显示基板、显示设备及显示基板制作方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示基板、显示设备及显示基板制作方法。


背景技术：

2.随着主动矩阵有机发光二极体(active-matrix organic light-emitting diod e，简称amoled)显示技术的快速发展，amoled显示屏的形态趋于多样化，功能更加丰富。由于amoled显示屏具有高对比度、高色域显示等优点，am oled显示屏被广泛应用在消费级和商业显示级领域中。然而，amoled显示屏依然存在可靠性不稳定的情况，比如存在低灰阶显示发绿发亮以及闪绿屏之类的异常显示，这会极大的影响用户感知和体验。


技术实现要素：

3.为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本技术实施例提供一种显示基板、显示设备及显示基板制作方法。
4.本技术的第一方面，提供一种显示基板，所述显示基板具有显示区以及围绕所述显示区的边框区，所述显示基板包括：
5.衬底；
6.阵列驱动层，所述阵列驱动层位于所述衬底上，所述阵列驱动层包括用于形成薄膜晶体管的沟道的有源层；
7.第一导电走线，第一导电走线位于所述边框区，所述第一导电走线位于所述有源层或位于所述有源层与所述衬底之间的膜层中，所述第一导电走线与所述显示基板的接地信号线电连接。
8.在上述结构中，通过在边框区设置位于有源层或位于有源层与衬底之间膜层中的第一导电走线并将该第一导电走线与接地信号线连接，可以将有源层上方膜层(有源层远离衬底一侧的膜层)中的静电通过该第一导电走线和接地信号线导走，从而可以使得静电不会在有源层的下方膜层(有源层靠近衬底一侧的膜层)中积累，薄膜晶体管的阈值电压不会正偏，避免因阈值电压正偏产生的低灰阶显示发绿发亮以及闪绿屏之类的异常显示，保证显示基板的功能稳定性。
9.在本技术的一种可能实施例中，所述显示基板还包括第二导电走线；
10.在所述边框区，所述第二导电走线通过位于所述有源层远离所述衬底一侧膜层的膜层通孔与所述第一导电走线连接，用于将所述有源层远离所述衬底一侧膜层中的静电传导至所述第一导电走线。在边框区设置第二导电走线，可以加快有源层上方膜层中静电的导走速率。
11.在本技术的一种可能实施例中，所述阵列驱动层还包括金属层，所述第二导电走线为金属导电走线，所述第二导电走线位于所述金属层。采用阵列驱动层中原有的金属层制作第二导电走线，无需制作新的金属层用于形成第二导电走线，制作工艺简单且制作成
本更低。
12.在本技术的一种可能实施例中，所述显示基板在所述边框区具有裂缝大坝结构；
13.所述第二导电走线位于所述裂缝大坝结构中；
14.优选的，所述第二导电走线位于靠近所述显示基板边缘的第一个裂缝大坝结构中。
15.将第二导电走线设置在裂缝大坝结构中，方便有源层上方膜层中的静电快速通过第二导电走线、第一导电走线及接地信号线导走。
16.在本技术的一种可能实施例中，所述显示基板还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底与所述有源层之间；
17.在所述第一个裂缝大坝结构靠近所述显示基板边缘的一侧，所述第一导电走线和所述缓冲层接触。
18.在本技术的一种可能实施例中，所述衬底包括多层衬底膜层；
19.在所述第一个裂缝大坝结构靠近所述显示基板边缘的一侧，所述第一导电走线和所述缓冲层以及至少部分所述衬底膜层接触。
20.在第一个裂缝大坝结构靠近显示基板边缘的一侧，第一导电走线和有源层下方膜层接触，可以将有源层下方膜层中的静电通过第一导电走线和接地信号线导走，确保有源层下方膜层不会有静电积累。
21.在本技术的一种可能实施例中，所述边框区包括上边框区、左边框区、右边框区和下边框区；
22.所述第一导电走线分布在上边框区、左边框区以及右边框区中，所述接地信号线位于下边框区；
23.位于所述左边框区和所述右边框区的第一导电走线与位于下边框区的接地信号线电连接。
24.在本技术的一种可能实施例中，所述第一导电走线为非金属导电走线；
25.优选的，所述第一导电走线位于所述有源层，所述第一导电走线由所述有源层重掺杂得到。
26.采用有源层重掺杂得到的第一导电走线在切割显示母板得到显示基板时不易产生切割裂纹，降低显示不良(比如，黑斑)的产生几率，另外采用有源层重掺杂得到第一导电走线，不需要增加新的膜层也就无需增加新的掩膜版，制作工艺简单且制作成本更低。
27.本技术的第二方面，提供一种显示设备，所述显示设备包括第一方面中任意一种可能实施例所述的显示基板。
28.本技术的第三方面，提供一种显示基板制作方法，所述显示基板具有显示区以及围绕所述显示区的边框区，所述方法包括：
29.提供一衬底；
