专利名称：电子发射装置及其制造方法、由此构成的电子发射显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电子发射装置，并且更具体地，涉及一种带有贯穿第二电极和绝缘层而形成的开口的电子发射装置，一种制造该电子发射装置的方法，以及一种带有该电子发射装置的电子发射显示器。
背景技术：
一种典型的使用场发射阵列(FEA)元件的电子发射装置包括第一基板，在第一基板上相继形成第一电极、绝缘层和第二电极。在第一和第二电极的每个交叉区域处贯穿第二电极和绝缘层形成开口，从而部分暴露该第一电极的表面。所述电子发射区域通过这些开口形成于第一电极的暴露表面上。
这些开口通常通过使用掩模层采用湿式蚀刻工艺贯穿第二电极和绝缘层而形成。在此过程中，在基板上形成掩模层，其覆盖第二电极。该掩模层上的开口暴露出第二电极的一些部分。这些被暴露的部分被蚀刻从而在第二电极中形成开口。于是，绝缘层的被第二电极中的开口暴露的部分被蚀刻从而在绝缘层上形成开口。
第二电极的厚度在数千埃()的范围内，而绝缘层的厚度为数微米(μm)。另外，由于湿式蚀刻工艺的各向同性特性，绝缘层中的开口的上宽度(或直径)随着蚀刻深度的增加而增大。其结果是，当湿式蚀刻过程结束时，其上形成第二电极的绝缘层中的开口的上宽度，变得大于第二电极中相应开口的宽度。
因此，第二电极中的一些部分可悬置于所述绝缘层中的开口上，从而降低了形状稳定性和图案精确性。另外，在贯穿绝缘层中的开口而形成电子发射区域的过程中，第二电极中位于绝缘层中的开口上方的部分可能脱离。当脱离的碎片接触电子发射区域或第一电极时，可能在第一和第二电极之间发生短路。这可导致产品缺陷。
发明内容
本发明的一个实施例提供一种电子发射装置，其中贯穿第二电极而形成的开口与贯穿绝缘层而形成的相应开口精确对准，还提供一种制造该电子发射装置的方法，以及一种包括该电子发射装置的电子发射显示器。
根据本发明的实施例，提供一种用于制造电子发射装置的方法，该电子发射装置包括第一电极，该第一电极位于第一基板上；电子发射区域，其设置在该第一电极上；以及位于该第一电极上的第二电极，绝缘层介于第一电极与第二电极之间，该绝缘层和所述第二电极设有多个开口用于暴露电子发射区域，所述方法包括在第二电极上形成带开口的掩模层；通过使用该掩模层蚀刻第二电极，而在该第二电极中形成开口；通过湿式蚀刻绝缘层而在绝缘层中形成开口，其中绝缘层中开口的上部宽度大于第二电极中开口的宽度；通过蚀刻第二电极的暴露于绝缘层中的开口的暴露部分，扩大第二电极中的开口；并且去除该掩模层。
第二电极的暴露部分的蚀刻可为湿式蚀刻，所述湿式蚀刻通过对绝缘层中的开口填充以用于蚀刻所述第二电极的第一蚀刻溶液而实现。
当通过蚀刻第二电极的暴露部分而扩大第二电极中的开口后，第二电极中开口的宽度可大于绝缘层中的开口的宽度。
第一电极可由具有抵御第一蚀刻溶液的抗腐蚀性的导电材料制成。
所述方法可进一步包括当去除所述掩模层后，在第一电极上形成电子发射区域，其中该电子发射区域由从包括碳纳米管、石墨、石墨纳米纤维、金刚石、类金刚石碳、C60、硅纳米线以及它们的组合物所组成的组中所选择的一种材料制成。
在一个实施例中，提供一种通过上述方法制成的电子发射装置，其中绝缘层中的开口的中心和第二电极中的开口的中心之间的距离小于0.5μm。
根据又一实施例，提供一种电子发射显示器，其包括通过上述方法制成的电子发射装置；面向所述第一基板的第二基板，在第一和第二基板之间形成真空区域；以及在第二基板的面对第一基板的表面上设置的荧光层，阳极电极位于所述荧光层上，其中该绝缘层中的开口的中心和第二电极中的开口的中心之间的距离小于0.5μm。
