具有旋转过滤器装置的光刻设备的制作方法

专利名称:具有旋转过滤器装置的光刻设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及ー种具有专用的过滤器装置的光刻设备，涉及一种过滤器装置本身，涉及ー种用于制造这样的过滤器装置的方法和一种器件制造方法。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一 个目标部分；以及扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印到所述衬底上，而将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。
在光刻投影设备中，可以在衬底上成像的特征的尺寸受投影辐射的波长的限制。为了制造具有更高密度的器件和因此具有更高操作速度的集成电路，期望能够使较小特征成像。虽然大多数现有的光刻投影设备采用由汞灯或者准分子激光器产生的紫外光，但是已经提出使用较短波长的辐射，例如大约13纳米。这样的辐射被称为极紫外(EUV)或者软X-线，和可能的源包括例如激光诱导等离子体源、放电等离子体源或者来自电子储存环的同步加速器辐射。
极紫外辐射源典型地是等离子体源，例如激光诱导等离子体或者放电源。任何等离子体源的公共特征是产生快速离子和原子，其在所有方向上被从等离子体发射出。这些粒子可能损坏收集器和聚集器反射镜，所述收集器和聚集器反射镜通常是具有易碎表面的多层反射镜或掠入射反射镜。由于从等离子体发射出的粒子的冲击或者溅射使得这ー表面逐渐劣化，且因此減少了反射镜的寿命。对于辐射收集器或者收集器反射镜，溅射作用尤其是有问题的。收集器的目的是收集辐射，其由等离子体源在所有方向上发射且朝向照射系统中的其它的反射镜引导它。辐射收集器非常靠近等离子体源中的EUV源定位，并在视线上与之对齐，并且因此接收来自等离子体的大通量的快速粒子。因为在系统中的其它反射镜可以被一定程度地屏蔽，所以它们通常被从等离子体发射出的粒子的溅射损坏的程度较小。
在不久的将来，极紫外(EUV)源将可能使用锡(Sn)或者另ー金属蒸汽，用于产生EUV辐射。这样的锡可以沉积在反射镜上，例如辐射收集器的反射镜，和/或泄漏到光刻设备中。这样的辐射收集器的反射镜可以具有例如钌(Ru)的EUV反射顶层。沉积在反射钌层上的大于约10纳米锡(Sn)可以如块状锡ー样的方式反射EUV辐射。因为锡的反射系数比钌的反射系数低很多，将显著地减少收集器的整个传输。
PCT专利申请出版物No. W099/42904公开了ー种过滤器，其在使用中位于一路径中，辐射沿着该路径远离源传播。过滤器可以因此放置在辐射源和例如照射系统之间。过滤器包括多个翼片，该翼片在使用中俘获碎片粒子，诸如原子和微粒。此外，这样的微粒的簇团可以被这些翼片俘获。这些翼片被定向，使得辐射仍然能够穿过过滤器传播。翼片可以是平坦的或者圆锥形的，且可以被围绕路径径向地布置。源、过滤器和投影系统可以布置在缓冲气体中，例如约O. 5托的压カ的氪(krypton)中。
PCT专利申请出版物No. WO 03/034153公开ー种污染物阻挡件，其包括第一组翼片和第二组翼片，使得离开源的辐射首先穿过第一组翼片，之后穿过第二组翼片。第一和第ニ组翼片分别限定了第一组通道和第二组通道。两组通道是间隔开的，他们之间留下一空间，气体供给装置将冲洗气体供应到所述空间中。排气系统可以被设置以从污染物阻挡件除去气体。
欧洲专利申请出版物No. EP1434098提供一种污染物阻挡件，其包括内环和外环，其中每一翼片可滑动地定位于内环和外环中的至少ー个中的至少ー个中的沟槽中的其外端中的至少ー个上。通过可滑动地定位翼片的外端中的ー个，翼片可以在径向方向上扩展。所述污染物阻挡件可以包括布置以冷却所述环中的ー个的冷却系统，所述翼片热连接至所述环中的ー个上。
为了防止来自源的碎片或者由这ー碎片产生的二次粒子沉积在光学元件上，可以使用过滤器器件，诸如在美国专利申请出版物NO.US2006/0186353中描述的。

发明内容
例如，期望提供具有可替代的过滤器装置的光刻设备，所述过滤器装置可以适合于应用到EUV光刻设备中。另外或可替代的，期望例如提供这样的可替代的过滤器装置本身、用于制造这样的过滤器装置的方法和/或一种器件制造方法。
根据本发明的ー个方面，提供了ー种光刻设备，该光刻设备包括过滤器装置，所述过滤器装置包括连接至保持器的多个翼片，所述保持器能够围绕旋转轴线旋转，所述翼片被布置成基本上平行于所述旋转轴线，且包括从由碳-碳复合物和碳-碳化硅复合物构成的组中选出的单向碳纤维复合材料。
在一实施例中，所述光刻设备包括被构造以广生EUV福射的福射源，其中所述福射源是Sn等离子体源。在此处，术语“被构造以产生EUV辐射”是指被设计以产生EUV辐射且被设计用于EUV光刻术中的源。在一种变形中，辐射源分别包括激光诱导等离子体源(LPP)或放电产生等离子体源(Sn等离子体源)。
在一个实施例中，光刻设备包括照射系统，该照射系统被配置以调节辐射束;支撑件，该支撑件被构造以支撑图案形成装置，所述图案形成装置被配置以在辐射束的横截面中将图案赋予给福射束，以形成图案化的福射束；衬底台，该衬底台被构造以保持衬底；和投影系统，该投影系统被配置以将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。在ー实施例中，光刻设备是EUV光刻设备且包括用于提供EUV辐射束的EUV辐射源。光刻设备可以包括辐射源，该辐射源被构造以产生辐射束，该辐射束在ー实施例中是EUV辐射束,且辐射源被构造以产生EUV辐射。[0014]在一实施例中，所述碳纤维复合材料中的纤维的方向垂直于所述旋转轴线。
在一实施例中，所述翼片包括ー层单向碳纤维复合材料。在一实施例中，姆个翼片包括2-5层复合材料。在后者的实施例中，在各个层中的碳纤维的方向可以层层不同。
在一实施例中，所述翼片包括单向碳纤维复合材料的第一层和单向碳纤维复合材料的第二层，其中，所述第一层中的纤维的方向垂直于所述第二层中的纤维的方向。在一实施例中，所述翼片包括单向碳纤维复合材料的第一层和单向碳纤维复合材料的第二层，其中，所述第一层中的纤维的方向具有相对于垂直于所述旋转轴线的法线的第一方向角度Θ 1，且其中，所述第二层中的纤维的方向具有相对于所述法线的第二方向角度Θ2，且其中所述第一和第二方向角度(Θ I、Θ 2)在0° -10°范围内，其中所述第一层和第二层中的纤维的方向之间的相互角度大于0°且等于或小于10°。
在一实施例中，该保持器包括多个插套，其中，每个翼片包括尾部部分，其中所述插套被构造以容纳所述尾部部分，和其中所述插套被构造用于防止在垂直于所述旋转轴线 的方向上从所述保持器释放所述翼片。
在一实施例中，所述保持器的至少一部分可以包括从由碳-碳复合物(C-C复合物)和碳-碳化硅复合物(C-SiC复合物)构成的组中选出的碳纤维复合材料。在ー实施例中，保持器可以包括单向碳纤维复合材料。
根据本发明的另一方面，提供了ー种光刻设备，该光刻设备包括过滤器装置，该过滤器装置包括连接至保持器的多个翼片，所述保持器能够围绕旋转轴线旋转，所述翼片被 布置成平行于所述旋转轴线且包括在至少1000°c的温度下基本上不与液体Sn反应的材料。在一实施例中，所述材料在达到约2000°C的温度处基本上不与液体Sn反应。