30.在所述衬底上制作阵列驱动层中的有源层；
31.对所述有源层进行图案化处理，对图案化处理后的有源层进行离子掺杂，由掺杂后所述边框区对应的有源层形成第一导电走线，所述第一导电走线与所述显示基板的接地信号线电连接；
32.在所述有源层远离所述衬底的一侧制作所述阵列驱动层中的剩余膜层；
33.优选的，在所述边框区，所述在所述有源层远离所述衬底的一侧制作所述阵列驱动层中的剩余膜层的步骤包括：
34.在所述有源层远离所述衬底的一侧制作所述阵列驱动层中的绝缘层；
35.制作贯穿所述绝缘层的绝缘层通孔；
36.在所述绝缘层远离所述衬底一侧制作金属层，形成通过所述绝缘层通孔与所述第一导电走线连接的第二导电走线。
37.本技术实施例提供的显示基板、显示设备及显示基板制作方法，通过在边框区设置位于有源层或位于有源层与衬底之间膜层中的第一导电走线并将该第一导电走线与接地信号线连接，可以将有源层远离衬底一侧的膜层中的静电通过该第一导电走线和接地信号线导走，从而可以使得静电不会在有源层靠近衬底一侧的膜层中积累，薄膜晶体管的阈值电压不会正偏，避免因阈值电压正偏产生的低灰阶显示发绿发亮以及闪绿屏之类的异常显示，保证显示基板的功能稳定性。
附图说明
38.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
39.图1示例了静电在沟道下方膜层中积累前后的薄膜晶体管vgs-ids曲线图；
40.图2示例了现有显示屏的膜层结构示意图；
41.图3示例了显示基板的区域分布示意图；
42.图4示例了本实施例提供的显示基板的一种膜层结构示意图；
43.图5示例了本实施例提供的显示基板在边框区的一种膜层结构示意图；
44.图6示例了本实施例提供的显示基板在边框区的另一种膜层结构示意图；
45.图7示例了本实施例提供的显示基板在边框区的再一种膜层结构示意图；
46.图8示例了本实施例提供的显示基板的一种平面结构示意图；
47.图9示例了本实施例提供的显示基板制作方法的流程示意图；
48.图10为图9对应的工艺制程图。
49.图标：1-显示屏；10-显示基板；10a-显示区；10b-边框区；10b1-上边框区；10b2-左边框区；10b3-右边框区；10b4-下边框区；110-衬底；120-缓冲层；130-阵列驱动层；1301-有源层；1302-绝缘层；1303-钝化层；140-oled器件层；150-触控模组层；160-光学层；170-盖板；1011-第一导电走线；1012-第二导电走线；1013-接地信号线；102-裂缝大坝结构。
具体实施方式
50.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
51.因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护
的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
52.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
53.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
54.需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术的实施例中的不同特征之间可以相互结合。
55.在amoled显示屏中，oled器件是通过薄膜晶体管驱动电路进行驱动的。发明人通过对背景技术中提及的技术问题进行长期研究后发现，导致amoled显示屏存在可靠性不稳定的一个重要原因在于薄膜晶体管出现了特性偏移。而导致特性偏移的主要原因之一在于薄膜晶体管的沟道的下方膜层中积累的过多的静电，导致薄膜晶体管出现背沟道效应，薄膜晶体管特性偏移，阈值电压会出现正偏。请参照图1，图1示例了静电在沟道下方膜层中积累前后的薄膜晶体管vgs-ids曲线图，其中线1为静电在沟道下方膜层中积累前的薄膜晶体管vgs-ids曲线，线2为静电在沟道下方膜层中积累后的薄膜晶体管vgs-ids曲线。由图1可知，静电在沟道下方膜层中积累后的薄膜晶体管的阈值电压vth’会相对于静电在沟道下方膜层中积累前的阈值电压vth正偏，由于绿色发光材料的发光效率相对于其他颜色发光材料的发光效率高，其受电压的影响较大，受静电在沟道下方膜层中积累的影响，显示屏会在低灰阶显示时会出现发绿发亮，甚至闪绿屏之类的异常显示。
