161与第一基板101的侧壁154之间的最短距离）D10,且该距离DlO大 于该距离D9。
[0356] 请参照图10及图12A，该多个间隔物161可占该切割稳定区160的面积1 %至5% 之间。在此，该多个间隔物161占该切割稳定区160的面积为每一间隔物161的上表面积 Al的总和，于此实施例中，间隔物161的上表面较为靠近第一基板101。请参照第12B图， 在其他实施例中，该间隔物161也可设置于第一基板101上，即该间隔物161的上表面较为 靠近第二基板103。根据本发明实施例，该多个间隔物161可具有相同或不同的上表面积 A1。此外，根据本发明某些实施例，切割稳定区160内的间隔物161也可刚好设置于预定切 割道上，因此余留部分间隔物161，请参照图12C。再者，根据本发明其他实施例，间隔物161 也可露出框胶120外，请参照图12D。
[0357] 请参照图13,根据本发明另一实施例，一平坦层162可设置于该第一基板101之 上，并位于该切割稳定区160内，该切割稳定区160未设置该间隔物161、及该平坦层162 的部分由该框胶120所填满。该多个间隔物161设置于该平坦层162与该第二基板103之 间。根据本发明某些实施例，该平坦层162可为一图形化膜层或是具有沟槽，因此至少部分 框胶120与该第一基板101之间以该平坦层162相隔，且至少部分该第二基板103与该平 坦层162之间以该间隔物161隔开。该平坦层162为一具有绝缘性质的膜层，可例如为介 电材料、或光感性树脂。
[0358] 请参照图14,为一显示装置母板201的上视示意图，其中该显示装置母板201经 进行一切割制作工艺后，可得本发明图10所述的显示装置100。该切割制作工艺可例如为 单一或多重刀片的切割程序、或切割轮刀切割程序。由图14可知，该显示装置母板201的 该切割稳定区160(包含该第一稳定区160A、该第二稳定区160B、及该第三稳定区160C)沿 着一第一基板预定切割道124A及一第二基板预定切割道124B所设置。在本发明一实施例 中，该第二基板预定切割道124B对于该切割稳定区160而言可为一对称轴，即该切割稳定 区160被该第二基板预定切割道124B所隔的区域面积相等且互相对称。根据本发明其他 实施例，该第二基板预定切割道124B对于该切割稳定区160而言也可为非对称型态。
[0359] 根据本发明实施例，位于该切割稳定区160的该多个间隔物161，其与该第一基板 101 (或该第二基板）相接触的表面的形状可为圆形、椭圆性、正方形、长方形、或其组合。请 参照图15A至图15F为本发明实施例所述的显示装置母板201的该第二稳定区160B的放 大示意图。由图15A可知，该多个间隔物161可以互相对齐的阵列方式设置于该切割稳定 区内。此外，该多个间隔物161也可以交错的阵列方式设置于该切割稳定区内，如图15B所 示。根据本发明另一实施例，该第二基板预定切割道124B也可经过部分的该多个间隔物 161，请参照图15C。再者，请参照图15A，该切割稳定区160(例如该第二稳定区160B)两侧 与该第二基板预定切割道124B相隔的宽度WO与宽度W0'分别可介于50至150 μ m之间。
[0360] 此外，该多个间隔物161与该第一基板101 (或该第二基板）相接触的表面的形状 可为一具有一短边163及一长边165的长方形，而该长边165可与该第二基板预定切割道 124B实质上垂直（如图1?所示）、或是与该第二基板预定切割道124B实质上平行（如图 15E所示）。根据本发明其他实施例，该多个间隔物161除了可以该第二基板预定切割道 124B作为对称轴而设置于该切割稳定区160内，也可以非对称该第二基板预定切割道124B 的方式设置于该切割稳定区160内，请参照图15F。根据本发明其他实施例，该显示面板可 为非矩形，而该切割道也可依面板形状进行调整，不限制相互垂直或平行。
