，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置 位于所需的位置上(例如相对于投影系统）。
[0032] 术语"图案形成装置"应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截 面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案可 以与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
[0033] 图案形成装置可以是透射式或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程 反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元 掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类 型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜， 以便沿不同的方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵 反射的辐射束。
[0034] 与照射系统类似，投影系统可以包括多种类型的光学部件，例如折射型、反射型、 磁性型、电磁型、静电型光学部件或其它类型的光学部件，或其任意组合，如对于所使用的 曝光辐射所适合的、或对于诸如使用真空之类的其他因素所适合的。希望将真空环境用于 EUV辐射，因为其他气体会吸收太多的辐射。因此借助真空壁和真空栗可以在整个束路径上 提供真空环境。
[0035] 如图所示，设备是反射型的（例如采用反射式掩模）。
[0036] 光刻设备可以是具有两个(双台）或更多衬底台（和/或两个或更多的掩模台）的类 型。在这种"多台"机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备 步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。
[0037]参照图1，所述照射器IL接收从源收集器模块S0发出的极紫外(EUV)辐射束。产生 EUV辐射的方法包括但不必限于将材料转换为等离子体状态，该材料具有至少一种元素(例 如氙、锂或锡），其在EUV范围内具有一个或更多个发射线。在一种这样的方法中（通常称为 激光产生等离子体（"LPP"）），所需的等离子体可以通过用激光束照射燃料(例如是具有所 需线发射元素的材料的液滴)来产生。源收集器模块S0可以是包括用于提供激发燃料的激 光束的激光器（图1中未示出）的EUV辐射源的一部分。所形成的等离子体发射输出辐射，例 如EUV辐射，其通过使用设置在源收集器模块S0内的辐射收集器收集。
[0038] 激光器和源收集器模块可以是分立的实体（例如当使用C02激光器提供用于燃料 激发的激光束时）。在这种情况下，通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递 系统的帮助，将所述辐射束从激光器传到源收集器模块。激光器和燃料供给装置可以被考 虑成包括EUV辐射源。
[0039] 所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以 对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围（一般分别称 为σ-外部和〇-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如琢面或多 小平面场反射镜装置和琢面或多小平面场光瞳反射镜装置。可以将所述照射器用于调节所 述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
[0040] 所述辐射束Β入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)ΜΤ上的所述图案形成装置(例 如，掩模)ΜΑ上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经被图案形成装置(例如，掩模） ΜΑ反射后，所述辐射束Β通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束聚焦到所述衬底W的目标 部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感系统PS2(例如，使用干涉仪器件、线性编码器或 电容传感器）的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于 所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感系统PS1用 于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用图案形成 装置对准标记Ml、M2和衬底对准标记PI、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。
[0041] 示出的设备可以用于下列模式中的至少一种：
[0042] 1.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同 时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上（即，单一的静态曝光）。然后将 所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。
[0043] 2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同 时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上（即，单一的动态曝光）。衬底台WT相对于 支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的（缩小)放大率和图像 反转特征来确定。
[0044] 3.在另一模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保 持为基本静止并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投 影到目标部分C上。在这种模式中，通常可以采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一 次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。 这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射 镜阵列）的无掩模光刻术中。
[0045] 也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
[0046] 图2更详细地示出光刻设备100,包括源收集器模块S0、照射系统IL以及投影系统 PS。源收集器模块S0构造并布置成使得在源收集器模块的包围结构220内可以保持真空环 境。
[0047]激光源LA布置成将激光能量经由激光束205照射到燃料，例如氙(Xe )、锡(Sn)或者 锂(Li )，其被从燃料液滴束产生器200提供，其中所述燃料液滴束流产生器具有喷嘴，所述 喷嘴配置用于沿一路径朝向等离子体形成位置211引导液滴束流。这在等离子体形成位置 211处生成高离子化的等离子体210,其具有几十电子伏特的电子温度。在这些离子的去激 发和再结合期间产生的高能辐射由等离子体发射，通过近正入射辐射收集器C0收集并聚 焦。激光器系统LA和燃料液滴束流产生器200可以一起被认为包括EUV辐射源。EUV辐射源可 以被称为激光产生等离子体(LPP)源。
[0048]通过辐射收集器C0反射的辐射被聚焦在虚源点IF。虚源点IF通常被称为中间焦 点，并且源收集器模块S0可以布置成使得中间焦点IF位于包围结构220内的开口 221处或其 附近。虚源点IF是辐射发射等离子体210的图像。
[0049] 随后，辐射穿过照射系统IL。照射系统IL可以包括琢面或多小平面场反射镜装置 22和琢面或多小平面光瞳反射镜装置24,其布置成在图案形成装置MA处提供辐射束21的期 望的角分布以及在图案形成装置Μ处提供辐射束强度的期望的均匀性。通过辐射束21在被 支撑结构ΜΤ保持的图案形成装置ΜΑ处的反射，形成图案化束26,并且图案化束26通过投影 系统PS经由反射元件28、30成像到由晶片台或衬底台WT保持的衬底W上。
[0050] 激光器系统LA可以用于预加热燃料。这在图3中示出。图3示意地公开激光器系统 LA。激光源LA包括两个激光源301a、301b，所述两个激光源被构造和布置成产生脉冲形式的 辐射束303a、303b。主脉冲激光源301a可以被构造用于产生具有10.59μπι波长的辐射，预脉 冲激光源301b可以被构造用于产生具有10.23μπι波长的辐射。反射镜302a和分束器302b反 射具有10.23μπι波长的辐射，如图3所示。
[0051]图3的实施例被配置成使得在使用中激光源301b首先被触发，以产生脉冲，然后， 例如lys之后，激光源301a被触发产生脉冲。
[0052] 激光器系统LA包括束传递系统305。束传递系统305包括反射器307、309和分束器 311、313、315。反射器307、309和分束器311、313、315被配置成使得辐射束沿预定的主轨迹 317和预定的预脉冲轨迹319传播。分束器311被配置成反射具有大约10.59μπι波长的辐射， 并且透射具有大约10.23μπι波长的辐射。因此，通过激光源301a产生的脉冲沿着轨迹317传 播，通过激光源301b产生的脉冲沿着轨迹319传播。两个轨迹317、319通过聚焦单元320,所 述聚焦单元320将辐射束聚焦至等离子体形成位置211处，以撞击液滴322之一。
[0053] 图3的束传递系统305包括相位板结构321，相位板结构321在图4中详细示出。相位 板结构321包括第一相位板323和第二相位板325。相位板323、325中的每一个包括第一区域 327、329和第二区域331、333。相位板323