可调整曝光强度的曝光系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明是与曝光系统有关，特别是指一种可调整曝光强度的曝光系统。
【背景技术】
[0002]如美国第6876494号专利案，其揭露一种成像装置(imaging formingapparatus)。该专利的一光线调配元件的多个像素单元是一对一地对应微型透镜阵列的微型透镜，如此，藉由光线调配元件反射的光线，在通过微型透镜阵列后，光线的强度都是相同的，而不能控制光线的强度，也就是说，曝光作业时只能控制是否对工作面进行曝光，而无法控制曝光面的每一点的曝光强度。
[0003]此外，若要加强工作面的曝光强度，传统只能藉由改变光源的光线强度或者改变曝光时间。选择改变光源的光线强度必须提高光源的功率，这样不仅会增加成本，也会造成控制上不方便。选择改变曝光时间，则会增加曝光作业的时间。
【发明内容】
[0004]有鉴于上述的缺失，本发明提供一种曝光系统，其可控制工作面的曝光强度，且不需要改变光源的功率及增加曝光时间，而可有效提高曝光作业效率。再者，本发明的曝光系统还可针对工作面的每一点提供不同曝光强度的曝光量。
[0005]本发明的曝光系统包括一光源装置、一控制装置、一光线调配装置、一第一光学装置、一第二光学装置及一透镜阵列装置。光源装置产生一光线。控制装置产生一控制讯号。光线调配装置接收光线，且具有多个反射单元。每一反射单元具有多个反射镜，且依据控制讯号控制每一反射单元的反射镜运作。该数个反射单元分别将光线调配成对应的多个调配光线，并调整该数个调配光线的强度。透镜阵列装置位于第一及第二光学装置之间，且有多个透镜。该数个透镜一对一地对应光线调配装置的反射单元。其中，该数个反射单元调配的该数个调配光线依序通过第一光学装置、透镜阵列装置的透镜及第二光学装置。
[0006]如此，本发明的曝光系统可藉由控制讯号来控制每一反射单元的反射镜摆动运作，进而达到调整调配光线的强度，且控制讯号可个别控制每一反射单元反射的调配光线的强度，因此，本发明的曝光系统不仅可控制工作面的曝光强度，还可针对工作面的每一点提供不同曝光强度的曝光量。
[0007]有关本发明所提供的曝光系统的详细构造、特点、或使用方式，将于后续的实施方式详细说明中予以描述。然而，在本发明领域中具有通常知识者应能了解，该详细说明以及实施本发明所列举的特定实施例，仅用于说明本发明，并非用以限制本发明的专利申请范围。
【附图说明】
[0008]图1是本发明的曝光系统的示意图。
[0009]图2是图1中曝光系统省略光源装置及控制装置的局部放大示意图。
[0010]图3是图1中光线调配装置的示意图。
[0011]图4是图3中的局部放大示意图。
[0012]图5A是图3中其中一反射单元的一个反射镜作动的示意图。
[0013]图5B图是图5A中反射镜反射光线对基材的工作面曝光的示意图。
[0014]图6A是图3中其中一反射单元的五个反射镜作动的示意图。
[0015]图6B是图6A中反射镜反射光线对基材的工作面曝光的示意图。
[0016]图7A是图3中其中一反射单元的全部反射镜作动的示意图。
[0017]图7B是图7A中反射镜反射光线对基材的工作面曝光的示意图。
【具体实施方式】
[0018]以下，兹配合各图式列举对应的较佳实施例来对本发明的曝光系统的组成构件及达成功效来作说明。然各图式中曝光系统的构件、尺寸及外观仅用来说明本发明的技术特征，而非对本发明构成限制。
[0019]如图1及2所不，本发明的曝光系统10包括一光源装置11、一控制装置12、一光线调配装置13、一第一光学装置14、一第二光学装置15及一透镜阵列装置16。
[0020]光源装置11是用以产生一光线L，且包括一发光元件111、一光线瞄准器112及一反射器113。发光元件111产生光线L，光线瞄准器112接收光线L，且将光线调配成一平行光线LP，也就是说，光线瞄准器112可控制光线L的投射方向，光线瞄准器112可以是光学透镜、光纤总成等。反射器113接收平行光线LP，并将平行光线LP反射，于此实施例中，反射器113是反射镜。
[0021]控制装置12产生一控制讯号，于此实施例中，控制装置可以是计算机或其他专用设备。
[0022]光线调配装置13为一数位微型反射镜元件(digital micromirror device, DMD),且用以接收光线LR，并具有多个反射单元131。该数个反射单元131藉由控制装置12的控制讯号来控制光线Lr投射方向，进而分别将光线Lr调配成对应的多个调配光线LM，及调整该数个调配光线Lm的光强度，详细的光强度控制方式请容后在述。
[0023]第一光学装置14用以调配反射单元131反射的调配光线Lm，且调配光线LM可通过第一光学装置14，于此实施例中，第一光学装置14藉由一第一光学透镜141及一第二光学透镜142组成。其中，第一光学透镜141可将反射单元131反射的调配光线LM聚焦后投射至第二光学透镜142，最后，调配光线LM会再次被第二光学透镜142聚焦后才向外投射。
[0024]第二光学装置15具有一第三光学透镜151及一第四光学透镜152。
[0025]透镜阵列装置16是一微型透镜阵列(micro-lens array, MLA),且位于第一光学装置14及第二光学装置15之间，并具有多个透镜161。该数个透镜161是一对一地对应该光线调配装置13的反射单元131。其中，反射单元131反射的调配光线LM依序通过第一光学装置14、透镜阵列装置16及第二光学装置15，最终，通过第二光学装置15的第三及第四光学透镜151、152将调配光线投射在一工作面20上，以对工作面20上需要被曝光的部分进行曝光作业。
[0026]于此实施例中，工作面20可以是印刷电路板或一导电基板等的基材的表面，而印刷电路板或导电基板的导电路径可藉由本发明的曝光系统来制作，并控制导电路径的线宽，且导电路径可以是二维或三维的结构。
[0027]如图3及4所示，光线调配装置13具有多个反射镜132，且每一反射镜132都可以藉由控制讯号来控制其摆动角度，每一反射镜132的摆动角度约在正负12度的范围内，来控制调配光线是否进入第一光学装置。但随着技术发展，光线调配装置13的反射镜132的摆动角度可以更大，故摆动角度不以此为限。
[0028]此外，反射镜132的摆动角度与第一光学装置14、第二光学装置15及透镜阵列模块16的设置位置有关，所以，本发明没对反射镜132摆动角度多作限制。
[0029]特别地，本发明预先将光线调配装置13的反射镜132区分成多个反射单元131 (如图中粗实线的划分范围)，也就表示每一反射单元131具