在另一实施例中，提供一种制造电子发射装置的方法，该电子发射装置包括位于第一基板上的第一电极；位于该第一电极上的电子发射区域；位于所述第一电极上的第二电极，其中在所述第一和第二电极之间设有第一绝缘层；和位于所述第二电极上的第三电极，第二绝缘层介于所述第二、第三电极之间，其中第一绝缘层、第二电极、第二绝缘层以及第三电极设有用于暴露所述电子发射区域的开口，所述方法包括在所述第三电极上形成带有开口的第一掩模层；通过使用该第一掩模层蚀刻该第三电极，在第三电极中形成开口；通过湿式蚀刻该第二绝缘层，在第二绝缘层中形成开口，其中在第二绝缘层中的开口的上部宽度大于第三电极中开口的宽度；通过蚀刻第三电极的暴露于第二绝缘层中的开口的暴露部分，扩大第三电极中的开口；去除第一掩模层；在第二电极上形成带有开口的第二掩模层；并且通过使用该第二掩模层蚀刻第二电极，在第二电极中形成开口。
所述方法可进一步包括通过湿式蚀刻第一绝缘层，在第一绝缘层中形成开口，其中第一绝缘层中开口的上部宽度大于第二电极中开口的宽度；通过蚀刻第二电极的暴露于第一绝缘层中的开口的暴露部分，扩大第二电极中的开口；并且去除所述第二掩模层。
第三电极的暴露部分的蚀刻可为湿式蚀刻，所述湿式蚀刻通过对第二绝缘层中的开口填充以用于蚀刻第三电极的第二蚀刻溶液而得以实现。
在通过蚀刻第三电极的暴露部分而扩大第三电极中的开口后，第三电极中的开口的宽度可大于第二绝缘层中开口的宽度。
该第二电极可由具有抵御第二蚀刻溶液的抗腐蚀性的导电材料制成。
根据本发明的又一实施例，提供一种通过上述方法制成的电子发射装置，其中第二绝缘层中的开口的中心和第三电极中开口的中心之间的距离可小于0.5μm。
根据本发明的又一实施例，提供一种电子发射显示器，其包括通过上述方法制成的电子发射装置；面对第一基板的第二基板，其中在第一和第二基板之间形成真空区域；和在第二基板的面对第一基板的表面上设置的荧光层；以及设置于所述荧光层上的阳极电极，其中第二绝缘层中的开口的中心和第三电极中的开口的中心之间的距离小于0.5μm。
附图结合本公开，描述了本发明的各示例性实施例，并结合本说明书阐释了本发明的原理。
图1A、1B、1C、1D、1E和1F是描述根据本发明实施例的电子发射装置的制造方法的剖视图；图2是根据图1A至1F所描述的方法制成的电子发射装置的通过扫描电子显微镜拍摄的照片；图3是具有根据图1A至1F所描述的方法制成的电子发射装置的电子发射显示器的局部分解透视图；图4是图1A至1F中的电子发射显示器的局部剖视图；图5A、5B、5C、5D、5E、5F、5G、5H、5I和5J是描述根据本发明的另一实施例的电子发射装置的制造方法的剖视图；图6是具有根据图5A至5J所描述的方法制成的电子发射装置的电子发射显示器的局部分解透视图；以及图7是图6中的电子发射显示器的局部剖视图。
具体实施例方式
在下面的描述中，通过图解而展示和说明的只是本发明的特定示例性实施例。如本领域的技术人员所知，所描述的示例性实施例可以多种不同方式进行改造，所有这些方式均不得偏离本发明的精神或范围。相应地，附图和说明书在本质上被认为是示意性的，而非限制性的。
首先参照图1A，一导电层形成于基板10上，并被加工而形成具有条形图案的第一电极12。在基板10上沉积绝缘材料，以覆盖第一电极12，从而形成具有特定(例如，预定的)厚度的绝缘层14。绝缘层14通过重复进行丝网印刷、烘干和焙烧处理一次或多次而形成。绝缘层14的厚度可在大约3-5μm的范围内。
另一导电层形成于绝缘层14上并被加工而形成第二电极16，该第二电极16所具有的条形图案与第一电极12交叉而成直角。第一电极12可由诸如氧化铟锡(ITO)的透明材料制成，而第二电极16可由诸如铬(Cr)或钼(Mo)的金属材料制成。
