等离子体显示面板及其制造方法

专利名称：等离子体显示面板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及利用气体放电显示图像的等离子体显示面板和制造等离子 体显示面板的方法，更具体地，涉及一种具有高发光效率和改进结构并适于 批量生产的等离子体显杀面板和制造这种等离子体显示面板的方法。
背景技术：
采用等离子体显示面板的平板显示设备具有优良的特性，例如，其具有 高图像质量，超薄，重量轻，具有可以宽视角观看的大屏幕，还可利用简单 的制造方法容易地制造成大尺寸。因此，平板显示设备被视为下一代大平板 显示设备。等离子体显示面板根据其驱动方法可分为直流(DC)型、交流(AC) 型、和混合型。另外，等离子体显示面板根据放电结构可分为对向放电型和 表面放电型。最近，主要使用三电极表面放电的等离子体显示面板。为了解决三电极表面放电结构的问题，例如，荧光物材料的恶化，可见 光透过率的下降，和发光效率的下降，对具有新结构的等离子体显示面板的 研究正在积极进行。图1是在韩国专利公开No.2005-0104003中公布的等离子体显示面板的基板10和后基板20,和沿相互垂直的方向设置用于限定基板10与20之间 放电空间(S)的前阻隔肋31和后阻隔肋24。在前阻隔肋31中，第一放电电极35和第二放电电极45被埋置并且相互分离，从而在放电空间(S)中 形成显示放电。前阻隔肋31完全覆盖》丈电电才及34和45,以防止电才及由于 离子碰撞而损坏，并提供对放电有利的环境，并且，前阻隔肋31由电介质 材料形成。荧光物材料25应用在由后阻隔肋限定的区域中。另外，沿着与 放电电极35和45交叉的方向延伸的寻址电极22设置在后基板20上，其中 埋置有寻址电极22的电介质层21设置在后基板20与后阻隔肋24之间。在图1的等离子体显示面板中，放电通过限定放电空间(S)的侧壁产 生，因此，应用在后基板20上的荧光物材料25不会由于离子碰撞而劣化。 另外，在前基板10侧上的不透明电极被去除，因而改善可见光的向上透过 率。此外，放电可通过放电空间(S)的所有侧壁产生，等离子体可集中在 放电空间(S)的中心部分上，因此，可显著增加紫外线的产生。然而，由于等离子体显示面^1的结构，其中;^丈电电才及35和45埋在阻隔 肋31中，因此，使用传统制造方法批量生产等离子体显示面板存在局限性， 并且，等离子体显示面板由于制造过程中的问题而不能商业化。发明内容本发明提供具有新结构并允许高发光效率且适于批量生产的等离子体 显示面板及其制造方法。本发明还提供具有改进放电稳定性和改进耐久性的等离子体显示面板 及其制造方法。根据本发明的一方面，提供一种等离子体显示面板，包括相互分离的 前基板和后基板；在所述前基板与所述后基板之间相互面对的两个或更多个 电极板，所述两个或更多个电极板通过包括在每个板中的相应开口图样一起 形成放电空间，其中，所述两个或更多个电极板中的每一个包括多个放电 电极，其延伸并围绕所述放电空间的至少一部分，并在接触所述放电空间或 邻近所述放电空间的拐角处具有圆形弯曲部分；和隔离元件，其在所述放电 电极之间整体形成，用于支撑所述放电电极和使所述放电电极相互隔离，并由用于形成所述放电电极的金属的氧化物材料形成。根据本发明的另一方面，提供一种等离子体显示面板，包括相互分离的前基板和后基板；和在所述前基板与所述后基板之间相互面对的第 一 电极 板和第二电极板，所述第 一 电极板和第二电极板通过包括在每个板中的对应 的开口图样一起形成放电空间；其中，所述第一和第二电极板中的每一个包 括多个放电电极，其延伸并围绕所述放电空间的至少一部分，并在接触所 述放电空间或邻近所述放电空间的拐角处具有圓形弯曲部分；和隔离层，其 与所述放电电极形成竖直台阶，支撑所述放电电极和使所述放电电极相互隔 离，并由用于形成所述放电电极的金属的氧化物材料形成。根据本发明的另一方面，提供一种等离子体显示面板，包括相互分离 的前基板和后基板；和在所述前基板和所述后基板之间相互面对的第一电极 板和第二电极板，所述第一电极板和所述第二电极板通过包括在每个板中的 相应开口图样一起形成放电空间，其中，所述第一和第二电极板中的每一个 包括放电电极，其包括放电部分和将所述放电部分相互电连接的导电部分， 其中每个放电部分包括围绕所述放电空间的放电表面和在接触所述放电表 面的拐角上的圓形弯曲部分；和至少一个桥，其整体形成在相邻放电电极之 间，以支撑所述放电电极并使所述放电电极相互隔离。