扫描电子显微镜的制作方法

专利名称：扫描电子显微镜的制作方法
技术领域：
本发明应用于快速扫描电子显微镜设备。尤其涉及用于低能观察高阻样品 和集成电路样品的扫描电子显微镜技术。
背景技术：
扫描电子显微镜的典型结构包括 一个电子源； 一个镜筒，包括电子束调
节装置和一个聚焦偏转系统；以及探测器系统。近些年来，扫描电子显微镜广 泛的应用于半导体的器件制造；而随着半导体制造技术工艺要求的不断提高， 必然要对扫描电子显微镜的性能提出更高的要求。
在扫描电子显微镜中，电子源的性能对于扫描电子显微镜的分辨率有最直 接的影响。目前，具有较高分辨率的扫描电子显微镜多采用肖特基型热场发射 电子源。对于这种电子源，抽取电压为其性能的主要决定因素，目前使用的抽 取电压一般小于8 000V。
磁透镜的色差大小反比于电子束的能量大小，在电子束能量低的时候，色 差就会非常大。传统的扫描电子显微镜采用很高的加速电压(大于20 000v)， 才能达到纳米级的分辨率。但是高能电子束会导致高阻样品上电荷积累、破坏 某些样品的结构等问题。为了解决这些问题，目前一种做法，如美国专利 4926054和6194729所述，是在电子束进入一个高压管时将其加速，在此高压 管内维持较高的恒定速度，在到达样品前，通过减速装置调节到所需的着陆能
目前的扫描电子显微镜中普遍使用的偏转系统由一个磁偏转器或者多个磁 偏转器组成，磁偏转器与静电偏转器相比，其偏转像差要小于后者，但由于线 圈电感和铁芯涡流的影响，磁偏转器的扫描速度要远远小于后者，不能实现快 速扫描样品。而采用静电偏转器可以大大提高成像效率。
在Klaus D. Manzke等人的美国专利4330707中描述了一种扫描电子显微 镜。此专利中的扫描电子显微镜使用了一个高压管来维持电子高速，轴向物镜 (axial gap lens)和磁偏转系统进行聚焦和偏转。这种扫描电子显微镜结构具 有诸多不利，例如，着陆能量可调范围比较小，轴向物镜的像差系数偏大，所 得到的偏转视场小，扫描速度慢，并且由于减速电极与样品始终保持相同电势， 导致初始电子束与样品所产生的二次电子和背散射电子不易区分，从而不易单 独观测背散射电子的图像。

发明内容
本发明的目的在于，提供一种可以快速获得低色差、高分辨、大视场样品 图像的扫描电子显微镜。
根据本发明，扫描电子显微镜具有 一个电子源，包括一个阴极，以产生 一次电子， 一个阳极以加速所述阴极发出的所述一次电子至所述阳极电势；一 个高压管系统，包括上高压管和下高压管两个部分，二者由不同的电源供电；一 个光阑选择装置，以选择不同的一次电子束电流； 一个闪烁体探测器系统，以 探测样品在所述一次电子束照射下发出的二次电子及背散射电子； 一个物镜聚 焦系统，以会聚所述一次电子到所述样品上； 一个电磁复合的偏转扫描系统， 以偏转所述一次电子； 一个屏蔽电极，位于物镜和所述样品之间； 一个样品台。
本发明提供了一个氧化锆/钨热场发射电子源，所述氧化锆/鸨热场发射电子 源在结构上只有阴极和阳极；所述阴极和所述阳极之间电势差恒定，其为电子 抽取电势差，由一个固定高压电源17提供，其值为10 000 30 000V之间的某
个恒定值，此恒定电子抽取电势差远远大于目前其它仪器中氧化锆/钩热场发射
电子源的使用值(一般小于8 000V);而所述阴极电势，根据所述样品所需着 陆能量的大小，通过设置一个可调高压电源18来实现，所述可调高压电源18 的范围为0 30 000V。
本发明中的电子源与以往氧化锆/钨热场发射电子源区别在于，以往普遍使
用的氧化锆/钨热场发射电子源结构包括一个阴极， 一个吸取极和一个阳极，一 次电子是在阴极与吸取极之间强电场的作用下发射出来的，二者的电势差一般
为2000~5000V;当一次电子从阴极发射出来以后，再通过阳极将一次电子加 速到所需电势。
本发明中电子源在结构上以及抽取电压的变化，使得所用的氧化锆/钩热场
