曲线掩模模型优化方法、装置、存储介质及计算机设备与流程

文档序号:37544472发布日期:2024-04-08 13:46阅读:来源:国知局

技术特征:

1.曲线掩模模型优化方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的曲线掩模模型优化方法,其特征在于,基于目标光刻图形采用二次b样条曲线构造与所述目标光刻图形相匹配的曲线掩模模型,包括:

3.如权利要求2所述的曲线掩模模型优化方法,其特征在于,由初始控制点集合生成曲线轮廓图形,包括:

4.如权利要求1所述的曲线掩模模型优化方法,其特征在于,对所述曲线掩模模型进行正向计算仿真,获取光刻胶图形包括:

5.如权利要求4所述的曲线掩模模型优化方法,其特征在于,获取曲线掩模模型的控制点对于曲线掩模模型的影响以获得影响关系式,包括:

6.如权利要求5所述的曲线掩模模型优化方法,其特征在于,获取曲线掩模模型的变化对图形偏差值的影响,包括:

7.如权利要求1所述的曲线掩模模型优化方法,其特征在于,所述影响关系式如下所示:

8.曲线掩模模型优化装置,其特征在于,包括:

9.存储介质,其特征在于,其上存储有计算机程序指令,所述计算机程序指令被执行时实现如权利要求1-7任一项所述的曲线掩模模型优化方法。

10.计算机设备,其特征在于,包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序,所述处理器执行上述计算机程序以实现如权利要求1~7任一项所述的曲线掩模模型优化方法。


技术总结
本发明涉及光刻技术领域,特别涉及一种曲线掩模模型优化方法、装置、存储介质及计算机设备。曲线掩模模型优化方法,包括:提供目标光刻图形,基于目标光刻图形采用二次B样条曲线构造与所述目标光刻图形相匹配的曲线掩模模型;对所述曲线掩模模型进行正向计算仿真,获取光刻胶图形;并计算所述光刻胶图形与所述目标光刻图形之间的图形偏差值;基于图形偏差值及正向计算仿真过程进行反向光刻运算,获取曲线掩模模型的控制点对于曲线掩模模型的影响,从而得到二次B样条曲线的控制点对图形偏差值的影响关系式;根据影响关系式调节控制点,得到优化的曲线掩模模型。解决了计算掩膜图像的过程时间较长的问题。

技术研发人员:陈锡恒
受保护的技术使用者:深圳晶源信息技术有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/4/7
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