[0361] 请参照图16,根据本发明一实施例，因窄边框的趋势，除了第一边界122A与第三 边界122C侧的非显示区宽度缩小外，第二边界122B侧的非显示区宽度越来越小，因此框胶 也越来越靠近显示区。为避免该框胶120在形成时，在邻近该第二边界122B与该第三侧边 122C转角的区段与该显示区104过于接近，该框胶120可被设计成由一直线部120A及一 U 形部120B所构成，其中该直线部120A与该第二边界122B相邻，而该U形部120B与第一边 界122A、交界123、及第三边界122C相邻，因此框胶120于邻近该第二边界122B与该第三边 界122C转角的区段与显示区104的距离D12相较于框胶120邻近于该第二边界122B与显 示区104的距离Dll来得远。换言之，该直线部120A与该显示区104具有一距离Dll (即 该直线部120A与该显示区104之间最短的水平距离），而该直线部120A及该U形部120B 的边界127与该显示区104具有一距离D12(即该边界127与该显示区104之间最短的水 平距离），其中该距离D12大于或等于该距离Dll。
[0362] 另一方面，本发明所述显示装置可还包含一测试线路位于显示区外。请参照图17， 该显示装置100可包含一第一接触垫172及一第二接触垫174设置于该第一基板101上， 并位于该显示区104外。该显示装置100还包含一测试线路170,大致沿该第一基板101及 该第二基板103重合的外围边界122 (包含一第一边界122A、一第二边界122B、及一第三边 界122C)设置，其中该第一接触垫172与该第二接触垫174通过该测试线路电性连接。
[0363] 仍请参照图17,该测试线路170并未沿着该123交界设置。如此一来，在进行切割 制作工艺得到图8所示的显示装置100后，可通过量测该第一接触垫172及该第二接触垫 174之间的电压、电阻、及脉冲波形，并与一参考的电压、电阻、及脉冲波形进行比对，即可判 断所得的显示装置是否有切割线偏移的现象发生。举例来说，当一显示装置母板在进行切 割制作工艺并发生切割线偏移时，由于该测试线路沿该第一基板及该第二基板重合的外围 边界设置（位于显示区及预定切割线之间），因此若切割线偏移时切割刀具会造成该测试 线路损伤，如此一来所测得的电阻与一参考电阻相比会增加，因此可由此判断出是否有切 割线偏移的现象发生。
[0364] 该测试线路170、该第一接触垫172、及该第二接触垫174的材质可为单层或多层 的金属导电材料（例如：铝（A1)、铜（Cu)、钼（Mo)、钛（Ti)、铂（Pt)、铱（Ir)、镍（Ni)、铬 (Cr)、银（Ag)、金（Au)、钨（W)、或其合金）、金属化合物导电材料、金属合金（例如：含铝 (Al)合金、含铜（Cu)合金、含钼（Mo)合金、含钛（Ti)合金、含铂（Pt)合金、含铱（Ir)合金、 含镍（Ni)合金、含铬（Cr)合金、含银（Ag)合金、含金（Au)合金、含钨（W)合金、含镁（Mg) 合金、或上述合金的组合）、或其组合，且该测试线路170与第一接触垫172 (或第二接触垫 174)的材质可为相同或不同。此外，一保护层（未图示）可形成于该测试线路170之上，以 避免该测试线路170与该框胶120直接接触而导致该测试线路170劣化。该保护层的材质 可为有机的绝缘材料（光感性树脂）或无机的绝缘材料（氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化 硅、氧化铝、或上述材质的组合）。
[0365] 请参照图18,根据本发明另一实施例，一电路板180可通过一第一电路176及一 第二电路178分别与该第一接触垫172、及该第二接触垫174电性连接，用以提供一测试 信号至该第一接触垫172与该第二接触垫174,以判断该显示装置是否有切割线偏移的 现象发生。该电路板可例如为为一软性基板（flexible substrate)、一刚性基板（rigid substrate)、或一金属核心印刷电路板。