发射电子源与以往氧化锆/钨热场发射电子源相比具有这样的优点使发射出来
的一次电子束具有更高的亮度和更小的能量散布。
本发明提供了一个高压管系统，所述高压管系统包括上高压管和下高压管 两个部分，分别由独立高压电源供电。所述一次电子束在所述高压管系统内保 持较高的能量，这样可以有效减小电子间相互作用，减小所述一次电子束的能
量分散。所述上高压管电势和所述阳极电势一样，由所述固定高压电源17和所 述可调高压电源18决定，所述下高压管电势由一个可调高压电源19决定，所 述可调高压电源19的变化范围是0~15 000V。
所述上下高压管可以是同样孔径，以缝隙隔开，也可以是其中一个的外径 小于另一个的内径，并伸入后者一些，所述上下高压管交接处可以位于所述闪 烁体探测器系统上方，也可以位于所述电磁复合的偏转扫描系统的上方。
本发明提供了一个光阑选择装置，位于所述阳极与所述上高压管的下端面
之间；此结构相比于以往技术的优点在于由于所述阴极与所述上高压管之间
的电势差恒定，所以， 一次电子束在所述上高压管内的能量保持恒定，无论所 述一次电子束在样品上的着陆能量如何调整，光阑的选择装置不需要做任何变 化，这样的结构极大地简化了本发明的扫描电子显微镜的操作。
本发明提供了一个闪烁体探测器系统，位于所述下高压管内，采用闪烁体、 光波导、光电倍增管结构。闪烁体形状为环状，分成四片，围绕系统光轴分布， 用于探测样品上被电子束照射处向不同方向发出的二次电子和背散射电子，然 后通过四组独立的光波导、光电倍增管，得到四组独立信号，这四组信号可以 独立成像，也可以通过图形处理得到合成的图像。这种合成的图像比单个探测
器得到的图像，能更好的反应样品的形貌，包含更多三维信息。
本发明中的闪烁体探测器系统与所述下高压管电势一致，本发明中的电子
显微镜正常工作时，所述下高压管比所述样品的电势高10 000H5 000V，保证 了所述样品在所述一次电子束照射下产生的二次电子及背散射电子可以加速到 高于闪烁体响应阈值的能量，从而所述闪烁体探测器系统可以很好的探测到所 述二次电子及所述背散射电子信号。
本发明提供了一个物镜聚焦系统，包括一个侧极靴物镜和一个屏蔽电极。 所述屏蔽电极由软磁材料制成，位于所述侧极靴物镜和所述样品之间，与所述 侧极靴物镜共同构成物镜聚焦系统，以縮短工作距离，减小像差。所述屏蔽电 极为环形结构，具有屏蔽磁场和减速所述一次电子束的作用。
所述屏蔽电极与所述样品台构成减速装置，所述减速装置与所述下高压管 的下端面构成了静电聚焦透镜。所述样品电势相对于地电势在-3000 3000V之 间，所述屏蔽电极相对所述样品电势变化范围是-3000 3000V，以减速所述一 次电子束，同时可以加速或抑制样品上发出的二次电子。
本发明提供了一个电磁复合的偏转扫描系统，所述的电磁复合偏转扫描系统 具有至少两个磁偏转器和一个环形多极静电偏转器。所述磁偏转器，位于所述 下高压管和所述侧极靴物镜之间，配合使用以实现慢速、高精度小视场扫描； 所述环形多极静电偏转器位于所述侧极靴物镜聚焦磁场中，采用高频的静电偏 转信号，其偏转场与所述聚焦磁场构成了聚焦偏转复合场，以实现快速和高分
辨大视场扫描。
所述屏蔽电极和所述环形多极静电偏转器也可以由一个减速偏转电极来实 现。所述减速偏转电极为环形多极结构，由软磁材料制成，与所述侧极靴物镜 共同构成物镜聚焦系统，同时减速所述一次电子束，还可起到静电偏转器作用， 偏转所述一次电子束。所述减速偏转电极的作用也可以由一个带环状铁芯的磁 偏转器来实现。
本发明中的扫描电子显微镜由于采用了高抽取电压的氧化锆/钩热场发射
电子源、高压管系统和聚焦偏转复合场技术，具有很低的色差，可以观察较大 的样品区域，能得到高分辨的样品图像。


图1表示本发明的扫描电子显微镜的第一个例子构造的概略图
图2表示本发明的扫描电子显微镜的第二个例子构造的概略图 图3表示本发明的扫描电子显微镜的第三个例子构造的概略图 图4表示本发明的扫描电子显微镜没有压縮透镜情况的局部概略图
