有机发光二极管的制作方法

有机发光二极管
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年8月10日提交的韩国专利申请第10-2021-0105230号的优先权权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
3.本公开内容涉及在减少有机发光层中产生的光损失的同时抑制外部光反射的有机发光二极管。


背景技术：

4.近来，随着社会进入全面信息时代，对处理和显示大量信息的信息显示的兴趣正在增加。此外，随着使用便携式信息媒体的需求增加，与此相对应的各种轻薄平板显示装置已被开发到备受关注。
5.具体地，在各种平板显示装置中，有机发光二极管(oled)是自发光装置，使得不需要用于作为非自发光装置的液晶显示装置(lcd)的背光源，从而可以实现轻重量和薄厚度。
6.此外，有机发光二极管的优点在于，与液晶显示装置相比，视角和对比度优异，功耗也是有益的，有机发光二极管以低直流(dc)电压被驱动，响应速度快，并且由于内部部件坚固，因此有机发光二极管对抗外部冲击力强，并且可用温度范围广。
7.同时，在一般的有机发光二极管中，圆偏振器位于显示面板的上表面上，以减少由金属形成的各种布线或电极进行的反射。
8.圆偏振器由延迟板和线偏振器来配置。延迟板由具有1/4λ的相位延迟值的四分之一波片(qwp)配置，并且线性偏振器具有偏振轴，并且使光在偏振轴方向上进行线性偏振。
9.当圆偏振器被定位成使得延迟板位于显示面板的上表面上并且线性偏振器位于延迟板上方时，由于外部光而在显示面板中产生反射。此外，当反射光出射到外部时，反射光不能穿过线性偏振器，使得外部光反射率降低。
10.然而，如上所述，当圆偏振器位于显示面板的上表面上时，存在有机发光二极管的整体亮度也降低的问题。也就是说，圆偏振器的透射率约为40％至50％，使得有机发光层中产生的光的亮度在穿过圆偏振器时降低50％或更多。
11.因此，正在积极进行研究以在不使用圆偏振器的情况下降低有机发光二极管的外部光反射率同时降低亮度的损失。


技术实现要素：

12.本公开内容的目的是提供有机发光二极管，其在减少有机发光层中产生的光的损失的同时抑制外部光反射。
13.本公开内容的目的不限于以上提及的目的，并且本领域技术人员可以根据以下描述清楚地理解以上未提及的其他目的。
14.为了实现上述目的，根据本发明的一方面，一种有机发光二极管包括：基板；在基
板上的阳极；在阳极上的堤部，该堤部暴露阳极的一部分，以限定发射区域；在发射区域和堤部上的有机发光层；在有机发光层上的阴极；多个遮光图案，其被配置成吸收入射在多个遮光图案上的光，多个遮光图案在阴极上并且与堤部交叠但不与发射区域交叠；以及光损失诱导层，其被配置成减少反射的外部光的发射，该光损失诱导层与发射区域交叠并且与多个遮光图案在同一平面上，使得光损失诱导层被设置在多个遮光图案中的一对遮光图案之间，光损失诱导层具有与多个遮光图案的厚度相同的厚度。
15.在一个实施方式中，一种有机发光二极管包括：基板；在基板上的多个遮光图案；在多个遮光图案之间的光损失诱导层，使得光损失诱导层被设置在多个遮光图案中的一对遮光图案之间；第一绝缘层，其与光损失诱导层的第一表面直接接触；以及第二绝缘层，其与光损失诱导层的比光损失诱导层的第一表面离基板更远的第二表面直接接触，其中，光损失诱导层的折射率小于第一绝缘层的折射率，并且小于第二绝缘层的折射率。
16.在一个实施方式中，一种有机发光二极管的制造方法包括：在基板上形成阳极；在阳极上形成堤部，该堤部暴露阳极的一部分以限定发射区域；在发射区域和堤部上形成有机发光层；在有机发光层上形成阴极；以及在阴极上形成多个遮光图案和光损失诱导层，多个遮光图案被配置成吸收入射在多个遮光图案上的光，并且光损失诱导层被配置成减少反射的外部光的发射，其中，多个遮光图案与堤部交叠，并且光损失诱导层与发射区域交叠并且与多个遮光图案位于同一平面上，使得光损失诱导层被设置在多个遮光图案中的一对遮光图案之间，光损失诱导层具有与多个遮光图案的厚度相同的厚度。
17.如上所述，根据本公开内容的有机发光二极管包括位于有机发光层上的光损失诱导层和与光损失诱导层相邻的遮光图案，以在减少有机发光层中产生的光的损失的同时抑制外部光反射。