根据本发明的另一方面，提供了ー种使用根据本发明的实施例的光刻设备的器件制造方法。在该方面中，提供了一种器件制造方法，所述方法包括对辐射束进行图案化；将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；和使用过滤器装置过滤所述辐射束，所述过滤器装置包括连接至保持器的多个翼片，所述保持器能够围绕旋转轴线旋转，所述翼片被布置成基本上平行于所述旋转轴线，且包括从由碳-碳复合物和碳-碳化硅复合物构成的组中选出的单向碳纤维复合材料。
根据本发明的另一方面，提供了一种过滤器装置本身，该过滤器装置包括连接至保持器上的多个翼片，所述翼片能够围绕旋转轴线旋转，所述翼片被布置成基本上平行于所述旋转轴线且包括从由碳-碳复合物和碳-碳化硅复合物构成的组中选出的单向碳纤维复合材料。
如上所述，在一实施例中，保持器的至少一部分(例如保持器的上游侧)可以包括从由碳-碳复合物(C-C复合物)和碳-碳化硅复合物(C-SiC复合物)构成的组中选出的碳纤维复合材料。
在另一方面中，提供了一种制造用于过滤器装置的翼片的方法，所述方法包括
a.提供包含树脂的预浸溃薄片；
b.固化所述树脂；
c.可选择地减小在过程b)获得的产品中的至少一部分的厚度；
d.使在过程b)或c)获得的产品碳化；
e.可选地一次或更多次地执行增加密度的过程，其中所述增加密度的过程包括用包含碳的化合物滲透所述已碳化的产品且随后使所述已渗透的产品碳化；
f.对在过程d)或e)犾得的 广品进彳丁石星化；
g.可选地减少在过程f)获得的至少一部分产品的厚度，其中所述方法包括通过过程c)或通过过程g)或通过过程c)和过程g)两者来减小所述厚度，且其中所述翼片包括从由碳-碳复合物和碳-碳化硅复合物构成的组中选出的单向碳纤维复合材料。所述包含碳的化合物可以是例如酚醛树脂。
在一实施例中，所述包含树脂的预浸溃薄片包括包含树脂的预浸溃薄片的层压件。在一实施例中，在可选的过程c)之后和在过程d)之前，所述方法还包括一次或更多次地执行层压过程，其中所述层压过程包括
al.将包含另外的树脂的预浸溃薄片布置到在过程b)或c)获得的产品上，以获得在过程b)或c)获得的产品和包含另外的树脂的预浸溃薄片的层压件；
bl.固化所述树脂；
Cl.可选地减小在过程bl)获得的产品的至少一部分的厚度。
用所述制造方法获得的翼片可以应用到本发明的一个实施例中的过滤器装置中。


现在參照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中
图I示意性地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备；
图2示意性地示出根据图I的实施例的光刻投影设备的EUV照射系统和投影光学装置的侧视图；
图3示意性示出图I和2的光刻设备的源腔的实施例的细节；
图4示意性示出根据本发明的实施例的过滤器装置；
图5示意性示出根据本发明的实施例的过滤器装置的翼片；
图6a_6f示意性示出根据本发明的实施例的过滤器装置的翼片的碳纤维复合物的多种布置；
图7a_7b示意性示出根据本发明的实施例的过程；和
图8示意性示出保持器-翼片连接装置的实施例。
具体实施方式
图I示意性地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备I。所述设备I包括源S0，该源SO被配置以产生辐射；和照射系统(照射器)IL，配置用于调节来自从所述源SO接收到的辐射的辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或极紫外(EUV)辐射)。源SO可以作为分立的単元提供且不是光刻设备的一部分。支撑件(例如掩模台)MT，被配置用干支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的參数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连。衬底台(例如晶片台)WT，被配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的參数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连。投影系统(例如反射式投影反射镜系统)PS(也被称为投影光学装置盒Ρ0Β)，被配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
支撑件MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其它条件的方式来保持图案形成装置。所述支撑件MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述支撑件MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑件MT可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩摸”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在
辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如ニ元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每ー个小反射镜可以独立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液体或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的，所述设备是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的图案形成装置支撑件)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台和/或支撑件，或可以在ー个或更多个台和/或支撑件上执行预备步骤的同时，将ー个或更多个其它台和/或支撑件用于曝光。
光刻设备还可是这种类型，其中衬底的至少一部分被相对高折射率的液体(例如，水)覆盖，以便填充投影系统和衬底之间的空间。浸没液体还可应用至光刻设备中的其它空间，例如在掩模和投影系统之间。浸没技术用于提高投影系统的数值孔径在本领域是公知的。在此处所使用的术语“浸没”并不是指结构(例如衬底)必须浸没在液体中，而是仅指液体例如在曝光期间位于投影系统和衬底之间。
參照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射。该源SO和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器吋)。在这种情况下，不会将该源SO考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统的帮助，将所述辐射从所述源SO传到所述照射器1し在其它情况下，所述源SO可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。