参照图1B，掩模层18形成于基板10上，以覆盖绝缘层14和第二电极16，并被加工而具有开口181，每个开口181均有特定的宽度(或直径)D1。掩模层18可为光致抗蚀剂层，掩模层18中的开口181可通过局部曝光和显影处理而形成。
参照图1C，使用第一蚀刻溶液去除第二电极16的被掩模层18中的开口181暴露的部分，从而形成开口161。第二电极16中的每个开口161的宽度与掩模层18中相应开口的宽度D1相同。
参照图1D，在仍然保留掩模层18的状态下，为了在绝缘层14中形成开口141，使用第二蚀刻溶液来去除绝缘层14被第二电极16中的开口161暴露的部分。
这里，随着蚀刻深度增大，由于湿式蚀刻工艺各向同性的性质，绝缘层14中开口141的上部宽度逐渐增大，因此其上形成第二电极16的绝缘层14中的开口141的上部宽度，变得大于第二电极16中每个相应开口161的宽度。因此，第二电极16中的一些部分可被悬置于绝缘层14中的开口141之上，从而降低形状稳定性和图案精确性。
参照图1E，第二电极16中悬置于绝缘层14中的开口141之上的部分使用第一蚀刻溶液而通过蚀刻工艺而被去除。其结果是，绝缘层14中的开口141中充满第一蚀刻溶液。第二电极16的悬置部分就这样通过开口141内填充的蚀刻溶液而被去除。
这里，通过控制该基板结构在第一蚀刻溶液中的浸渍时间，可调节第二电极16中开口161的宽度。也就是说，当浸渍时间相对长时，第一蚀刻溶液弥漫于掩模层18和绝缘层14之间以蚀刻第二电极16中的开口161，从而使第二电极16中开口161的宽度大于绝缘层14中相应开口141的宽度。
在上述过程中，因为第一电极12的一些部分暴露于第一蚀刻溶液中，因此第一电极12的形成材料不同于第二电极16的材料。也就是说，第一电极12的形成材料具有抵御第一蚀刻溶液的抗腐蚀性，从而在第二电极16被蚀刻时第一电极12不被蚀刻。
随后，掩模层18被去除，并且如图1F所示，电子发射区域20通过绝缘层14中的开口141形成于第一电极12的暴露部分上。
电子发射区域20可由诸如碳质材料或纳米材料的材料制成。例如，电子发射区域20可由从包括碳纳米管、石墨、石墨纳米纤维、金刚石、类金刚石碳、C60、硅纳米线以及它们的组合物所组成的组中选择的材料制成。
电子发射区域20可这样形成通过混合载色剂、粘合剂之类来制备糊状混合物，将该糊状混合物丝网印刷于第一电极12的暴露部分上，并烘干和焙烧该印制混合物。
第一电极12可为用于将电流施加到电子发射区域20的阴极电极，而第二电极16可为用于通过在电子发射区域周围形成电场来诱发电子发射的栅极电极。
如上所述，由于在形成绝缘层14上的开口141后再次蚀刻第二电极16，因而第二电极16没有任何部分被悬置在绝缘层14中的开口141之上。其结果是，第二电极16的形状稳定性得到改善，并且在电子发射区域20形成期间，可防止第一电极12和第二电极16之间发生短路。
另外，参照图1A-1F，由于仅使用一个掩模层18，因而简化了工艺过程，并且第二电极16中的开口161的尺寸可与绝缘层14中的开口141相同。另外，第二电极16的图案精确性得到改进。进一步，通过使用上述方法，开口161和141可形成而使尺寸相对较小。
图2是根据图1A至1F所描述的方法制成的电子发射装置的通过扫描电子显微镜拍摄的照片。
在图2所示的电子发射装置中，第二电极中的开口中心与绝缘层中的开口中心之间的距离小于0.5μm。进一步，第二电极中的开口宽度(或直径)大于绝缘层中相应开口的宽度(或直径)。第二电极中开口的上周界与绝缘层中相应开口的上周界之间的间隙小于1μm。
参照图3和图4，根据本发明实施例的通过上述方法制造的电子发射显示器包括彼此面对并间隔特定(例如，预定的)距离的第一基板22和第二基板24。第一基板22和第二基板24的周界处设置一密封件(未示出)以将这两个基板密封在一起，从而形成一密封带。该密封带的内部被排气以保持处于大约10-6乇的真空度。