18.此外，根据本公开内容的有机发光二极管包括触摸电极，该触摸电极与遮光图案交叠，以在减少孔径比的减小的同时显示出优异的触摸性能。
19.此外，根据本公开内容的有机发光二极管包括透射率控制层或滤色器层，其被定位成与通过有机发光层发射的光的透射方向对应，使得可以在不提供单独的圆偏振器的情况下抑制外部光反射。
附图说明
20.通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开内容的上述和其他方面、特征和其他优点，在附图中：
21.图1是示出根据本公开内容的第一示例性实施方式的有机发光二极管中包括三个子像素的单位像素的结构的截面图；
22.图2是放大图1的绿色子像素部分并示出根据本公开内容的第一示例性实施方式的反射光和产生光的路径的截面图；
23.图3是示出图2的反射光和产生光在不同角度下的光分布的曲线图；
24.图4是示出根据图2的距离d的变化的产生光的量的变化和反射率降低效果的变化的曲线图；
25.图5是示出根据本公开内容的第一示例性实施方式的图2的产生光的路径的截面图；
26.图6是示出根据本公开内容的第二示例性实施方式的产生光的路径的截面图；
27.图7是示出根据本公开内容的第一示例性实施方式的图2的反射光的路径的截面图；
28.图8是示出根据本公开内容的第三示例性实施方式的反射光的路径的截面图；
29.图9是根据本公开内容的第四示例性实施方式的绿色子像素部分的截面图；
30.图10至图14是示出根据本公开内容的第一示例性实施方式的有机发光二极管的制造方法的截面图；以及
31.图15至图19是示出根据本公开内容的第三示例性实施方式的有机发光二极管的制造方法的截面图。
具体实施方式
32.通过参考以下详细描述的示例性实施方式以及附图，本公开内容的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开内容不限于本文公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。仅以示例的方式提供示例性实施方式，使得本领域技术人员能够完全理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。因此，本公开内容将仅由所附权利要求的范围来限定。
33.附图中所示的用于描述本公开内容的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数目等仅为示例，并且本公开内容不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，可以省略已知的相关技术的详细解释，以避免不必要地模糊本公开内容的主题。本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“包含”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用也包括复数。
34.即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通误差范围。
35.当使用诸如“上方”、“之上”、“下方”和“靠近”的术语来描述两个部分之间的位置关系时，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用，否则一个或更多个部分可以被定位在这两个部分之间。
36.当元件或层被设置在另一元件或层“上”时，其可以直接置于另一元件或层上，或者其间可以存在中间元件或层。
37.尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此，下面要提到的第一部件可以是本公开内容的技术概念中的第二部件。
38.在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。
39.为便于描述，示出了附图中所示的各个部件的大小和厚度，但本公开内容不限于所示的部件的大小和厚度。
40.本公开内容的各种实施方式的特征可以部分或全部彼此添附或组合，并且可以在技术上以各种方式互锁和操作，并且实施方式可以彼此独立地或彼此相关联地执行。
41.在下文中，将参照附图详细描述本公开内容的示例性实施方式。
