改良的蓝图工程机碳粉和缺陷蓝图工程机碳粉的改良方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及打印耗材领域，尤其是涉及一种改良的蓝图工程机碳粉和缺陷蓝图工 程机碳粉的改良方法。
【背景技术】
[0002] 蓝图图纸在机械、建筑等领域的研发设计工作中应用相当广泛，蓝图图纸在档案 的存放过程中，具有保存时间长的优点，并且能够避免图纸遭到非法修改。
[0003] 传统的蓝图制造工艺是是先用工程机打印黑色硫酸图，再用晒图机晒制蓝图。此 方法不仅效率低，而且成本高，同时因在晒制蓝图时需使用氨水，会污染环境、危害操作工 人健康。传统蓝图的制造工艺的出图环节多，容易造成人力、物力资源浪费，同时易造成数 据丢失。另外，晒图纸与耗材保质期较短，很容易产生直接报废致使成本增加。传统晒图机 需要大功率排风设施，排风机、管道不易安装，占用办公空间大，且需要独立空间操作。
[0004] 近年来，开始使用蓝图工程机直接打印工程蓝图的方式，这种方式使用起来更加 方便、快捷。例如型号为生产厂家奥西的0CE320、0CE450和0CE750的工程机，可用于AO至 A4以及其它类型的打印纸，从而直接将设计图纸打印出来。
[0005] 为了降低使用成本，这几种类型的工程机往往会采用兼容碳粉进行打印工作，然 而，目前中国市场上的这几款OCE工程机使用的兼容碳粉在使用过程中会出现供粉不足或 补粉时间过长的问题，这样就会显著影响打印速度，降低工作效率。
【发明内容】
[0006] 本发明的主要目的是提供一种改善蓝图工程机的兼容碳粉在打印时存在问题的 改良的蓝图工程机碳粉。
[0007] 本发明的另一目的是提供一种得到上述改良的蓝图工程机碳粉的改性方法。
[0008] 本发明提供的改良的蓝图工程机碳粉，按重量份，包括：100份缺陷蓝图工程机 碳粉，缺陷蓝图工程机碳粉是用于蓝图工程机的兼容碳粉，改良的蓝图工程机碳粉还包括 0. 1份至1. 5份的小粒径二氧化娃，小粒径二氧化硅的粒径大于5纳米且小于10纳米，小粒 径二氧化硅带负电且带电量为400微库仑每克（μ C/g)至800微库仑每克，小粒径二氧化 硅经聚二甲基硅氧烷或六甲基二硅氮烷表面改性处理。
[0009] 由上述方案可见，现有的缺陷蓝图工程机碳粉的供粉时间长的问题得到改善。
[0010] -个优选的方案是，改良的蓝图工程机碳粉还包括0. 1份至1. 5份的大粒径二氧 化娃，大粒径二氧化娃的粒径大于10纳米且小于150纳米，大粒径二氧化娃带负电且带电 量为100微库仑每克至500微库仑每克，大粒径二氧化硅经聚二甲基硅氧烷或六甲基二 硅氮烷表面改性处理。
[0011] 由上述方案可见，供粉时间长的问题得到进一步的改善，可以完成正常的打印工 作，并且改良的碳粉的带电量和流动性均有改善。
[0012] -个优选的方案是，缺陷蓝图工程机碳粉是用于0CE320蓝图工程机上的兼容碳 粉，缺陷蓝图工程机碳粉为99. 6份，小粒径二氧化硅为0. 4份。
[0013] 由上述方案可见，缺陷蓝图工程机碳粉在测试5米后出现长时间的供粉问题，最 长时间为5分钟，之后打印2米至4米之后再次出现补粉现象，15分钟之后可继续打印，缺 陷蓝图工程机碳粉的Q/M和Coe (%)分别为39. 3和11. 01。而改良的蓝图工程机碳粉在测 试时，20分钟之后才出现补粉现象，补粉过程为3分钟，机器持续工作10分钟后又出现补粉 现象，时间为5分钟，在150米内出现6次补粉，补粉过程为3分钟至5分钟，持续打印间隔 为10米至20米，改良的蓝图工程机碳粉的Q/M和Coe (%)分别为41. 2和8. 33。这说明改 良后的蓝图工程机碳粉的性能得到了一定改善。
[0014] 一个优选的方案是，改良的蓝图工程机碳粉按以下组份配比：99. 5份第一次改良 的蓝图工程机碳粉、0. 3份小粒径二氧化硅、0. 2份大粒径二氧化硅；第一次改良的蓝图工 程机碳粉按以下组份配比：99. 6份的缺陷蓝图工程机碳粉和0. 4份的小粒径二氧化硅，缺 陷蓝图工程机碳粉是用于0CE320蓝图工程机上的兼容碳粉；大粒径二氧化硅的粒径大于 10纳米且小于150纳米，大粒径二氧化硅带负电且带电量为100微库仑每克至500微库仑 每克，大粒径二氧化硅经聚二甲基硅氧烷或六甲基二硅氮烷表面改性处理。
[0015] 由上述方案可见，改良的蓝图工程机碳粉经过测试，75米后才出现机器补粉，补粉 过程3分钟，机器持续工作60米后又出现补粉现象，时间为2分钟。测试200米内补粉过 程出现3次，时间为1分钟至3分钟，改良的蓝图工程机碳粉的Q/M和Coe (%)分别为43. 2 和3. 5。可见，相比于第一次改良的蓝图工程机碳粉，第二次改良的蓝图工程机碳粉具有进 一步的改善作用。