第一电极12形成于第一基板22上，绝缘层14形成于第一基板22上从而完全覆盖第一电极12。第二电极16形成于绝缘层14上，与第一电极12呈直角交叉。开口141和161分别贯穿绝缘层14和第二电极16而形成于第一电极12和第二电极16的每个交叉区域处，以暴露出电子发射区域20。
这样，使用参照图1A至1F所示的上述方法，在第二电极16和绝缘层14中分别形成开口161和141。因此，第二电极16中每个开口161的中心与绝缘层14中相应开口141的中心之间的距离小于0.5μm。另外，第二电极16中每个开口161的上周界与绝缘层14中相应开口141的上周界之间的间隙小于1μm。
第二基板24的与第一基板22相对的表面上形成荧光层26，例如红(R)荧光层26R、绿(G)荧光层26G、蓝(B)荧光层26B，在各荧光层26之间设置黑层28。第一电极12和第二电极16的每个交叉区域对应单色荧光并限定一像素区域。
阳极电极30由诸如铝的导电材料制成，并形成于荧光层26和黑层28上。阳极电极30通过如下方法增大屏幕亮度，即，接收使电子束从第一基板22加速向第二基板24行进所要求的高电压，并将从荧光层26所发出的可见光线朝向第一基板22反射至第二基板24，从而增大了屏幕的亮度。
在第一基板22和第二基板24之间设置了多个隔板(未示出)，用于在第一基板22和第二基板24之间均匀地保持间隔来抵抗外力。所述隔板布置于黑层28上并且不侵入到荧光层26上。
当第一电极12、第二电极16和阳极电极30上施加一定的(例如，预定的)电压时，就驱动了上述电子发射显示器。
例如，参照图4，第一电极12和第二电极16中的一个用作接收扫描驱动电压的扫描电极，而另一个电极用作接收数据驱动电压的数据电极。阳极电极30接收能够使电子束加速的直流电压(例如，数百至数千伏的直流电压)。
在由像素构成的电子发射区域20周围形成电场，在此处第一电极12和第二电极16之间的电压差大于或等于一阈值，于是，从电子发射区域20发射出电子。施加于阳极电极30的高电压导致发射出的电子撞击相应像素的荧光层26，从而激发该荧光层26。
参照图5A，在基板34上形成一导电层，其被加工以形成具有条形图案的第一电极36。在基板34上沉积一绝缘材料以覆盖第一电极36而形成第一绝缘层38。
在第一绝缘层38上形成另一导电层，其被加工以形成第二电极40，该第二电极40具有与第一电极36成直角交叉的条形图案。第一绝缘层38上沉积另一绝缘材料以覆盖第二电极40而形成第二绝缘层42。在第二绝缘层42上形成另一导电层从而形成第三电极44。
参照图5B，在第三电极44上形成第一掩模层46，其被加工而形成开口461，每个开口461的宽度(或直径)为D2。
参照图5C，使用第一蚀刻溶液去除了第三电极44的被第一掩模层46中的开口461暴露的部分，从而形成开口441。第三电极44中每个开口441的宽度(或直径)与第一掩模层46中开口461的宽度(或直径)D2相同。
参照图5D，在仍然保留第一掩模层46的状态下，使用第二蚀刻溶液去除第二绝缘层42的被第三电极44中的开口441暴露的部分，从而形成开口421。这里，由于湿式蚀刻工艺的各向同性特性，随着蚀刻深度增大，第二绝缘层42中开口421的上宽度逐渐增大，因此其上形成第三电极44的第二绝缘层42中的每个开口421的上宽度变得大于第三电极44中相应开口441的宽度。因此，第三电极44的一部分可被悬置在第二绝缘层42中的开口421的上方，从而降低形状稳定性和图案精确性。