42.图1是示出根据本公开内容的第一示例性实施方式的有机发光二极管中包括三个子像素rp、gp和bp的单位像素的结构的截面图。图2是放大图1的绿色子像素gp部分并示出
根据本公开内容的第一示例性实施方式的反射光a和产生光b的路径的截面图。
43.首先，参照图1，根据本公开内容的第一示例性实施方式的有机发光二极管可以包括多个子像素。尽管在图1中示出了红色子像素rp、绿色子像素gp和蓝色子像素bp，但是本公开内容不限于此，使得还可以包括白色子像素。
44.包括多个子像素的有机发光二极管可以包括基板101、薄膜晶体管(tft)层103、阳极105、堤部107、有机发光层109、阴极111、封装层120、触摸电极131、触摸保护层133、遮光图案140、光损失诱导层150、透射率控制层160和覆盖层170。
45.基板101可以用于支承位于其上方的部件。基板101可以由固体玻璃材料形成，但不限于此，并且可以由诸如聚酰亚胺的柔性塑料形成。
46.tft层103可以位于基板101上。tft层103可以包括驱动多个子像素rp、gp和bp的多个薄膜晶体管。多个薄膜晶体管中的每一个可以包括由多晶硅或氧化物半导体形成的有源层、与有源层交叠的栅电极、以及与有源层的两端接触的源电极和漏电极。tft层可以包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，并且附加地包括用于补偿阈值电压vth和薄膜晶体管的迁移率的补偿薄膜晶体管。
47.阳极105可以位于tft层103上。多个阳极105可以位于tft层103上并且彼此间隔开。具体地，一个阳极105可以位于一个子像素中。因此，每个阳极105与每个子像素之间存在一一对应关系。阳极105可以电连接至位于tft层103中的驱动薄膜晶体管。
48.阳极105可以是反射电极。在本公开内容的一个示例性实施方式中，阳极105可以包括银(ag)或铝(al)。在本公开内容的另一示例性实施方式中，阳极105可以形成有诸如ito/ag/ito或izo/al/izo的多层结构。阳极105的表面反射率可以是95％或更高。
49.堤部107可以位于阳极105上。堤部107可以暴露阳极105的一部分以限定发射区域。也就是说，堤部107可以覆盖阳极105的边缘。具体地，从设置在红色子像素rp、绿色子像素gp和蓝色子像素bp中的每一个中的阳极105的中心部分去除堤部107，以形成红色发射区域、绿色发射区域和蓝色发射区域。
50.堤部107可以由有机材料形成。在本公开内容的一个示例性实施方式中，堤部107由聚酰亚胺形成，但不限于此，并且由丙烯酸材料形成。在本公开内容的另一示例性实施方式中，堤部107可以由诸如硅氧化物siox或硅氮化物sinx的无机材料形成。
51.堤部107可以包括被定位成与阳极105相邻的倾斜表面以及位于两个相邻子像素之间的平坦表面。堤部107的倾斜表面具有正锥形形状，并且堤部107的倾斜表面的角度可以根据堤部107的材料而变化。
52.有机发光层109可以位于阳极105和堤部107上。有机发光层109可以包括发射红光的红色有机发光层109r、发射绿光的绿色有机发光层109g以及发射蓝光的蓝色有机发光层109b。红色有机发光层109r、绿色有机发光层109g和蓝色有机发光层109b可以分别位于红色子像素rp、绿色子像素gp和蓝色子像素bp上。如上所述，根据本公开内容的示例性实施方式的有机发光二极管可以针对每个子像素发射红光、绿光和蓝光，以实现具有高亮度的全色。
53.有机发光层109可以由包括发光材料的单个层配置，或者由空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层的多层配置以提高发光效率。即使在图中未示出，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层也可以是形成在基板101的整个表
面上的公共层。
54.阴极111可以位于有机发光层109上。阴极111通常形成在基板101的整个表面上以向每个子像素施加相同的电压。阴极111可以包括镁(mg)、银(ag)和镱(yb)中的至少一种。具体地，阴极111可以由mg/ag或mg/yb的多层形成。
55.阴极111可以由透射反射式电极形成。具体地，阴极111由薄金属膜形成，以使入射到阴极111上的光的一部分透过并使入射光的另一部分反射。