所述照射器IL可以包括配置用于调整所述辐射束的角強度分布的调整装置。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和ο-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和強度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑件(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过图案形成装置MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述PS将所述束投影到所述衬底W的目标部分C上。通 过第二定位装置PW和位置传感器IF2 (例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另ー个位置传感器IFl (例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置ΜΑ。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现图案形成装置支撑件MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述图案形成装置支撑件MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记Ml、M2和衬底对准标记Pl、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对准标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，所述图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。
可以将所述设备用于以下模式中的至少ー种中
a.在步进模式中，在将图案形成装置支撑件MT和衬底台WT保持为基本静止的同吋，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，単一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在単一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
b.在扫描模式中，在对图案形成装置支撑件MT和衬底台WT同步地进行扫描的同吋，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(B卩，単一的动态曝光)。衬底台WT相对于图案形成装置支撑件MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(縮小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了単一动态曝光中所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
c.在另ー个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的图案形成装置支撑件MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同吋，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每ー次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。[0061]也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
在上下文允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有约365、248、193、157或126nm的波长λ )和极紫外(EUV或软X射线)辐射(例如具有在5-20纳米范围内的波长，例如13. 5纳米或6. 6纳米)以及诸如离子束或电子束的粒子束。通常，具有在约780-3000纳米(或更大)之间的波长的辐射被认为是红外(IR)辐射。UV表示具有约100-400内米的波长的辐射。在光刻术中，通常它还被应用至由汞放电灯产生的波长G-线436nm、H-线405nm和/或I-线365nm。VUV是真空UV(即由空气吸收的UV)且是指约100-200nm的波长。DUV是深UV，且通常用于由准分子激光器产生的波长(例如126nm-248nm)的光刻术中。本领域技术人员应当理解，具有在例如5_20nm范围中的波长的辐射涉及具有特定波长段的辐射，该特定波长段的至少一部分在5-20nm范围内。图2更详细地显示出投影设备1，包括辐射系统42、照射系统44和投影系统PS。辐射系统42包括可以是放电等离子体源的辐射源SO。EUV辐射可以由源中的气体或蒸汽产生，例如Xe气体、Li蒸汽或Sn蒸汽，其中产生非常热的等离子体，用于发射在电磁光谱的EUV范围中的辐射。通过由例如放电使等离子体至少部分地离子化，来产生非常热的等离子体。可能需要Xe、Li、Sn蒸汽或任何其它的适合的气体或蒸汽的分压(例如IOPa)用于有效地产生辐射。在一实施例中，使用Sn源作为EUV源。由辐射源SO发射的辐射从源腔47经由定位在源腔47中的开口中或其后面的可选的污染物阻挡件49，穿入到收集器腔48中。污染物阻挡件49可以包括通道结构。污染物阻挡件49可以包括气体阻挡件或气体阻挡件和通道结构的组合。在此处进一步地显示出的污染物阻挡件49至少包括通道结构。
收集器腔48包括辐射收集器50 (在此处也显示为收集器反射镜)，其可以由掠入射收集器形成。辐射收集器50具有上游辐射收集器侧50a和下游辐射收集器侧50b。穿过收集器50的辐射可以被反射离开掠入射反射镜51，以被聚焦到在收集器腔48中的孔处的虚拟源点52上。来自收集器腔48的辐射束56在照射系统44中经由正入射反射器53、54反射到定位在图案形成装置支撑件MT(例如掩模版台或掩模台)上的图案形成装置(例如掩模版或掩模)上。所形成的图案化的束57经由反射元件58、59在投影系统PS中被成像到衬底台WT上。通常比所显示的元件更多的元件可以出现在照射系统44和投影系统PS中。依赖于光刻设备的类型，可以可选地设置掠入射反射镜51。掠入射反射镜可以是光栅光谱滤光片51。另外，可以出现比图中显示出的反射镜更多的反射镜，例如可以出现比元件58,59多1-4个的反射元件。
可以应用正入射收集器代替掠入射反射镜作为收集器反射镜50，或者可以在使用掠入射反射镜作为收集器反射镜50之外，应用正入射收集器。如在此处在实施例中更详细地描述的用作具有反射器142、143和146的嵌套收集器的收集器反射镜50和如在图2中示意性地显示出的收集器反射镜50在此处被进ー步用作收集器(或收集器反射镜)的一个例子。因此，在可应用的情形中，作为掠入射收集器的收集器反射镜50通常还可以解释为收集器，在特定的实施例中也可以解释为正入射收集器。
可以应用透射光学滤光片替代光栅光谱滤光片51或在除了光栅光谱滤光片51之夕卜，还可以应用透射光学滤光片，如在图2中示意性地显示的，所述透射光学滤光片对EUV是透射的，且对UV辐射是较少透射的或甚至基本上吸收UV辐射。因此，“光栅光谱纯度滤光片”在此处进一歩表示为“光谱纯度滤光片”，其包括光栅或透射滤光片。虽然未在示意性的图2中示出，但是被包含的作为可选的光学元件也可以是EUV透射光学滤光片(例如被布置在收集器反射镜50的上游)或在照射系统44和/或投影系统PS中的光学EUV透射滤光片。