[0016] -个优选的方案是，改良的蓝图工程机碳粉还包括0. 1份至0. 5份的氧化铈和0. 1 份至I. 0份的钛酸锶；氧化铈的粒径为0. 5微米至2微米，钛酸锶的粒径为100纳米至500 纳米。
[0017] 进一步优选的方案是，缺陷蓝图工程机碳粉为用于0CE450蓝图工程机上的兼容 碳粉，缺陷蓝图工程机碳粉为99. 3份，小粒径二氧化硅为0. 5份，氧化铈为0. 06份，钛酸锶 为〇. 14份。
[0018] 由上述方案可见，缺陷蓝图工程机碳粉在0CE450机器上测试到500米后，打印机 开始出现长时间补充供粉的问题，最长时间为25分钟，补粉后打印1张 AO纸后又出现机 器补粉现象。拆开机器的显影装置后，发现上供粉仓左边进粉口处有大量碳粉堆积，送粉 辊(磁性）上有很多包裹着的蓝色碳粉。启动电源后观察粉仓内部运行状态，送粉的螺杆正 常运作，只是碳粉运输较少且向两边扩散。机器处于正常的状态时，正常供粉的送粉辊上只 有一半包裹碳粉，左边也没有碳粉堆积。改良的蓝图工程机碳粉经过测试后，在200米内只 出现两次补粉，供粉过程平均时间为1. 8分钟，打开机器显影仓后，观察到粉仓左边积粉很 少，送粉辊只有一半有粉包裹，可见碳粉得到了明显改善。
[0019] 本发明提供的缺陷蓝图工程机碳粉的改性方法，包括以下步骤：首先执行加入步 骤：按重量份，把100份的缺陷蓝图工程机碳粉和0. 1份至1. 5份的小粒径二氧化硅加入到 可调速的混合设备中；然后执行混合步骤：以12赫兹至18赫兹的速率混合1分钟至2分 钟，接着以50赫兹的速率再混合1分钟至2分钟；接着执行过筛步骤：以180目至250目的 筛子过筛，得到改良的蓝图工程机碳粉；缺陷蓝图工程机碳粉是用于蓝图工程机的兼容碳 粉；小粒径二氧化娃的粒径大于5纳米且小于10纳米，小粒径二氧化娃带负电且带电量为 400微库仑每克至800微库仑每克，小粒径二氧化硅经聚二甲基硅氧烷或六甲基二硅氮烷 表面改性处理。
[0020] 由上述方案可见，按照上面提供的步骤，可以得到改良的蓝图工程机碳粉。
[0021] -个优选的方案是，在执行加入步骤中，在混合设备中还加入了 0. 1份至1. 5份的 大粒径二氧化娃，大粒径二氧化娃的粒径大于10纳米且小于150纳米，大粒径二氧化娃带 负电且带电量为100微库仑每克至500微库仑每克，大粒径二氧化硅经聚二甲基硅氧烷 或六甲基二硅氮烷表面改性处理。
[0022] -个优选的方案是，在执行加入步骤时：还把0. 1份至0. 5份的氧化铈和0. 1份 至1. 〇份的钛酸锶加入到可调速的混合设备中； 氧化铈的粒径为0. 5微米至2微米，钛酸锶的粒径为100纳米至500纳米。
[0023] -个优选的方案是，在执行混合步骤中，环境中的湿度小于70%且温度不高于 28。。。
[0024] 由上述方案可见，能够保证碳粉的质量，温度的限定可以防止碳粉结块，而湿度的 限定可以防止碳粉受潮以及避免在打印时出现色浅的现象。
【具体实施方式】
[0025] 本发明提供的改良的蓝图工程机碳粉，按重量份包括：100份缺陷蓝图工程机碳 粉，缺陷蓝图工程机碳粉是用于型号例如为0CE300、0CE450以及0CE750的蓝图工程机的 兼容碳粉，改良的蓝图工程机碳粉还包括〇. 1份至1. 5份的小粒径二氧化硅，小粒径二氧化 硅的粒径大于5纳米且小于10纳米，小粒径二氧化硅带负电且带电量为400微库仑每克 至800微库仑每克，小粒径二氧化硅经聚二甲基硅氧烷（PDMS)或六甲基二硅氮烷（HMDZ) 表面改性处理。在优选的方案中，改良的蓝图工程机碳粉还包括0. 1份至1. 5份的大粒径 二氧化娃，大粒径二氧化娃的粒径大于10纳米且小于150纳米，大粒径二氧化娃带负电且 带电量为100微库仑每克至500微库仑每克，大粒径二氧化硅经聚二甲基硅氧烷或六甲基 二硅氮烷表面改性处理。在另一个优选的方案中，改良的蓝图工程机碳粉还包括0. 1份至 〇. 5份的氧化铺和0. 1份至I. 0份的钛酸锁。
[0026] 本发明提供的缺陷蓝图工程机碳粉的改性方法包括以下步骤：首先执行加入步 骤：按重量份，把100份的缺陷蓝图工程机碳粉和0. 1份至1. 5份的小粒径二氧化硅加入到 可调速的混合设备中。然后执行混合步骤：以12赫兹至18赫兹的速率混合1分钟至2分 钟，低速混合的过程可以重复进行两次，两次之间间隔20秒至120秒。接着以50赫兹的速 率再混合1分钟至2分钟，高速混合的过程可以重复进行两次，两次之间间隔20秒至120 秒。接着执行过筛步骤：以180目至250目的筛子过筛，得到改良的蓝图工程机碳粉。
[0027] 第一实施例： 蓝色PW750兼容碳粉在0CE320旧的工程打印机器上测试到5米后打印机出现长时间 补充供粉的问题，最长时间为5分钟。补粉完成后打印2