本邻近第四光刻场图 像的外周边缘定位的第四瓣状区，第一、第二、第三和第四光刻场的外周边缘基于第一、第 二、第三和第四瓣状区之间的预定设计距离以非重叠方式基本邻接， 其中，在度量工具的视场（FOV)内捕获第一、第二、第三和第四瓣状区，用于确定第一、 第二、第三和第四光刻场图像之间的拼接误差。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述FOV包括约35ymX35ym的窗口。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中第一、第二、第三和第四瓣状区提供位置误差指 示，所述位置误差指示与第一、第二、第三和第四光刻场的外周边缘的基本邻接对应。
4. 根据权利要求3所述的方法，其中所述位置误差指示包括： 基于与在半导体层上成像的第一和第二瓣状区对应的相应的坐标以及第一和第二瓣 状区之间的第一预定设计距离来测量第一和第二瓣状区之间的布置误差；以及 基于与在半导体层上成像的第三和第四瓣状区对应的相应的坐标以及第三和第四瓣 状区之间的第一预定设计距离来测量第三和第四瓣状区之间的布置误差。
5. 根据权利要求4所述的方法，其中所述位置误差指示包括： 基于与在半导体层上成像的第二和第三瓣状区对应的相应的坐标以及第一和第二瓣 状区之间的第二预定设计距离来测量第二和第三瓣状区之间的布置误差；以及 基于与在半导体层上成像的第一和第四瓣状区对应的相应的坐标以及第三和第四瓣 状区之间的第二预定设计距离来测量第一和第四瓣状区之间的布置误差。
6. 根据权利要求4所述的方法，其中第一预定设计距离包括可由度量工具测量的从第 一光刻场的外周边缘到第一瓣状区以及从第二光刻场的外周边缘到第二瓣状区的距离。
7. 根据权利要求5所述的方法，其中第二预定设计距离包括可由度量工具测量的从第 二光刻场的外周边缘到第二瓣状区以及从第三光刻场的外周边缘到第三瓣状区的距离。
8. 根据权利要求5所述的方法，还包括： 基于第一和第二瓣状区之间的布置误差、第二和第三瓣状区之间的布置误差、第三和 第四瓣状区之间的布置误差、以及第一和第四瓣状区之间的布置误差来确定平均瓣状区位 置祆差。
9. 根据权利要求8所述的方法，还包括： 基于平均瓣状区位置误差超过预定阈值来确定曝光的第一光刻场图像、曝光的第二光 刻场图像、曝光的第三光刻场图像和曝光的第四光刻场图像的线性场误差。
10. 根据权利要求9所述的方法，还包括： 基于平均瓣状区位置误差超过预定阈值来确定曝光的第一光刻场图像、曝光的第二 光刻场图像、曝光的第三光刻场图像和曝光的第四光刻场图像的场到场步进和扫描平移误 差。
11. 根据权利要求10所述的方法，还包括： 利用确定的线性场误差和确定的场到场步进和扫描平移误差两者来减轻确定的平均 瓣状区位置误差。
12. 根据权利要求1所述的方法，其中曝光的第一光刻场图像包括邻近第一光刻场图 像的外周边缘定位的第一另外的瓣状区，并且其中曝光的第二光刻场图像包括邻近第二光 刻场图像的外周边缘定位的第二另外的瓣状区，在度量工具的另一个视场（FOV)内捕获第 一和第二另外的瓣状区，用于确定第一和第二光刻场图像之间的另一拼接误差。
13. 根据权利要求12所述的方法，其中第一和第二光刻场图像整体形成与单个器件对 应的集成电路图案。
14. 根据权利要求13所述的方法，其中由极紫外（EUV)辐射源将第一、第二、第三和第 四光刻场图像曝光到半导体层上。
15. -种在半导体制造过程期间确定半导体层上的多个光刻曝光的场中的拼接误差的 方法，所述方法包括： 接收与和所述多个光刻曝光的场关联的多个瓣状区对应的预定设计距离； 在度量工具的单个视场（FOV)内识别花状区，所述花状区由与所述多个光刻曝光的 场对应的角的非重叠邻接形成，所述花状区包括与所述多个光刻曝光的场关联的多个瓣状 区；以及 基于所述花状区内的所述多个瓣状区中的每一个的坐标位置和预定设计距离两者来 计算瓣状区位置误差， 其中，计算的瓣状区位置误差指示所述多个光刻曝光的场的拼接误差。
16. 根据权利要求15所述的方法，其中所述FOV包括约35ymX35ym的窗口。
17. 根据权利要求15所述的方法，其中所述多个瓣状区包括各与所述多个光刻曝光的 场中的一个对应的第一、第二、第三和第四瓣状区。
18. 根据权利要求15所述的方法，其中计算所述瓣状区位置误差包括： 基于与在半导体层上成像的第一和第二瓣状区对应的相应的坐标以及所述预定设计 距离来测量第一和第二瓣状区之间的布置误差；以及 基于与在半导体层上成像的第三和第四瓣状区对应的相应的坐标以及所述预定设计 距离来测量第三和第四瓣状区之间的布置误差； 基于与在半导体层上成像的第二和第三瓣状区对应的相应的坐标以及所述预定设计 距离来测量第二和第三瓣状区之间的布置误差；以及 基于与在半导体层上成像的第一和第四瓣状区对应的相应的坐标以及所述预定设计 距离来测量第一和第四瓣状区之间的布置误差。
19. 根据权利要求15所述的方法，还包括： 在度量工具的另一单个视场（FOV)内识别另一花状区，所述另一花状区由与具有非重 叠的邻接边缘的多个光刻曝光的场中的两个关联的另一多个瓣状区形成。
20. -种用于在半导体制造过程期间确定半导体层上的多个光刻曝光的场中的拼接误 差的计算机系统，包括： 存储器； 与所述存储器通信的处理器，所述处理器包括用于从存储器获取指令的指令获取单元 和用于执行获取的指令的一个或多个执行单元； 其中，所述计算机系统能够执行包括以下步骤的方法： 接收与和所述多个光刻曝光的场关联的多个瓣状区对应的预定设计距离； 在度量工具的单个视场（FOV)内识别花状区，所述花状区由与所述多个光刻曝光的 场对应的角的非重叠邻接形成，所述花状区包括与所述多个光刻曝光的场关联的多个瓣状 区；以及 基于所述花状区内的所述多个瓣状区中的每一个的坐标位置和所述预定设计距离两 者来计算瓣状区位置误差， 其中，计算的瓣状区位置误差指示所述多个光刻曝光的场的拼接误差。
【专利摘要】本公开涉及用于利用接近式拼接度量的光刻图像场的制作的方法。提供了一种在半导体制造过程期间确定半导体层上的多个光刻曝光的场中的拼接误差的方法。所述方法可以包括：接收与和多个光刻曝光的场关联的多个瓣状区对应的预定设计距离；以及在度量工具的单个视场(FOV)内识别花状区，其中所述花状区由与所述多个光刻曝光的场对应的角的非重叠邻接形成。所述花状区可以包括与所述多个光刻曝光的场关联的多个瓣状区。然后可以基于所述花状区内的多个瓣状区中的每一个的坐标位置和预定设计距离两者来计算瓣状区位置误差，由此计算的瓣状区位置误差指示所述多个光刻曝光的场的拼接误差。
【IPC分类】G03F7-20
【公开号】CN104698770
【申请号】CN201410680171
【发明人】C·P·奥斯克尼特, J·D·莫利洛, R·J·耶顿
【申请人】国际商业机器公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2014年11月24日
【公告号】US9087740, US20150162249