一种移除光刻胶的方法

文档序号:9374347阅读:290来源:国知局
一种移除光刻胶的方法
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体制造领域,具体涉及一种移除光刻胶的方法。
【背景技术】
[0002]光刻胶又称光致抗蚀剂,由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。光刻胶应该具有比较小的表面张力,使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。
[0003]基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。①光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,最后生成聚合物,具有形成正像的特点。②光分解型,采用含有叠氮醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。③光交联型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。采用感光胶通过曝光、显影和刻蚀等方式在每一层结构面上形成所需要的图案。在进行后一层处理时,需要将前一次使用后的光刻胶完全去除。
[0004]现有技术中,去除光刻胶的方法主要是灰化和全湿法清洗。在去除过程中,很容易对光纤面板材料造成损伤,同时,需要频繁更换清洗液。另外,现有技术中使用的浓硫酸,只能去除光刻胶表层,不能彻底去除光刻胶。

【发明内容】

[0005]本发明的一个目的是一种移除光刻胶的方法,包括以下步骤:
(1)使用湿法刻蚀去除光刻胶;
(2)使用酸溶液洗涤涂有光纤面板的光刻胶;
(3)加热碱溶液,使用碱溶液浸泡洗涤;
(4)向碱溶液中持续通入臭氧;
(5)使用高锰酸钾溶液浸泡洗涤;
(6)使用有机溶剂浸泡;
(7)使用去离子水冲洗。
[0006]所述酸溶液为次氯酸溶液、高氯酸溶液、氢氟酸溶液或硝酸溶液。
[0007]所述碱溶液为氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液和氨水溶液中的一种或几种。
[0008]加热碱溶液的温度为70_90°C,使用碱溶液洗涤10分钟以上。
[0009]通入臭氧的时间为20分钟以上。
[0010]所述在高锰酸钾中浸泡洗涤10分钟以上。
[0011 ] 所述有机溶剂为正己烷和N-N 二甲基甲酰胺(DMF)中的一种或两种。
[0012]使用有机溶剂浸泡的时间为I小时以上。
[0013]使用有机溶剂浸泡的温度为40-55 °C。
[0014]发明使用了湿法刻蚀去除光刻胶,同时配合酸洗涤、碱洗涤和氧化去除步骤,然后再使用有机溶剂浸泡,能够分别去除光刻胶表层和底层部分,彻底去除光纤面板上的光刻胶。本发明移除光刻胶效果好,通过温度和时间的设定,达到最佳的去除效果,同时对纤维面板材料损伤小,洗涤液可以多次反复使用。
【具体实施方式】
[0015]实施例1
(1)使用湿法刻蚀去除光刻胶;
(2)使用浓度为20%的次氯酸溶液洗涤光纤面板的光刻胶残留;
(3)加热浓度为9%的氢氧化钠溶液至70°C,浸泡洗涤;
(4)向浸泡光纤面板的氢氧化钠溶液中持续通入臭氧20分钟;
(5)放入浓度为4%的高锰酸钾中浸泡洗涤10分钟;
(6)使用正己烷于55°C浸泡I小时;
(7)取出使用去离子水冲洗,烘干。
[0016]实施例2
(1)使用湿法刻蚀去除光刻胶;
(2)使用浓度为50%的高氯酸溶液洗涤光纤面板的光刻胶残留;
(3)加热浓度为的10%氢氧化钾溶液至90°C,浸泡洗涤;
(4)向浸泡光纤面板的氢氧化钾溶液中持续通入臭氧25分钟;
(5)放入浓度为3%的高锰酸钾中浸泡洗涤20分钟;
(6)使用N-N二甲基甲酰胺于45°C浸泡1.5小时;
(7)取出使用去离子水冲洗,烘干。
[0017]实施例3
(1)使用湿法刻蚀去除光刻胶;
(2)使用浓度为20%的氢氟酸溶液洗涤光纤面板的光刻胶残留;
(3)加热浓度为的8%氢氧化钾、氢氧化钠混合碱溶液至80°C,浸泡洗涤;
(4)向浸泡光纤面板的混合碱溶液中持续通入臭氧22分钟;
(5)放入浓度为5%的高锰酸钾中浸泡洗涤15分钟;
(6)使用N-N二甲基甲酰胺于40°C浸泡I小时;
(7)取出使用去离子水冲洗,烘干。
[0018]实施例4
(1)使用湿法刻蚀去除光刻胶;
(2)使用浓度为30%的硝酸溶液洗涤光纤面板的光刻胶残留;
(3)加热浓度为的30%的氨水溶液至85°C,浸泡洗涤; (4)向浸泡光纤面板的氨水溶液中持续通入臭氧22分钟;
(5)放入浓度为5%的高锰酸钾中浸泡洗涤15分钟;
(6)使用正己烷、N-N二甲基甲酰胺混合溶剂(体积比为7:2)于50°C浸泡光纤面板I小时;
(7)取出使用去离子水冲洗,烘干。
[0019]上述详细说明是针对本发明其中之一可行实施例的具体说明,该实施例并非用以限制本发明的专利范围,凡未脱离本发明所为的等效实施或变更,均应包含于本发明技术方案的范围内。
【主权项】
1.一种移除光刻胶的方法,其特征在于,包括以下步骤: 使用湿法刻蚀去除光刻胶; 使用酸溶液洗涤涂有光纤面板的光刻胶; 加热碱溶液,使用碱溶液浸泡洗涤; 向碱溶液中持续通入臭氧; 使用高锰酸钾溶液浸泡洗涤; 使用有机溶剂浸泡; 使用去离子水冲洗。2.如权利要求1所述的移除光刻胶的方法,其特征在于,所述酸溶液为次氯酸溶液、高氯酸溶液、氢氟酸溶液或硝酸溶液。3.如权利要求1所述的移除光刻胶的方法,其特征在于,所述碱溶液为氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液和氨水溶液中的一种或几种。4.如权利要求1所述的移除光刻胶的方法,其特征在于,加热碱溶液的温度为70-90°C,使用碱溶液洗涤10分钟以上。5.如权利要求1所述的移除光刻胶的方法,其特征在于,通入臭氧的时间为20分钟以上。6.如权利要求1所述的移除光刻胶的方法,其特征在于,所述在高锰酸钾中浸泡洗涤10分钟以上。7.如权利要求1所述的移除光刻胶的方法,其特征在于,所述有机溶剂为正己烷和N-N二甲基甲酰胺中的一种或两种。8.如权利要求1所述的移除光刻胶的方法,其特征在于,使用有机溶剂浸泡的时间为I小时以上。9.如权利要求1所述的移除光刻胶的方法,其特征在于,使用有机溶剂浸泡的温度为40-55。。。
【专利摘要】本发明公开了一种移除光刻胶的方法。包括以下步骤:使用湿法刻蚀去除光刻胶,酸溶液洗涤,使用碱溶液浸泡洗涤,向碱溶液中持续通入臭氧,使用高锰酸钾溶液浸泡洗涤,有机溶剂浸泡,去离子水冲洗。本发明移除光刻胶效果好,对纤维面板材料损伤小,洗涤液可以多次反复使用。
【IPC分类】G03F7/42, G03F7/26
【公开号】CN105093864
【申请号】CN201510521779
【发明人】陈哲, 张睿, 王者馥, 王绪敏, 殷金龙, 任鲁风
【申请人】北京中科紫鑫科技有限责任公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年8月24日
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