参照图5E，使用第一蚀刻溶液而通过蚀刻过程，去除了第三电极44的位于开口421上的悬置部分。该蚀刻过程通过将当前的基板结构浸渍在第一蚀刻溶液中而得以执行。于是，第二绝缘层42中的开口421充满第一蚀刻溶液，这样，第三电极44的悬置部分通过开口421中的第一蚀刻溶液而被去除。因此，第三电极44中开口441的宽度(或直径)被精确地加工成大于或等于第二绝缘层42中相应开口421的宽度(或直径)。第三电极44用作用以聚焦电子束的聚焦电极。
在上述过程中，由于第二电极40的一些部分向第一蚀刻溶液暴露，因此第二电极40的形成材料不同于第三电极44的材料。也就是说，第二电极40的形成材料具有抵御第一蚀刻溶液的抗腐蚀性，从而在蚀刻第三电极44时使第二电极40不被蚀刻。
接着，去除第一掩模层46，并参照图5F，在基板34上形成第二掩模层48，其被加工而形成多个宽度(或直径)为D3的开口481，每个开口481暴露出第二电极40的一部分。
参照图5G，通过第三蚀刻溶液去除了第二电极40的被第二掩模层48中的开口481所暴露的部分，从而形成开口401。每个开口401的宽度(或直径)与第二掩模层48中相应开口481的宽度(或直径)相同。这里，第二掩模层48中开口481的宽度以及第二电极40中开口401的宽度可小于第二绝缘层42中开口421的下宽度。
参照图5H，在仍然保留第二掩模层48的状态下，通过第四蚀刻溶液去除第一绝缘层38的被第二电极40中的开口401所暴露的部分，从而形成开口381。同样，这里，由于湿式蚀刻工艺的各向同性特性，第一绝缘层38中开口381的上宽度(或直径)随着深度的增加而逐渐增大，因此其上形成第二电极40的第一绝缘层38中的每个开口381的上宽度(或直径)，变得大于第二电极40中相应开口401的宽度(或直径)。
参照图5I，当前的基板结构被浸渍在第三蚀刻溶液中以去除第二电极40的被第一绝缘层38中的开口381暴露的部分。通过针对第二电极40的二次蚀刻过程，第二电极40中开口401的宽度(或直径)被精确加工成大于或等于第一绝缘层38中开口381的宽度(或直径)。
在上述过程中，由于第一电极36的一些部分向第三蚀刻溶液暴露，因此第一电极36的形成材料可与第二电极40不同。也就是说，第一电极36的形成材料刻具有抵御第三蚀刻溶液的抗腐蚀性，从而在第二电极40被蚀刻时使第一电极36不被蚀刻。
接着，去除第二掩模层48，并且现在参照图5J，电子发射区域50穿过第一绝缘层38中的开口381而形成于第一电极36上。电子发射区域50的材料和制造方法与前述实施例相同。
根据此实施例，由于第三电极44是在第二绝缘层42中形成开口421后而二次蚀刻的，并且第二电极40是在第一绝缘层38中形成开口381后而被二次蚀刻的，因此第三电极44和第二电极40的形状稳定性可得到改进，并且开口441和401的形状精确性也可得到改进。
图6和图7示出了具有根据参照图5A至5J图解的方法而制造的电子发射装置的电子发射显示器。
根据本发明的该实施例的电子发射显示器，包括彼此面对并间隔特定(例如，预定的)距离的第一基板22’和第二基板24’。在所述第一基板22’和第二基板24’的周界处设置一密封件(未示出)，从而将这两个基板密封在一起。
在第一基板22’上形成第一绝缘层38以覆盖第一电极36，并且在第一绝缘层38上形成第二绝缘层42以覆盖第二电极40。在第二绝缘层42上形成第三电极44。
一开口441形成于第三电极44上的第一电极36和第二电极40的每个交叉区域处，从而大致聚焦了从一像素区域发射的电子。可替换地，在第三电极44上形成一个开口，其对应一个电子发射区域50，从而单独聚焦从一个电子发射区域50所发射的电子。本实施例中采用前者。
第三电极44接收0伏或数伏至数十伏的负直流电压。因此，第三电极44通过对电子施加排斥力而将电子会聚到聚束电子束的中心部分。
