，其角度可能与在显示器表面直接反射的光线的角度相同，从而造成同方向光线的叠 加使反射光过强而影响显示效果，因而，在本发明的一个实施方式中，反射电极3具有凹凸 不平的表面，从而使反射电极3对环境入射光的反射形成漫反射，反射方向各不相同，不会 与在显示器表面直接反射的光同方向叠加，从而保证显示效果，增强对比度。
[0051] 请参阅图4,在本发明的反射式TFT阵列面板的一个实施方式中，反射电极3表面 设置有多个凸条3"，相邻的两个凸条3"之间的间距小于80ym'，所述凸条3"之间形成凹 陷，起导光板的作用，凸条3"的材质可W与反射电极3的材质一样，两者一体成型，当然，在 其它实施方式中，凸条3"和反射电极3也可W采用不同的导光材料。在本实施方式中，凸 条3"的延伸方向是垂直于反射电极连接线3'，凸条3"间的间距为70ym，但是，在其它实 施方式中，设计者可根据对光方向的要求而设置凸条3"的方向W及相邻的凸条3"之间的 具体间距。也就是说，凸条3"的延伸方向可W是平行于反射电极连接线3'，或与反射电极 连接线3'成一定角度，相邻的凸条3"之间的间距可W在l〇-50ym范围之间。
[0化2] 在本发明的反射式TFT阵列面板的一个实施方式中，反射电极3为金属侣、钢、银、 铜和铭中的至少一种。
[0053]在本发明的反射式TFT阵列面板的一个实施方式中，反射电极3的材质可W与所 述栅极、栅线的材质相同或不相同。
[0化4] 在本发明的反射式TFT阵列面板的一个实施方式中，有源层5可W是非晶娃层或 石墨締层。
[0化5] 在本发明的反射式TFT阵列面板的一个实施方式中，透明像素电极12可W是氧化 铜锡层或金属网格结构。
[0化6] 本发明还提供一种液晶显示器，包括彩色滤光片和所述反射式TFT阵列面板，W及位于彩色滤光片和所述反射式TFT阵列面板之间的液晶显示层。
[0化7] 本发明还提供一种制备反射式TFT阵列面板的方法，请参阅图5,提供一种制备图 1、2和3所对应实施方式中的反射式TFT阵列面板的方法，所述方法包括：
[0化引步骤1、采用物理气相沉积法（PVD)在基板上沉积金属层，通过第一次构图工艺形 成栅极、栅线、反射电极连接线和反射电极，在一个实施方式中，第一次构图工艺包括曝光、 显影、湿蚀刻和剥离等工序；
[0化9] 步骤2、采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD)法在完成步骤1的基板上依次 沉积栅绝缘层、有源层和渗杂半导体层，通过第二次构图工艺形成栅绝缘层、有源层和渗杂 半导体层的图形，在一个实施方式中，第二次构图工艺即通过曝光、显影、干蚀刻、剥离等工 序，去掉不要的材料，留下需要的材料形成栅绝缘层、有源层和渗杂半导体层；
[0060] 步骤3、采用PVD法在完成步骤2的基板上沉积源漏极金属层，通过第S次构图工 艺形成漏极、源极和数据线，在一个实施方式中，第=次构图工艺即通过曝光、显影、湿蚀刻 和剥离形成数据线和尚未断开的源漏极，最后通过干刻得到沟道及由沟道隔开的漏极和源 极；
[0061] 步骤4、采用PECVD法在完成步骤3的基板上沉积娃的氮化物或娃的氧化物，得到 绝缘保护层，并通过第四次构图工艺形成过孔，即通过曝光、显影、干刻和剥离等工序形成 过孔；
[0062] 步骤5、采用PVD法在完成步骤4的基板上沉积透明导电材料，通过第五次构图工 艺形成透明像素电极，在一个实施方式中，第五次构图工艺即通过曝光、显影、湿蚀刻和剥 离等工序得到透明像素电极。
[0063] 虽然反射式TFT阵列面板设置了反射电极，但因反射电极直接设置在基板上，与 栅线、栅极同一道工序完成制作，无需增加另外的工序，因此工艺简单、易实现。
[0064] 在本发明的一个实施方式中，步骤1具体为；采用物理气相沉积法在基板上沉积 一层金属，所述金属为钢、侣、铭、银和铜之中的至少一种，通过第一次构图工艺形成栅极、 栅线、反射电极连接线和反射电极。
[0065] 在本发明的一个实施方式中，步骤2中所述栅绝缘层为娃的氮化物或氧化物，所 述有源层为非晶娃或石墨締，所述渗杂半导体层为渗杂非晶娃。
[0066] 在本发明的一个实施方式中，步骤1中的金属层厚度为3000-6000A。
[0067] 在本发明的一个实施方式中，步骤2中的栅绝缘层厚度为2000-5000A，有源层 和渗杂半导体层厚度为1500-3000A。
[0068] 在本发明的一个实施方式中，步骤3中的源漏极材料层厚度为3000-6000A。
