反射式tft阵列面板及其制备方法和液晶显示器的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及液晶显示领域，尤其设及一种TFT阵列面板及其制备方法。
【背景技术】
[0002]TFT-LCD灯binFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay,薄膜晶体管液晶显示 器）是利用设置在液晶层上电场强度的变化，改变液晶分子的旋转程度，从而控制透光的 强弱来显示图像，通常包括偏光片、彩膜基板、TFT阵列面板，W及加在彩膜基板和TFT阵列 面板之间的液晶分子层。现有技术中，TFT-LCD-般都具有背光模块，称为透射式或半反半 透式TFT-LCD，其缺点是，在强光环境中，其对比度和亮度会大大降低，尤其是专用于户外显 示的透射式TFT-LCD，显示效果更差，而反射式TFT-LCD由于其借助外部光源来达到显示效 果，在环境光线很强的情况下，可W很好地保持显示的亮度和对比度，且其无需背光模组， 所W同时具有耗能低、轻便等优点，很适合于便携式电子设备。因此，反射式TFT-LCD逐渐 成为液晶显示市场上的一个重要组成部分。
[0003] 现有技术中，往往通过改变偏光片的偏光特性，或者改变液晶的类型或性能，或者 在TFT阵列面板上增加一些部件，W设计出显示效果好的反射式TFT-LCD，然而，该些改变 设及材料类型、结构和性能等多方面，往往比较复杂、操作难度大，且反射面积小，难W充分 利用环境光源。
【发明内容】
[0004] 有鉴于此，本发明所要解决的技术问题在于，提供一种结构简单、反射面积大的反 射式TFT阵列面板和液晶显示器，其可充分利用环境光源；本发明还提供一种制备反射式 TFT阵列面板的方法。
[0005] 为了解决上述技术问题，一方面，本发明提供一种反射式TFT阵列面板，包括：
[0006] 基板；
[0007] 栅极、栅线、反射电极和反射电极连接线，形成于基板上；
[000引栅绝缘层，形成于所述栅极、栅线、反射电极和反射电极连接线上；
[0009] 依次形成于所述栅绝缘层上的有源层和渗杂半导体层，且位于所述栅极正上方；
[0010] 源极、漏极和数据线，所述源极和漏极形成于渗杂半导体层上，所述数据线与漏极 连接；
[0011] 绝缘保护层，形成于所述源极、漏极和数据线上；
[0012] 透明像素电极，形成于所述绝缘保护层上，且位于所述反射电极上方，通过过孔与 源极相接；
[0013] 所述反射电极连接线与所述栅线平行，所述数据线与所述栅线、反射电极连接线 垂直，且所述栅线、反射电极连接线与相邻两根所述数据线在所述基板上的投影形成闭合 的矩形，所述反射电极位于所形成的矩形内，且所述反射电极为具有反光性的金属。
[0014] 其中，所述栅极、栅线、反射电极连接线和所述数据线，皆为具有反光性的金属层。
[0015] 其中，所述反射电极具有凹凸不平的表面。
[0016] 其中，所述反射电极表面设置有相邻间距小于80 ym的凸条。
[0017] 其中，所述反射电极为金属侣、钢、银、铁、铜和铭中的至少一种。
[001引其中，所述反射电极的材质与所述栅极、栅线的材质相同。
[0019] 其中，所述有源层为非晶娃层或石墨締层。
[0020] 另一方面，本发明还提供一种液晶显示器，包括彩色滤光片、权利要求1至6任一 项所述的反射式TFT阵列面板，W及夹在所述彩色滤光片和所述反射式TFT阵列面板之间 的浓晶层。
[0021] 再一方面，本发明还提供了一种制备反射式TFT阵列面板的方法，包括：
[0022] 步骤1、采用物理气相沉积法（PVD)在基板上沉积金属层，通过第一次构图工艺形 成栅极、栅线、反射电极连接线和反射电极；
[0023] 步骤2、采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD)法在完成步骤1的基板上依次沉 积栅绝缘层、有源层和渗杂半导体层，通过第二次构图工艺形成栅绝缘层、有源层和渗杂半 导体层的图形；
[0024] 步骤3、采用PVD法在完成步骤2的基板上沉积源漏极金属层，通过第S次构图工 艺形成漏极、源极和数据线；
[0025] 步骤4、采用PECVD法在完成步骤3的基板上沉积娃的氮化物或娃的氧化物，形成 绝缘保护层，并通过第四次构图工艺形成过孔；