[0366] 此外，请参照图19,根据本发明其他实施例，一驱动单元106可进一步设置于该显 示区104之外的该第一基板101之上。该驱动单元106可利用一第一电路176及一第二电 路178分别与该第一接触垫172与该第二接触垫174电性连接，用以提供一测试信号至该 第一接触垫172与该第二接触垫174,以判断该显示装置是否有切割线偏移的现象发生。值 得注意的是，该测试信号可为一共同电极电压信号、或是一接地电压信号。该驱动单元106 可通过多个信号线连接至该显示区104,提供信号至显示区104的多个像素以产生影像。该 驱动单元106可为一集成电路（IC)。
[0367] 综上所述，本发明实施例所述的显示装置，可通过设置间隔物于切割稳定区，增加 在进行切割时所需要的支撑效果，大幅提升显示装置的良率。此外，本发明所述显示装置可 还包含一测试线路沿着预定切割线设置，因此在进行切割制作工艺后，可利用该测试线路 得知所得的显示装置是否有切割线偏移现象发生。
[0368] 此外，本发明实施例利用改变显示装置中线路的配置，以缩小此线路于集成电路 中所占据的面积。此外，本发明实施例也使用一图案化测试垫以提升此显示装置的制作工 艺可靠度及制作工艺良率。
[0369] 首先，发明人已知的一种显示装置包括栅极驱动电路、驱动单元、测试垫及线路。 此驱动单元包括栅极信号输出接点（Output Bump)，且此栅极信号输出接点通过线路电连 接至栅极驱动电路，并通过另一线路电连接至测试垫。由此可知，上述两线路分别占据了驱 动单元中的两区域（对应图20B的区域113A与区域113B)。而当面板分辨率提高造成芯片 (例如驱动单元）所需的信号输出接点增加时，会压缩到面板上原本用以形成线路的面积， 也引发线路经过芯片下方时，芯片下方可容纳线路空间不足的问题。
[0370] 因此，为了缩小线路所占据的面积，本发明提出另一种显示装置中线路的配置方 式。参见图20A，该图为本发明实施例的显示装置的上视图。如图20A所示，显示装置100 包括显示区104以及相邻此显示区104的非显示区105,其中显示区104指显示装置100中 设有包括晶体管的像素显示的区域，而此晶体管例如可为薄膜晶体管。因此，显示区104也 可称为显示像素区104。而非显示区105即为显示装置中除显示区104外的其它区域。在 此实施例中，非显示区105包围显示区104,且其中包括位于显示区104两侧的栅极驱动电 路（63七6〇1'；^61'〇11?31161，60?)107、与位于外部接脚连接区（〇111:1^3(113〇11(1;[1^，01^)115 中的驱动单元106以及测试垫109。此外，非显示区105中还包括线路110,且部分线路110 设于上述外部接脚连接区115中。在其他实施例中，栅极驱动电路107可仅位于显示区104 的单侧。
[0371] 此显示装置100可为液晶显示器，例如为薄膜晶体管液晶显示器。此驱动单元 106可用以提供源极信号至显示区104的像素（未绘示），或提供栅极信号至栅极驱动电路 107。而栅极驱动电路107用以提供扫描脉冲信号至显示区104的像素，并配合上述源极信 号一同控制设于显示区104内的各个像素（未绘示）进而令显示装置100显示画面。此栅 极驱动电路107例如可为面板上栅极驱动电路（Gate on Panel，GOP)或其他任何适合的栅 极驱动电路。
[0372] 此外，此驱动单元106经由测试垫109电连接至栅极驱动电路107。此测试垫109 可通过任何适合的方式电连接至栅极驱动电路107及驱动单元106,例如，在一实施例中， 如图20A所示，测试垫109可通过线路110电连接至栅极驱动电路107及驱动单元106。