56.当向阳极105和阴极111施加预定电压时，从阳极105注入的空穴和从阴极111提供的电子被传输至有机发光层109以形成激子。当激子从激发态跃迁到基态时，产生光，以便以可见光线的形式发射。朝向阴极111发射所发射的光。也就是说，根据本公开内容的示例性实施方式的有机发光二极管可以是顶部发射型。
57.本公开内容的示例性实施方式的阳极105是反射电极并且阴极111形成为透射反射式电极，使得在有机发光层109中产生的光(产生光b)在阳极105与阴极111之间共振。在阳极105与阴极111之间共振的光引起相长干涉并且光学轮廓上的半宽度将被缩短。因此，朝向阴极发射的大量产生光b被发射至有机发光二极管的前面，并且朝向有机发光二极管的侧表面发射的光的量减少。换言之，产生光b的量朝向垂直于阳极105的方向增加。因此，即使遮光图案140位于有机发光层109上方，由于遮光图案140而损失的产生光b也可以减少。
58.可以在阴极111上设置封装层120。封装层120可以用于保护有机发光层109免受湿气和氧气的影响。封装层120可以形成为覆盖基板101的整个表面。
59.封装层120可以通过顺序地层压由无机膜形成的第一封装层120a、由有机膜形成的第二封装层120b和由无机膜形成的第三封装层120c来形成。此处，第二封装层120b可以执行平坦化功能。同时，第一封装层120a和第三封装层120c通过化学气相沉积方法形成，并且第二封装层120b通过喷墨方法形成。
60.触摸电极131可以形成在封装层120上。在本公开内容的一个实施方式中，触摸电极131可以直接形成在第三封装层120c上。在本公开内容的另一示例性实施方式中，触摸缓冲层(未示出)可以进一步形成在触摸电极131与第三封装层120c之间。
61.可以形成多个触摸电极131。具体地，多个触摸电极131中的每一个可以位于相邻的子像素之间。在本公开内容的一个示例性实施方式中，多个触摸电极131中的每一个可以被定位成与堤部107的平坦表面交叠。也就是说，多个触摸电极131中的每一个可以不与发射区域交叠。
62.触摸保护层133可以位于触摸电极131上。触摸保护层133可以保护触摸电极131免受位于触摸电极131上方的部件的影响。触摸保护层133可以由绝缘材料形成。触摸保护层133可以由诸如树脂的有机材料或诸如硅氧化物的无机材料形成，但不限于此。
63.遮光图案140可以位于触摸保护层133上。遮光图案140由黑色材料形成以吸收入射到遮光图案140上的光。在本公开内容的示例性实施方式中，遮光图案140可以形成为与触摸电极131交叠。具体地，遮光图案140可以完全覆盖触摸电极131。换言之，触摸电极131可以与遮光图案140完全交叠。也就是说，遮光图案140的截面的宽度可以大于触摸电极131的截面的宽度。因此，从有机发光二极管的外部看不到触摸电极131，并且还可以抑制由于触摸电极131引起的孔径比的降低。
64.可以形成多个遮光图案140。具体地，多个遮光图案140中的每一个可以位于相邻的子像素之间。在本公开内容的一个示例性实施方式中，多个遮光图案140中的每一个可以被定位成与堤部107的平坦表面交叠。也就是说，多个遮光图案140中的每一个可以不与发射区域交叠。
65.光损失诱导层150可以设置在多个遮光图案140之间，使得光损失诱导层被设置在多个遮光图案140中的一对遮光图案之间。具体地，光损失诱导层150可以与多个遮光图案140形成在同一平面上。因此，光损失诱导层150和多个遮光图案140两者都在触摸保护层133上。此外，光损失诱导层150可以与发射区域交叠。此外，光损失诱导层150可以与堤部107的倾斜表面交叠。
66.光损失诱导层150可以由具有低折射率的材料形成。例如，光损失诱导层150可以由透明的硅氧化物siox形成。根据本公开内容的示例性实施方式的光损失诱导层150的折射率可以是1.2至1.4。具体地，光损失诱导层150的折射率可以小于与其在下方相邻的触摸保护层133的折射率。此外，光损失诱导层150的折射率可以小于与其在上方相邻的透射率控制层160的折射率。下面将描述光损失诱导层150的光损失诱导功能。
67.透射率控制层160可以位于遮光图案140和光损失诱导层150上。根据本公开内容的示例性实施方式的透射率控制层160的下表面可以与遮光图案140和光损失诱导层150两者接触。具体地，透射率控制层160可以形成在基板101的整个表面上。