具体实施例方式
图1表示本发明的扫描电子显微镜的第一个例子。 一种扫描电子显微镜，
其中具有 一个电子源，包括一个阴极l，以产生一次电子， 一个阳极3以加速 阴极l发出的一次电子至阳极电势；压缩透镜6，以调整一次电子束； 一个光阑
选择装置4，以选择不同的电子束电流； 一个高压管系统，包括上高压管8a和 下高压管8b两个部分，二者由不同的电源供电； 一个闪烁体探测器系统，包括 闪烁体9，光波导IO，光电倍增管ll，以探测样品在一次电子束照射下发出的 二次电子及背散射电子； 一个侧极靴物镜12，以会聚一次电子到样品上； 一个 电磁复合的偏转扫描系统，包括两个磁偏转器14a和Mb，以及一个环形多极 静电偏转器14c，以偏转一次电子； 一个屏蔽电极15，位于侧极靴物镜12和 样品台16之间； 一个样品台16。
本例的扫描电子显微镜的电子源为氧化锆/钨热场发射电子源。该电子源包 括一个阴极1和一个阳极3，阴极1用以发射一次电子，阳极3用以加速阴极1 发出的电子至阳极电势；阴极1和阳极3之间电势差恒定，为抽取电势差，其 由固定高压电源17提供，固定高压电源17的值为10 000-30 OOOV之间的某 个恒定值；根据着陆能量的大小不同，阴极1的电势，通过设置可调高压电源 18来实现，可调高压电源18的变化范围是0 30 000V。
阳极3和上高压管8a的上端连接在一起，二者的电势保持一致，由固定高 压电源17和可调高压电源18决定。上高压管8a和下高压管8b均采用陶瓷管 内壁镀金属的结构，或者是外部具有绝缘陶瓷的金属管结构；上高压管8a穿过 压縮透镜6的极靴孔。
压縮透镜6用于调整发散的一次电子束。
本例中的光阑选择装置4位于阳极3与上高压管8a的下端面之间某一位 置。根据样品观测需要的不同，可通过光阑选择装置4选择大小不同的光阑5。 由于阴极l与上高压管8a之间的电势差恒定，所以，无论一次电子束在样品上 的着陆能量如何调整， 一次电子束在上高压管8a里面运行的速度是不变的，从 而光阑选择装置4就不需要做任何变化；这样，不仅避免了在光阑5调整过程 中引入更多离轴像差，而且极大地简化了本发明的扫描电子显微镜的操作。
上高压管8a和下高压管8b可以是同样孔径，以缝隙隔开，也可以是其中 一个的外径小于另一个的内径，并伸入后者一些，上高压管8a和下高压管8b 交接处可以位于闪烁体探测器系统上方，也可以位于侧极靴物镜12内部磁偏转 器14a的上方。
本例中的闪烁体探测器系统，位于所述下高压管8b内，包括闪烁体9、光 波导10、光电倍增管11。闪烁体形状为环状，分成四片，围绕系统光轴2分布， 每一片独立探测不同区域或样品上不同方向发出的二次电子和背散射电子，然 后通过四组独立的光波导10、光电倍增管ll，得到四组独立信号，这四组信号 可以独立成像，也可以通过图形处理得到合成的图像。这种合成的图像比单个 探测器得到的图像，能更好的反应样品的形貌，包含更多三维信息。
本例中的闪烁体探测器系统与下高压管8b电势一致，在电子显微镜正常工 作时，下高压管8b比样品台16的电势高10 000~15 000V，保证了样品在一 次电子束照射下产生的二次电子及背散射电子可以加速到高于闪烁体9响应阈 值的能量，从而闪烁体探测器系统可以很好的探测到二次电子及背散射电子信 号。
本例中的物镜聚焦系统，包括一个侧极靴物镜12和一个屏蔽电极15。屏 蔽电极15由软磁材料制成，位于侧极靴物镜12和样品台16之间，与侧极靴物 镜12共同构成物镜聚焦系统，以縮短工作距离，减小像差。屏蔽电极15为环 形结构，具有屏蔽磁场和减速一次电子束的作用。物镜聚焦系统的轴上磁感应
强度分布比较集中，且磁感应强度曲线非常陡峭，将一次电子聚焦于样品上时 具有非常小的像差；而屏蔽电极15则能有效地遏制样品对侧极靴透镜12所产 生的磁场的影响，并且对导电性能较差的样品，有着很好的保护作用。