[0373] 本发明通过将驱动单元106经由测试垫109电连接至栅极驱动电路107,可缩小线 路110于驱动单元106中所占据的面积。详细而言，参见图20B，该图为图20A的显示装置 的部分放大图。如该图所示，驱动单元106的栅极信号输出接点Output Bump) 111通过线 路IlOB电连接至测试垫109,接着，此测试垫109再通过另一线路IlOA电连接至栅极驱动 电路107。相较于前述的发明人已知的一种显示装置，在已知的显示装置中，线路IlOA与 IlOB分别自113A与113B输出，因此于驱动单元106下方，需同时提供113A与113B的面 积，但于本发明的线路110仅占据驱动单元106中区域113B的面积，而未占据区域113A，随 着面板分辨率越高，驱动单元106的输出线路数量越来越多的情况下，区域113A可提供其 他输出线路使用，故可解决芯片（例如驱动单元）中线路空间不足的问题。
[0374] 再者，为了提升图20A所示的显示装置100的制作工艺可靠度及制作工艺良率，本 发明的显示装置100的测试垫109可为一图案化测试垫。详细而言，在测试显示装置100性 能的测试步骤中，必需以探针接触测试垫109,探针会于接触测试垫109时于测试垫109的 导电层该层上留下孔洞，而此导电层上的孔洞容易随着时间推移受到水氧等因素而腐蚀扩 大，造成驱动单元106与栅极驱动电路107之间的线路异常或断路，进而降低显示装置100 的可靠度及制作工艺良率。为解决上述技术问题，本发明实施例的测试垫可图案化成数个 导电层彼此分离的功能性区块，而该些功能性区块再通过其他连接层电连接。
[0375] 参见图21及图22A，其中图21为本发明实施例的测试垫109的上视图，而图22A 为图21的测试垫109沿着线段3-3的剖视图。如以上两图所示，测试垫109包括设于基板 102上的导电层M，且此导电层M包括第一区300及第二区302。此第一区300的导电层用 以传递两线路110之间的信号，而此第二区302的导电层用以在测试步骤中与探针进行触 碰。此第一区300的导电层直接接触线路110,而第二区302的导电层与第一区300的导电 层分离设置，亦即仅观察导电层M该层时，第一区300与第二区302并无连接或接触，例如， 第一区300的导电层与第二区302的导电层可通过一主间隙304分隔。此外，第二区302 的导电层也与线路110分离。易言之，仅观察导电层M该层中，第二区302的导电层不直接 接触第一区300的导电层以及线路110。第一区300及第二区302经由接触孔，由其他连接 层电连接。
[0376] 本发明通过将会与探针进行触碰的第二区302的导电层与用以传递信号的第一 区300的导电层及线路110分离，可将测试步骤后的腐蚀现象仅局限于第二区302的导电 层，而不会腐蚀至第一区300的导电层及线路110。因此，即使于测试步骤后发生腐蚀的现 象，本发明的图案化测试垫109仍可良好地通过第一区300的导电层及线路110传递信号， 因此，图案化测试垫109可提升此显示装置100的可靠度及制作工艺良率。
[0377] 此外，导电层M的第一区300对第二区302的面积的比值范围为2至1000,例如 为4至10。若此第一区300对第二区302的面积比值太大，例如大于1000,则用以与探针 进行触碰的第二区302的导电层的面积太小，会使得测试步骤不易进行。然而，若此第一区 300对第二区302的面积比值太小，例如小于2,则用以传递信号的第一区300的导电层的 面积太小，会使电阻上升。此外，此测试垫109的尺寸为100 μπι至1000 μπι，例如为500 μπι 至800 μ m。此测试垫109的尺寸可为测试垫109的长度L或宽度W。