68.透射率控制层160可以由绝缘材料形成。透射率控制层160是替换现有技术的圆偏振器的部件并且可以通过由透明树脂和灰色颜料的混合物形成的膜来实现。此处，透明树脂可以由选自包括聚酯、丙烯酸、聚氨酯、三聚氰胺、聚乙烯醇或恶唑啉粘合剂树脂的组的一种或更多种树脂形成，并且优选地，由丙烯酸粘合剂树脂形成。透射率控制层160的折射率可以是1.6。
69.覆盖层170可以位于透射率控制层160上。覆盖层170形成在基板101的整个表面上以保护覆盖层170下方的部件免受外部冲击。覆盖层170可以由钢化玻璃或透明塑料形成。覆盖层170的折射率可以是1.5。空气层(未示出)可以位于覆盖层170上并且空气层的折射率可以是1.0。
70.可以通过调整透射率控制层160的厚度或包括在透射率控制层160中的灰色颜料的浓度来设置透射率控制层160的透射率。此时，当透射率控制层160的透射率被设置为高时，大量产生光b发射到外部，使得光学效率得以提高。然而，同时，从外部入射而被阳极105反射的反射光a也大量发射到外部，使得有机发光二极管中显示的图像的可视性降低。相反，当将透射率控制层160的透射率设置为低时，较少的产生光b发射到外部，使得光学效率降低。然而，同时，从外部入射而被阳极105反射的反射光a也较少发射到外部，使得有机发光二极管中显示的图像的可视性提高。也就是说，透射率控制层160的透射率和有机发光二极管的图像可视性具有权衡关系。因此，通过适当地设置透射率控制层160的透射率，难以满足有机发光二极管的光学效率和图像可视性两者。
71.因此，根据本公开内容的示例性实施方式的有机发光二极管包括光损失诱导层150，以在减少产生光b的损失的同时抑制反射光a的发射。
72.反射光a是由阳极105反射以再次发射至外部的外部光。反射光a在阳极105的表面上基本进行朗伯反射。即，入射到阳极105的表面上的外部光从阳极105的表面在所有方向
上基本上均匀地漫射以再次被发射到外部。因此，无论视角如何，反射光a都具有均匀的光量。在图2中，用指示反射光a的箭头的粗细来示出反射光a的量，并且可以确认：无论视角如何，指示反射光a的箭头的粗细相同。
73.当反射光a从阳极105等的表面反射，然后再次被发射到外部时，反射光遇到光损失诱导层150。光损失诱导层150的折射率小于其下方的触摸保护层133的折射率，使得反射光a在光损失诱导层150与触摸保护层133的界面处朝向遮光图案140折射。因此，不仅是直接入射到遮光图案140上的反射光a，而且入射到与遮光图案140相邻的光损失诱导层150上的反射光a也被遮光图案140吸收。也就是说，通过遮光图案140和光损失诱导层150将发射到外部的反射光a的量减少到预定水平。
74.当产生光b在有机发光层109中产生并且然后发射到外部时，产生光b也遇到光损失诱导层150。光损失诱导层150的折射率小于其下方的触摸保护层133的折射率，使得产生光b在光损失诱导层150与触摸保护层133的界面处朝向遮光图案140折射。因此，不仅是直接入射到遮光图案140上的产生光b，而且入射到与遮光图案140相邻的光损失诱导层150上的产生光b也被遮光图案140吸收。
75.然而，如上所述，与反射光a不同，产生光b的量可以根据视角而变化。在图2中，用指示产生光b的箭头的粗细示出产生光b的量，并确认指示产生光b的箭头的粗细根据视角而变化。因此，大量的产生光b被发射到有机发光二极管的前面，并且发射的光量朝向有机发光二极管的侧表面减少。
76.因此，直接入射到遮光图案140上的产生光b的量以及入射到与遮光图案140相邻的光损失诱导层150上并然后入射到遮光图案140上的产生光b可以远小于没有入射到遮光图案140上的产生光b的量。也就是说，与总产生光b的量相比，被遮光图案140吸收的产生光b的量可以是微不足道的。
77.如上所述，假设紧接在从阳极105等反射之后的反射光a的量等于紧接在有机发光层109中被产生之后的产生光b的量。在此假设下，通过光损失诱导层150入射到遮光图案140上的反射光a的量可以大于通过光损失诱导层150入射到遮光图案140上的产生光b的量。也就是说，反射光a的发射可以被光损失诱导层150抑制，同时减少产生光b的损失。
78.此时，可以通过调整发射区域的边缘和与发射区域的边缘相邻的遮光图案140的侧表面之间的距离(下文中的距离d)来设置产生光b的损失量和反射光a的遮蔽量。将参照图3和图4对此进行详细描述。
