专利名称：一种大功率led的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及LED技术领域，特别涉及一种大功率的LED。
背景技术：
LED(Light Emitting Diode,发光二极管)是一种半导体固体发光器 件，它利用固体半导体芯片作为发光材料，当两端加上正向电压，半导 体中的载流子发生复合引起光子发射而产生光。由于LED工作电压低、 耗能小、发光效率高等特点，被广泛用于照明、显示等技术领域。
现有的LED是通过塑胶材料进行封装，由于塑胶材料易成型、成本 低等方面的优势，因此成为现有的LED常用封装材料。但是由于塑胶材 料的导热性能比较差，对于较大功率的LED来说， 一方面LED产生的 热量使塑胶材料发生变形或劣化，从而影响LED稳定性；另一方面LED 的电极需要向塑胶外延伸较长的距离，才能在与控制LED电路焊接连接 时，不会因为焊接产生的高温损坏LED,因此该种LED的体积较大， 无法满足LED小型化的发展需要。
实用新型内容
本实用新型主要解决的技术问题是提供一种大功率LED，可以提高 LED的稳定性，同时减小体积。
为了解决上述问题，本实用新型提供一种大功率LED，所述大功率 LED包括LED芯片，所述LED芯片设在底座的上端面，所述LED芯 片上罩设有透光体，所述底座的侧面包覆有耐高温的陶瓷封装体，所述 封装体与底座之间设有两电极，所述两电极一端分别与所述LED芯片上
的正负电极连接，另一端从所述底座的下端面伸出。
优选地，所述封装体为高温共烧陶资基板HTCC或者低温共烧陶资基板LTCC，其材质包括三氧化二铝A1203、玻璃陶瓷或氮化铝A1N中 的一种或多种。
优选地，所述透光体为透镜，所述透镜材质为聚碳酸酯PC或者硅胶。
优选地，所述底座为热的良导体。
优选地，延伸至所述底座的下端面电极一端"i殳有导电片，所述导电 片与所述电极电连接，与所述底座绝缘。 优选地，所述两电才及相对i殳置。
本实用新型大功率LED，与现有技术相比，由于采用耐高温的陶瓷 封装体对LED进行封装， 一方面大功率LED工作产生大量热量时，LED 不会发生变形，因此可以提高LED的稳定性；另一方面与LED芯片连 接的两个电极一端分别延伸至所述底座的下端面，在所述LED与控制 LED工作电路进行焊接连接时，也不会因为焊接部位距离封装体近，出 现由焊接产生的高温损坏LED现象，因此可以减小LED体积。
同时由于底座设有凸台，在所述凸台端面中心位置设有用于配置所 述LED芯片的凹槽，可以使所述透光体与底座接触面积更大，从而使透 光体与结合更紧密。由于在凸台端面中心位置设有凹槽，因此可以确定 所述LED芯片固定位置。所述底座为热的良导体，可以更好将LED产 生的热量传导出去。由于封装体采用耐高温的陶瓷，因此可以起到抗紫 外线和抗氧化。
图1是本实用新型大功率LED—实施例结构示意图； 图2是本实用新型大功率LED另一实施例结构示意图； 图3是本实用新型大功率LED又一实施例结构示意图。 下面将结合具体实施例，参照附图进一步详细说明本实用新型目的 的实现、功能特点及优点。
具体实施方式
本实用新型大功率LED实施例，由于采用耐高温的陶资封装体对 LED进行封装， 一方面大功率LED工作产生大量热量时，LED不会发 生变形，因此可以提高LED的稳定性；另一方面与LED芯片连接的两 个电极一端分别延伸至所述底座的下端面，在所述LED与控制LED工 作电路进行焊接连接时，也不会因为焊接部位距离封装体近，出现由焊 接产生的高温损坏LED现象，因此可以减小大功率LED体积。
如图l所示，本实用新型大功率LED—实施例。
所述大功率LED包括LED芯片1,所述LED芯片1设在所述底座 2的上端面，所述LED芯片1上罩设有透光体5，所述底座2的侧面包 覆有耐高温的陶瓷封装体4，所述封装体4与底座2之间设有两个电极 3,所述电极3—端分别与所述LED芯片l上的正负电极连接，另一端 延伸至所述底座2的下端面，用于与控制所述LED工作的电路进行焊接 连接。由于采用耐高温的陶瓷封装体4对LED进行封装，由于采用耐高 温的陶瓷封装体4对LED进行封装， 一方面大功率LED工作产生大量 热量时，LED不会发生变形，因此可以提高LED的稳定性；另一方面 与LED芯片1连4妄的两个电极3 —端分别延伸至所述底座2的下端面， 在所述LED与控制LED工作电路进行焊接连接时，也不会因为焊接部 位距离封装体4较近而出现由焊接产生的高温损坏LED现象，因此可以 减小LED体积。
在本实施例中，所述封装体4优选地为陶瓷，比如高温共烧陶覺基 板HTCC或者低温共烧陶乾基板LTCC，其材质包括三氧化二铝A1203、 玻璃陶瓷或氮化铝A1N中的一种或多种，但也可以是其他耐高温材料。 所述底座2为铝，或者其他热的良导体，可将所述LED芯片1产生的热 量迅速传导出去，从而降低大功率LED工作温度。所述透镜材质为聚碳 酸酯PC或者硅胶。
