专利名称：场发射元件及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种场发射元件及其制备方法，尤其涉及一种碳纳米管场发射元件及其制备方法。
背景技术：
碳纳米管(Carbon Nanotube，CNT)是一种新型碳材料，由日本研究人员Iijima在1991年发现，请参见″Helical Microtubules of Graphitic Carbon″，S.Iijima，Nature，vol.354，p56(1991)。碳纳米管具有极优异的导电性能、良好的化学稳定性和大的长径比，且其具有几乎接近理论极限的尖端表面积(尖端表面积愈小，其局部电场愈集中)，因而碳纳米管在场发射领域具有潜在的应用前景。目前的研究表明，碳纳米管是已知的最好的场发射材料之一，它的尖端尺寸只有几纳米至几十纳米，具有极低的场发射电压(小于100伏)，可传输极大的电流密度，并且电流极稳定，使用寿命长，因而非常适合作为一种极佳的场发射元件，应用在场发射显示器等设备的电子发射部件中。
现有的碳纳米管场发射元件一般至少包括一导电阴极电极和作为发射端的碳纳米管，该碳纳米管形成于该导电阴极电极上。目前，碳纳米管场发射元件的制备方法主要包括机械方法和原位生长法。其中，机械方法包括丝网印刷法和胶粘法。丝网印刷法一般通过将碳纳米管粉末混合到浆料里，再通过丝网印刷的方式印刷到导电阴极上。此种方法通常需要配置分散均匀的碳纳米管浆料，在印刷后需要烘干、摩擦、除粉尘、烧结等步骤，工艺复杂，且印刷法不适宜于制作大电流或高精度的场发射元件。粘胶法一般通过原子力显微镜操纵合成好的碳纳米管，将碳纳米管用导电胶固定到导电阴极上，此种方法程序简单，但操作不容易且效率低。而且，制备出的发射体电流承载能力一般较低，另外，在粘胶法的操作过程中，化学胶层会渗透到微小的碳纳米管间隙，其表面张力容易改变碳纳米管发射体的形貌。另外，由于化学胶一般情况下无法耐受电子真空部件所需要的封接或排气温度(一般为300℃～500℃)，因此，该方法的实际应用受到限制。
原位生长法是先在导电阴极上镀上金属催化剂，然后通过化学气相沉积、电弧放电或激光蒸发法等方法在导电阴极上直接生长出碳纳米管，此种方法虽然操作简单，碳纳米管与导电阴极的电接触良好。但是，碳纳米管与导电阴极的结合能力较弱，在使用时碳纳米管易脱落或被电场力拔出，从而导致场发射元件损坏。而且，由于该方法不易控制碳纳米管的生长数量和方向，所以仍存在效率低且可控性差的问题。此外，原位生长法对阴极基底材料材料有所选择，需要采用不影响化学气相条件的硅、氧化铝、氧化硅、高熔点金属等，或者基底表面涂敷一层隔离层。而且，基底材料还需要能够耐受碳纳米管生长的高温范围，因此该方法成本较高，不利于实际应用。
因此，有必要提供一种容易固定于导电阴极、电性连接良好，电流承载能力高且生产和操作简易，易于实际应用的场发射元件及其制备方法。
发明内容
以下，将以若干实施例说明一种场发射元件及其制备方法，其具有容易固定于导电阴极、电性连接良好，且易于生产和操作，易于实际应用的特点。
一种场发射元件，其包括至少一碳纳米管场发射线材及至少一支撑体线材，该碳纳米管场发射线材和该支撑体线材相互缠绕形成多股绞线结构。
该碳纳米管场发射线材包括碳纳米管线或线状碳纳米管聚合物复合材料。
该碳纳米管场发射线材的直径为2～200微米。
该碳纳米管聚合物复合材料包括聚合物材料和均匀分散于该聚合物材料中的碳纳米管。
该碳纳米管直径为5～40纳米。
该碳纳米管聚合物复合材料中碳纳米管的质量百分比含量为1～10％。
该支撑体材料包括铜、银、金、镍或钼。
该聚合物材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、丙烯腈一丁二烯丙烯一苯乙烯共聚物或聚碳酸酯/丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物。
一种场发射元件的制备方法，其包括以下步骤提供至少一碳纳米管场发射线材与至少一支撑体线材；用纺线工艺将该碳纳米管场发射线材与该支撑体线材相互缠绕形成多股绞线结构；按照预定长度切割该碳纳米管场发射线材与该支撑体线材相互缠绕形成的多股绞线，形成场发射元件。
该切割方法包括机械剪切或激光切割。
相较于现有技术，所述的包含支撑体线材和碳纳米管场发射线材的场发射元件，其优点在于首先，使用碳纳米管场发射线材作为发射体发射电子可利用碳纳米管本身优良的电子发射性能；其次，支撑体线材与碳纳米管场发射线材形成的多股绞线结构具有宏观尺寸，利用支撑体线材对碳纳米管场发射线材固定和保护作用，使场发射元件具有良好的机械性能，易于固定于阴极电极，容易操作，能够大量生产并且方便地应用于各种真空场发射器件。