79.图3是示出图2的反射光a和产生光b在各个角度的光分布的曲线图。图4是示出根据图2的距离d的变化的产生光b的量的变化和反射率降低效果的变化的曲线图。在图3和图4中，光损失诱导层150的折射率为1.3。
80.在图3中，横轴和纵轴指示相对光强度，并且在最外半圆的圆周上表示的数字指示角度(视角)。此处，角度0指的是与阳极105的表面垂直的方向，并且角度90和-90指的是与阳极105的表面平行的方向。红色、绿色和蓝色分别表示从红色子像素rp、绿色子像素gp和蓝色子像素bp发射的产生光b，并且朗伯表示从阳极105等反射的反射光a。
81.被图2的遮光图案140吸收但未发射到外部的光是图3的虚直线(下文中的直线c)以下的光。如从与图3的直线c接触的产生光b和反射光a的强度看到的，反射光a的遮蔽量比由遮光图案140引起的产生光b的损失量相对大。可以通过调整距离d将产生光b的损失量和
反射光a的遮蔽量设置为期望值。例如，当距离d增大时，图3的直线c向下倾斜，使得产生光b的损失量和反射光a的遮蔽量减少。作为另一示例，当距离d减小时，图3的直线c向上倾斜，使得产生光b的损失量和反射光a的遮蔽量增加。
82.然而，根据距离d的产生光b的损失量和反射光a的遮蔽量是不相同的。图4的横轴表示距离d的变化，左纵轴表示产生光b的强度，右纵轴表示反射光a的反射率降低效果。红色、绿色、蓝色分别表示从红色子像素rp、绿色子像素gp和蓝色子像素bp发射的产生光b，并且降低的反射率表示反射光a的反射率降低效果。
83.如图4所示，距离d越小，产生光b的损失量和反射光a的遮蔽量越大。然而，当距离d减小预定水平时被遮蔽的反射光a的量大于当距离d减小预定水平时损失的产生光b的量。也就是说，可以通过减小距离d获得的反射光a的反射率降低效果大于产生光b的损失。
84.在下表1中表示图4的实验结果。
85.[表1]
[0086][0087]
当x+y《100时，没有在减少产生光b的损失的同时抑制反射光a的发射的效果，并且当x+y》100时，可以在减少产生光b的损失的同时抑制反射光a的发射。如从表1看到的，当距离d为0μm至3μm时，x+y＞100，使得可以在减少产生光b的损失的同时抑制反射光a的发射。
[0088]
在本公开内容的示例性实施方式中，距离d可以是3μm或更小。在这种情况下，反射光a的反射率降低效果可以为0.4％，而不损失产生光b。
[0089]
在本公开内容的另一示例性实施方式中，距离d可以是0μm。在这种情况下，发射区域的端部部分和与发射区域的端部部分相邻的遮光图案140的侧表面位于同一平面上。此时，损失大约6a.u.至7a.u.的产生光b，但是反射光a的反射率降低效果是10.2％，使得在频繁暴露于外部光的有机发光二极管中，距离d可以被设置为0μm。
[0090]
接下来，将描述本公开内容的第二示例性实施方式。图5是示出图2的产生光b的路径的截面图。图6是示出根据本公开内容的另一示例性实施方式的产生光b'的路径的截面图。
[0091]
首先，参照图5，在根据本公开内容的第一示例性实施方式的有机发光二极管中，入射到与遮光图案140相邻的光损失诱导层150上的产生光b的一部分(下文中的产生光b1)在光损失诱导层150和触摸保护层133的界面处在与基板101平行的方向上被折射以被遮光图案140吸收。然而，在本公开内容的第一示例性实施方式中，入射到与遮光图案140相邻的
光损失诱导层150上的产生光b的另一部分(下文中的产生光b2)在光损失诱导层150和触摸保护层133的界面处在与基板101平行的方向上被折射。然而，产生光b2不被遮光图案140吸收，而是可以被发射在遮光图案140上方。然而，产生光b2在光损失诱导层150与触摸保护层133的界面处在平行于基板101的方向上折射，使得产生光b2极有可能在覆盖层170与空气层(未示出)的界面处发生全反射。也就是说，需要发射到外部以被有机发光二极管的用户可见地识别的产生光b2从覆盖层170的上表面向内反射，使得可能引起光损失。
[0092]
为了解决这个问题，如图6所示，发光诱导层180可以进一步位于遮光图案140和光损失诱导层150上。发光诱导层180可以形成在基板101的整个表面上。具体地，发光诱导层180可以与遮光图案140的上表面和光损失诱导层150的上表面接触，并且可以与透射率控制层160的下表面接触。因此，发光诱导层180位于透射率控制层160与遮光图案140和光损失诱导层150之间。