根据本发明的另一方面，提供一种制造等离子体显示面板的方法，所述 等离子体显示面板包括阵列设置的多个放电空间，延伸并围绕所述放电空间 的多个放电电极，和连接所述放电电极并互相电绝缘的隔离层，所述方法包 括制备原材料金属板；形成第一光刻胶(PR)掩模，其覆盖所述放电电 极形成在所述金属板的一表面上的部分；形成第二PR掩模，其覆盖所述放 电电极形成在所述金属板的另一表面上的部分；选择性地蚀刻所述金属板的 被所述第一 PR掩模暴露的表面；选择性地蚀刻所述金属板的被所述第二 PR 掩模暴露的另一表面；去除所述第一 PR掩模和所述第二 PR掩模；在中性 电解溶剂中进行阳极化处理，用于氧化所述金属板以在所述放电电极的表面 上形成氧化物膜，并且用于隔离在所述放电电极之间的部分以形成隔离元件；重复所述处理以制造至少两个金属板；堆叠所述金属板以相互面对，并 且，将所述金属板设置为相互垂直；并且，将前基板和后基板相互联结，同 时利用熔接密封材料插入所述堆叠的金属板。


本发明的上述和其他特征及有利之处，通过参照附图详细描述其示例性 实施例将变得更显而易见，其中图1是在韩国专利No.2005-0104003中公开的等离子体显示面板的分解 立体图；图2是根据本发明实施例的等离子体显示面板的分解立体图；图3是图2中的等离子体显示面板沿线m-m和nr -nr的横截面图；图4是显示图2中的等离子体显示面板中的电极布置的立体图； 图5和6分别是显示通过对铝产品进行氧化处理而获得的具有尖拐角和 圆拐角的氧化物膜的横截面图；图7是在通过施加预定电压而损坏的孔周围的氧化物膜的照片； 图8是根据本发明另一实施例的等离子体显示面板的分解立体图；图9是图8中的等离子体显示面板沿线vii-vn和vir - vir的橫截面图；图10是图8中所示电极板的放大立体图；图IIA至lll是图示根据本发明另一实施例的制造等离子体显示面板的 方法的横截面图；图12是图示本发明的阳极化处理的处理示意图；图13是显示氧化物膜结构的剖切立体图；图14是显示了根据本发明实施例制造的氧化物膜结构的照片。
具体实施方式
根据本发明实施例的等离子体显示面板将参照附图进行详细的描述。第一实施例图2是根据本发明的实施例的等离子体显示面板的分解立体图，图3是图2中的等离子体显示面板沿线m-m和nr -nr的横截面图。为了说明 方便，图3的横截面显示了沿图2的线nr -nr的第二电极板i40。另夕卜，图4是在图2中所示放电电极135和145的放大立体图。等离子体显示面板包括相互面对的前基板IIO和后基板120，和在前基 板110与后基板120之间相互面对而形成多个放电空间S的第一电极板130 和第二电极板140。前基板110变为显示图像的表面，因此，前基板110可 以是具有优良透光率的玻璃基板。第一电极板130和第二电极板140为通过下述方式形成的集成板，即， 通过在原材料金属板上形成预定的电极图样，然后氧化金属板以隔离金属板 的一部分。在下文中，第一和第二电极板130和140的结构将进行更详细的 描述。沿纵向和水平方向设置的多个开口形成在第一和第二电极板130和 140中的每一个中，多个放电空间S通过形成在相应位置的开口的组合形成。 在此，放电空间S为这样的空间，其中，形成用于产生显示放电的预定电场 并填充以通过放电被激发的放电气体。在本实施例中，由于第一和第二电极 板130和140被设置为相互面对并一起形成放电空间S,因而由第一和第二 电极板130和140形成的上、下部变为放电空间S的一部分。在本申请文件 中，为了说明方便，由板130或140形成的部分可被称为放电空间S,然而， 由板130和140形成的部分实际上仅形成放电空间S的一部分。由于圆形开口图样形成在第一和第二电极板130和140中，因此，每个 放电空间S形成为柱状。然而，当多边形开口图样形成在第一和第二电极板 130和140中时，每个放电空间S可形成为包括六面体形状在内的各种多面 体形状。另外，放电空间S的形状不限于此，只要放电气体可填充在放电空 间S中即可。沿一方向(X方向)延伸同时围绕放电空间S的多个第一放电电极135 形成在第一电极板130中。第一放电电极135可由具有高电导率的金属材料形成，从而使由于其自身阻抗所致的热损失最小化，例如，第一放电电极135可由铝材料形成。每个第一放电电极135包括围绕放电空间S并参与 放电操作的放电部分135a，和将放电部分135a相互电连接并向放电部分 135a提供驱动功率的导电部分135b。放电部分135a限定对应于》文电部分 135a的形状的放电空间S,因此，放电部分135a的形状可根据实施例改变， 以形成不同类型的放电空间。圓形弯曲部分R1沿放电空间135a的限定放电 空间的内表面形成。圓形弯曲部分R1沿放电部分135a的上、下拐角形成为 环。圆形弯曲部分R1将随后进行更详细的描述。