在一实施例中(也參见上文)，辐射收集器50可以是掠入射收集器。沿光轴O对准收集器50。所述源SO或其像位于光轴O上。辐射收集器50可以包括反射器142、143、146 (也被称为沃尔特(Wolter)型反射器，其包括多个沃尔特型反射器)。这些反射器142、143、146可以被嵌套且关于光轴O旋转对称。在图2(以及其它图中)，由參考标记142表示内反射器，由參考标记143表示中间反射器，以及由參考标记146表示外反射器。辐射收集器50包围特定的体积，即在外反射器146中的体积。通常，在外反射器146中的这一体 积在外围被封闭，但是可以有小的开ロ。所有的反射器142、143和146包括ー些表面,所述表面中的至少一部分包括ー个反射层或多个反射层。因此，反射器142、143和146 (可以设置有更多的反射器，且辐射收集器50的实施例可以具有多于3个的反射器)至少部分地被设计，用于反射和收集来自源SO的EUV辐射，且反射器的至少一部分可能没有被设计用于反射和收集EUV辐射。例如，反射器的后侧的至少一部分可以不设计用于反射和收集EUV辐射。另外，在这些反射层的表面上，可以设置有用于保护的盖层或，将光学滤光片设置在反射层的表面的至少一部分上。
所述辐射收集器50是通常放置在所述源SO或者所述源SO的像附近。每ー个反射器142、143、146可以包括至少两个相邻的反射表面，距离所述源SO更远的反射表面与更靠近源SO的反射表面相比，以相对于所述光轴O更小的角度放置。这样，掠入射收集器50被配置以产生沿着光轴O传播的(E)UV辐射束。至少两个反射器可以大致共轴地放置，并关于光轴O大致旋转对称地延伸。应当理解,辐射收集器50可以在外反射器146的外表面上具有另外的特征或者围绕外反射器146的另外的特征，例如保护性保持器、加热器等。參考标记180表示两个反射器之间的空间，例如反射器142和143之间的空间。
在图2中显示的所有光学元件(和未在这个实施例的示意图中示出的光学元件)易于被污染物的沉积物(例如由源SO产生的，例如锡)损坏。这是对于辐射收集器50和光谱纯度滤光片51 (如果存在的话)的情形。
此外，不仅光学元件可能被诸如锡等沉积物所污染，而且诸如壁、保持器、支撑系统、气封(gas lock)、污染物阻挡件49等的结构元件也可能被污染。这种沉积物可能不宣接影响光学元件的光学性质，但是由于重新沉积，这种沉积物可以沉积(即重新沉积)在光学元件上，因此影响光学性质。因此，甚至未沉积在光学元件上的沉积物在之后的阶段可能由于重新沉积而导致污染光学元件的表面。这可能导致減少如反射度、透射度、均匀性等的光学性能。
在使用期间，可能在外反射器146和内反射器142、143中的ー个或多个上发现沉积物。辐射收集器50可能由这样的沉积物而被劣化(由例如来自所述源SO的离子、电子、簇团、液滴、电极侵蚀的碎片而被劣化)。例如由于锡源，锡的沉积物可能在几个单层之后不利于辐射收集器50或者其它的光学元件的反射，可能需要清洁这样的光学元件。[0073]为了减少这样的沉积物，可以设置污染物阻挡件49。除了污染物阻挡件49之外或者代替污染物阻挡件49，可以设置如下文进ー步地讨论的过滤器装置。污染物阻挡件49是静止的装置，而根据本发明的实施例的过滤器装置是动态的装置，即它是旋转的污染物阻挡件，其可以在光刻设备的使用期间旋转。
因此，设置 过滤器装置，尤其适合于在EUV光刻设备中应用，尤其是对于具有基于锡的等离子体源的EUV光刻设备。
參照图3，示意性地示出过滤器装置149的布置。示出具有源SO的源腔47。收集器50位于源的下游(未示出)。如上所述，可选的污染物阻挡件49布置在源SO的下游但在收集器50的上游，即在第一(反射的)光学装置的前面。此外，过滤器装置149布置在源SO的下游和收集器50 (未示出)的上游以及可选的污染物阻挡件49的上游。示意性地，如在图4中进ー步显示的，示出过滤器装置149的多个翼片。
图4示意性地示出根据本发明的实施例的过滤器装置149。仅显示出有关的细节；为了简明起见，未示出过滤器装置外壳和用于旋转过滤器装置149的过滤器装置电动机。
过滤器装置149包括保持器201 (例如成锥形)，具有保持器上游侧220 (在此是锥体顶部)；和翼片200 (为了清楚起见仅显示几个翼片)。在使用期间，过滤器装置149可以沿着旋转轴线RA旋转。在一个实施例中，旋转轴线RA大致平行于光轴O的至少一部分且大致与光轴O的至少一部分一致(如图4所示)。在一个实施例中，过滤器装置149是关于旋转轴线RA旋转对称的(且在ー个实施例中因此也关于光轴O旋转对称)。保持器上游侧220指向源SO(未显示出)。翼片200可以具有上游前部区域202、顶部区域203、下游后部区域204和底部205。
过滤器装置149是ー种“推进器”，具有平行于旋转轴线RA的翼片200，例如平行于光轴O和/或与光轴O —致。如图4所示，翼片200平行于旋转轴线RA，并平行于垂直于旋转轴线RA的法线N。翼片的平面在旋转轴线RA处相交。
翼片200可以具有在O. 05-1. 2mm或者O. 1-0. 4mm范围内的最大翼片厚度d (參见图5)。在更大厚度处，可能会阻挡太多的辐射，而对于下文描述的碳纤维复合材料，更小的厚度可能是不可行性的。所述过滤器装置149可以包括约50-200个翼片，或者150-200个翼片。在使用期间(即在光刻处理期间)，过滤器装置149可以以约1000-20000rpm范围内或者3000-8000rpm范围内的速度围绕旋转轴线RA旋转。翼片200被定向成使得来自源SO的至少一部分辐射仍然可以通过过滤器149传播。
在PCT专利申请出版物No. WO 99/42904和WO 03/034153以及美国专利申请出版物No. US2006/0186353中也描述了具体的实施例，在此处以引用的方式将它们的全部内容
包含在本申请中。
过滤器装置149与离子和粒子遭遇，尤其是锡(Sn)粒子。Sn粒子，当它们到达过滤器装置时，可能会具有达到约2000-2500°C的温度。非常坚固的材料(例如钨(W))或者钥(Mo)不能够应付这些条件。然而，令人惊奇的是，从由碳-碳复合物(C-C复合物)和碳-碳化硅复合物(C-SiC复合物)构成的组中选出的碳纤维复合材料不仅适于提供具有期望的強度和热导率的坚固的翼片，而且还能够在光刻设备条件下耐受Sn液体。这样的材料尤其适合应付来自基于锡的辐射源的离子、粒子和液体锡粒子。
单向碳纤维复合物看上去能够提供适合应用于过滤器装置149中的翼片200。碳纤维复合材料在现有技术中是已知的，例如由PCT专利申请出版物No. WO 00/034629,US专利 US 4833030 以及 US 专利申请出版物 No. US 2005/0151305 和 US 2006/0019816。术语“单向”在此处是指C-C或C-SiC类型的碳纤维复合材料，其中碳纤维的取向大致在ー个方向(ー个取向)上。这与例如3D或织物类型的碳纤维复合物形成对照。
在一个实施例中，光刻设备I包括过滤器装置149，其中过滤器装置149包括连接至保持器201的多个翼片200，所述保持器能够围绕旋转轴线RA旋转，翼片200被平行于旋转轴线RA布置，其中翼片200包括从由碳-碳复合物(C-C复合物)和碳-碳化硅复合物(C-SiC复合物)构成的组中选出的单向碳纤维复合物材料。
因此，在一个实施例中，光刻设备I包括过滤器装置149，其中过滤器149包括连接至保持器201的多个翼片200，所述保持器能够围绕旋转轴线RA旋转，翼片200被平行于旋转轴线RA布置，其中翼片包括基本上不与液体Sn反应的材料。所述材料(例如此处描述的碳纤维复合物)可以具有至少约50W/mK、至少约60W/mK、至少约100W/mK、在约50-400W/mK的范围内的、在约60-400W/mK的范围内、和/或在约100_400W/mK范围内的热导率。注 率可以具有此处的特定的值。
