专利名称：微小化芯片承载座的制作方法
技术领域：
微小化芯片承载座
技术领域：
本创作系关于一种承载座，尤指利用于发光二极管之微小化承载座。背景技术：
近年来，发光二极管已渐渐取代传统光源，由于发光二极管的发光效率高、使 用寿命长、环保安全且节省电力，以及应用范围极广，例如车灯、电子告示牌、手 机背光等，使得发光二极管产业快速发展。
发光二极管需要焊接于导线架上，经由导线架通电使发光二极管发光，导线架 包含提供导电之导电片、辅助散热之导热片以及绝缘体，发光二极管之接脚分别焊 接于两不同导电片上，导热片贴近发光二极管以达到散热之效果，再利用绝缘体包 覆并固定导电片及散热片，使得导电片之间不会接触以免导通。
习知利用绝缘体包覆导电片及散热片，是先将导电片以及导热片放置于一中空 模具中间，再注入熔融状的绝缘体，熔融状绝缘体依中空模具形状成型，并逐渐包
覆导电片以及散热片，待熔融状绝缘体冷即可定型。
为防止导电片与绝缘体分离，通常会在导电片适当位置穿一小孔洞，使得熔融 状绝缘体包覆导电片的时候，穿过该小孔洞，形成一类似于钉子的作用，将导电片 固定于绝缘体中。
然而，虽然利用孔洞能够将导电片固定于绝缘体中，但孔洞却占据导电片的面 积，甚至孔洞的大小超出发光二极管接脚焊接所需要的面积，使得导线架无法更小 更精致化，进一步限制了发光二极管的应用。
因此，本创作的主要目的在于提供一种微小化之芯片承载座结构，以改善上述 问题。
发明内容
综观以上所述，在习知中之发光二极管之承载座，其原有之结构限制了承载座 之体积，本创作之目的在提供一种微小化芯片承载座之结构，能够有效地缩小承载 座之尺寸。本创作系关于一种利用于发光二极管之微小化芯片承载座。
为了达成上述之目的，本创作系提供一种微小化之芯片承载座结构，芯片承载 座结构系包含至少一导电片、 一导热片以及一绝缘基座。
导电片包含一基底导电片以及一承载导电片，基底导电片具有一第一高度，承 载导电片系自该基底导电片延伸出，且具有一第二高度，第一高度系小于该第二高 度，承载导电片之形状不等于该基底导电片之形状，基底导电片与承载导电片之间 具有一高度差。导电片一端与发光二极管接触，令一端与电源接触，进而供电予发 光二极管。
导热片系辅助发光二极管散热，导热片同样也具有一基底导热片以及一承载导 热片，基底散热片具有一第三高度，承载导热片是由基底导热片向上延伸而出，承 载导热片之高度为一第四高度。
绝缘基座，系包覆部份之基底导电片以及包覆部份之承载导电片，并包覆部份 之基底导热片以及包覆部份之承载导热片。
利用第一高度与第二高度之高度差，能够将导电片在绝缘体中上下定位，同样 地，利用第三高度与第四高度之间的高度差，将导热片在绝缘体中上下定位。
因此，藉由本创作之微小化芯片承载座结构，能够改良习知承载座打孔的方式， 省下导电片上打孔的面积，.有效地縮小承载座的体积，且利用高度差的方式，只需 要在制作导电片时压縮出不同的高度即可，并不会花费其它制作成本，节省又有效 率。
关于本创作之优点与精神可以藉由以下的创作详述及所附图式得到进一歩的 了解。
图1为本创作之示意图2为本创作将绝缘基座移除之立体图3为本创作之剖面示意图4为移除绝缘基座之上视图；以及
4图5为绝缘基座之上视图
主要组件符号说明
微小化芯片承载座1
基底导热片21
导电片3、 3a 承载导电片32 缝隙C 坡度P 第二高度H2 第四高度H4 第二宽度W2 第四宽度W4
导热片2 承载导热片22 基底导电片31 绝缘基座4 凸出面积A 第一高度HI 第三高度H3 第一宽度Wl 第三宽度W3 相对侧缘Sl、 Sl'、 S2、 S2'
具体实施方式
