2556微米和0.279816微米，其旋转角度为239.256044度；光源距离原点的X向和Z向的位移为(-3.1248,0)(微米);入射光的初始相位为O度。所述的高折射率介质为硅(Si)，其折射率为3.4 ;所述低折射率背景介质为空气。所述光子晶体直角波导的结构尺寸为15aX15a，其回波损耗为29.13046553dB和插入损耗为0.005406dB。
[0026]实施例3.所述正方晶格光子晶体的晶格常数a为0.5208微米，使最佳归一化波长为1.55微米，高折射率背景介质的第一介质柱采用方形柱，其边长为0.161448微米；波导内传输的光波极化形式为TE波；第二介质柱采用等腰直角三角形柱，即右下角等腰直角三角形高折射率介质补偿散射柱的直角边长为0.18018微米；其以原点为基准在X向和Z向的位移分别为0.222556微米和0.279816微米，其旋转角度为239.256044度；光源距离原点的X向和Z向的位移为(-3.1248,0)(微米);入射光的初始相位为O度。所述的高折射率介质为硅(Si)，其折射率为3.4 ;所述低折射率背景介质为空气。所述光子晶体直角波导的结构尺寸为15aX 15，其最大回波损耗为43.87dB和最小插入损耗为0.0022dB。
[0027]实施例4.所述正方晶格光子晶体的晶格常数a为0.336微米，使最佳归一化波长为1.00微米，高折射率背景介质的第一介质柱采用方形柱，其边长为0.10416微米；波导内传输的光波极化形式为TE波；第二介质柱采用等腰直角三角形柱，即右下角等腰直角三角形高折射率介质补偿散射柱的直角边长为0.116243微米；其以原点为基准在X向和Z向的位移分别为0.143583微米和0.180526微米，其旋转角度为239.256044度；光源距离原点的X向和Z向的位移为(-2.016,0)(微米);入射光的初始相位为O度。所述的高折射率介质为硅(Si)，其折射率为3.4 ;所述低折射率背景介质为空气。所述光子晶体直角波导的结构尺寸为15aX15a，其最大回波损耗为43.87dB和最小插入损耗为0.0022dB。
[0028]实施例5.所述正方晶格光子晶体的晶格常数a为0.49728微米，使最佳归一化波长为1.48微米，高折射率背景介质的第一介质柱采用方形柱，其边长为0.154157微米；波导内传输的光波极化形式为TE波；第二介质柱采用等腰直角三角形柱，即右下角等腰直角三角形高折射率介质补偿散射柱的直角边长为0.172039微米；其以原点为基准在X向和Z向的位移分别为0.212503微米和0.267179微米，其旋转角度为239.256044度；光源距离原点的X向和Z向的位移为(-2.98368，O)(微米);入射光的初始相位为O度。所述的高折射率介质为硅(Si)，其折射率为3.4 ;所述低折射率背景介质为空气。所述光子晶体直角波导的结构尺寸为15aX15a，其最大回波损耗为43.87dB和最小插入损耗为0.0022dB。
[0029]实施例6.所述正方晶格光子晶体的晶格常数a为168微米，使最佳归一化波长为500微米，高折射率背景介质的第一介质柱采用方形柱，其边长为52.08微米；波导内传输的光波极化形式为TE波；第二介质柱采用等腰直角三角形柱，即右下角等腰直角三角形高折射率介质补偿散射柱的直角边长为58.12128微米；其以原点为基准在X向和Z向的位移分别为71.79144微米和90.26304微米，其旋转角度为239.256044度；光源距离原点的X向和Z向的位移为(-1008，0)(微米)；入射光的初始相位为O度。所述的高折射率介质为硅(Si)，其折射率为3.4 ;所述低折射率背景介质为空气。所述光子晶体直角波导的结构尺寸为15aX 15a，其最大回波损耗为43.87dB和最小插入损耗为0.0022dB。
[0030]以上之详细描述仅为清楚理解本发明，而不应将其看做是对本发明不必要的限制，因此对本发明的任何改动对本领域中的技术熟练的人是显而易见的。
【主权项】
1.方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，其特征在于，它由高折射率的第一介质柱在低折射率背景介质中按正方晶格排列而成的光子晶体，在所述光子晶体中移除一排和一列高折射率的第一介质柱以形成直角波导；在所述直角波导的拐弯处设置一个高折射率的第二介质柱；所述第二介质柱为补偿散射柱；所述第一介质柱为高折射率方柱。2.按照权利要求1所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述第二介质柱为等腰直角三角形柱、弓形柱、方柱、三角柱、多边形柱，或者横截面轮廓线为圆滑封闭曲线的柱子。3.按照权利要求2所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述第二介质柱为等腰直角三角形柱。4.按照权利要求1所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述高折射率背景介质的材料为硅、砷化镓、二氧化钛，或者折射率大于2的介质。5.按照权利要求4所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述高折射率背景介质材料为硅，其折射率为3.4。6.按权利要求1所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述低折射率背景介质为空气、真空、氟化镁、二氧化硅，或者折射率小于1.6的介质。7.按照权利要求6所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述低折射率背景介质为空气。8.按照权利要求1所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述直角波导为TE工作模式波导。9.按照权利要求1所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述直角波导结构的面积大于或等于7aX 7a，所述a为光子晶体的晶格常数。
【专利摘要】本发明公开了一种方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，它由高折射率的第一介质柱在低折射率背景介质中按正方晶格排列而成的光子晶体，在光子晶体中移除一排和一列高折射率的第一介质柱以形成直角波导；在直角波导的拐弯处设置一个高折射率的第二介质柱；第二介质柱为补偿散射柱；所述第一介质柱为高折射率方柱。本发明结构具有极低的反射率和非常高的传输率，便于大规模光路集成，这为光子晶体的应用提供了更广阔的空间。
【IPC分类】G02B6/125, G02B6/122
【公开号】CN104950386
【申请号】CN201410515361
【发明人】欧阳征标, 黄浩
【申请人】欧阳征标, 深圳大学
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2014年9月29日