在一个实施例中,碳纤维复合材料中的纤维的方向垂直于旋转轴线RA。所以，可以优化地利用材料的抗张强度，和可以最好地抵抗离心力。在纤维的方向上的抗张强度可以在约200-900MPa的范围内或者在约400_800MPa的范围内。
參照图5，显示出翼片200的一个实施例，为了清楚起见，与保持器201分离开绘制。翼片200可以具有上游前部区域202、顶部区域203、下游后部区域204和底部205。显示出尾部部分206朝向底部205，该尾部部分206可以相对地比翼片200的主要部分厚。这种尾部部分206可以更好地允许翼片200连接到保持器201。翼片201具有最大厚度d，其可以在约O. 05-1. 2mm或者约O. 1-0. 4mm范围内。尾部部分206可以具有在约O. 2-2. 5mm或者约O. 6-1. 5_范围内的最大厚度。尾部部分206可以包括翼片200的总表面的约O. 2_5%。在一个实施例中，尾部部分的最大厚度dl比翼片的最大厚度d大。
图5还示意性地示出碳纤维210。碳纤维210可以与垂直于旋转轴线RA的法线N成角度(Θ)。选择了与法线的最小角度。出于表达清楚的原因，ー些碳纤维210经被绘制为具有非零的角度Θ。碳纤维210的方向是在翼片200中的碳纤维210(或者如下文讨论的包括在翼片中的层)的角度Θ的平均值。在单向碳纤维复合物中，纤维210大致彼此平行地布置且布置在大致ー个方向上。如上所述，在碳纤维复合材料中的纤维210的方向在一实施例中垂直于旋转轴线RA，S卩，角度Θ大致是0°或者在0-1°范围内。
图6a显示(在正视图中)一个实施例,其中在碳纤维复合物材料中的纤维210的方向垂直于旋转轴线RA，即，角度Θ大致是零度。为清楚起见，未显示出尾部部分206，且仅显示出翼片200的一部分。注意到，示意性地在此处显示的翼片200具有恒定的厚度，然而在翼片厚度上可以发生超过翼片200的高度或者长度的变化，而与尾部部分206无关。在图6a中，在正视图中示意性地显示出光轴O和旋转轴线RA，即，现在从前部区域202 (上游视图)看到了图5的翼片200。在这个实施例中，翼片实质上由碳纤维复合材料的ー个层300构成。在本实施例中，纤维210平行于法线N(垂直于旋转轴线RA的法线)且(因此)垂直于旋转轴线RA排列，即，与法线N成的角度Θ大致为零度。[0089]在一实施例中，翼片200包括单向碳纤维复合材料的ー个层300。然而，如在图6b、6c、6d和6e或6f (以及在图7a中)示意性地显示的，另ー实施例是可行的。在过滤器装置149的一实施例中，翼片200可以包括2到5层复合材料。在这样实施例中，在各个层中的碳纤维210的方向可能层与层是不同的。
图6b示意性地显示出翼片200的一个实施例，包括两层碳纤维复合材料。为了清楚起见，彼此以一定间距绘制层。翼片200在这个实施例中包括单向碳纤维复合材料的第ー层300(1)和单向碳纤维复合材料的第二层300(2)。碳纤维210相对于法线(并且因此相对于旋转轴线RA(未显示出))的方向可能层与层不同。在图6b中，与相对于旋转轴线RA的法线N的角度分别表示为角度Θ I和Θ 2。
在一实施例中，未显示出，翼片200包括单向碳纤维复合材料的第一层300(1)和单向碳纤维复合材料的第二层300 (I)，其中第一层300 (I)中的纤维210的方向垂直于第二层300(2)中的纤维210的方向。当在过滤器装置中应用这样的翼片200时，在实施例中， 所述层中的至少ー个的纤维210的方向垂直于旋转轴线RA，在另ー层中的纤维210的方向因此平行于旋转轴线RA。因此，在实施例中，所述层中的至少ー个中的纤维210的方向平行于法线N，即这ー层中的角度Θ大致为零度且垂直于旋转轴线RA，所述层中的至少ー个中的纤维210的方向垂直于法线N，即这ー层中的角度Θ大致为90°。
在图6b/6c中示意性地显示出的实施例中，翼片200包括单向碳纤维材料的第一层300 (I)和单向碳纤维复合材料的第二层300(2)，其中，第一层300(1)中的纤维210的方向具有相对于垂直于旋转轴线RA的法线N的第一方向角度Θ 1，其中第二层300(1)中的纤维210的方向具有相对于法线N的第二方向角度Θ 2，其中，第一和第二方向角度(Θ I、Θ2)在0-10°的范围中，其中第一层和第二层中的纤维的方向之间的相互角度大于0°且等于或小于10°。例如，第一层300(1)中的碳纤维210的方向可以具有与法线N成0°的角度Θ1，第二层300(2)中的碳纤维210的方向可以具有与法线N成2. 5°的Θ1，从而提供了 2. 5°的相互角度。在另ー实施例中，Θ I可以是2. 5°，Θ 2可以是2. 5°，但相互角度可以是5° (在各个层中的方向的相反的偏离)。
在一个实施例中，当在翼片200中应用两个或更多个层时，至少2个层具有不同的碳纤维方向，即在至少两个层中的碳纤维是不平行的。在将具有至少两个层的这样的翼片200应用到过滤器装置中时，在一个实施例中，所述层中的至少ー个层的纤维210的方向垂直于旋转轴线RA(即与法线N的角度Θ大致为零度)。
图6c示意性地显示出这ー实施例的侧视图，其中翼片200包括两个层300(1)和300 (2)。在这ー示意性的侧视图中，纤维210看上去是平行的，但如上所述的在一个实施例中是不平行的。然而，从平行的偏离位于垂直于视图的平面中。每ー层具有分别表示为d(l)和d(2)的厚度。图6d是正视图或侧视图，但现在示意性地包括保持器201。还示意性地显示出垂直于图的平面的旋转轴线RA。为了清楚起见，示意性地显示出的过滤器装置149仅具有一个翼片200。
图6e/6f示意性地显示出翼片200的一个实施例，其中翼片实质上由用參考标记300(1),300(2)和300 (3)表示的3个层构成，分别具有最大厚度d (I)、d (2)和d(3)。第三层300 (3)可以包括碳纤维复合材料,其中，碳纤维210的方向实质上平行于第一层300(1)的碳纤维复合材料中的碳纤维210的方向。[0096]在一实施例中，如在图6e/6f中示意性地显示的，翼片200包括单向碳纤维复合材料的第一层300(1)、单向碳纤维复合材料的第二层300(2)和单向碳纤维复合材料的第三层300 (2)，其中，第一层300 (I)中的纤维210的方向具有相对于垂直于旋转轴线(RA)的法线(N)的第一方向角度(Θ 1，未示出)，其中，第二层300(2)中的纤维210的方向具有相对于法线(N)的第二方向角度(Θ 2)，且其中，第三层300 (3)中的纤维210的方向具有相对于法线(N)的第三方向角度(Θ 3,未不出)，且其中，第一、第二、第三方向角度(Θ I、Θ 2、Θ 3)在约0-90度范围内，且其中第一层300 (I)和第二层300 (2)中的纤维210的方向之间的相互角度在一实施例中基本上为90°，且其中第一层300(1)和第三层300(3)中的纤维210的方向之间的相互角度在一实施例中基本上为0°。或者说，在一实施例中，翼片200包括单向碳纤维复合材料的第一层300 (I)和单向碳纤维复合材料的第二层300 (2)和单向碳纤维复合材料的第三层300(2)，其中，相邻层中的碳纤维210的方向彼此垂直。
在图6f中，为了清楚起见，以一定间距示意性地绘制各个层300(1)、300(2)和300(3)，但如在图6e中所示意性地绘制的，三个层300(1) >300(2)和300(3)形成层压件且形成相邻的层300 (I) ,300 (2)和300 (3)。如图6e中显示的实施例中示出的，中间层300 (2) 的碳纤维210的方向垂直于图(上游视图)的平面，即大致平行于旋转轴线RA和光轴0，该层被夹在具有方向大致平行的碳纤维210的两个层300(1)和300(3)之间，其方向垂直于中间层300(2)的碳纤维的方向。