[0069] 在本发明的一个实施方式中，步骤4中的绝缘保护层厚度为2000-5000A。
[0070] 在本发明的一个实施方式中，步骤5中的透明导电材料厚度为400-1000A。
[0071]W上所述的实施方式，并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施 方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在该技术方案的保护范 围之内。
【主权项】
1. 一种反射式TFT阵列面板，其特征在于，包括： 基板； 栅极、栅线、反射电极和反射电极连接线，形成于所述基板上； 栅绝缘层，形成于所述栅极、栅线、反射电极和反射电极连接线上； 依次形成于所述栅绝缘层上的有源层和掺杂半导体层，所述有源层和掺杂半导体层位 于所述栅极正上方； 源极、漏极和数据线，所述源极和所述漏极形成于所述掺杂半导体层上，所述数据线与 所述漏极连接； 绝缘保护层，形成于所述源极、所述漏极和所述数据线上； 透明像素电极，形成于所述绝缘保护层上，通过过孔与所述源极相接； 所述反射电极连接线与所述栅线平行，所述数据线与所述栅线、所述反射电极连接线 垂直，且所述栅线、所述反射电极连接线与相邻两根所述数据线在所述基板上的投影形成 闭合的矩形，所述反射电极位于所述矩形范围内，且所述反射电极为具有反光性的金属材 质。2. 根据权利要求1所述的反射式TFT阵列面板，其特征在于，所述栅极、所述栅线、所述 反射电极连接线和所述数据线，皆为具有反光性的金属材质。3. 根据权利要求2所述的反射式TFT阵列面板，其特征在于，所述反射电极具有凹凸不 平的表面。4. 根据权利要求2所述的反射式TFT阵列面板，其特征在于，所述反射电极表面设置有 多个凸条，相邻的两个所述凸条之间的间距小于80 ym。5. 根据权利要求4所述的反射式TFT阵列面板，其特征在于，所述反射电极为金属铝、 钼、银、钛、铜和铬中的至少一种。6. 根据权利要求5所述的反射式TFT阵列面板，其特征在于，所述有源层为非晶硅层或 石墨稀层。7. -种液晶显示器，其特征在于，包括彩色滤光片、权利要求1至6任一项所述的反射 式TFT阵列面板，以及夹在所述彩色滤光片和所述反射式TFT阵列面板之间的液晶层。8. -种制备权利要求1所述反射式TFT阵列面板的方法，其特征在于，包括： 步骤1、采用物理气相沉积法在基板上沉积一层金属层，通过第一次构图工艺形成栅 极、栅线、反射电极和反射电极连接线； 步骤2、采用等离子体增强化学气相沉积法在完成步骤1的基板上依次沉积栅绝缘层、 有源层和掺杂半导体层，通过第二次构图工艺形成栅绝缘层、有源层和掺杂半导体层的图 形； 步骤3、采用物理气相沉积法在完成步骤2的基板上沉积源漏极金属层，通过第三次构 图工艺形成漏极、源极和数据线； 步骤4、采用等离子体增强化学气相沉积法在完成步骤3的基板上沉积硅的氮化物或 硅的氧化物，形成绝缘保护层，并通过第四次构图工艺形成过孔； 步骤5、采用物理气相沉积法在完成步骤4的基板上沉积透明导电材料，通过第五次构 图工艺形成透明像素电极。9. 根据权利要求8所述的方法，其特征在于，步骤1具体为：采用物理气相沉积法在基 板上沉积一层金属，所述金属为钼、铝、铬、银和铜之中的至少一种，通过第一次构图工艺形 成栅极、栅线、反射电极和反射电极连接线。10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，步骤2中所述栅绝缘层为硅的氮化 物或氧化物，所述有源层为非晶硅或石墨烯，所述掺杂半导体层为掺杂非晶硅。
【专利摘要】本发明公开一种反射式TFT阵列面板，包括：基板、栅极、栅线、反射电极、反射电极连接线、栅绝缘层、有源层和掺杂半导体层、源极、漏极、数据线、绝缘保护层、透明像素电极，所述反射电极连接线与所述栅线平行，所述数据线与所述栅线、反射电极连接线垂直，且所述栅线、反射电极连接线与相邻两根所述数据线在基板上的投影形成闭合的矩形，所述反射电极位于所形成的矩形内，且所述反射电极为具有反光性的金属。所述反射式TFT阵列面板结构简单，反射面积大。本发明还公开一种制备反射式TFT阵列面板的方法以及液晶显示器。
【IPC分类】G02F1/1362, G02F1/13, G02F1/1343
【公开号】CN104965358
【申请号】CN201510413303
【发明人】徐向阳
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2015年7月14日