由于本创作所提供之微小化芯片承载座结构，可广泛运用于制作各种导线架， 其组合实施方式更是不胜枚举，故在此不再一一赘述，仅列举其中一个较佳之实施 例来加以具体说明。
本创作之微小化芯片承载座结构，系适用于一发光二极管之导线架，发光二极 管焊接于本创作之承载座结构上并通电，发光二极管便能够发光加以应用。
请参阅图l，图l系本创作之示意图。
如图2所示，本创作微小化芯片承载座1包含一导热片2、复数个导电片3以 及绝缘基座4。绝缘基座4包覆部分的导热片2以及部分的导电片3，因此外观上， 仅露出部分的导热片2及部分的导电片3，为了详细说明其内部结构，请进一步参
阅图2。
5图2系为本创作将绝缘基座4移除之立体图。
如图2所示，导热片2之周围放置六片导电片3，导电片3之间并无接触，导 电片3与导热片2之间也未接触。
导电片3包含两个部份基底导电片31以及承载导电片32，基底导电片31系 为导电片3之底层，其高度为一第一高度H1，自基底导电片31向上延伸出-一承载 导电片32，承载导电片32的形状与基底导电片31不同，且承载导电片32之高度 为一第二高度H2，第一高度Hl小于第二高度H2，也就是说，基底导电片31比承 载导电片32薄。
由于承载导电片32的形状较小于基底导电片31，因此导电片3为一个具有高 度差类似于阶梯形状的薄片，承载导电片32在产生高度差的部份A以一坡度延伸 至基底导电片31。基底导电片31的形状可以依据不同的需求做变化，同样地，承 载导电片32延伸出的第二高度H2以及形状，也可以依据不同需求做变化。
请继续参阅图2，导热片2包含两部分基底导热片21以及承载导热片22。基 底导热片21系指导热片2底部的部份，其高度为第三高度H3。承载导热片22系由 基底导热片21部分向上延伸出，且高度为第四高度H4的部份，承载导热片22的 形状较小于基底导热片21，因此承载导热片22与基底导热片21之边缘产生一高度 差，如图二所示，导热片22之相对侧缘，具有一类似阶梯的高度差。
导电片3利用基底导电片31与承载导电片32之间的高度差，以及导热片2利 用基底导热片21与承载导热片22之间的高度差，可以在绝缘基座4中被上下定位。
请参阅图3，其系为微小化芯片承载座1之剖面示意图。如图三所示，绝缘基 座4包覆着部分的基底导电片31以及部分的承载导电片32，由于基底导电片31之 面积较大，其凸出的面积A会抵住绝缘基座4,使得导电片3不能够向上移动；承 载导电片32亦被绝缘基座4部份包覆，因此导电片3的另一端亦能够被上下定位，使得导电片3更加稳固地卡合在绝缘基座4内。
同理，导热片2亦利用承载导热片22与基底导热片21之高度差，稳固地卡合 在绝缘基座4内。
更进一步，导热片2以及导电片3之左右定位则是利用一宽度差，请参阅图四， 其系为移除绝缘基座4之上视图。
如图4所示，选取右上角的导电片3a进行说明，导电片3a之相对侧缘Sl与 Sl'，靠近导热片3a的部份凸出一相对侧缘S2与S2'，侧缘Sl到侧缘Sl'之距离为 第一宽度W1，侧缘S2到侧缘S2'之距离为第二宽度W2，第一宽度W1小于第二宽 度W2，因此，当与绝缘基座4结合时，凸出的相对侧缘S2与S2'会抵住绝缘基座4， 使得导电片3a无法向右移动，而绝缘基座4会填满导热片2与导电片3a之间的空 隙C，因此导电片3a亦会抵住绝缘基座4，而无法向左移动，完成了导电片3的左 右定位。
请参阅图5，同理，导热片2同样具有第三宽度W3与第四宽度W4，利用第三 宽度W3与第四宽度W4之宽度差，将导热片2左右定位。