同理，可以产生层的堆叠，例如2-5个层，其中相邻层具有彼此垂直的碳纤维方向。
在一实施例中，如在图8中所示意性显示的，保持器201包括多个插套230，其中每个翼片200包括尾部部分206，其中插套230构造成容纳尾部部分206，其中插套230被构造以防止在垂直于旋转轴线RA的方向上从保持器201释放翼片200。图8示意性地显示出插套的两个实施例A和B。如本领域技术人员所能理解的，更多类型的插套230可能是可行的。此外，如从图4和5所能理解的，可以存在对应于所述多个翼片200的多个插套230，插套被布置以容纳翼片的尾部部分206。
保持器201可以具有外表面212，该外表面在光刻处理期间可以至少部分地暴露给源SO的辐射。在保持器201的至少一部分中，即因此在表面212的至少一部分中，插套230被布置成尾部部分206可以滑动到插套230中。它们被构造，以便不允许在垂直于表面212的方向上释放，但是在平行于表面212的方向上可以释放。
在一实施例中，翼片200具有最大的翼片厚度d，尾部部分206具有最大的尾部部分厚度dl，其中，最大的尾部部分厚度dl大于最大的翼片厚度d。可以将插套230布置成具有不同的宽度更靠近表面212的插套被选择以容纳具有最大厚度d的翼片200的一部分，具有更大宽度的在保持器201中更深的、距离表面212更远的一部分，其宽度被选择以容纳具有最大厚度dl的尾部部分，如在图8中不意性显不的。
这样，可能暴露给翼片200的大的离心力可能不会导致翼片200的不期望的释放。此外，具有相对较厚(dl > d)的尾部部分206的插套230和翼片200可以允许相对容易地从过滤器装置149移除单个翼片(例如在处理之后翼片200被损坏时或在翼片200上的Sn沉积物变得太厚吋)。翼片200可以轻易地滑动到保持器201的外面，且被新的翼片200更换。[0103]在一实施例中，保持器201的至少一部分(尤其是指向源SO的顶部220)可以包括从由碳-碳复合物(C-C复合物)和碳-碳化硅的复合物(C-SiC复合物)构成的组选出的碳纤维复合材料。这种复合物可以是单向碳纤维复合材料，但是还可以是织物或编织的或3维的碳纤维复合材料。这样，可以提供相对坚固的过滤器装置，其令人惊奇地且整体地能够应付可能从源SO释放出来的例如液体Sn、离子等碎片。
在一实施例中，光刻设备I包括辐射源S0，该辐射源SO被构造以产生EUV辐射，其中辐射源SO是Sn等离子体源。
在一实施例中，光刻设备I包括照射系统，该照射系统被配直以调节福射束；支撑件，该支撑件被构造以支撑图案形成装置，所述图案形成装置被配置以在辐射束的横截面中将图案赋予给福射束，以形成图案化的福射束；衬底台，该衬底台被构造以保持衬底；和投影系统，该投影系统被配置以将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。在ー实施例中，光刻设备I是EUV光刻设备。光刻设备包括辐射源S0，该辐射源SO被构造以产生辐
射束，该辐射束在一实施例中是EUV辐射束，辐射源被构造以产生EUV辐射。在一实施例中，过滤器装置149在操作(例如光刻处理)期间，可以围绕光轴0(以高的速度)旋转，以过滤至少一部分碎片，例如液体Sn粒子，以帮助減少诸如收集器反射镜50的光学元件的沉积和/或劣化。
根据本发明的ー个方面，提供了ー种使用根据本发明的一个实施例的光刻设备I的器件制造方法，即在光刻处理期间，使用过滤器装置149，通过其的旋转从辐射束移除由源SO射出的至少一部分碎片。可以提供一种器件制造方法，其中，在光刻处理期间，过滤器装置149围绕旋转轴线RA旋转，以过滤掉由源SO发射的一部分碎片。
根据本发明的ー个方面，提供了一种过滤器装置149本身，该过滤器装置149包括连接至保持器201的多个翼片200，该保持器能够围绕旋转轴线RA旋转，翼片200被布置成平行于旋转轴线RA，其中翼片200包括从由碳-碳复合物(C-C复合物)和碳-碳化娃复合物(C-SiC复合物)构成的组中选出的单向碳纤维复合材料。如上文所述，在一实施例中，保持器201的至少一部分(尤其是保持器上游侧220)可以包括从由碳-碳复合物(C-C复合物)和碳-碳化硅复合物(C-SiC复合物)构成的组中选出的碳纤维复合材料。如本领域技术人员所能理解的，过滤器装置149还可以包括用于推动过滤器装置149的机构(例如电机)，并还可以包括外壳，其中过滤器装置149可以旋转；和气体源，该气体源被配置以提供通过过滤器装置149 (即通过翼片200之间的敞开的空间)的气流。过滤器装置149可以另外的或可替代地包括冷却机构，例如帕耳帖(Peltier)元件，用于冷却例如保持器201 ;在翼片200的内部的ー种或更多种液体冷却媒介通道；在翼片200的外部(例如翼片200中的沟槽)的ー种或更多种液体冷却媒介通道；在翼片200中或翼片200外面的液体锡引导结构(例如翼片200中的沟槽)；IR发射增强结构(例如具有在5微米至100微米的量级的尺寸的结构)；翼片间隔结构；和相邻翼片200之间的间隔件(例如在旋转期间防止或减少共振)等。
在本发明的ー个方面中，提供了一种制造用于过滤器装置149中的翼片200的方法。
碳纤维复合材料的制造在现有技术中是已知的，例如从PCT专利申请出版物No. WO 00/034629、US 专利 No. US 4833030 以及 US 专利申请出版物 No. US 2005/0151305和US 2006/0019816。在此处，本发明的一个实施例提供了一种制造过滤器装置的翼片的方法，所述方法包括
a.提供包含树脂的预浸溃薄片；
b.固化所述树脂；
c.可选地减小在过程b)获得的产品的至少一部分的厚度；
d.使在过程b)或c)获得的产品碳化；
e.可选地一次或更多次地执行增加密度的过程，其中所述增加密度的过程包括用包含碳的化合物滲透在过程d)获得的已碳化的产品且随后使已渗透的产品碳化；
f.将在过程d)或e)获得的产品进行石墨化；
g.可选地减少在过程f)获得的产品的至少一部分的厚度，其中所述方法包括用于减小从根据过程c)和过程g)的过程中选择的厚度的至少ー个过程。
次过程a)、b)、d)和の是标准过程。然而，本发明的一个实施例还在实施例中提供了至少ー个厚度减少过程，其是过程c)或过程g)或过程c)和g)两者。在碳化过程d)之前或在石墨化过程f)之后或在过程b)和の两者之后可以减小厚度。通过减小厚度，可以获得翼片200和其尾部部分的优化的厚度(d和dl)。通过抛光或在本领域中已知的其它方法(例如研磨过程)来使得厚度减小。
术语“提供包含树脂的预浸溃薄片”表示提供本领域技术人员已知的所谓的“预浸料坯”或预浸溃的纤维增强材料，其在固化、碳化、可选的增加密度和石墨化过程之后形成从由碳-碳复合物(C-C复合物)和碳-碳化硅复合物(C-SiC复合物)构成的组中选出的(单向)碳纤维复合材料。这样的薄片在商业上是可以获得的，例如来自Toray或Nelcote。
在一实施例中，包含树脂的预浸溃薄片包括包含树脂的预浸溃薄片的层压件。在这样的实施例中，已经用薄片层压件开始且执行上述的过程。这样的薄片层压件可以例如被布置以在处理步骤之后提供如上文所述的且如在图6b-7a中示意性地显示出的翼片200的实施例。
在一实施例中，在可选的过程c)之后和在碳化过程d)之前，所述方法还包括一次或多次地执行层压过程，其中，所述层压过程包括
al.将包含另外的树脂的预浸溃薄片布置到在过程b)或c)获得的产品上，以获得在过程b)或c)获得的产品和包含另外的树脂的预浸溃薄片的层压件；
bI.固化所述树脂；和
Cl.可选地减小在过程bl)获得的产品的至少一部分的厚度。