同时，放电部分135a在附图中被形成为完全围绕放电空间S,然而， 放电部分135a可仅围绕放电空间S的一部分，只要其形成的电场足够大以 在放电空间中产生放电即可。这可有助于限制放电电流。在这里，放电空间 135a的一部分可开口，开口部分可以是相对于放电空间135a形成竖直台阶 的隔离层131。另一方面，氧化物膜135t利用例如阳极化的氧化处理形成在第一放电 电极135的外表面上而至预定厚度(To)。第一放电电极135的被氧化物膜 135t覆盖的内部未被氧化，并保留为保持导电性的核心部135c。第一放电 电极135可使用氧化物膜135t被电绝缘。例如，氧化物膜135t可由通过使 铝(AL)氧化而形成的Al203形成。在接触放电空间S的表面上所形成的 氧化物膜135t防止》文电电极135和145相互直接电连接，并防止力丈电电极 135由于带电粒子的碰撞而损坏，即，实现传统电介质层的功能。考虑到耐受电压特性，保护放电电极135的氧化物膜135t可以形成为 具有足够的厚度，氧化物膜135的厚度(To)可通过控制处理条件(例如， 氧化处理中的施加电流，电解质的选择，和处理时间)而最优化。由于第一 放电电极135的表面被氧化物膜135t覆盖，因此，可防止第一和第二放电 电才及135和145之间的电短^各。相对于氧化物膜135t的形成，圓形弯曲部R1沿放电部分135a的接触放电空间S的边缘形成。通常，由于放电空间S通过冲压电极板130形成，因而接触放电空间S的表面是冲压处理中的切制表面，而尖边缘可能会形成 在切制表面的拐角上。另一方面，由于氧化物材料从例如阳极化处理的氧化 处理中的产品的外露表面长大，因此，难以在通过切制处理形成的尖边缘上 形成具有致密结构的氧化物材料。因此，在当前实施例中形成圆形弯曲部分Rl以去除尖边缘，从而防止氧化物膜135t的生长基底由于所述边缘而变弱， 并在包括拐角的整个表面连续形成氧化物膜135t。同时，与第一放电电极135整体形成的隔离层131形成在第一》文电电极 135之间。第一放电电极135通过隔离层131在结构上相互支持，因此，可 防止第一电极板130的颤动或第一电极板130的弯曲，并且易于在制造过程 中搬运第一电极板130。如图所示，隔离层131形成第一电极板130的整个 区域，但第一放电电极135的部分除外。开口可形成在隔离层131的一部分 上，以促进由于阳极化处理特性的氧化处理，也就是说，氧化通过表面发生。 在这里，氧化可通过开口的侧表面进行。隔离层131在结构上支撑第一放电电极135并在第一放电电极135之间 隔离。例如，当对应于隔离层131的部分通过将其上形成有电极图样的铝板 氧化被隔离时，隔离层131可由Al的氧化材料八1203形成。隔离层131相对于第一放电电极135形成竖直台阶，并形成至相对较薄 的厚度(Ti)。例如，隔离层131在其上、下部上相对于第一放电电极135 形成台阶dl和d2，并且，隔离层131的厚度Ti较小。隔离层131的厚度 Ti可通过阳极化处理中的处理条件确定。在通过阳极化处理而自表面向内的 氧化处理过程中，隔离层131的厚度可能足够低以完全氧化对应于隔离层 131的部分。如果隔离层131形成为厚于厚度Ti，则隔离层131的连接第一 放电电极135的内部未氧化，并保持导电性。因此，第一放电电极135通过 隔离层131电短路，隔离层131包括处理余量在内的厚度必须形成得足够薄。 为了形成具有相互不同厚度的第一放电电极135和隔离层131的结构，隔离 层131的部分从作为原材料的铝板的两侧蚀刻，以与第一放电电极135形成 台阶结构。在这里，如果在隔离层131与第一放电电极135之间的台阶dl和d2被设定为彼此相同，则从两侧进行的蚀刻处理可对称进行，因此，可 改善操作的方便。另一方面，只要隔离层131形成得较薄而使得隔离层131的内部可通过 氧化处理完全氧化，则台阶的dl和d2可形成在第一^:电电极135的两表面 上，否则，可相对于第一放电电极135的一表面形成深台阶，并且可在第一 放电电极135的另一表面的相同高度处形成平坦表面。另一方面，在第一放电电极135与隔离层131之间的竖直台阶dl和d2 被设定为具有相互不同的深度，使得第一放电电极135保持导电性，并且， 隔离层131可在相同的氧化条件下完全隔离。然而，形成在隔离层131的上、 下部上的台阶空间(g)可设置为，当在放电空间S中的混杂气体被排放和 放电气体填充在放电空间S中时的气体排放路径和引入路径。因此，可减少 用于排放-填充处理的时间，并且，可保持放电气体的不纯度较高而在放电 空间S中没有任何混杂气体，从而改善放电操作的稳定性。面对第一电极板130的第二电极板140设置在第一电极板130下。第二 电极板140可具有类似于第一电极板130的结构。