图1为本发明第一实施例的场发射元件的立体示意图。
图2为图1的II剖视示意图。
图3为本发明第一实施例的场发射元件的制备方法的流程示意图。
图4为本发明第二实施例的场发射元件的俯视示意图。
具体实施例方式
下面将结合附图对本发明作进一步的详细说明。
请参阅图1和图2，本发明第一实施例提供一种场发射元件10，该场发射元件10包括一碳纳米管场发射线材12及以螺旋状缠绕于该碳纳米管场发射线材12的至少一支撑体线材14。该碳纳米管场发射线材12用于发射电子，该支撑体线材14对该碳纳米管场发射线材12提供机械支撑和保护作用。本实施例场发射元件10优选采用一根碳纳米管场发射线材12与多根支撑体线材14形成的多股绞线结构，该碳纳米管场发射线材12位于场发射元件10中心，该多根支撑体线材14缠绕于该碳纳米管场发射线材12的外围。
该支撑体线材14可选用铜、银、金、镍、钼或其他金属材料。该支撑体线材14形状为线状，其直径可根据实际需要而选定，本实施例优选为几十微米到几毫米。
该碳纳米管场发射线材12是由超顺排碳纳米管阵列拉出的碳纳米管线，其包含有大量碳纳米管。根据实际需要，该碳纳米管场发射线材12也可以是由超顺排碳纳米管阵列拉出的多根碳纳米管线的组合，该碳纳米管场发射线材12的直径范围优选为2～200微米。
另外，本实施例中碳纳米管场发射线材12也可用线状碳纳米管聚合物复合材料替代。该线状碳纳米管聚合物复合材料包括聚合物材料和均匀分散于该聚合物材料中的碳纳米管。本实施例聚合物材料可选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，PET)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、丙烯腈一丁二烯丙烯一苯乙烯共聚物(Acrylonitrile-Butadiene Styrene Terpolymer，ABS)、聚碳酸酯/丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(PC/ABS)等高分子材料。其中，碳纳米管在该复合材料中的质量百分含量为1％～10％，本实施例优选为2％。
本实施例场发射元件10在应用时，可视实际需要将单个或多个场发射元件10通过其支撑体线材14固定于阴极电极上以形成单个场发射电子源或平面阵列排列的场发射电子源，并使得碳纳米管场发射线材12与阴极电极电性相连，通过阴极电极直接施加电压于碳纳米管场发射线材12，或通过支撑体线材14施加电压于碳纳米管场发射线材12，利用碳纳米管材料本身优异的电子场发射性能发射电子。
请参阅图3，本发明第一实施例场发射元件的制备方法包括以下步骤首先，提供一线状碳纳米管场发射线材，该现状碳纳米管场发射线材可选择为一碳纳米管线或一线状碳纳米管聚合物复合材料。
本实施例制备该碳纳米管线的方法包括以下步骤提供一碳纳米管阵列，用一镊子夹住一束碳纳米管，施加外力抽拉。由于范德华力的作用，碳纳米管束端部首尾连接在一起，沿抽拉方向形成一碳纳米管线。
上述能抽拉碳纳米管线的碳纳米管阵列，需满足以下三个条件基底表面平整光滑；生长速率高；反应前体分压低。
另外，碳纳米管线的直径可由抽拉工具的尖端尺寸控制，尖端尺寸越小，获得的碳纳米管线的直径越小。碳纳米管丝线的长度由碳纳米管阵列的面积决定，通常1平方厘米(cm2)的碳纳米管阵列可抽拉出长度为10米(m)的碳纳米管线。抽拉碳纳米管线的力的大小由碳纳米管线的直径决定，直径越大，所需的力越大。本实施例碳纳米管线的直径范围优选为2～200微米。
本实施例制备该线状碳纳米管聚合物复合材料的方法包括以下步骤提供一种分散均匀的预聚物溶液或预聚物单体溶液；将碳纳米管加入该溶液并均匀分散；将该预聚物溶液聚合形成聚合物，并通过挤出设备挤压成型形成线状碳纳米管聚合物复合材料。
碳纳米管的制备方法可采用现有技术中的化学气相沉积法、电弧放电法、激光烧蚀法等，本实施例采用化学气相沉积法，所用的碳纳米管直径范围为5～40纳米。
本实施例聚合物材料可选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PolyethyleneTerephthalate，PET)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、丙烯腈一丁二烯丙烯一苯乙烯共聚物(Acrylonitrile-Butadiene Styrene Terpolymer，ABS)、聚碳酸酯/丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(PC/ABS)等高分子材料。本实施例得到的碳纳米管聚合物复合材料为直径可选择为2～200微米的复合材料纤维，其中碳纳米管在该复合材料中的质量百分含量为1％～10％，本实施例优选为2％。