[0026] 步骤5、采用PVD法在完成步骤4的基板上沉积透明导电材料，通过第五次构图工 艺形成透明像素电极。
[0027] 其中，步骤1具体为：采用物理气相沉积法在基板上沉积一层金属，所述金属为 钢、侣、铭、银和铜之中的至少一种，通过第一次构图工艺形成栅极、栅线、反射电极连接线 和反射电极。
[002引其中，步骤2中所述栅绝缘层为娃的氮化物或氧化物，所述有源层为非晶娃或石 墨締，所述渗杂半导体层为渗杂非晶娃。
[0029] 与现有技术相比，本发明具有W下技术效果；（1)本发明的反射式TFT阵列面板和 液晶显示器在基板上设置了反射电极，结构简单，且反射电极与栅极、栅线可同时在同一道 工序中完成制作，工艺上简便可行；（2)本发明的TFT阵列面板中，反射电极是具有反光性 的金属，可W充分利用环境光源。
【附图说明】
[0030] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可 W根据该些附图获得其他的附图。
[0031] 图1是本发明反射式TFT阵列面板的一个实施方式的俯视示意图；
[003引图2是图1中沿剖切线A-A的截面示意图；
[003引图3是图1中沿剖切线C-C的截面示意图；
[0034] 图4是本发明反射式TFT阵列面板的一个实施方式中设置了凸条的反射电极；
[0035] 图5是本发明制备TFT阵列面板的方法流程图。
【具体实施方式】
[0036] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述。
[0037] 请同时参阅图1、2和3,图1是本发明反射式TFT阵列面板的一个实施方式的俯视 示意图；图2和图3分别是图1中沿剖切线A-A、C-C的截面示意图。本发明的一个实施方 式提供一种反射式TFT阵列面板，包括：
[003引基板1;
[0039] 形成于基板上的栅极2、栅线2'和反射电极3,栅极2、栅线2'和反射电极3处于 同一平面，各个反射电极3之间用反射电极连接线3'连接，反射电极连接线3'与栅线2' 平行，两者之间分布着彼此分离的栅极2和反射电极3,栅极2、栅线2'、反射电极和反射电 极连接线3'可W是同一种材质，例如，可W是侣、钢、银、铜、铭或铁，也可W是该其中两种 或几种金属的合金；
[0040] 栅绝缘层4是一连续分布层，栅绝缘层4形成于栅极2、栅线2'、反射电极3和反 射电极连接线3'上；
[0041] 有源层5形成于栅绝缘层4上，且位于栅极2正上方，即栅绝缘层4阻隔
[0042] 在有源层5和栅极2之间，有源层5的面积小于栅极2;
[0043] 渗杂半导体层6形成于有源层5上，且其自身在中间处断开，形成沟道；换言之，渗 杂半导体层6包括两部分，且在该两部分之间形成沟道；
[0044] 源极7、漏极8和数据线9,所述源极7和漏极8形成于渗杂半导体层6上，数据线 9与漏极8连接，且数据线9与栅线2'及反射电极连接线3'垂直；
[0045] 绝缘保护层10和过孔11，绝缘保护层10形成于源极7、漏极8和数据线9上，过 孔11贯穿绝缘保护层10与源极7相接；
[0046] 透明像素电极12,形成于绝缘保护层10上，且位于反射电极3上方，透明像素电极 12通过过孔11与源极7连接；
[0047]反射电极连接线3'与栅线2'平行，数据线9与栅线2'、反射电极连接线3'垂直， 且栅线2'、反射电极连接线3'与相邻两根数据线9在基板1上的投影形成闭合的矩形，栅 极2和反射电极3位于所形成的矩形内，反射电极3为具有反光性的金属。
[0048] 由于反射电极设置为具有反光性的金属，可W有效反射来自环境光源的光，从而 充分利用环境光源。
[0049]在本发明的反射式TFT阵列面板的一个实施方式中，将栅线2'、反射电极连接线 3'、数据线9、栅极2和反射电极3均设置为具有反光性的金属，也就是说，上述所形成的矩 形，W及分布于其内部的电极（即栅极和反射电极）均具有反光性，在保持各电极原有性能 的同时，形成更大的反射面积，进一步充分利用环境光源。
[0化0] 较强的环境光入射时，部分光线可能在进入显示器时就被光滑的显示器表面反 射，而进入TFT阵列面板的反射电极的光线经平坦的表面反射和折射后，从显示器表面穿 出时