在这个实施例中，在执行层压的同时，进行处理。通过图7a和7b可以示意性地显示出上文描述的实施例。图7a显示出模具400，该模具400具有深度为d3的凹陷401。在一实施例中，深度d3基本上等于d的二分之一。包含树脂的预浸溃薄片被一层摞ー层地布置。在图7a中，这些薄片表示为薄片300(1)-300(5)。这些薄片将在执行制造翼片200的方法之后形成上文所述的层300(1)-300(5)。在图7a中示意性地显示出的实施例中，以大和小的薄片的次序层压薄片，在图7a中是大-小-太-小-大的次序。这样，在执行制造方法之后，可以如图7b所示意性地示出的来提供ー个件2000。较厚的部分可以具有对应于dl的厚度，较薄的部分可以对应于翼片厚度d。这个件2000可以被分成2个部分(大致対称的)，从而提供了第一翼片200(1)和第二翼片200(2)。如本领域技术人员所能理解的，件2000可以具有这样的尺寸，以便提供n*2(大致对称的)部分，从而提供η个第一翼片200(1)和η个第二翼片200(2)，其中η例如在1-20的范围内。
在可选的厚度减小步骤和/或在可选的切割步骤之后(从而提供了期望形状的翼片200)，翼片200可以准备用于连接到保持器201中且之后用作光刻设备I中的过滤器装置 149。
图7a示意性地显示出5层的堆叠/层压件，然而，如上文所显示的，可以使用1-5层。如上文所述，过程例如可以被执行，使得将第一薄片300(1)-300(3)布置到模具上且之后进行固化。之后，所获得的产品可以至少部分地减小厚度，如上文所述和如在图7a中用虚线示意性地显示的，且之后可以将薄片300(4)-300(5)应用到已固化的薄片300⑴-300 (3)上，且之后其也被固化。从此之后，如果期望的话，所获得的产品还可以减小厚度，如在图7b中用虚线示意性地显示的实施例中(即过程Cl)。之后，在获得5层的层压 件之后，这ー产品还可以通过碳化和石墨化进行另外的处理。从此之后，如果期望的话，所获得的产品还可以减小厚度。
模具400仅是可能的模具的示意性实施例。
术语“基本上”、“大致”在此处在实施例中是指“完全地”或“全部地”。在实施例中，它可以例如表示约95-100%。本领域技术人员应当理解术语“基本上”、“大致”。同理，术语“至少部分地”在此处在实施例表示“完全地”或“全部地”。在实施例中，它可以例如表示约95-100%。
尽管在本文中可以做出具体的參考，将所述光刻设备用于制造1C，但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、包含液晶显示器(LCD)的平板显示器、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将此处使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(ー种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将此处所述公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如以便产生多层1C，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
尽管以上已经做出了具体的參考，在光学光刻术的情况中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明可以用于其它应用中，例如压印光刻术，并且只要情况允许，不局限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压カ或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。
尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。例如，本发明的实施例可以采取包含用于描述上述公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。这种计算机程序可以用于控制沉积物的去除、控制压力等。
以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求
的保护范围的条件下，可以对所描述的本发明进行修改。
因此，本发明在实施例中提供了ー种光刻设备1，该光刻设备I包括过滤器装置149，其中，所述过滤器装置149包括连接至保持器201的多个翼片200，该保持器201能够围绕旋转轴线RA旋转，翼片200被布置平行于旋转轴线RA，其中，所述翼片200包括从由碳-碳复合物(C-C复合物)和碳-碳化硅复合物(C-SiC复合物)构成的组中选出的单向碳纤维复合材料。在另外的实施例中，本发明提供了这样的光刻设备1，其中碳纤维复合材料中的纤维的方向垂直于旋转轴线RA。在另外的实施例中，本发明提供了光刻设备1，其中翼片200包括单向碳纤维复合材料的ー个层300。在另外的实施例中，本发明提供了ー种光刻设备I，其中，翼片200包括单向碳纤维复合材料的第一层300(1)和单向碳纤维复合材料的第二层300(2)，其中，第一层300(1)中的纤维的方向垂直于第二层300(2)中的纤维的方向。在另ー实施例中，本发明提供了ー种光刻设备1，其中，翼片200包括单向碳纤维复合材料的第一层300 (I)和单向碳纤维复合材料的第二层300 (2)，其中，第一层300 (I)中的纤维的方向具有相对于垂直于旋转轴线RA的法线N的第一方向角度Θ I，且其中，第二层300 (2)中的纤维的方向具有相对于法线N的第二方向角度Θ 2，且其中第一和第二方向角度Θ1、Θ2在0° -10°范围内，且其中第一层和第二层中的纤维的方向之间的相互角度大于0°且等于或小于10°。在另外的实施例中，本发明提供了ー种光刻设备1，其中，翼片200包括2-5层复合材料。在另ー实施例中，本发明提供了ー种光刻设备I，其中翼片200具有在O. 05-1. 2mm范围内的最大翼片厚度d，尤其是在O. 1-0. 4mm范围内。在另ー实施例中，本发明提供了ー种光刻设备1，其中保持器201包括多个插套230，其中，每个翼片200包括尾部部分206，其中插套230被构造以容纳尾部部分206，其中插套230被构造以防止翼片200在垂直于旋转轴线RA的方向上从保持器201释放。在一个实施例中，过滤器装置149包括50-200个翼片200。在一个实施例中，保持器201的至少一部分包括从由碳-碳复合物(C-C复合物)和碳-碳化硅复合物(C-SiC复合物)构成的组中选出的碳纤维复合材料。光刻设备可以包括辐射源S0，其被构造以产生EUV辐射，且其中辐射源SO是Sn等离子体源。在一实施例中，提供光刻设备1，其包括过滤器装置149，其中，过滤器装置149包括连接至保持器201的多个翼片200，所述保持器201能够围绕旋转轴线RA旋转，翼片200被布置平行于旋转轴线RA，其中，翼片200包括在至少1000°C的温度下基本上不与液体Sn反应的材料。
在另外的实施例中，本发明提供了一种过滤器装置149，该过滤器装置149包括连接至保持器201上的多个翼片200，该保持器201能够围绕旋转轴线RA旋转，翼片200被布置成平行于旋转轴线RA，其中翼片200包括从由碳-碳复合物(C-C复合物)和碳-碳化硅复合物(C-SiC复合物)构成的组中选出的单向碳纤维复合材料。在另外的实施例中，提供了过滤器装置149，其中保持器201的至少一部分包括从由碳-碳复合物(C-C复合物)和碳-碳化硅复合物(C-SiC复合物)构成的组中选出的碳纤维复合材料。