由于采用图1A至1J所描述的方法来制造电子发射显示器，因而第三电极44中每个开口441的中心和第二绝缘层42中相应开口421的中心之间的距离小于0.5μm。也就是说，开口441和421的中心几乎相互重合。第二电极40中的每个开口401的中心与第一绝缘层38中的相应开口381的中心的距离也小于0.5μm。就是说，开口401和381的中心几乎相互重合。
另外，第三电极44中每个开口441的上周界与第二绝缘层42中相应开口421的上周界之间的间隙小于1μm。第二电极40中每个开口401的上周界与第一绝缘层38中相应开口381的上周界之间的间隙小于1μm。
虽然本发明已经结合了特定示例性实施例进行描述，不过本领域的技术人员可以理解，本发明不限于所公开的实施例，而是相反地，本发明旨在涵盖包含于所附权利要求书及其等价物的精神和范围内的各种改造。
权利要求
1.一种制造电子发射装置的方法，该电子发射装置包括设于第一基板上的第一电极、设于所述第一电极上的电子发射区域、和设于所述第一电极上的第二电极，一绝缘层介于所述第一和第二电极之间，所述绝缘层和所述第二电极具有相应的开口以暴露出所述电子发射区域，所述方法包括在所述第二电极上形成带开口的掩模层；通过使用所述掩模层来蚀刻所述第二电极，在所述第二电极上形成开口；通过湿式蚀刻所述绝缘层，在所述绝缘层中形成开口，其中在所述绝缘层中的开口的上部的宽度大于在所述第二电极中的开口的宽度；通过蚀刻所述第二电极的向所述绝缘层中的开口暴露的暴露部分，扩大所述第二电极中的开口；并且去除所述掩模层。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二电极的暴露部分的蚀刻为湿式蚀刻，所述湿式蚀刻通过将所述绝缘层中的开口填充以用于蚀刻所述第二电极的蚀刻溶液而实现。
3.如权利要求2所述的方法，其中，在所述第二电极中的开口通过蚀刻所述第二电极的暴露部分而被扩大后，所述第二电极中的开口的宽度大于所述绝缘层中的开口的上部的宽度。
4.如权利要求2所述的方法，其中，所述第一电极由具有抵御所述蚀刻溶液的抗腐蚀性的导电材料制成。
5.如权利要求1所述的方法，进一步包括，当去除所述掩模层后，在所述第一电极上形成所述电子发射区域，其中所述电子发射区域由从包括碳纳米管、石墨、石墨纳米纤维、金刚石、类金刚石碳、C60、硅纳米线以及它们的组合物所组成的组中所选择的一种材料制成。
6.一种通过如权利要求1所述的方法制造的电子发射装置，其中，所述绝缘层中的开口的中心和所述第二电极中的开口的中心之间的距离小于0.5μm。
7.如权利要求6所述的电子发射装置，其中，所述第二电极中的开口的宽度大于所述绝缘层中的开口的宽度，并且所述绝缘层中的开口的上周界与所述第二电极中的开口的上周界之间的间隙小于1μm。
8.一种电子发射显示器，包括通过如权利要求1-5中任一权利要求所述的方法制造的电子发射装置；面对所述第一基板的第二基板，其中在所述第一和第二基板之间形成真空区域；以及在所述第二基板的面对所述第一基板的表面上设置的荧光层；设置于所述荧光层上的阳极电极，其中，所述绝缘层中的开口的中心与所述第二电极中的开口的中心之间的距离小于0.5μm。
9.如权利要求8所述的电子发射显示器，其中所述第二电极中的开口的宽度大于所述绝缘层中的开口的宽度，并且所述绝缘层中的开口的上周界与所述第二电极中的开口的上周界之间的间隙小于1μm。