56.发明人对导致沟道的下方膜层中静电积累的原因进行进一步深入分析后发现，请参照图2，图2示例了现有显示屏的膜层结构示意图，显示屏1可以包括依次层叠的衬底110、缓冲层120、阵列驱动层130、oled器件层140、触控模组层150、光学层160及盖板170，其中，oled器件层140中包括阵列分布的oled器件，阵列驱动层130中有用于驱动oled器件的薄膜晶体管驱动电路。在屏体表面产生静电时，静电可以通过图2中所示的路径后在阵列驱动层130中薄膜晶体管的沟道下方膜层(比如，缓冲层)中积累，积累的静电会使得薄膜晶体管受到背沟道效应的影响，从而出现阈值电压正偏，最终导致显示屏的异常显示。
57.为了解决上述技术问题，发明人创新性的设计以下技术方案，下面将结合附图对本技术的具体实现方案进行详细说明。所应说明的是，以上现有技术中的方案所存在的缺陷，均是发明人在经过实践并仔细研究后得出的结果，因此，上述技术问题的发现过程以及下文中本实施例针对上述问题所提出的解决方案，都应该是发明人在发明创造过程中对本技术做出的贡献，而不应当理解为本领域技术人员所公知的技术内容。
58.请参照图3及图4，图3示例了显示基板的区域分布示意图，图4示例了本实施例提供的显示基板的一种膜层结构示意图。在本实施例中，显示基板10包括显示区10a以及围绕显示区10a的边框区10b。显示基板10包括衬底110、阵列驱动层130及第一导电走线1011，阵列驱动层130位于衬底110上，阵列驱动层130包括用于形成薄膜晶体管的沟道的有源层
1301，第一导电走线1011位于边框区10b，第一导电走线1011可以与有源层1301同层设置，也可以位于有源层1301与衬底110之间的膜层中。第一导电走线1011和显示基板10中的接地信号线(图中未示出)电连接。
59.在本实施例中，在边框区10b设置位于有源层1301或位于有源层1301与衬底110之间的膜层中的第一导电走线1011，并将该第一导电走线1011与接地信号线连接，可以将有源层1301远离衬底110一侧的膜层中的静电通过该第一导电走线1011和接地信号线导走，从而可以使得静电不会在有源层1301靠近衬底110一侧的膜层中积累，薄膜晶体管的阈值电压不会正偏，避免因阈值电压正偏产生的低灰阶显示发绿发亮以及闪绿屏之类的异常显示，保证显示功能的稳定性。
60.进一步地，请参照图5，图5示例了本实施例提供的显示基板在边框区的一种膜层结构示意图，显示基板10还可以包括第二导电走线1012，在边框区10b，第二导电走线1012通过位于有源层1301远离衬底110一侧膜层的膜层通孔与第一导电走线1011连接，即通过位于有源层1301上方膜层的膜层通孔与第一导电走线1011连接，其中，有源层1301上方膜层可以是阵列驱动层130中的绝缘层1302，比如，栅极绝缘层以及相邻金属层之间的层间绝缘层等。上述设计，可以通过第二导电走线1012可加速有源层1301上方膜层中的静电传导至第一导电走线1011。
61.进一步地，在本实施例中，阵列驱动层130还包括金属层，例如，阵列驱动层130可以包括第一金属层m1、第二金属层m2及第三金属层m3，第一金属层m1、第二金属层m2及第三金属层m3可用于形成像素驱动电路中的各种信号引线，示例性地，第一金属层m1可用于形成扫描信号引线，第二金属层m2可用于形成复位信号引线和使能信号引线，第三金属层m3可用于形成电源电压信号引线。第二导电走线1012可以为金属导电走线，第二导电走线1012位于金属层中。示例性地，请再次参照图5，在边框区10b，第二导电走线1012可以位于第三金属层m3，第二导电走线1012可以通过第三金属层m3与第一导电走线1011之间的膜层通孔和第一导电走线1011电连接。上述设计，基于阵列驱动层130中原有的膜层制作第二导电走线1012，不需要增加新膜层以及和新的掩膜版，制作工艺简单且制作成本低。
62.请参照图6，图6示例了本实施例提供的显示基板在边框区的另一种膜层结构示意图，显示基板10在边框区10b具有裂缝大坝(crack dam)结构102，第二导电走线1012可以位于裂缝大坝结构102中，具体地，第二导电走线1012在裂缝大坝结构102中通过膜层通孔与第一导电走线1011电连接。在本实施例中，沿显示区10a指向显示基板10边缘的方向(图中箭头方向)，边框区10b中可以分布多个裂缝大坝结构102。优选的，第二导电走线1012可位于靠近显示基板10边缘的第一个裂缝大坝结构102中。通过将第二导电走线1012设置在靠近显示基板10边缘的第一个裂缝大坝结构102中，可以使得静电导出的路径远离显示区10a，避免静电对显示区10a中电子器件(比如，薄膜晶体管)的影响，确保显示功能的稳定。
63.进一步地，在本实施例中，阵列驱动层130还可以包括钝化层1303，钝化层1303覆盖在第二导电走线1012上，用于保护第二导电走线1012。
64.请参照图7，图7示例了本实施例提供的显示基板在边框区的再一种膜层结构示意图，显示基板10还可以包括缓冲层120，其中，缓冲层120可位于衬底110和有源层1301之间。在上述第一个裂缝大坝结构102靠近显示基板10边缘的一侧，第一导电走线1011和缓冲层120接触。