本发明还提供了一种制造用于过滤器装置149的翼片200的方法，所述方法包括a.提供包含树脂的预浸溃薄片；
b.固化所述树脂；
c.可选地减小在过程b)获得的产品的至少一部分的厚度；[0139]d.使在过程b)或c)获得的产品碳化；
e.可选地一次或更多次地执行增加密度的过程，其中所述增加密度的过程包括用包含碳的化合物滲透已碳化的产品且随后使已渗透的产品碳化；
f.将在过程d)或e)获得的产品进行石墨化；
g.可选地减少在过程f)获得的产品的至少一部分的厚度，其中所述方法包括用于减小从根据过程c)和过程g)的过程中选择的厚度的至少ー个过程，且其中所述翼片200包括从由碳-碳复合物(C-C复合物)和碳-碳化硅复合物(C-SiC复合物)构成的组中选出的单向碳纤维复合材料。
在一实施例中，包含树脂的预浸溃的薄片包括包含树脂的预浸溃薄片的层压件。在另ー实施例中，在可选的过程c)之后和在碳化的过程d)之前，所述方法还包括一次或更多次地执行层压过程，其中所述层压过程包括al.将包含另外的树脂的预浸溃薄片布置到在过程b)或c)获得的产品上，以获得在过程b)或c)获得的产品和包含另外的树脂的预浸溃薄片的层压件；
bl.固化所述树脂；和
Cl.可选地减小在过程bl)获得的产品的至少一部分的厚度。
本发明还提供ー种使用根据本发明的实施例的光刻设备的器件制造方法。
另外，在根据本发明的装置制造方法的实施例中，在光刻处理期间，过滤器装置149围绕旋转轴线RA旋转。
本发明不限于光刻设备的应用或如在实施例中描述的用于光刻设备中的用途。另夕卜，附图通常仅包括理解本发明所必需的元件和特征。除此之外，光刻设备的附图是示意性的且不是成比例的。本发明不限于在示意性附图中显示出的这些元件(例如在示意性附图中画出的反射镜的数量)。此外，本发明不限于关于图I和2描述的光刻设备。应当理解可以组合上述描述的实施例。
权利要求
1.ー种光刻设备，所述光刻设备包括过滤器装置，所述过滤器装置包括连接至保持器的多个翼片，所述保持器能够围绕旋转轴线旋转，所述翼片被布置成基本上平行于所述旋转轴线，且包括从由碳-碳复合物和碳-碳化硅复合物构成的组中选出的单向碳纤维复合材料。
2.根据权利要求
I所述的光刻设备，其中，所述碳纤维复合材料中的纤维的方向横向于所述旋转轴线。
3.根据权利要求
I所述的光刻设备，其中，所述翼片包括ー层单向碳纤维复合材料。
4.根据权利要求
I所述的光刻设备，其中，所述翼片包括单向碳纤维复合材料的第一层和单向碳纤维复合材料的第二层，其中，所述第一层中的纤维的方向横向于所述第二层中的纤维的方向。
5.根据权利要求
I所述的光刻设备，其中，所述翼片包括单向碳纤维复合材料的第一层和单向碳纤维复合材料的第二层，其中，所述第一层中的纤维的方向具有相对于垂直于所述旋转轴线的法线的第一方向角度，其中，所述第二层中的纤维的方向具有相对于所述法线的第二方向角度，且其中所述第一和第二方向角度在0° -10°范围内，且其中所述第ー层和第二层中的纤维的方向之间的相互角度大于0°且等于或小于10°。
6.根据权利要求
I所述的光刻设备，其中，所述翼片包括2-5层复合材料。
7.根据权利要求
I所述的光刻设备，其中，所述翼片具有在O.05-1. 2mm范围内的最大翼片厚度。
8.根据权利要求
I所述的光刻设备，其中，所述翼片具有在O.1-0. 4mm范围内的最大翼片厚度。
9.根据权利要求
I所述的光刻设备，其中，所述保持器包括多个插套，其中，每个翼片包括尾部部分，其中所述插套被构造以容纳所述尾部部分且防止所述翼片在垂直于所述旋转轴线的方向上从所述保持器释放。
10.根据权利要求
I所述的光刻设备，其中，所述过滤器装置包括50-200个翼片。
11.根据权利要求
I所述的光刻设备，其中，所述保持器的至少一部分包括从由碳-碳复合物和碳-碳化硅复合物构成的组中选出的碳纤维复合材料。
12.根据权利要求
I所述的光刻设备，还包括被构造以产生EUV辐射的Sn等离子体辐射源。
13.ー种光刻设备，所述光刻设备包括过滤器装置，其中，所述过滤器装置包括连接至保持器的多个翼片，所述保持器能够围绕旋转轴线旋转，所述翼片被布置成平行于所述旋转轴线且包括在至少1000°c的温度下基本上不与液体Sn发生反应的材料。
14.一种过滤器装置，所述过滤器装置包括连接至保持器的多个翼片，所述保持器能够围绕旋转轴线旋转，所述翼片被布置成基本上平行于所述旋转轴线且包括从由碳-碳复合物和碳-碳化硅复合物构成的组中选出的单向碳纤维复合材料。
15.根据权利要求
14所述的过滤器装置，其中，所述保持器的至少一部分包括从由碳-碳复合物和碳-碳化硅复合物构成的组中选出的碳纤维复合材料。
16.一种用于制造用于过滤器装置的翼片的方法，所述方法包括过程 a.提供包含树脂的预浸溃薄片； b.固化所述树脂；C.可选地减小在过程b)获得的产品的至少一部分的厚度； d.使在过程b)或C)获得的产品碳化； e.可选地一次或更多次地执行增加密度的过程，其中所述增加密度的过程包括用包含碳的化合物滲透所述已碳化的产品且随后使所述已渗透的产品碳化； f.将在过程d)或e)获得的产品进行石墨化； g.可选地减少在过程f)获得的产品的至少一部分的厚度，其中所述方法包括通过过程c)或过程g)或过程c)和过程g)两者减小所述厚度，且其中所述翼片包括从由碳-碳复合物和碳-碳化硅复合物构成的组中选出的单向碳纤维复合材料。
17.根据权利要求
16所述的方法，其中，所述包含树脂的预浸溃薄片包括包含树脂的预浸溃薄片的层压件。
18.根据权利要求
16所述的方法，还包括在可选的过程c)之后和在过程d)之前，一次或更多次地执行层压过程，其中所述层压过程包括 al.将包含另外的树脂的预浸溃薄片布置到在过程b)或c)获得的产品上，以获得在过程b)或c)获得的产品和包含另外的树脂的预浸溃薄片的层压件； bl.固化在所述包含另外的树脂的预浸溃薄片中的树脂； Cl.可选地减小在过程bl)获得的产品的至少一部分的厚度。
19.一种器件制造方法，包括步骤 对辐射束进行图案化； 将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；和 使用过滤器装置过滤所述辐射束，所述过滤器装置包括连接至保持器的多个翼片，所述保持器能够围绕旋转轴线旋转，所述翼片被布置成基本上平行于所述旋转轴线，且包括从由碳-碳复合物和碳-碳化硅复合物构成的组中选出的单向碳纤维复合材料。
20.根据权利要求
19所述的器件制造方法，其中在光刻处理期间，使所述过滤器装置围绕所述旋转轴线旋转。
专利摘要
本发明公开了一种包括过滤器装置(149)的光刻设备(1)。过滤器装置(149)具有连接至保持器(201)的多个翼片(200)，所述保持器能够围绕旋转轴线(RA)旋转。所述翼片(200)被布置基本上平行于所述旋转轴线(RA)。所述翼片(200)包括从由碳-碳复合物(C-C复合物)和碳-碳化硅复合物(C-SiC复合物)构成的组中选出的单向碳纤维复合材料。在操作期间，过滤器装置(149)旋转且过滤出来自辐射源(SO)，例如Sn等离子体源的碎片。可以提供这样的过滤器装置(149)本身。
文档编号G03F7/20GKCN101802714 B发布类型授权 专利申请号CN 200880106413
公开日2012年10月10日 申请日期2008年9月12日
发明者E·J·布斯, T·A·R·范埃姆皮尔 申请人:Asml荷兰有限公司导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan专利引用 (6), 非专利引用 (1),