更具体地，多个放电空间 S设置在第二电极板140上，并且，沿y方向延伸并围绕放电空间S的多个 第二放电电极145形成在第二电极板140中。每个第二放电电极145包括 围绕放电空间S并参与》文电操作的放电部分145a，和将》丈电部分145a相互 电连接并向放电部分145a提供驱动功率的导电部分145b。圓形弯曲部R2 沿放电部分145a的接触放电空间S的边缘形成。第二放电电极145可沿y方向延伸，与沿x方向延伸的第一放电电极 135交叉，因此， 一个》文电电极可作为寻址电极，另一》丈电电极可作为扫描 电极，从而通过无源矩阵(PM)驱动方法允许选4奪其中将发生显示放电的 放电空间S。例如，第一放电电极135可作为扫描电极，第二放电电极145 可作为寻址电极。然而，本发明的技术范围不限于上述电极结构，并且，本 发明可应用于下述结构，其中，第一和第二放电电极相互平行设置，且形成 沿与放电电极交叉的方向延伸的另外的寻址电极(未示出)。在这里，第一和第二放电电极之一可作为扫描电极以产生寻址放电，用于和寻址电极一起 选择放电空间。第二放电电极145通过在第二放电电极145之间的隔离层141填充区域 被支撑并相互隔离。另外，隔离层141形成较小的厚度(Ti)，同时与第二 放电电极145—起形成台阶dl和d2。更具体地，隔离层141可与第二^L电 电极145的上、下表面形成具有较低厚度Ti的台阶dl和d2。另一方面，尽 管第一和第二电极板130和140在图中未显示，但其可利用例如在其间不导 电的电介质粘合层相互联结。面对前基板110的后基板120可为玻璃形成的玻璃基板。槽12(V形成 在后基板120的内表面上以对应于放电空间S,焚光物125沿槽12(T应用。 槽120'限定焚光物125的应用区域，并增大荧光物125的应用区域。为了 实现全色显示，荧光物125应用为不同的颜色。例如，在彩色图像利用三基 色显示的情况下，红、绿和蓝的荧光物125在槽120'中交替地应用。另外， 根据所应用的荧光物125的种类，例如红、绿或蓝光的单色光从每个放电空 间S发出，因此，彩色图像利用单色光显示。在下文中，将描述等离子体显示面板的操作。当交流(AC)电压应用 于第一和第二放电电极135和145时，预定电场形成在放电空间S中以形成 放电，因此，从寻址放电获得的壁电荷和由放电气体的电离形成的带电粒子 沿》丈电电极135与145之间的放电路径移动，以产生显示放电。显示方文电通 过方文电电才及135和145的限定》t电空间S的侧表面沿竖直方向形成为闭合 环。因此，放电电极135和145的侧表面变为》文电表面。填充在放电空间S 中的放电气体通过与沿放电路径移动的带电粒子的碰撞被激发，并然后稳定 至基态，从而产生对应于激发态与基态之间的能量差的紫外线。紫外线125 通过荧光物125转变为可见光，然后，可见光朝前基板IIO投射，从而显示 被用户识别的预定图像。在下文中，将描述形成在放电电极135和145中的弯曲部分R1和R2 的操作。如上所述，圓形弯曲部分Rl和R2形成在第一和第二电极135和145的接触力文电空间S的拐角上。邻近弯曲部分R1和R2的》文电表面对应于切制表面，此切制表面当原材料板被穿孔以形成用于形成放电空间的开口时 形成。因此，尖边缘通常沿邻近放电表面的拐角形成。在本实施例中，磨光 操作沿放电表面的拐角进行以去除尖边缘，因此，磨光操作之后形成了弯曲部分R1和R2。在这里，磨光操作可以是用于精切削操作的抛光操作，例如， 利用化学机械抛光(CMP)设备的抛光垫的化学机械抛光，或利用砂纸的手 工操作，从而去除尖边缘。图5是显示通过对具有尖边缘的铝产品进行氧化处理获得的氧化物膜 的横截面图，而图6是显示通过对在其拐角部分上具有弯曲部分R的铝产品 进行氧化处理获得的氧化物膜的横截面图。外部氧在例如阳极化处理的氧化 处理中通过产品表面渗入产品中，而产品的铝组分通过产品表面向外扩散， 然后，氧和铝相互反应以形成氧化物膜。氧化物膜具有沿垂直于产品表面的 方向生长的趋势，因此，如图5所示，当第一表面Pl和第二表面P2相接的 拐角急剧弯转时，不存在氧化物膜的裂缝(C)易于形成在从第一表面Pl 生长的第一氧化物膜(Ll)与从第二表面P2生长的第二氧化物膜(L2)之 间。否则，裂缝C由于具体的氧化条件(例如处理时间或应用电流)而可能 不形成在氧化物膜之间，然而，形成在拐角部分上的氧化物膜由于稀疏的内 结构不能提供充分的绝缘性能，并可由于较低耐受电压而易于损坏。如上所示，形成在第一和第二放电电极135和145的表面上的氧化物膜 135t和145t防止第一和第二放电电极135和145直接相互电连接，并〗象传 统电介质层一样保护第一和第二放电电极135和145不受离子沖击。