[0093]
发光诱导层180可以由具有高折射率的材料形成。例如，发光诱导层180可以由透明的硅氮化物sinx形成。根据本公开内容的示例性实施方式的发光诱导层180的折射率可以是1.7至1.9。具体地，发光诱导层180的折射率可以大于与其在下方相邻的光损失诱导层150的折射率。此外，发光诱导层180的折射率可以大于与其在上方相邻的透射率控制层160的折射率。
[0094]
如上所述，当发光诱导层180位于光损失诱导层150上时，在光损失诱导层150与发光诱导层180之间的界面处在与基板101垂直的方向上折射在光损失诱导层150下方与图5的产生光b2具有相同路径的产生光b2'。因此，产生光b2'高度可能发射到外部而不从覆盖层170的上表面被全反射。即，发光诱导层180附加地被设置成在抑制有机发光层109中产生的光的全反射的同时增大发射到外部的量。
[0095]
接下来，将描述本公开内容的第三示例性实施方式。图7是示出图2的反射光a的路径的截面图。图8是示出根据本公开内容第三示例性实施方式的反射光a'的路径的截面图。
[0096]
首先，参照图7，在根据本公开内容的第一示例性实施方式的有机发光二极管中，入射到与遮光图案140相邻的光损失诱导层150上的反射光a1的一部分(下文中的反射光a1)在光损失诱导层150与触摸保护层133的界面处在与基板101平行的方向上折射，以被遮光图案140吸收。然而，在本公开内容的第一示例性实施方式中，入射到与遮光图案140相邻的光损失诱导层150上的反射光a2的另一部分(下文中的反射光a2)在光损失诱导层150与触摸保护层133的界面处在与基板101平行的方向上折射。然而，反射光a2不被遮光图案140吸收，而是可以被发射在遮光图案140上方。
[0097]
根据本公开内容的第三示例性实施方式的有机发光二极管可以将遮光图案141形成为具有如图8所示的倒锥形截面形状，以不仅抑制图7的反射光a1的外部发射，而且也抑制反射光a2的外部发射。此外，光损失诱导层151可以形成为具有正锥形截面形状。也就是说，在根据本公开内容的第三示例性实施方式的有机发光二极管中，遮光图案141的倒锥形侧表面位于反射光a2'的发射路径上以阻挡更多量的反射光a1'和a2'。
[0098]
接下来，将描述本公开内容的第四示例性实施方式。图9是根据本公开内容的第四示例性实施方式的绿色子像素部分的截面图。
[0099]
参照图9，可以设立滤色器层190，代替图2的透射率控制层160。滤色器层190可以包括由绝缘材料形成的红色滤色器190r、绿色滤色器190g和蓝色滤色器190b，但不限于此。
如同透射率控制层160，滤色器层190增加从有机发光层109发射的产生光b的色纯度并且减少反射光a的外部发射。滤色器层190的折射率可以是1.5至1.6，并且高于光损失诱导层150的折射率。也就是说，类似于本公开内容的第一示例性实施方式，光损失诱导层150的折射率低于位于其上方以及其下方的绝缘层的折射率，使得入射到光损失诱导层150上的光被折射到与基板101平行的方向。因此，入射到与遮光图案140相邻的光损失诱导层150上的光入射到遮光图案140上，以被遮光图案140吸收。
[0100]
接下来，将参照图10至图14描述根据本公开内容的第一示例性实施方式的有机发光二极管的制造方法。
[0101]
首先，参照图10，顺序地层压基板101、tft层103、阳极105、堤部107、有机发光层109、阴极111、封装层120、触摸电极131和触摸保护层133。之后，在整个触摸保护层133上涂覆光敏遮光材料140a以具有第一厚度t1。此处，光敏遮光材料140a可以是具有正光致抗蚀剂特性的黑色材料。
[0102]
接下来，参照图11，对完全涂覆的光敏遮光材料140a进行部分曝光和显影，以在与触摸电极131交叠的区域中形成经图案化的光敏遮光材料140b。此时，经图案化的光敏遮光材料140b的厚度可以按原样为第一厚度t1。
[0103]
接下来，参照图12，在整个经图案化的光敏遮光材料140b上涂覆光敏光损失诱导材料150a以具有第二厚度t2。此处，光敏光损失诱导材料150a也可以是具有正光致抗蚀剂特性的透明材料。光敏光损失诱导材料150a的折射率可以是1.2至1.4。在这种情况下，第二厚度t2可以大于第一厚度t1。因此，光敏光损失诱导材料150a可以完全覆盖经图案化的光敏遮光材料140b。
