液晶显示面板及显示器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种液晶显示面板。
【背景技术】
[0002]根据驱动液晶的电场方向，液晶显示装置分为垂直电场型液晶显示装置和水平电场型液晶显示装置。垂直电场型液晶显示装置主要包括扭曲向列(TN)模式和垂直取向(VA)模式，水平电场型液晶显示装置主要包括共平面切换(IPS)模式、边界电场切换(FFS)模式和高级超维场开关(ADS)模式。相对于垂直电场型液晶显示装置，水平电场型液晶显示装置不需要额外的光学补偿膜，即能实现宽视角。但是，对于水平电场型液晶显示装置，其液晶层中的电场分布不均匀，存在电场未覆盖的局部区域，该局部区域不能透光，从而导致液晶面板的整体透过率不高。
[0003]因此，针对上述技术问题，有必要提供一种液晶显示面板及显示器。
【发明内容】
[0004]为克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种液晶显示面板及显示器。
[0005]为了实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下:
[0006]一种液晶显示面板，所述显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板、以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层，所述第一基板上在朝向第二基板一侧依次设有第一公共电极和绝缘层，所述绝缘层上设置有若干第一像素电极，所述第二基板在朝向第一基板一侧设有若干第二公共电极和第二像素电极，所述第二公共电极和第二像素电极为间隔排列设置。
[0007]作为本发明的进一步改进，所述第一基板为阵列基板，第二基板为彩膜基板。
[0008]作为本发明的进一步改进，所述第一像素电极在绝缘层上等间距阵列排布，第一公共电极与第一像素电极之间形成有若干水平电场。
[0009]作为本发明的进一步改进，所述第二公共电极在第二基板上等间距阵列排布。
[0010]作为本发明的进一步改进，相邻所述第二公共电极之间的间距与相邻第一像素电极之间的间距相等，且所述第二公共电极和第一像素电极在垂直位置上交叉分布。
[0011]作为本发明的进一步改进，所述第二像素电极在第二基板上等间距阵列排布。
[0012]作为本发明的进一步改进，相邻所述第二像素电极之间的间距与相邻第一像素电极之间的间距相等，且所述第二像素电极和第一像素电极在垂直位置上交叉分布。
[0013]作为本发明的进一步改进，相邻所述第二像素电极和第二公共电极之间的间距为相邻第一像素电极间距的一半，相邻第二像素电极和第二公共电极沿第一像素电极所在的轴线或相邻第一像素电极的中轴线对称分布。
[0014]相应地，一种液晶显示器，所述液晶显示器包括上述液晶显示面板。
[0015]本发明在第二基板上增加了第二像素电极和第二公共电极，第二像素电极和第二公共电极相间排列且在第二像素电极和第二公共电极之间形成水平电场，可以使暗纹位置处倾斜的液晶分子趋于水平方向排列，从而提高暗纹位置处光的穿透率，使液晶面板和显示器中的暗纹消失。
【附图说明】
[0016]图1为现有技术的液晶显示面板的结构示意图。
[0017]图2为本发明实施例1中液晶显示面板的结构示意图。
[0018]图3为本发明实施例2中液晶显示面板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0019]为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
[0020]比较例I:
[0021]参图1所示，现有技术中的一种液晶显示面板包括相对设置的第一基板10’和第二基板20’、以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层30’，其中，第一基板10’为阵列基板，第二基板20’为彩膜基板，第一基板10’上在朝向第二基板20’ 一侧依次设有第一公共电极11’和绝缘层12’，绝缘层12’上设置有若干阵列排布的第一像素电极13’，且第一像素电极13’为等间距分布。
[0022]本比较例中液晶显示面板是边界电场切换模式，属于水平电场型液晶显示装置中的一种。第一基板10’上的第一像素电极13’与有绝缘层12’阻隔的第一公共电极11’之间形成水平电场，但是该水平电场在第一像素电极13’的位置和两个第一像素电极13’中间的位置会存在倾斜的分量，从而导致在第一像素电极的位置和两个第一像素电极中间的位置的液晶分子也出现倾斜，如图1虚线框内所示。出现倾斜的液晶分子会带来穿透率的下降，从而形成暗纹。
[0023]实施例1:
[0024]参图2所示，在本发明的一实施例1中，液晶显示面板包括相对设置的第一基板10和第二基板20、以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层30。
[0025]其中，第一基板10为阵列基板，第二基板20为彩膜基板，第一基板10上在朝向第二基板20 —侧依次设有第一公共电极11和绝缘层12，绝缘层12上设置有若干阵列排布的第一像素电极13，且第一像素电极13为等间距分布。
[0026]进一步地，在第二基板20在朝向第一基板10 —侧设有若干第二公共电极21和第二像素电极22，第二公共电极21和第二像素电极22为间隔排列设置。
[0027]具体地，在本实施例中第二公共电极21和第二像素电极22在第二基板20上均为等间距阵列排布，第二公共电极21和第一像素电极13在垂直位置上交叉分布，同时，第二像素电极22和第一像素电极13在垂直位置上也交叉分布，即在第二基板20上对应于第一像素电极13垂直位置处不会存在第二公共电极，也不会存在第二像素电极。另，相邻第二公共电极21之间的距离与相邻第一像素电极13之间的距离相等，相邻第二像素电极22之间的距离与相邻第一像素电极13之间的距离也相等，且相邻的第二公共电极21和第二像素电极22之间的距离为相邻第一像素电极13之间距离的一半。在本实施例中，第二像素电极22和第二公共电极21沿第一像素电极13所在的轴线或相邻第一像素电极13的中轴线对称分布。
[0028]本实施例中在彩膜基板上增加了第二像素电极和第二公共电极，其位置具体设置在比较例I中暗纹正对位置的两侧，第二像素电极和第二公共电极相间排列且在