因此， 如果氧化物膜135t和145t没有均匀地覆盖在第一和第二放电电极135和145 的接触放电空间S的内表面上，并在氧化物膜135t和145t中存在裂缝C, 则耐受电压被极大地降低。特别地，电场集中在裂缝C可能形成的拐角上， 因此，绝缘性能受到损害，并在第一和第二放电电极135和145之间可能产 生直接短路。图7显示了当氧化物膜形成在铝板上时开口 (H)附近的受损氧化物膜，其中，多个开口 H形成在铝板上，并在铝板上施加预定放电电压。当具有 致密结构的氧化物膜由于氧化处理中的上述限制不能形成在通过将开口 H 穿孔而形成的尖拐角上时，绝缘性能受损，电场集中，并产生拱起。另一方面，如图6所示，当圓形弯曲部R形成在产品拐角上时，圆形 氧化物膜Lr从弯曲部R与第一和第二氧化物膜Ll和L2 —起生长，因此， 氧化物膜可沿产品的表面均匀地形成。圓形弯曲部R提供了用于生长氧化物 膜的基底，并因此增大耐受电压和改善显示面板的耐久性。第二实施例图8是根据本发明另一实施例的等离子体显示面板的分解立体图，图9 是图8中的等离子体显示面板沿线IX-IX的横截面图。为了说明方便，第二 电极板240的横截面沿图8中的线IX-IX。另外，图10是图8中所示电极 板230和240的一部分的分解立体图。等离子体显示面板包括相互面对的前 基板210和后基板220,和在前基板210与后基板220之间相互面对以形成 放电空间S的第一电极板230和第二电极板240。第一和第二电极板230和 240为通过下述方式形成的集成板，即，在金属板上形成放电电极235和245 及连4姿;故电电才及235和245的桥231和241,并利用氧4匕处理隔离桥231和 241。考虑到由于放电电极的阻抗所致的电力损失和易于通过氧化处理隔离， 金属板可以是具有高导电率的铝板。更详细地，第一电极板230包括围绕放电空间S并沿x方向延伸的多个 第一放电电极235。每个第一放电电极235包括围绕放电空间S的放电部分 235a和电连接放电部分235a的导电部分235b。放电部分235a围绕放电空 间S以将放电空间S限定为独立的发光区域。另外，放电部分235a与另一 ;改电部分245a—起在相应的i欠电空间S中形成显示方文电。圓形弯曲部分R1 形成在放电部分235a接触放电空间S的拐角上。因此，通过圓形部分R1 可提供基表面，其中氧化物膜235t可从该基表面生长，因此，氧化物膜235t 可均匀地形成在接触放电空间S的放电表面上。导电部分235b使相互分离以预定距离的各放电部分235a沿x方向相互电导，并且，阵列设置的放电部分235a共享相同的驱动信号，以形成一个 放电电极235。导电部分235b必须具有导电性，因此当电极板230的某些 部分利用阳极化处理被隔离时，导电部分235b可具有充分的宽度W3，使得 即使导电部分235b的表面被氧化，在内核235c上也可维持电导性。也就是 说，导电部分235b的宽度W3应形成为较宽以保持维持电导性的核心部 235c,并且氧气不能沿宽度方向渗入核心部235c，直至氧化处理完成。作为 氧化处理的结果，氧化物膜235t沿第一放电电极235的表面形成而至预定 厚度To。形成在放电电极235的围绕放电空间S的表面上的氧化物膜235t 防止》文电电才及234和245直4妻相互电连"l妄，并保护;改电电才及235免于由》文电 而产生的离子冲击。沿竖直方向设置的第一和第二放电电极235和245可通 过氧化物膜235t相互电绝缘。相邻的第一放电电极235通过将各第一放电电极235相互连接的桥231 而在结构上相互支撑。桥231将各第一放电电极235相互连接，以防止第一 电极板230的颤动或弯曲。桥231沿与放电电极235设置方向交叉的y方向 延伸。另一方面，考虑到电极板230所需的支撑强度， 一个或多个桥231可 相互平4于地形成。桥231由隔离氧化物材料形成，以使相邻的放电电才及235相互隔离，并 防止输入有不同驱动信号的放电电极235被电短路。围绕放电空间S的放电 部分235a通过导电部分235b沿x方向相互电导，并且通过桥231沿y方向 相互隔离。桥231可形成在相邻;改电部分235a之间。然而，如果桥231可 隔离并支撑相邻的放电电极235，则桥231可形成在导电部分235b之间。桥231的宽度W10和W20可形成为足够窄，使得整个桥231可通过/人 桥231的表面进行的氧化处理被隔离。由于导电部分235b包括维持电导性 的核心部235c，并且桥231必须在相同的氧化条件下完全隔离，因此，导电 部分235的宽度W30与桥231的宽度W10和W20的关系可如下所示W30〉W10, W20沿竖直方向与第 一 电极板230 —起设置的第二电极板240,具有类似于第 一 电极板230的结构。