65.进一步地，请再次参照图7，衬底110可以包括多层衬底膜层，示例性地，衬底110可以包括层叠设置的第一聚合物层、无机阻挡层、非晶硅层及第二聚合物层，在第一个裂缝大坝结构102靠近显示基板10边缘的一侧，第一导电走线1011还和缓冲层120以及至少部分衬底膜层(比如，与第一聚合物层)接触。
66.上述设计，将第一导电走线1011与有源层1301下方膜层进行接触，可以将有源层1301下方膜层中的静电通过第一导电走线1011和接地信号线导出，使得阵列驱动层130中薄膜晶体管的沟道下方膜层不会有静电积累，薄膜晶体管的性能更加稳定，显示基板10的显示功能更加稳定。
67.请参照图8，图8示例了显示基板的一种平面结构示意图，边框区10b包括上边框区10b1、左边框区10b2、右边框区10b3和下边框区10b4，第一导电走线1011分布在上边框区10b1、左边框区10b2以及右边框区10b3中，接地信号线1013位于下边框区10b4。位于左边框区10b2和右边框区10b3的第一导电走线1011与位于下边框区10b4的接地信号线1013电连接。
68.显示基板10可以由显示母板裁切得到，一个显示母板可以包括多个显示基板10，相邻的显示基板10之间存在剪切区域，通过沿着该剪切区域剪切可以从显示母板上裁切下显示基板10。由于相邻显示基板10的边框区10b邻近，且边框区10b中均分布有第一导电走线1011，在制作显示母板时，相邻显示基板10的边框区10b中的第一导电走线1011可以相互连通。为了避免裁切过程中出现裁切裂纹影响，引起黑斑显示不良，在本实施例中，可以采用延展性能相对较差的非金属导电材料制作第一导电走线1011，即第一导电走线1011为非金属导电走线。
69.进一步地，在本实施例中，第一导电走线1011可以位于有源层1301，并通过对有源层1301进行重掺杂得到，其中，第一导电走线1011的掺杂浓度大于或等于薄膜晶体管的源极区的掺杂浓度和漏极区的掺杂浓度。如此设计，不需要增加新膜层和新的掩膜版，制作工艺简单且制作成本低。
70.在上述内容的基础上，基于相同的发明构思，本实施例还提供一种电子设备，该电子设备包括本实施例前面描述的显示基板10，采用本实施例前面描述的显示基板10可以确保屏体表面产生的静电能够被导走，不会在有源层下方膜层中积累而影响薄膜晶体管的特性，从而确保显示功能的稳定性，提高用户的使用体验以及市场竞争力。
71.本实施例还提供一种显示基板制作方法，请参照图9及图10，图9示出了显示基板制作方法的流程示意图，图10示出了图9对应的工艺制程图，下面结合图9和图10对本实施例提供的显示基板制作方法进行详细描述。
72.步骤s11，提供一衬底110。
73.本实施例中，衬底110可以为硬质衬底(如玻璃衬底或蓝宝石衬底)，也可以为柔性衬底。
74.步骤s12，在衬底110上制作阵列驱动层中的有源层1301。
75.其中，有源层1301可以由无机半导体(如，非晶体硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体形成。
76.步骤s13，对有源层1301进行图案化处理，对图案化处理后的有源层进行离子掺杂，由掺杂后边框区对应的有源层形成第一导电走线1011。
77.在形成第一导电走线1011的步骤中，显示区10a对应的有源层的掺杂浓度低于边框区10b对应的有源层的掺杂浓度，第一导电走线1011与显示基板10的接地信号线电连接。对边框区10b中的有源层进行重掺杂后可形成具有良好导电性能的第一导电走线1011。
78.步骤s14，在有源层1301远离衬底的一侧制作阵列驱动层中的剩余膜层。
79.进一步地，在本实施例中，在边框区10b，该步骤可以通过以下方式实现：
80.首先，在有源层1301远离衬底的一侧制作阵列驱动层中的绝缘层1302。
81.接着，制作贯穿绝缘层1302的绝缘层通孔。
82.最后，在绝缘层远离衬底一侧制作金属层，形成通过绝缘层通孔与第一导电走线1011连接的第二导电走线1012。
83.综上所述，本技术实施例提供的显示基板、显示设备及显示基板制作方法，通过在边框区设置位于有源层或位于有源层与衬底之间膜层中的第一导电走线并将该第一导电走线与接地信号线连接，可以将有源层远离衬底一侧的膜层中的静电通过该第一导电走线和接地信号线导走，从而可以使得静电不会在有源层靠近衬底一侧的膜层中积累，薄膜晶体管的阈值电压不会正偏，避免因阈值电压正偏产生的低灰阶显示发绿发亮以及闪绿屏之类的异常显示，保证显示基板的功能稳定性。
84.以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。