专利名称：：陶瓷金卤灯电极的制作方法
技术领域：
：本实用新型属于电光源
技术领域：
，具体涉及一种陶瓷金卤灯电极，适用于20W"600W各种功率陶瓷金卤灯的制造。
背景技术：
：目前陶瓷金卤灯电极的制造中主要采用三种材料，分别为钨(或钍钨、钨合金)、钼(或钼合金)和铌。其中钩制电极作为放电电弧的始端或终端，具有高温下抗卤化物腐蚀和热电子发射稳定的特点；铌杆具有与陶瓷电弧管相近的膨胀系数，起气密封接的作用；而钼的熔点介于上两种金属之间，起连接作用。将绕有螺旋圈的钨杆或钍钨杆；绕有钼螺旋圈的钼杆和铌杆按顺序同轴连接。三种金属材料之间采用激光焊接的方法，完成的电极连接结构。焊接点有两处，既增加了制造成本，又易造成同轴度的偏差。
发明内容本实用新型针对以上陶瓷金卤灯电极存在的轴度的偏差及增加成本，本实用新型的目的在于提供一种工艺简单和同轴性优异的陶瓷金卤灯电极。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是提供的陶瓷金卤灯电极，结构如图1和图2所示，由钨杆或钍钨杆2和铌杆4组成，其钨杆或钍钨杆2的头部绕有鸨丝螺旋圈或钍钨丝螺旋圈1，钨杆或钍钨杆2伸出螺旋圈1的长度在0.1-3.Omm;钩杆或钍钩杆2的另一端与铌杆4连接，钨杆或钍钨杆2的中间部位绕有钼丝螺旋圈3。本实用新型中，缠绕于所述鹆杆或钍钨杆中部的钼丝螺旋圈外径和陶瓷尾管内径之间的间距为0.01-0.lOmra。本实用新型中，钨杆或钍钨杆2的直径在0.2-1.5mm范围内，用作电子发射材料；铌杆4的直径在0.4-2.0mm范围内，用作与陶瓷尾管的真空封接；钼丝3的直径在0.1-1.Oram范围内，用作防止电弧管内的金属卤化物对铌杆和焊料的腐蚀；钨丝或钍钨丝1的直径在0.1-0.8mra范围内，用作保证电极头部的最佳热电极发射温度。本实用新型中，分别将绕有钨螺旋或钼螺旋的钨杆或钍钨杆及铌杆放入专用夹具，并用成像方法在屏幕上调节同轴度，然后采用激光点焊的方式完成电极的连接。本实用新型的有益效果是本两件体陶瓷金卤灯电极的特点是工艺简单、同轴性优异、成本降低。以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。图1是本实用新型陶瓷金卤灯电极的正视图。图2是本实用新型陶瓷金卤灯电极的轴向剖视图。图中标号l为电极头部钨丝螺旋圈或钍钨丝螺旋圈，2为钨杆或钍钨杆，3为钼丝螺旋圈，4为铌杆。具体实施例根据不同功率陶瓷金卤灯电弧管的几何参数，设计制造了相应的电极结构。具体参数如下表所示<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为对本实用新型的限定。本实用新型提供的陶瓷金卤灯电极，结构如图1和图2所示，由钨杆或钍钨杆2和铌杆4组成，其钨杆或钍钨杆2的头部绕有钨丝螺旋圈或钍钨丝螺旋圈1，鸨杆或钍钩杆2伸出螺旋圈1的长度在0.1-3.Oram;钨杆或钍钨杆2的另一端与铌杆4连接，钨杆或钍鸽杆2的中间部位绕有钼丝螺旋圈3。本实用新型中，缠绕于所述钨杆或钍钨杆中部的钼丝螺旋圈外径和陶瓷尾管内径之间的间距为0.01-0.lOran。本实用新型中，钨杆或钍钨杆2的直径在0.2-1.5mm范围内，用作电子发射材料；铌杆4的直径在0.4-2.0ran范围内，用作与陶瓷尾管的真空封接；钼丝3的直径在0.1-1.Omm范围内，用作防止电弧管内的金属卤化物对铌杆和焊料的腐蚀；钩丝或钍钨丝1的直径在0.1-0.8mra范围内，用作保证电极头部的最佳热电极发射温度。权利要求1、一种陶瓷金卤灯放电灯电极，其特征在于由钨杆或钍钨杆(2)和铌杆(4)组成，其钨杆或钍钨杆(2)的头部绕有钨丝或钍钨丝螺旋圈或钍钨丝螺旋圈(1)，钨杆或钍钨杆伸出螺旋圈的长度为0.0mm-3.0mm之间；钨杆或钍钨杆(2)的中间部位绕有钼丝螺旋圈(3)。2、根据权利要求1所述的陶瓷金卤灯电极，其特征在于电极主体由钨杆或钍钨杆(2)和铌杆(4)两部分直接用激光点焊的方式完成连接。3、根据权利要求1所述的陶瓷金卤灯电极，其特征在于缠绕于所述钨杆或钍钨杆(2)中部的钼丝螺旋圈外径与陶瓷金卤灯尾管内径之间的间距为0.01-0.10ram。专利摘要一种陶瓷金卤灯电极，由铌杆和钨杆或钍钨杆两部分组成。靠近钨杆或钍钨杆头部缠绕有钨丝螺旋或钍钨丝螺旋作为电极头；钨杆中部缠绕有钼丝螺旋，钼丝螺旋外部直径与陶瓷金卤灯两端尾管内径的间距在0.01-0.10mm范围内。钨杆或钍钨杆的另一端与铌杆之间采用激光点焊的方式连接。文档编号H01J61/04GK201274279SQ200820036519公开日2009年7月15日申请日期2008年6月11日优先权日2008年6月11日发明者成董申请人:南通华南照明电器有限公司