也就是说，电极板240包括沿一黄向和纵向设置的多个放电空间s,并且，围绕放电空间s并沿一方向延伸的多个第二放电电极245设置在第二电极板240中。第二放电电极245可沿与第一放电电极235 的延伸方向交叉的y方向延伸。其中发生显示放电的放电空间S可通过相互 交叉的第一和第二放电电极234和245选择。第二放电电极245包括限定放电空间S并参与放电操作的放电部分 245a，和电连接放电部分245a的导电部分245b。圓形弯曲部分R2形成在 放电部分245a接触放电空间S的拐角上。弯曲部分R2提供了基表面，其中 具有致密结构的氧化物膜245t从所述基表面上生长。另一方面，第二放电 电极245在结构上通过连接第二放电电极245的桥241支撑，并相互电绝缘。 围绕放电空间S的放电部分245a通过导电部分245b沿y方向相互电连接， 并通过桥241沿x方向相互电绝缘。前基板210和后基板220可以是由玻璃形成的玻璃基板。另外，多个槽 22(T可形成在后基板220的内表面上并具有预定间隔，以对应于》文电空间 S。荧光物225应用在槽220'中。荧光物225尽管在图中未显示，但其可 应用于前基板210上，因此，用于限定荧光物225的应用区域的槽可形成在 前基板210上。第三实施例在下文中，将描述根据本发明的另 一 实施例的制造等离子体显示面板的 方法。根据当前的实施例，氧化物膜的内结构通过控制阳极化处理中的处理 条件而改变，因此，可提供具有改善的耐受电压的等离子体显示面板。图11A至111图示了根据本发明的当前实施例的制造等离子体显示面板 的方法。如图11A所示，制备第一电极板的原材料金属板，例如，可制备 具有高电导率和高化学吸氧性的铝板330'。下一步，如图11B所示，第一 光刻胶P1和第二光刻胶P2涂覆在铝板33(T的上、下表面上。第一和第二 光刻胶Pl和P2可由光敏树脂材料形成，光敏树脂材料当暴露于例如紫外 (UV)线的辐射光时固化。随后，进行曝光处理，其中利用曝光掩膜Ml对第一光刻胶Pl选择性地照射UV线，并进行显影处理，然后，具有预定图样的第一 PR掩膜(PR1 ) 如图11C所示地形成。第一 PR掩膜PR1具有对应于放电电极的Wl部分的 图样，并覆盖相应的Wl部分。随后，利用曝光掩膜M2对第二光刻月交P2 进行曝光和显影处理，然后，具有预定图样的第二PR掩膜(PR2)如图11D 所示地形成。第二PR掩膜PR2具有对应于放电电极的Wl部分的图样，并 覆盖W1部分。形成在铝板330'上、下表面上的第一 PR掩膜PR1和第二 PR掩膜PR2可相互竖向对齐设置。在后文中进行描述的蚀刻处理中，利用 第 一和第二 PR掩膜PR1和PR2从两表面蚀刻铝板330'以形成放电空间。 此时，如果由于第 一和第二 PR掩膜PR1和PR2的不准确设置而产生对准偏 差，则放电空间不一致，并且面板的显示功能可能恶化。如图11E和11F所示，铝板33(T的上表面利用第一PR掩膜PR1作为 阻蚀层进行蚀刻。放电空间的W3部分和在放电电极之间的W2部分被选冲奪 性地蚀刻。在这里，放电空间的W3部分全蚀刻，而在》文电电极之间的W2 部分半蚀刻。另夕卜，如图IIE和IIF所示，铝板330'的下表面利用第二PR掩膜PR2 作为阻蚀层进行蚀刻。通过此蚀刻处理，放电空间的W3部分和在放电电极 之间的W2部分被选择性地蚀刻。在这里，放电空间的W3部分全蚀刻，直 至放电空间S被完全穿透，而放电电极之间的W2部分被半蚀刻，从而保持 预定厚度。随后，将第一和第二掩膜PR1和PR2去除，然后，获得具有图11G的 结构的电极板330。在上述蚀刻处理后保留的某些部分335'形成放电电极， 其他部分33r在放电电极之间形成隔离层。另外，如图IIH所示，进行阳极化处理，用于在电极板330的表面上 形成氧化物膜335t。沿电极板330的表面形成的氧化物膜335t由具有绝缘 性能的陶瓷材料Ah03形成。在这里，被形成为相对厚的放电电极335包括 未被氧化以保留电导性能的核心部335c，并且，在放电电极之间形成为相对薄的部分被完全氧化并隔离，从而形成支撑放电电极335并将放电电极335 相互隔离的隔离层331。阳极化处理是本发明的特征，并将在以后进行更详 细的描述。另一方面，如图111所示，具有与电极板330的结构大致相同的结构的 另一电极板340可通过重复上述处理而获得。电极板340包括放电电极345 之间的隔离层341，并且被氧化物膜345覆盖的每个放电电极345包括保持 电导性能的核心部345c。随后，电极板330和340被相互对称设置，并利用 隔离粘合剂365相互联结。然而，即使电极板330和340不利用粘合剂365 直接相互联结，电极板330和340的堆叠结构也可通过前基板310与后基板 320之间的联结力而保持，因此，粘合剂365不是必要特征。