本例中的下高压管8b从侧极靴物镜12的极靴孔处穿过，并在底端形成一 个环面，该环面和屏蔽电极15以及样品台16—起组成了一个静电聚焦透镜； 该静电聚焦透镜同样对一次电子束起到会聚作用。
本例中的样品台16由可调高压电源20供电，可调高压电源20的变化范围 是-3000~3 000V;屏蔽电极15相对样品台16电势变化范围是-3 000~3 000V， 由一个可调高压电源21供电。通过可调高压电源20的供电，屏蔽电极15与样 品台16组成了一个减速装置，此减速装置可将一次电子束降到样品检测所需要 的着陆能量。由上可知，样品所需的着陆能量由可调电压源18和20决定。
在着陆能量确定的情况下，调整可调高压电源21，可以控制二次电子的产 出量，并且还可以分别得到样品的二次电子图像和背散射电子图像；例如，当 屏蔽电极15相对于样品台16的电势为-2 000 -3 000V时，可以阻止样品上发 出的二次电子到达闪烁体9，只有背散射电子才能被下高压管8b加速，并被闪 .烁体探测器系统检测到。
本例中的电磁复合的偏转扫描系统，具有两个磁偏转器14a和14b，以及 一个环形多极静电偏转器14c。两个磁偏转器14a和14b，位于下高压管8b 和侧极靴物镜12之间；环形多极静电偏转器14c位于侧极靴物镜12极靴与屏 蔽电极15之间，如图1所示。
本例中的两个磁偏转器14a和14b配合使用，通过优化两个磁偏转器的位 置、形状和角度，可以大大地减少由于电子束偏离光轴2所导致的偏转像差，
从而极大的改善分辨率，所以磁偏转器14a和14b组合起来可以实现对样品的 慢速、高精度的小视场扫描；环形多极静电偏转器Mc的扫描信号为高频偏转 信号，从而可以实现对样品的高速扫描，提高扫描电子显微镜的工作效率；又 由于此静电偏转器14c位于侧极靴物镜12的轴上磁感应强度峰值附近，形成了 聚焦偏转复合场，具有较小偏转像差，能够对样品进行高分辨大视场扫描，所 以，可通过环形多极静电偏转器14c来实现对样品的快速和高分辨大视场扫描。 在观测样品的时候，可以采用不同的扫描方式。可选用环形多极静电偏转 器14c来对样品进行快速、高分辨大视场扫描；也可选用两个磁偏转器14。和 14b进行局部高精度扫描。从而，所述电磁复合偏转扫描系统可以满足各种用 途的使用需求。
图2表示本发明的扫描电子显微镜的第二个例子。此例中使用一个减速偏 转电极22来实现第一例中的环形多极静电偏转器14c和屏蔽电极15的作用， 减速偏转电极22由软磁材料制成，为环形多极结构，位于侧极靴物镜12和样 品台16之间。减速偏转电极22与侧极靴物镜12共同构成物镜聚焦系统，该物 镜聚焦系统轴上磁感应强度分布只有一个峰，与普通的侧极靴物镜12—样，但 同样物镜激励下，其峰值更大，且该物镜聚焦系统主平面比只有一个侧极靴物 镜12时离样品更近，縮短了工作距离，减小像差。
减速偏转电极22与样品台16构成减速装置，样品电势在-3 000~3 000V 之间，减速偏转电极22电势变化范围相对于样品台16电势为-3 000~3 OOOV， 以减速一次电子束，同时可以加速或抑制样品上发出的二次电子。
减速偏转电极22同时叠加有高频偏转信号，可以快速扫描样品，其偏转场 和聚焦磁场重叠在一起，形成了聚焦扫描复合场，具有较小偏转像差，能够对 样品进行高分辨大视场扫描。所以，可通过减速偏转电极22来实现对样品的快 速和高分辨大视场扫描。
图3表示本发明的扫描电子显微镜的第三个例子。与第二例不同的是，本 例中利用带环状铁芯的磁偏转器23来实现减速偏转电极22的作用。
图4表示本发明的扫描电子显微镜的另外一种情况。当本发明的扫描电子
显微镜主要使用于高的着陆能量的时候，压縮透镜6可以省略掉；在这种工作
条件下，上高压管8a和下高压管8b之间会形成很强的聚焦静电场，此聚焦静 电场会起到压縮透镜6的作用，且其强度可通过对可调高压电源18和19的调 节加以控制。在此情况下， 一次电子束完全就可以由所述静电聚焦电场来进行 调整。