[0104]
接下来，当如图13所示的那样执行完全曝光和显影时，可以将经图案化的光敏遮光材料140b和光敏光损失诱导材料150a同时图案化。具体地，通过用于显影的显影剂同时去除光敏光损失诱导材料150a的上部部分和经图案化的光敏遮光材料140b的上部部分。通过这样做，可以同时形成具有小于第一厚度t1的第三厚度t3的遮光图案140和光损失诱导层150。
[0105]
接下来，如图14所示，可以在遮光图案140和光损失诱导层150上顺序地形成透射率控制层160和覆盖层170。
[0106]
如上所述，仅使用曝光和显影过程而不使用蚀刻过程同时形成遮光图案140和光损失诱导层150。因此，抑制了由蚀刻过程引起的颗粒，并且可以容易地执行遮光图案140和光损失诱导层150的厚度调整和对准。
[0107]
接下来，将参照图15至图19描述根据本公开内容的第三示例性实施方式的有机发光二极管的制造方法。
[0108]
首先，参照图15，顺序地层压基板101、tft层103、阳极105、堤部107、有机发光层109、阴极111、封装层120、触摸电极131和触摸保护层133。之后，在整个触摸保护层133上涂覆光敏光损失诱导材料151a以具有第四厚度t4。此处，光敏光损失诱导材料151a可以是具有正光致抗蚀剂特性的透明材料。光敏光损失诱导材料151a的折射率可以是1.2至1.4。
[0109]
接下来，参照图16，将完全涂覆的光敏光损失诱导材料151a部分地曝光和显影，以在与触摸电极131交叠的位置中形成开口op。此时，其中形成有开口op的光敏光损失诱导材料151b的厚度可以是第四厚度t4。
[0110]
接下来，参照图17，将光敏遮光材料141a涂覆在其中形成有开口op的整个光敏光损失诱导材料151b上以具有第五厚度t5。此时，第五厚度t5大于第四厚度t4，使得开口op用光敏遮光材料141a填充。这样的光敏遮光材料141a可以是具有正光致抗蚀剂特性的黑色材料。
[0111]
接下来，当如图18所示的那样执行完全曝光和显影时，可以将光敏遮光材料141a和其中形成有开口op的光敏光损失诱导材料151b同时图案化。具体地，通过用于显影的显影剂同时去除其中形成有开口op的光敏光损失诱导材料151b的上部部分和光敏遮光材料141b的上部部分。通过这样做，可以同时形成具有小于第四厚度t4的第六厚度t6的遮光图案141和光损失诱导层151。此处，遮光图案141的侧截面具有倒锥形形状，并且光损失诱导层151的侧截面具有与遮光图案141的侧截面对应的正锥形形状。
[0112]
接下来，如图19所示，可以在遮光图案141和光损失诱导层151上顺序地形成透射率控制层160和覆盖层170。
[0113]
如上所述，仅使用曝光和显影过程而不使用蚀刻过程同时形成遮光图案141和光损失诱导层151。因此，抑制了由蚀刻过程引起的颗粒，并且可以容易地调整遮光图案141和光损失诱导层151的厚度和侧截面锥度。
[0114]
如上所述，根据本公开内容的有机发光二极管包括位于有机发光层109上的光损失诱导层150以及与光损失诱导层150相邻的遮光图案140。通过这样做，可以在减少有机发光层109中产生的光的损失的同时，抑制外部光反射。
[0115]
此外，根据本公开内容的有机发光二极管包括与遮光图案140交叠的触摸电极131，以在不降低孔径比的情况下显示出优异的触摸性能。
[0116]
此外，根据本公开内容的有机发光二极管包括透射率控制层160或滤色器层190，其被定位成对应于通过有机发光层109发射的光的透射方向，使得可以在不提供单独的圆偏振器的情况下抑制外部光反射。
[0117]
尽管已经参照附图详细描述了本公开内容的示例性实施方式，但是本公开内容不限于此，并且在不脱离本公开内容的技术构思的情况下，可以以许多不同的形式体现。因此，本公开内容的示例性实施方式被提供仅用于说明性目的，而不旨在限制本公开内容的技术构思。本公开内容的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面中是说明性的，并且不限制本公开内容。本公开内容的保护范围应当基于所附权利要求来解释，并且其等同范围内的所有技术构思应该被解释为落入本公开内容的范围内。