用于极紫外辐射光化掩模复查的系统的制作方法

本技术实施例是有关于极紫外辐射光化掩模复查系统。

背景技术：

1、以下涉及光刻技术、光刻掩模检查(inspection)技术、极紫外辐射(extremeultraviolet，euv)光刻技术、euv光刻掩模检查技术和相关技术。

技术实现思路

1、本实用新型的另一些实施例的一种极紫外辐射(euv)光化掩模复查系统，包括：掩模台，配置为安装相关联的euv掩模；euv照明器，布置成将euv光传输到安装在所述掩模台上的所述相关联的euv掩模上；euv成像传感器；投影光学元件盒，配置为将由安装在所述掩模台上的所述相关联的euv掩模反射的所述euv光的至少一部分投影到所述euv成像传感器上；以及真空腔室，包含所述euv照明器、所述掩模台、所述euv成像传感器和所述投影光学元件盒；其中所述投影光学元件盒包括：凹面镜，具有中心开口；凸面镜，朝向所述凹面镜；以及孔，介于所述凹面镜与所述凸面镜之间，所述孔具有开口，所述开口的尺寸和位置使得从所述euv掩模反射的euv光以至少8度的主射线角度通过，且还使从所述凸面镜反射的euv光通过所述凹面镜的所述中心开口。

2、本实用新型的又一些实施例的一种极紫外辐射(euv)光化掩模复查系统，包括：掩模台，配置为安装相关联的euv掩模；euv照明器，布置成将euv光传输到安装在所述掩模台上的所述相关联的euv掩模，所述euv照明器包括euv光整形孔，所述euv光整形孔包括板且所述板具有穿过其中的穿孔；euv成像传感器；投影光学元件盒，配置为将由安装在所述掩模台上的所述相关联的euv掩模反射的所述euv光的至少一部分投影到所述euv成像传感器上；以及真空腔室，包含所述euv照明器、所述掩模台、所述euv成像传感器和所述投影光学元件盒。

技术特征：

1.一种极紫外辐射(euv)光化掩模复查系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的euv光化掩模复查系统，其特征在于，所述投影光学元件盒还包括：

3.根据权利要求2所述的euv光化掩模复查系统，其特征在于，所述滑动件或所述转盘被布置成在穿过所述凹面镜的所述中心开口之后将所述选定的孔插入到所述euv光的所述光路径中。

4.根据权利要求2所述的euv光化掩模复查系统，其特征在于，所述滑动件或所述转盘可从所述真空腔室的外部操作以将所述选定的孔插入到所述投影光学元件盒的所述光路径中。

5.根据权利要求1所述的euv光化掩模复查系统，其特征在于，所述euv照明器包括：

6.根据权利要求1所述的euv光化掩模复查系统，其特征在于，所述投影光学元件盒包括：

7.根据权利要求6所述的euv光化掩模复查系统，其特征在于，所述一组致动器包括：

8.一种极紫外辐射(euv)光化掩模复查系统，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的euv光化掩模复查系统，其特征在于，所述euv照明器还包括：

10.根据权利要求8所述的euv光化掩模复查系统，其特征在于，所述投影光学元件盒包括：

技术总结
极紫外辐射(EUV)光化掩模复查系统，包括：掩模台，配置为安装相关联的EUV掩模；EUV照明器，布置成将EUV光传输到安装在所述掩模台上的所述相关联的EUV掩模，所述EUV照明器包括EUV光整形孔，所述EUV光整形孔包括板且所述板具有穿过其中的穿孔；EUV成像传感器；投影光学元件盒，配置为将由安装在所述掩模台上的所述相关联的EUV掩模反射的所述EUV光的至少一部分投影到所述EUV成像传感器上；以及真空腔室，包含所述EUV照明器、所述掩模台、所述EUV成像传感器和所述投影光学元件盒。

技术研发人员：陈建霖,彭丹平,涂志强,温志伟,曾信富
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：20230605
技术公布日：2024/3/4