随后，制备将设置在电极板330和340的上、下表面上的前基板310和 后基板320。前、后基板310和320可以是玻璃基板。另外，槽32(V形成 在后基板320上并在其间具有恒定间隔，荧光物325应用在槽32(T上。槽 320'对应于形成在电极板330和340中的放电空间S。然后，前、后基板 310和320被相互垂直设置，同时将电极板330和340插于其间，然后，前、 后基板310和320利用应用在基板310与320之间的熔接(frit)密封材料 315相互联结。在下文中，本发明的阳极化处理将更详细地描述。图12示意性图示了 阳极化处理。在本发明的阳极化处理中，在例如硼酸铵、磷酸铵或酒石酸铵 的电解溶剂中，铝板(Al)为阳极(+ )，而例如Pb、碳、Ni和作为催化剂 的Pb的材料为阴极。在这些条件下，提供DC电流以发生电-化学反应， 用于沿Al板表面形成氧化物膜A1203。氧化物膜的厚度通过调整例如处理 时间或DC电流量的处理条件而可最佳地控制在例如1 Mm至50jum的范围 内。图13是显示氧化物膜的竖直横截面的示意图。氧化物膜通常包括具有 相互不同膜特性的两个薄膜。多孔层包括具有几nm至100nm直径的纳米孔， 并形成在氧化物膜的外表面部分上。因此，多孔层具有相对低的电绝缘性能。阻隔层形成在多孔层与在多孔层下的Al金属之间，并且阻隔层具有无孔的 致密结构，从而有助于改善耐受电压。整个氧化物膜的耐受电压取决于阻隔 层的厚度，然而，在利用硫磺酸或草酸作为电解溶剂的传统阳极化处理中，阻隔层的最大厚度为大约0.1 jum。在本发明中，使用例如硼酸铵、磷酸铵、或酒石酸铵的中性电解溶剂， 因此，可形成厚的阻隔层。当在阳极化处理中应用700V的电压时，可形成 具有liam厚度的阻隔层。图14的电子显微照片显示了通过本发明的阳极 化处理获得的氧化物膜的竖直横截面。如图14所示，阻隔层的厚度增大， 并且，通过本发明的阳极化处理可形成最大厚度为ljam的阻隔层。根据本发明，作为电介质层的氧化物膜通过使其上形成有放电电极图样 的金属板氧化而形成在放电电极的表面上，因此，不需要另外的处理以形成 电介质层。具体地，提供具有新结构并适于批量生产的等离子体显示面板， 其中，电极延伸并同时围绕放电空间，因此，可克服传统的高效显示面板的 限制，并可使显示面板商业化。另外，电连接部分和隔离部分的厚度或宽度被设置为相互不同，因此， 可以进行相同的氧化处理，而不需要用于进行选择性氧化处理的另外的图样 处理，以形成导电部分和隔离部分。因此，制造过程可最小化。具体地，根据本发明，圆形弯曲部分形成在放电电极的接触放电空间的 拐角上，以防止氧化物膜的生长基底变弱，并在放电电极的包括拐角的整个 表面上均匀形成氧化物膜。因此，可预先防止由于氧化物膜中的裂缝或具有 稀疏结构的氧化物膜所致的放电稳定性和耐久性的降低。虽然本发明参照其示例性实施例进行了详细的显示和描述，然而本领域 普通技术人员应理解的是，在不脱离由所附权利要求所限定的本发明的精神 和范围的情况下，可在形式上和细节上进行各种修改。
权利要求
1、一种等离子体显示面板，包括相互面对的前基板和后基板；和在所述前基板与所述后基板之间相互面对的两个或更多个电极板，所述两个或更多个电极板通过包括在每个板中的相应的开口图样一起形成放电空间，其中，所述两个或更多个电极板中的每一个包括多个放电电极，其延伸并围绕每个所述放电空间的至少一部分，且具有接触所述放电空间或邻近所述放电空间的圆形拐角；和隔离元件，其在所述放电电极之间整体形成，用于支撑所述放电电极和将所述放电电极相互隔离，并由金属氧化物材料形成。
2、 根据权利要求1的等离子体显示面板，其中，所述放电电极中的每 一个从邻近的》丈电电4及分离以;f皮独立驱动。
3、 根据权利要求1的等离子体显示面板，其中，所述圆形拐角包括所 述放电电极的邻近所述放电空间的上、下拐角。
4、 根据权利要求1的等离子体显示面板，其中，氧化物层形成在每个 所述^L电电极的表面上。
5、 根据权利要求1的等离子体显示面板，其中，所述放电电极包括铝， 并且，所述隔离元件由具有绝缘性能的氧化铝形成。
6、 根据权利要求1-5中任一权利要求的等离子体显示面板，其中所述 电极板包括第 一 电极板和第二电极板。
7、 根据权利要求6的等离子体显示面板，其中，所述放电电极包括放 电部分和导电部分。
8、 根据权利要求6的等离子体显示面板，其中，所述第一电极板的第 一放电电极和所述第二电极板的第二放电电极沿相互交叉的方向延伸。