以上，对本发明进行了说明，但是本发明并不限定于上述的情况，本领域 技术人员容易理解可在专利的技术方案所记载的发明的范围内进行各种变更。
权利要求
1. 一种扫描电子显微镜，其中具有一个电子源，包括一个阴极，以产生一次电子，一个阳极以加速所述阴极发出的一次电子至所述阳极电势；一个高压管系统，包括上高压管和下高压管两个部分，二者由不同的电源供电；一个光阑选择装置，以选择不同的电子束电流；一个闪烁体探测器系统，以探测样品在所述一次电子束照射下发出的二次电子及背散射电子；一个物镜聚焦系统，以会聚所述一次电子到样品上；一个电磁复合的偏转扫描系统，以偏转所述一次电子；一个屏蔽电极，位于物镜和样品之间；一个样品台；其中所述上高压管和所述阳极的电势相同。
2. 根据权利要求1的扫描电子显微镜，其特征在于，所述电子源为氧化锆/钨热场发射电子源，所述氧化锆/钨热场发射电子源在 结构上含有阴极和阳极，所述阴极和阳极之间电势差的值为10 000~30 000V 之间某一恒定值，所述阴极电势相对于地电势，变化范围是0 30 000V。
3. 根据权利要求1的扫描电子显微镜，其特征在于， 所述上高压管和下高压管各自由不同电源供电，可具有相同或不同的电势，下高压管相对于地电势一直为正的高电势，其变化范围是0 15 000V。
4. 根据权利要求1的扫描电子显微镜，其特征在于， 所述上下高压管可以是同样孔径，以缝隙隔开，也可以是其中一个的外径小于另一个的内径，并伸入后者一些，上下高压管交接处可以位于所述闪烁体 探测器系统上方，也可以位于所述电磁复合的偏转扫描系统的上方。
5. 根据权利要求1的扫描电子显微镜，其特征在于， 所述光阑选择装置，位于所述阳极与所述上高压管的下端面之间。
6. 根据权利要求1的扫描电子显微镜，其特征在于， 所述闪烁体探测器系统，包括4个独立的闪烁体探测器，围绕系统光轴分布，以探测不同区域或样品上不同方向发出的二次电子和背散射电子。
7. 根据权利要求1和6的扫描电子显微镜，其特征在于， 所述闪烁体探测器系统位于所述下高压管内，和所述下高压管电势保持一致。
8. 根据权利要求1的扫描电子显微镜，其特征在于， 所述屏蔽电极位于侧极靴物镜和所述样品之间，由软磁材料制成，与所述侧极靴物镜共同构成物镜聚焦系统，以縮短工作距离，减小像差。
9. 根据权利要求1的扫描电子显微镜，其特征在于， 所述屏蔽电极与所述样品台构成减速装置，样品台电势在-300O3 000V之间，所述屏蔽电极相对所述样品台电势变化范围是-3 000 3 000V，以减速所述 一次电子束，同时可以加速或抑制所述样品上发出的二次电子。
10. 根据权利要求1和9的扫描电子显微镜，其特征在于， 所述减速装置与所述下高压管的下端面构成了静电聚焦透镜。
11. 根据权利要求l的扫描电子显微镜，其特征在于， 采用了电磁复合的偏转扫描系统，所述的偏转扫描系统具有至少两个磁偏转器和一个静电偏转器；其中，所述的至少两个磁偏转器配合使用来实现慢速、 高精度的小视场扫描；所述的一个静电偏转器来实现快速和高分辨大视场扫描。
12. 根据权利要求11的扫描电子显微镜，其特征在于， 所述电磁复合的偏转扫描系统中，所采用的磁偏转器在所述侧极靴物镜与所述下高压管之间。
13. 根据权利要求ll的扫描电子显微镜，其特征在于， 所述静电偏转器在所述侧极靴物镜的下极靴和所述屏蔽电极之间。
14. 一种扫描电子显微镜，其中具有一个电子源，包括一个阴极，以产生一次电子， 一个阳极以加速所述阴极 发出的一次电子至所述阳极电势；一个高压管系统，包括上高压管和下高压管两个部分，二者由不同的电源 供电；一个光阑选择装置，以选择不同的电子束电流；一个闪烁体探测器系统，以探测样品在所述一次电子束照射下发出的二次电子及背散射电子；一个物镜聚焦系统，以会聚所述一次电子到样品上； 一个电磁复合的偏转扫描系统，以偏转所述一次电子； 一个减速偏转电极，位于物镜和样品之间； 一个样品台；其中所述阳极和所述上高压管的电势相同。