[0378] 参见图22A，导电层M设于基板102上。此导电层M可为一金属层，且其材料可为 单层或多层的铜、错、钨、金、铬、镍、钼、钛、铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳 的金属材料。在其他实施例中，导电层M可为一非金属材料，只要使用的材料具有导电性， 且受到腐蚀后会有腐蚀扩散的情况的材料即可。例如，在图22A所示的实施例中，导电层M 为双层的导电层，其包括第一导电层Ml以及第二导电层M2。在一实施例中，第一导电层Ml 与第二导电层M2的材料相同。然而，在其它实施例中，第一导电层Ml与第二导电层M2的 材料可以不同。此两导电层M1、M2之间设有介电层（ILD)206A。此第一导电层Ml及第二 导电层M2具有相同的图案，且相对应的图案之间通过设于介电层206A中的导孔Vl电连 接。上述介电层206A的材料可为氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、硼磷娃玻璃（BPSG)、磷娃玻璃 (PSG)、旋涂式玻璃（SOG)、其它任何适合的介电材料、或上述的组合。上述经由导孔Vl电连 接第一导电层Ml及第二导电层M2的材料可为第一导电层Ml或第二导电层M2本身或其组 合，或是其材料可包括铜、铝、钨、掺杂多晶硅、其它任何适合的导电材料、或上述的组合。
[0379] 此外，在一实施例中，如图22A所示，第一区300的导电层与第二区302的导电层 可通过连接层211电连接，因连接层211相对于导电层抗腐蚀能力较高，因此不接触的第一 区300与第二区302通过连接层211电连接，也同时保护导电层不受水氧的影响而腐蚀。 此连接层211的材料可为透明导电材料，例如为铟锡氧化物（ITO)氧化锡（TO)、氧化铟锌 (IZO)、氧化铟镓锌（IGZO)、氧化铟锡锌（ITZO)、氧化锑锡（ATO)、氧化锑锌（AZO)、上述的组 合或其它抗腐蚀能力较高的适合的透明导电氧化物材料。连接层211可通过设于介电层 206B中的导孔V2电连接至第一导电层Ml或第二导电层M2,并由此将第一区300的导电层 与第二区302的导电层电连接。
[0380] 此外，导电层M也可为单层的导电层。例如，如图22B所示，基板102上仅形成有 单层的导电层M，且第一区300的导电层与第二区302的导电层也可通过连接层211经由导 孔电连接。例如，连接层211可通过设于介电层206中的导孔V3电连接至导电层M，以将第 一区300的导电层与第二区302的导电层电连接。
[0381] 再参照图21，在图21所示的实施例中，主间隙304可环绕第二区302的导电层。 主间隙304的宽度可为10 μπι至100 μπι，例如为20 μπι至40 μπι。此外，主间隙304的宽度 与测试垫109的宽度W的比值为0. 01至0. 25,例如为0. 025至0. 1。若此主间隙304的宽 度太宽，例如其宽于100 μ m，或其与测试垫109的宽度W比值大于0. 25,则主间隙304会占 据过多测试垫109的面积，使导电层M的面积减少，造成电阻增加。然而，若此主间隙304 的宽度太窄，例如其窄于10 μ m，或其与测试垫109的宽度W比值小于0. 01，则此主间隙304 无法有效防止第一区300的导电层不被腐蚀。例如，当主间隙304的宽度太窄时，若探针因 偏移而触碰至主间隙304,仍可能造成第一区300的导电层的暴露，使第一区300的导电层 被腐蚀。
[0382] 此外，第一区300的导电层也环绕第二区302的导电层，且第一区300的导电层更 可通过一或多条第一间隙306分隔成彼此分离的多个区块，亦即此多个区块之间不直接接 触，例如图21所示的区块300A、300B。彼此分离的多个区块300A、300B可更进一步提升此 显示装置100的制作工艺可靠度及制作工艺良率。详细而言，在测试步骤中，探针可能会因 为偏移而触碰到第一区300的导电层，故第一区300的导电层也可能因此于测试步骤后发 生腐蚀现象。此时彼此分离的区块300A、300B可将此腐蚀现象局限于被探针触碰到的区块 内，而信号仍可通过第一区300的导电层中未被腐蚀的其它区块传递。例如，若探针触碰至 区块300A，由于区块300A、300B彼此分离，故腐蚀现象被局限于区块300A内，而信号仍可通 过未被腐蚀的区块300B传递。因此，将第一区300的导电层通过一或多条第一间隙306分 隔成彼此分离的多个区块可更进一步提升此显示装置100的可靠度及制作工艺良率。