所述底座2的上端面可以设有与用于容置所述LED芯片1的凹槽 21;优选地，所述凹槽21设置在上端面中心位置，所述凹槽21的深度低于所述LED芯片1的厚度，在将所述LED芯片1固定在所述凹槽21 中时，由于凹槽21的位置固定，因此在固定时可以方^f更定位，同时所 述凹槽21的深度低于所述LED芯片1的厚度，从而不影响所述LED芯 片1出光角度。
所述两电极3分别与所述底座2之间电绝缘。所述透光体5可以是 透镜，通过所述透镜可以对LED芯片l进行保护，同以可以根据需要对 LED芯片l发的光进行汇聚或扩散，当所述透光体5为透镜时，可以在 所述透镜与LED芯片1、底座2之间填充可透光的封装胶，如硅胶或其 他透光材料。
优选地，所述两电极3 —端从所述底座2的下端面伸出的长度为所 述封装体4的外边缘到电极3之间距离相等。方便焊接固定所述大功率 LED,同时不增大LED体积。
如图2所示，本实用新型大功率LED在上述施例的基础上还提出另 一实施例。
所述大功率LED包括LED芯片1，所述LED芯片1 i殳在所述底座 2的上端面，所述LED芯片1上罩设有透光体5,所述底座2的侧面包 覆有耐高温的陶瓷封装体4,所述封装体4与底座2之间设有两个电极 3,所述电极3—端分别与所述LED芯片1上的正负电极连接，另一端 延伸至所述底座2的下端面。所述底座2i殳有一凸台22,所述凸台22 的端面中心位置设有所述凹槽21。由于所述透光体5与所述封装体4、 LED芯处1、和底座2之间接触面积更大，从而使所述透光体5与底座 2结合更牢固。其他结构及连接关系不变，不再赘述。
由于采用耐高温的陶瓷封装体4对LED进^f亍封装， 一方面大功率 LED工作产生大量热量时，LED不会发生变形，因此可以提高LED的 稳定性；另一方面与LED芯片1连接的两个电极3 —端分别延伸至所述 底座2的下端面，在所述LED与控制LED工作电路进行焊接连接时， 也不会因为焊接部位距离封装体4较近而出现由焊接产生的高温损坏 LED现象，因此可以减小LED体积。如图3所示，本实用新型上述实施例的基础上还提出又一实施例。 在所述电极3延伸至所述底座2的下端面设有导电片6,所述导电 片6与所述电极3电连接，并与所述封装体4固定。所述导电片6的面 积是所述电极3的截面几倍，由于所述导电片6的面积大于所述电极3 的截面积，因此可以方便所述大功率LED与控制电路连接。其他结构及 其配置关系与上述实施例相同，不再赘述。
以上所述^f又为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型 的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或 等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括 在本实用新型的专利保护范围内。
权利要求1.一种大功率LED，其特征在于所述大功率LED包括LED芯片，所述LED芯片设在底座的上端面，所述LED芯片上罩设有透光体，所述底座的侧面包覆有耐高温的陶瓷封装体，所述封装体与底座之间设有两电极，两所述电极一端分别与所述LED芯片上的正负电极连接，另一端延伸至所述底座的下端面。
2. 根据权利要求1所述的大功率LED,其特征在于所述封装体为 高温共烧陶资基板HTCC或者低温共烧陶瓷基板LTCC，其材质包括三 氧化二铝A1203 、玻璃陶资或氮化铝A1N中的 一种或多种。
3. 根据权利要求1或2所述的大功率LED,其特征在于所述底座 为热的良导体。
4. 根据权利要求3所述的大功率LED,其特征在于延伸至所述底 座的下端面电才及一端设有导电片，所述导电片与所述电极电连接，与所 述底座绝缘。
5. 根据权利要求4所述的大功率LED,其特征在于所述两电极相 对设置。
6. 根据权利要求7所述的大功率LED,其特征在于所述透光体为 透镜，所述透镜材质为聚碳酸酯PC或者硅胶。
专利摘要本实用新型公开一种大功率LED，该大功率LED包括LED芯片，所述LED芯片设在底座的上端面，所述LED芯片上罩设有透光体，所述底座的侧面包覆有耐高温的陶瓷封装体，所述封装体与底座之间设有两电极，两所述电极一端分别与所述LED芯片上的正负电极连接，另一端延伸至所述底座的下端面。由于所述耐高温的陶瓷封装体可以是陶瓷材料，因此可以耐高温，一方面大功率LED工作产生大量热量时，LED不会发生变形，因此可以提高LED的稳定性；另一方面与LED芯片连接的两电极一端分别延伸至所述底座的下端面，在所述LED与控制LED工作电路进行焊接连接时，也不会因为焊接部位距离封装体近，出现由焊接产生的高温损坏LED现象，因此可以减小大功率LED体积。
文档编号F21V19/00GK201382377SQ20092013527
公开日2010年1月13日 申请日期2009年2月27日 优先权日2009年2月27日
发明者非 王 申请人:深圳市瑞丰光电子有限公司