其次，提供多个长度与直径基本相同的线状支撑体线材。
该支撑体线材的材料可选用铜、银、金、镍、钼或其他金属材料。该支撑体线材14形状为线状，其直径和长度可根据实际需要而选定，本实施例支撑体线材的直径优选为几十微米到几毫米。
最后，将多个线状支撑体线材缠绕于该碳纳米管场发射线材，形成场发射元件。该线状支撑体线材对该碳纳米管场发射线材提供机械支撑和保护作用。
本实施例可通过纺线工艺将碳纳米管场发射线材与多根支撑体线材绞在一起编成多股胶线。可根据实际需要直接制成所需场发射元件的长度，或者，为制作方便也可先制成长线，再通过机械剪切或激光切割的方法切短成所需长度的场发射元件。
请参阅图4，本发明第二实施例提供一种场发射元件20，该场发射元件20包括至少一碳纳米管场发射线材22及多个支撑体线材24。该第二实施例场发射元件20的结构与本发明第一实施例场发射元件10基本相同，其区别在于第二实施例场发射元件20为采用一根或多根碳纳米管场发射线材22替代第一实施例场发射元件10中位于外围的支撑体线材14，及位于场发射元件20的中心的一根支撑体线材24形成的多股绞线结构。
本发明第二实施例中碳纳米管场发射线材22及支撑体线材24的结构核材料均与第一实施例相同，且场发射元件20的制备方法也与第一实施例场发射元件10基本相同，只需以一根或多根碳纳米管场发射线材22替代外围的支撑体线材24相互缠绕形成多股绞线结构。
本发明包含支撑体线材和碳纳米管场发射线材的场发射元件，其优点在于首先，使用碳纳米管场发射线材作为发射体发射电子可利用碳纳米管本身优良的电子发射性能；其次，支撑体线材与碳纳米管场发射线材形成的多股绞线结构具有宏观尺寸，利用支撑体线材对碳纳米管场发射线材固定和保护作用，使场发射元件具有良好的机械性能，容易操作，能够大量生产并且方便地应用于各种真空场发射器件。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其他变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
权利要求
1.一种场发射元件，其特征在于，该场发射元件包括至少一碳纳米管场发射线材及至少一支撑体线材，该碳纳米管场发射线材和该支撑体线材相互缠绕形成多股绞线结构。
2.如权利要求1所述的场发射元件，其特征在于，该碳纳米管场发射线材为碳纳米管线或线状碳纳米管聚合物复合材料。
3.如权利要求2所述的场发射元件，其特征在于，该碳纳米管场发射线材的直径为2～200微米。
4.如权利要求2所述的场发射元件，其特征在于，该碳纳米管聚合物复合材料包括聚合物材料和均匀分散于该聚合物材料中的碳纳米管。
5.如权利要求4所述的场发射元件，其特征在于，该碳纳米管直径为5～40纳米。
6.如权利要求4所述的场发射元件，其特征在于，该碳纳米管聚合物复合材料中碳纳米管的质量百分比含量为1％～10％。
7.如权利要求1所述的场发射元件，其特征在于，该支撑体材料为铜、银、金、镍或钼。
8.如权利要求4所述的场发射元件，其特征在于，该聚合物材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、丙烯腈一丁二烯丙烯一苯乙烯共聚物或聚碳酸酯/丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物。
9.一种场发射元件的制备方法，其包括以下步骤提供至少一碳纳米管场发射线材与至少一支撑体线材；用纺线工艺将该碳纳米管场发射线材与该支撑体线材相互缠绕形成多股绞线结构；按照预定长度切割该碳纳米管场发射线材与该支撑体线材相互缠绕形成的多股绞线，形成场发射元件。
10.如权利要求9所述的场发射元件的制备方法，其特征在于，该切割方法包括机械剪切或激光切割。
全文摘要
本发明涉及一种场发射元件，其包括至少一碳纳米管场发射线材及至少一支撑体线材，该碳纳米管场发射线材和该支撑体线材相互缠绕形成多股绞线结构。本发明还涉及一种场发射元件的制备方法，其包括以下步骤提供至少一碳纳米管场发射线材与至少一支撑体线材；用纺线工艺将该碳纳米管场发射线材与该支撑体线材相互缠绕形成多股绞线结构；按照预定长度切割该碳纳米管场发射线材与该支撑体线材相互缠绕形成的多股绞线，形成场发射元件。
文档编号H01J29/04GK101086939SQ20061006109
公开日2007年12月12日 申请日期2006年6月9日 优先权日2006年6月9日
发明者刘亮, 姜开利, 范守善, 陈清龙, 李锡福, 陈杰良 申请人:清华大学, 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司