请参阅图5，图五系为绝缘基座4之上视图。绝缘基座4与导热片2及导电片3 的成型说明如下，导热片2与导电片3仅一端各自与框架连结，将导热片2与导电 片3置于中空模具内，开始射入熔融状的绝缘体，绝缘体会随着模具的形状流动， 并渐渐包覆住导热片2以及导电片3,利用上述的高度差以及宽度差，能够确保导 热片2以及导电片3不会被熔融状的绝缘体移动，当熔融状的绝缘体包覆完成后， 待熔融状绝缘体冷却，即成为绝缘基座4。
融熔状绝缘体冷却后定型，因此导热片2与导电片3将会紧密卡合在绝缘基座 4内，由于绝缘基座4与导热片2及导电片3是利用机械结构卡合，若没有制造上 述的高度差或宽度差结构，则导热片2或导电片3能够容易地从绝缘基座4内取出。因此，藉由本创作之微小化芯片承载座1，不但能够将导热片2及导电片3紧 密地卡合在绝缘基座4内，且利用本创作，只需要改变一小部分导热片2以及导电 片3的结构，便能够省去了习知导电片3上打孔的面积，有效地縮小了承载座的尺 寸，并充分利用导电片3，节省了导电片原料及制作成本。
藉由以上实例详述，当可知悉本创作有效地使承载座变小，进而使得发光二极 管彼此之间的距离能够更靠近，因此可以将发光二极管做更精致化的利用，具有高 度的产业利用价值。
藉由以上较佳具体实施例之详述，系希望能更加清楚描述本创作之特征与精 神，而并非以上述所揭露的较佳具体实施例来对本创作之范畴加以限制。相反地， 其目的是希望能涵盖各种改变及具相等性的安排于本创作所欲申请之专利范围的 范畴内。
权利要求1.一种微小化之芯片承载座结构，包含一导热片、复数个导电片以及绝缘基座，其特征在于该承载座至少一导电片，系包含一基底导电片以及一承载导电片，该基底导电片具有一第一高度，该承载导电片系自该基底导电片延伸出，且具有一第二高度，该第一高度系小于该第二高度，该承载导电片之形状不等于该基底导电片之形状；以及绝缘基座，系包覆部份之基底导电片以及包覆部份之承载导电片。
2. 如权利要求1所述的微小化之芯片承载座结构，其特征是该芯片承载座更包含导 热片，该导热片系包含一基底导热片以及一承载导热片，该基底导热片具有一第三高度， 该承载导热片系自该基底导热片延伸而出且具有一第四高度。
3. 如权利要求2所述的微小化之芯片承载座结构，其特征是该绝缘基座系包覆部份之 基底导热片以及包覆部份之承载导热片。
4. 如权利耍求1所述的微小化之芯片承载座结构，其特征是该导电片之相对侧缘凸出， 该相对侧缘凸出之宽度为一第一宽度，该相对侧缘凹陷处之宽度为一第二宽度。
5. 如权利要求1所述的微小化之芯片承载座结构，其特征是该承载导电片之侧缘系以 一坡度延伸至该基底导电片之相对侧缘。
6. 如权利要求2所述的微小化之芯片承载座结构，其特征是该导热片之相对侧缘凸 出，该相对侧缘凸出之宽度为一第三宽度，该相对侧缘凹陷处之宽度为一第四宽度。
7. 如权利要求1所述的微小化之芯片承载座结构，其特征是该绝缘基座之材料系为一 塑料。 '
8. 如权利要求1所述的微小化之芯片承载座结构，其特征是该芯片承载座结构系为一 发光—极管导线架。
专利摘要一种微小化之芯片承载座结构，该芯片承载座结构系包含复数个导电片以及一绝缘基座；该导电片系包含一基底导电片以及一承载导电片，该基底导电片具有一第一高度，该承载导电片系自该基底导电片延伸出，且具有一第二高度，该第一高度系小于该第二高度，该承载导电片之形状不等于该基底导电片之形状，该基底导电片与该承载导电片之间具有一高度差；该绝缘基座系包覆部份之基底导电片以及包覆部份之承载导电片。
文档编号F21Y101/02GK201417792SQ20092013501
公开日2010年3月3日 申请日期2009年2月24日 优先权日2009年2月24日
发明者廖俊颖 申请人:连展科技(深圳)有限公司