化合物、仲胺化合物、叔胺化合物、酰胺化合物、亚胺化合物及腈化合物组成的组中的至少一种。

13、根据本公开的第十二方案，在基于所述第一～第十一方案中的任一个的所述二氧化硅粒子中，所述含氮元素化合物的含量相对于二氧化硅粒子以n原子换算为0.10质量％以上且0.50质量％以下。

14、根据本公开的第十三方案，在基于所述第一～第十二方案中的任一个的所述二氧化硅粒子中，所述含氮元素化合物含有钼元素。

15、根据本公开的第十四方案，提供一种静电潜像显影用调色剂，其包含：调色剂粒子；及基于所述第一～第十三方案中的任一个的所述二氧化硅粒子，其外添于所述调色剂粒子中。

16、根据本公开的第十五方案，提供一种静电潜像显影剂，其包含基于所述第十四方案的所述静电潜像显影用调色剂。

17、根据本公开的第十六方案，提供一种调色剂盒，其容纳基于所述第十四方案的所述静电潜像显影用调色剂，所述调色剂盒装卸于图像形成装置。

18、根据本公开的第十七方案，提供一种处理盒，其具备显影构件，所述显影构件容纳基于所述第十五方案的所述静电潜像显影剂，并且通过所述静电潜像显影剂将形成于图像保持体的表面上的静电潜像显影为调色剂图像，所述处理盒装卸于图像形成装置。

19、根据本公开的第十八方案，提供一种图像形成装置，其具备：图像保持体；充电构件，其使所述图像保持体的表面带电；静电潜像形成构件，其在带电的所述图像保持体的表面上形成静电潜像；显影构件，其容纳基于所述第十五方案的所述静电潜像显影剂，并且通过所述静电潜像显影剂将形成于所述图像保持体的表面上的静电潜像显影为调色剂图像；转印构件，其将形成于所述图像保持体的表面上的调色剂图像转印到记录媒体的表面上；及定影构件，其对转印到所述记录媒体的表面上的调色剂图像进行定影。

20、根据本公开的第十九方案，提供一种图像形成方法，其包括：充电工序，使图像保持体的表面带电；静电潜像形成工序，在带电的所述图像保持体的表面上形成静电潜像；显影工序，通过基于所述第十五方案的所述静电潜像显影剂将形成于所述图像保持体的表面上的静电潜像显影为调色剂图像；转印工序，将形成于所述图像保持体的表面上的调色剂图像转印到记录媒体的表面上；及定影工序，对转印到所述记录媒体的表面上的调色剂图像进行定影。

21、(效果)

22、根据所述第一方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于包含含氮元素化合物，在将350℃煅烧前后的bet比表面积分别设为α及β时，α/β小于0.30或超过0.80，350℃煅烧前与350℃煅烧后的带电序列比以绝对值计小于0.10或超过0.85的二氧化硅粒子，抑制低温低湿下的过度负带电，并且低温低湿下的带电上升性优异。

23、根据所述第二方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于α/β小于0.50或超过0.75的情况，抑制低温低湿下的过度负带电，并且低温低湿下的带电上升性优异。

24、根据所述第三方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于带电序列比以绝对值计小于0.20或超过0.70的情况，抑制低温低湿下的过度负带电，并且低温低湿下的带电上升性优异。

25、根据所述第四方案，可提供一种二氧化硅粒子，在350℃煅烧后的氮气吸附法的孔分布曲线中，在孔径为2nm以下的范围及超过2nm且50nm以下的范围内分别具有至少一个峰的二氧化硅粒子中，相较于在将由350℃煅烧后的氮气吸附法的孔分布曲线求出的孔径为2nm以下的孔体积设为d时，d小于0.10cm3/g或超过0.70cm3/g的情况，抑制低温低湿下的过度负带电，并且低温低湿下的带电上升性优异。

26、根据所述第五方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于d小于0.10cm3/g或超过0.65cm3/g的情况，抑制低温低湿下的过度负带电，并且低温低湿下的带电上升性优异。

27、根据所述第六方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于d小于0.10cm3/g或超过0.55cm3/g的情况，抑制低温低湿下的过度负带电，并且低温低湿下的带电上升性优异。

28、根据所述第七方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于在将由350℃煅烧前的氮气吸附法的孔分布曲线求出的孔径为2nm以下的孔体积设为c时，与所述d之比d/c小于2.0或超过9.0的情况，抑制低温低湿下的过度负带电，并且低温低湿下的带电上升性优异。

29、根据所述第八方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于d/c小于2.0或超过3.0的情况，抑制低温低湿下的过度负带电，并且低温低湿下的带电上升性优异。

30、根据所述第九方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于在将由350℃煅烧前后的氮气吸附法的孔分布曲线求出的孔径超过2nm且50nm以下的孔体积分别设为a及b时，(d-c)/(b-a)小于1.0或超过5.0的情况，抑制低温低湿下的过度负带电，并且低温低湿下的带电上升性优异。

31、根据所述第十方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于包含含氮元素化合物，在将350℃煅烧前后的bet比表面积分别设为α及β时，α/β小于0.30或超过0.80，350℃煅烧前与350℃煅烧后的带电序列比以绝对值计小于0.10或超过0.85的二氧化硅粒子，即使个数平均粒径为40nm以上且200nm以下，也可抑制低温低湿下的过度负带电，并且低温低湿下的带电上升性优异。

32、根据所述第十一方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于包含含氮元素化合物，在将350℃煅烧前后的bet比表面积分别设为α及β时，α/β小于0.30或超过0.80，350℃煅烧前与350℃煅烧后的带电序列比以绝对值计小于0.10或超过0.85的二氧化硅粒子，包含选自由季铵盐、伯胺化合物、仲胺化合物、叔胺化合物、酰胺化合物、亚胺化合物及腈化合物组成的组中的至少一种，抑制低温低湿下的过度负带电，并且低温低湿下的带电上升性优异。

33、根据所述第十二方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于含氮元素化合物的含量相对于二氧化硅粒子以n原子换算小于0.10质量％的情况，抑制低温低湿下的过度负带电，并且低温低湿下的带电上升性优异。

34、根据所述第十三方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于含氮元素化合物不含钼元素的情况，抑制低温低湿下的过度负带电，并且低温低湿下的带电上升性优异。

35、根据所述第十四、第十五、第十六、第十七、第十八及第十九的各方案，可提供一种静电潜像显影用调色剂及使用该静电潜像显影用调色剂的静电潜像显影剂、调色剂盒、处理盒、图像形成装置及图像形成方法，其相较于将包含含氮元素化合物，在将350℃煅烧前后的bet比表面积分别设为α及β时，α/β小于0.30或超过0.80，350℃煅烧前与350℃煅烧后的带电序列比以绝对值计小于0.10或超过0.85的二氧化硅粒子作为外添剂适用于静电潜像显影用调色剂的情况，抑制低温低湿下的过度负带电，并且低温低湿下的带电上升性优异。