[0383] 上述第一间隙306的宽度可为3 μπι至50 μπι，例如为10 μπι至20 μπι。或者，第一 间隙306的宽度与测试垫109的宽度W的比值为0.0033至0. 1，例如为0.01至0.02。若 此第一间隙306的宽度太宽，例如其宽于50 μ m，或其与测试垫109的宽度W比值大于0. 1， 则第一间隙306会占据过多测试垫109的面积，使导电层M的面积减少，造成电阻增加。然 而，若此第一间隙306的宽度太窄，例如其窄于3 μ m，或其与测试垫109的宽度W比值小于 0. 0033,则此第一间隙306无法有效分隔区块300A与区块300B。
[0384] 再者，第一区300的彼此分离的多个区块300A、300B内可还包括一或多条区块内 间隙308而将区块300A、300B分隔成多个子区块。上述多个子区块彼此大抵分离，仅通过 一小部分彼此连接。例如区块300A可通过多条区块内间隙308分隔成多个子区块300Aa、 300Ab，此子区块300Aa、300Ab之间彼此大抵分离，仅通过附图中左上及左下的一小部分彼 此物理连接。上述彼此分离的多个子区块300Aa、300Ab也可进一步提升此显示装置100的 制作工艺可靠度及制作工艺良率。例如，当探针因偏移而触碰到子区块300Ab时，由于子区 块300Aa、300Ab仅通过一小部分连接，故腐蚀现象易被局限于子区块300Ab内，即使子区块 300Ab因腐蚀而破坏，信号仍可通过未被腐蚀的区块300Aa传递。因此，将多个区块300A、 300B通过区块内间隙308分隔成多个子区块（例如子区块300Aa、300Ab)可更进一步提升 此显示装置100的可靠度及制作工艺良率。
[0385] 上述区块内间隙308的宽度可为3 μπι至50 μπι，例如为10 μπι至20 μπι。或者，区 块内间隙308的宽度与测试垫109的宽度W的比值为0.0033至0. 1，例如为0.01至0.02。 若此区块内间隙308的宽度太宽，例如其宽于50 μ m，或其与测试垫109的宽度W比值大于 0. 1，则区块内间隙308会占据过多测试垫109的面积，使导电层M的面积减少，造成电阻增 加。然而，若此区块内间隙308的宽度太窄，例如其窄于3 μ m，或其与测试垫109的宽度W 比值小于〇. 0033,则子区块300Aa、300Ab过于接近，内间隙308无法有效分隔腐蚀的影响。
[0386] 继续参见图21，线路110的材料可为单层或多层的铜、铝、钨、金、铬、镍、铂、钛、 铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料，且线路110也可具有一或多 条线路内间隙310。在一实施例中，至少一线路内间隙310与至少一第一间隙306连接。此 线路内间隙310也可进一步提升此显示装置100的制作工艺可靠度及制作工艺良率。详细 而言，若腐蚀现象由第一区300的区块300A延伸至第一区块线路110C，则线路内间隙310 可将此腐蚀现象局限于此第一区块线路110C，使第二区块线路IlOD不会被腐蚀。因此，由 于线路110不会被完全腐蚀，故可提升此显示装置100的制作工艺可靠度及制作工艺良率。 在其他实施例中，连接层211也可覆盖于线路110上。
[0387] 上述线路内间隙310的宽度可为3μπι至50μπι，例如为ΙΟμπι至20μπι。或者，线 路内间隙310的宽度与线路110的宽度的比值为0. 02至0. 5,例如为0. 05至0.