9、 根据权利要求6的等离子体显示面板，其中，所述第一和第二放电电极相互平行延伸，所述等离子体显示面板进一步包括沿与所述^L电电极交叉的方向延伸并且设置在所述前基板或所述后基板上的寻址电极。
10、 根据权利要求6的等离子体显示面板，其中，所述隔离层薄于所述 放电电极，并与所述放电电极形成竖直台阶。
11、 根据权利要求6的等离子体显示面板，其中，所述隔离层的表面与 相邻的放电电极形成竖直台阶，所述隔离层的另一表面与所述放电电极形成 平坦状态。
12、 根据权利要求6的等离子体显示面板，其中，所述隔离层的上、下 表面与相邻的放电电极形成竖直台阶。
13、 根据权利要求6的等离子体显示面板，其中，所述隔离层形成在所
14、 根据权利要求6的等离子体显示面板，其中，多个槽形成在所述前 基板和所述后基板中的至少 一 个上以对应于所述放电空间，焚光物应用在所 述槽中。
15、 根据权利要求6的等离子体显示面板，其中，所述放电空间被填充 以可通过放电激发的放电气体。
16、 一种等离子体显示面板，包括 相互面对的前基板和后基板；和在所述前基板与所述后基板之间相互面对的第一电极板和第二电极板， 所述第一电极板和所述第二电极板通过包括在每个板中的相应的开口图样 一起形成》丈电空间，其中，所述第一和第二电极板中的每一个包括放电电极，其包括放电部分，每个放电部分包括围绕所述放电空间的 放电表面和接触所述》文电表面的圓形拐角；和将所述》文电部分相互电连接的 导电部分；和至少一个桥，其整体形成在相邻放电电极之间，以支撑所述放电电极并 将所述方丈电电极相互隔离。
17、 根据权利要求16的等离子体显示面板，其中，所述圓形拐角包括 接触所述放电表面的上、下拐角。
18、 根据权利要求16的等离子体显示面板，其中，所述桥由金属氧化 物材料形成。
19、 根据权利要求16的等离子体显示面板，其中，所述桥的宽度窄于 所述导电部分的宽度。
20、 根据权利要求16的等离子体显示面板，其中，具有绝缘性能的氧 化物层沿每个所述放电电极的表面形成。
21、 根据权利要求16的等离子体显示面板，其中，所述第一电极板的 第一放电电极和所述第二电极板的第二放电电极沿互相交叉的方向延伸。
22、 根据权利要求16的等离子体显示面板，其中，至少一个所述桥沿 与所述放电电极延伸的方向交叉的方向在所述方文电电极之间延伸。
23、 根据权利要求16的等离子体显示面板，其中，至少一个所述桥在 相邻的放电电极的放电部分之间形成。
24、 根据权利要求16的等离子体显示面板，其中，多个槽形成在所述 前基板和所述后基板中的至少 一 个上以对应于所述放电空间，荧光物应用在 所述槽中。
25、 一种制造等离子体显示面板的方法，所述等离子体显示面板包括以 阵列方式设置的多个放电空间和延伸并围绕所述放电空间的多个放电电极， 所述方法包括制备原材料金属板；形成第一光刻胶(PR)掩模，其覆盖所述放电电极将形成在所述金属 板的一表面上的部分；形成第二PR掩模，其覆盖所述放电电极将形成在所述金属板的另一表 面上的部分；选择性地蚀刻所述金属板的通过所述第一 PR掩模被暴露的表面； 选择性地蚀刻所述金属板的通过所述第二 PR掩模被暴露的另 一表面；去除所述第一 PR掩模和所述第二 PR掩模；在中性电解溶剂中氧化所述金属板以在所述放电电极的表面上形成氧 化物层，用于在所述放电电极之间形成隔离部分。
26、 根据权利要求25的方法，其中，所述氧化过程使用的中性电解溶 剂包括从硼酸铵，磷酸铵，或酒石酸铵中所选出的至少一种。
27、 根据权利要求25的方法，其中，所述金属板为铝板。
28、 根据权利要求25的方法，其中，所述金属板的形成有所述放电空 间的部分通过两蚀刻处理^皮全蚀刻。
29、 根据权利要求25的方法，其中，所述金属板在所述放电电极之间 的告卩分/人两表面纟皮半刻。
全文摘要
本发明提供一种等离子体显示面板及其制造方法。等离子体显示面板包括相互分离的前基板和后基板；和在前基板与后基板之间相互面对的两个或更多个电极板，所述两个或更多个电极板通过包括在每个板中的相应的开口图样一起形成放电空间。每个电极板包括多个放电电极，其延伸并围绕放电电极的至少一部分，并在接触放电空间或邻近放电空间的拐角处具有圆形弯曲部分；和在放电电极之间整体形成的隔离元件，用于支撑放电电极并将放电电极相互隔离，并由用于形成放电电极的金属的氧化物材料形成。因此，等离子体显示面板具有高发光效率且适于批量生产的新结构，并改善等离子体显示面板的放电稳定性和耐久性。
文档编号H01J9/02GK101276721SQ200810084519
公开日2008年10月1日 申请日期2008年3月21日 优先权日2007年3月21日
发明者姜景斗, 崔钟佑, 曹台昇, 李源周, 田炳玟, 黄镛式 申请人:三星Sdi株式会社