15. 根据权利要求14的扫描电子显微镜，其特征在于，所述电子源为氧化锆/钨热场发射电子源，所述氧化锆/钨热场发射电子源在 结构上只有阴极和阳极，所述阴极和阳极之间电势差的值为10 000~30 000V 之间某一恒定值，所述阴极电势相对于地电势，变化范围是0 30 000V。
16. 根据权利要求14的扫描电子显微镜，其特征在于， 所述上高压管和下高压管各自由不同电源供电，可具有相同或不同的电势，下高压管相对于地电势一直为正的高电势，其变化范围是0H5 000V。
17. 根据权利要求M的扫描电子显微镜，其特征在于， 所述上下高压管可以是同样孔径，以缝隙隔开，也可以是其中一个的外径小于另一个的内径，并伸入后者一些，上下高压管交接处可以位于所述闪烁体 探测器系统上方，也可以位于所述电磁复合的偏转扫描系统的上方。
18. 根据权利要求14的扫描电子显微镜，其特征在于， 所述光阑选择装置，位于所述阳极与所述上高压管的下端面之间。
19. 根据权利要求l的扫描电子显微镜，其特征在于， 所述闪烁体探测器系统，包括4个独立的闪烁体探测器，围绕系统光轴分 布，以探测不同区域或样品上不同方向发出的二次电子和背散射电子。
20. 根据权利要求1和6的扫描电子显微镜，其特征在于所述闪烁体探测器系统位于所述下高压管内，和所述下高压管电势保持一致。
21. 根据权利要求14的扫描电子显微镜，其特征在于， 所述电磁复合的偏转扫描系统包括至少两个磁偏转器，配合使用来实现慢速、高精度的小视场扫描； 一个减速偏转电极，为环状多极结构，在实现所述 一次电子减速的同时，还可以对所述样品实现快速和高分辨大视场扫描。
22. 根据权利要求21的扫描电子显微镜，其特征在于，所述电磁复合的偏转扫描系统中，所采用的磁偏转器在所述侧极靴物镜与所述下高压管之间。
23. 根据权利要求21的扫描电子显微镜，其特征在于， 所述减速偏转电极在所述侧极靴物镜的下极靴和所述样品之间。
24. 根据权利要求14的扫描电子显微镜，其特征在于， 所述减速偏转电极由软磁材料制成，与所述侧极靴物镜共同构成物镜聚焦系统，以縮短工作距离，减小像差。
25. 根据权利要求14的扫描电子显微镜，其特征在于， 所述减速偏转电极与所述样品台构成减速装置，所述样品台电势在-3000-3000V之间，所述减速偏转电极的电势变化范围相对于所述样品台电势为 -3000~3000V，以减速所述一次电子束，同时可以加速或抑制样品上发出的二 次电子。
26. 根据权利要求14的扫描电子显微镜，其特征在于， 由一个带环状铁芯的磁偏转器来实现减速偏转作用，所述环状铁芯同时与所述侧极靴物镜共同构成物镜聚焦系统，以縮短工作距离，减小像差。
27. 根据权利要求26的扫描电子显微镜，其特征在于， 所述带环状铁芯的磁偏转器与所述样品台构成减速装置，所述样品台电势在-3 000~3 000V之间，所述带环状铁芯的磁偏转器电势变化范围相对于所述样 品台电势为-3 000 3 000V，以减速所述一次电子束，同时可以加速或抑制所述 样品上发出的二次电子。
全文摘要
一种扫描电子显微镜，具有电子源，其阴极和阳极保持恒定的高抽取电压，可以得到高亮度、低能散的一次电子束；一个高压管系统，包含上高压管和下高压管，二者独立供电，使一次电子在其内部具有高能量，减小电子间相互作用；一个物镜聚焦系统和减速装置，将一次电子束以特定着陆能量聚焦于样品上；偏转系统含有一个环形多极的静电偏转器，其静电偏转器位于聚焦磁场内，形成聚焦偏转复合场，具有更小的偏转像差，可以对样品进行快速高分辨大视场成像。
文档编号H01J37/28GK101388317SQ200810085128
公开日2009年3月18日 申请日期2008年3月21日 优先权日2008年3月21日
发明者岩 任, 何福民, 卢志刚, 峰 曹, 瑜 郭, 郭小立, 陈仲伟 申请人:北京威孚物理科技有限公司