10.一种制造电子发射装置的方法，该电子发射装置包括设于第一基板上的第一电极；设于所述第一电极上的电子发射区域；设于所述第一电极上的第二电极，其中第一绝缘层介于所述第一和第二电极之间；和设于所述第二电极上的第三电极，第二绝缘层介于所述第二和第三电极之间，其中所述第一绝缘层、所述第二电极、所述第二绝缘层以及所述第三电极具有相应的开口用于暴露所述电子发射区域，所述方法包括在所述第三电极上形成具有开口的第一掩模层；通过使用所述第一掩模层蚀刻所述第三电极，在所述第三电极中形成开口；通过湿式蚀刻所述第二绝缘层，在所述第二绝缘层中形成开口，其中在所述第二绝缘层中的开口的上部的宽度大于在所述第三电极中的开口的宽度；通过蚀刻所述第三电极的向所述第二绝缘层中的开口暴露的暴露部分，在所述第三电极中扩大开口；去除所述第一掩模层；在所述第二电极上形成带有开口的第二掩模层；并且通过使用所述第二掩模层蚀刻所述第二电极，在所述第二电极中形成开口。
11.如权利要求10所述的方法，进一步包括通过湿式蚀刻所述第一绝缘层，在所述第一绝缘层中形成开口，其中在所述第一绝缘层中的开口的上部的宽度大于在所述第二电极中的开口的宽度；通过蚀刻所述第二电极的向所述第一绝缘层中的开口暴露的暴露部分，在所述第二电极中扩大开口；并且去除所述第二掩模层。
12.如权利要求11所述的方法，其中，所述第二电极的暴露部分的蚀刻为湿式蚀刻，该湿式蚀刻通过对所述第一绝缘层中的开口填充以用于蚀刻所述第二电极的蚀刻溶液来实现。
13.如权利要求12所述的方法，其中，所述第一电极由具有抵御用于蚀刻所述第二电极的蚀刻溶液的抗腐蚀性的导电材料制成。
14.如权利要求10所述的方法，其中，所述第三电极的暴露部分的蚀刻为湿式蚀刻，该湿式蚀刻通过对所述第二绝缘层中的开口填充以用于蚀刻所述第三电极的蚀刻溶液来实现。
15.如权利要求14所述的方法，其中，当通过蚀刻所述第三电极的暴露部分而使所述第三电极中的开口扩大后，所述第三电极中的开口的宽度大于所述第二绝缘层中的开口的宽度。
16.如权利要求14所述的方法，其中，所述第二电极由具有抵御用于蚀刻所述第三电极的蚀刻溶液的抗腐蚀性的导电材料制成。
17.一种通过如权利要求10-16中的任一权利要求所述的方法制造的电子发射装置，其中，所述第二绝缘层中的开口的中心与所述第三电极中的开口的中心之间的距离小于0.5μm。
18.如权利要求17所述的电子发射装置，其中，所述第三电极中的开口的宽度大于所述第二绝缘层中的开口的宽度，并且所述第二绝缘层中的开口的上周界与所述第三电极中的开口的上周界之间的间隙小于1μm。
19.一种电子发射显示器，包括通过如权利要求10-16中任一权利要求所述的方法制造的电子发射装置；面对所述第一基板的第二基板，其中在所述第一和第二基板之间形成真空区域；在所述第二基板的面对所述第一基板的表面上设置的荧光层；以及在所述荧光层上设置的阳极电极，其中所述第二绝缘层中的开口的中心与所述第三电极中的开口的中心之间的距离小于0.5μm。
20.如权利要求19所述的电子发射显示器，其中，所述第三电极中的开口的宽度大于所述第二绝缘层中的开口的宽度，并且所述第二绝缘层中的开口的上周界与所述第三电极中的开口的上周界之间的间隙小于1μm。
全文摘要
本发明提供一种电子发射装置，其包括第一电极；形成于所述第一电极上的电子发射区域；和位于所述第一电极上的第二电极，其中一绝缘层介于所述第一和第二电极之间。该绝缘层和第二电极被设置以用于暴露出所述电子发射区域的开口。本发明还提供一种制造方法，包括在所述第二电极上形成带有开口的掩模层；通过使用所述掩模层蚀刻该第二电极，形成第二电极上的开口；通过湿式蚀刻所述绝缘层，在所述绝缘层中形成开口，该绝缘层中的开口的上宽度大于第二电极中开口的宽度；通过蚀刻第二电极的与绝缘层中的开口相对应的暴露部分，扩大所述第二电极中的开口；并且去除所述掩模层。
文档编号H01J9/02GK101042972SQ20071008748
公开日2007年9月26日 申请日期2007年3月19日 优先权日2006年3月23日
发明者安商爀, 李相祚, 褚柄佶, 全祥皓, 赵珍熙, 洪秀奉 申请人:三星Sdi株式会社