一种负载的微波处理设备的制作方法【专利摘要】本发明涉及一种负载微波处理设备，包括至少一个应用装置（30）;至少一个固态类型的在微波范围内的发生器（4），该发生器通过用于引导电磁波的装置（5）连接到至少一个应用装置（30）;至少一个频率调整系统（40），该频率调整系统设计用于调整所述对应的发生器（4）产生的电磁波的频率;所述或每个应用装置（30）的测量系统（31），该测量系统设计用于测量由该应用装置（30）发射的反射功率PR（i）;自动控制装置（6），该自动控制装置连接至所述或每个频率调整系统（40）和每个测量系统（31），从而根据该发射的功率控制对电磁波频率f（i）的调整,进而调整反射功率PR（i）和/或调整发射功率PT（i）。【专利说明】一种负载的微波处理设备【
技术领域：
】[0001]本发明涉及一种负载的微波处理设备以及相关的微波处理方法。[0002]本发明的内容属于微波处理领域，其包括处理吸收应用在负载上的微波范围内的电磁波的微波的负载；此负载可以由液态，固态或气态产物组成，其具有的介电特性允许它吸收全部或部分的波，例如某种水悬浮液，某种农产食品或化学产品，某种等离子体形式的气体等，该负载可以容纳在处理室中。[0003]第一种应用涉及到在处理室中通过微波辐射激发产生用于多种应用的等离子体的微波处理设备，例如且非限制性的是，表面处理应用，如蚀刻或材料层的沉积，特别是金刚石，化学制品或热化学处理，喷涂，去污，消毒，清洁，渗氮，离子注入，杀菌等。[0004]第二种应用涉及到加热负载来吸收微波辐射的微波处理设备，尤其是在化工，医疗以及农业食品领域。[0005]本发明更具体地涉及到负载的微波处理的设备，包括:[0006]-至少一个应用在微波范围内的电磁波的应用装置；[0007]-至少一个在微波范围内的电磁波发生器，其使用弓丨导装置连接到至少一个应用电磁波的应用装置。[0008]本发明的第一种应用能够监测反射到所述或每个应用装置上的功率，从而通过取消或者最小化反射到一个或每个应用装置上的功率来更好地确保匹配到一个或每个应用装置上阻抗。[0009]本发明的第二种应用是允许监测所述或每个应用装置的发射功率，从而在各种应用装置间更好地平均分配发送功率，以便在一个给定的处理区域里得到大致均匀的功率密度，例如，与处理室的墙壁有一定距离的区域。在微波处理设备通过产生等离子体来运行的情况下，值得关注的事是获得具有大致均匀功率密度的大致均匀的等离子体。[0010]在使用产生电子回旋共振(ECR)等离子体的微波处理设备的情况下，本发明的第三种应用是，尤其是在等离子体的情况下，能够监测所述或每个相关应用装置附近的共振表面，并因此监视该应用装置附近等离子体的创建表面。【
背景技术：
】[0011]图1和图2示出了传统的产生等离子体的微波处理设备，特别是从文献TOO1/207IOAl所已知的，它包括:[0012]-具有处理室90(或等离子体室)的反应器99，在该反应器99的体积中产生等离子体；[0013]-若干基本的等离子源91，每一等离子源都容纳在处理室90内部的应用装置92中，用于应用在微波范围内的电磁波；并且[0014]-在微波范围内的电磁波发生器93，其通过用于引导电磁波的引导装置94连接到应用装置92。[0015]在操作过程中，传统的磁控管类型的发生器93产生在微波范围内的固定频率的电磁波。例如，磁控管93使得能够提供一种固定频率为2.45GHz的从O到2kW的可变的微波功率。[0016]由磁控管93输出的电磁波发送到功率分配器95，其由k个数目的应用装置92分配微波功率，一般是2、4、8、10、12个等。在图2的例子中，应用装置92的数量k等于12。[0017]功率分配器95—般是由矩形波导构成，其中安装有k个天线，每一天线提取由磁控管93分配的总输出功率的Ι/k。在此结构的功率分配器95中，天线定位在导向中，其中在电磁场的波腹中创建了驻波。因为每个基本等离子体源91的行为就像一个匹配的阻抗，该技术是有效的。换言之，在每一应用装置92上反射的功率基本上为零，从而每一个基本源91通过对应的天线无损失地发送所有提取的功率。[0018]由每个天线的提取功率继续通过配备有位于功率分配器95的输出端的合适的水负载的环行器96、由通常是同轴电缆类型的独立的导向装置94发送至应用装置92中的一个。该环行器96使得由每一天线提取的功率从功率分配器输送至应用装置92，但它可以通过将该反射的功率重定向到负载上来防止其从应用装置92传输到天线中，在这种情况下为水体负载。[0019]同轴电缆94通过位于相应的应用器92之前的阻抗匹配装置97或者调谐器将功率传递到通常被称为应用器的应用装置92。在处理室90中限制等离子体和每个基本等离子体源91之间的阻抗调整是通过手动操纵每一相关线路的阻抗匹配装置97来完成的，从而使得能够最小化反射在每一应用器92上的反射功率。[0020]图3示出了等离子产生设备的反应器99a的第一示例，其使用同轴应用器类型的应用装置92和每一同轴应用器92的阻抗匹配装置97。该同轴应用器92从位于反应器99a的圆柱形壁的处理室90伸出。第一反应器99a是沉积/低压蚀刻反应器，其中每一基本的等离子体源91还包括用于创建磁场的磁结构98，该磁场耦合至具有给定频率的电磁波，使得能够产生电子回旋共振(ECR)等离子体。[0021]在这种情况下，基本的等离子体源91被称为具有ECR耦合或者偶极源的基本源。该磁结构传统上是以永磁体98的形式制成的，例如由位于同轴应用器92的端部上的圆柱形磁铁(磁偶极子)形成。[0022]这种类型的实施激发电子回旋共振等离子体(通常被称为ECR)技术的反应器99a特别适合于应用在物理气相沉积(PVD)或等离子体蚀刻中，其通过使用可极化的基底保持器PS和可极化的目标保持器PC，其定位在反应器99a的处理室90的两个另外的相对且平行的壁上。这种反应器99a还适用于等离子体辅助的化学汽相沉积(PACVD)、结合PVD和PACVD的混合方法以及反应性溅射。这种类型的反应器99a通常在较于一帕斯卡(Pa)的压力下运行，但可以根据应用达到几千帕。[0023]图4示出了等离子产生设备的反应器99a的第二示例，其使用同轴应用器类型的应用装置92和每一同轴应用器92的阻抗匹配装置97。该同轴应用器92从位于反应器99b的处理室90的同一壁上伸出。在该第二反应器99b中，每一基本的等离子体源91不包括任何磁结构。[0024]这种类型的反应器99b特别适合于应用于沉积/中压蚀刻中，例如通过使用可极化的基底保持器PS进行的PACVD(等离子体辅助化学气相沉积)或等离子体蚀刻，该基底保持器PS定位在位于同轴应用器92对面的反应器99a的处理室90的壁上。应用该种反应器99b，化学沉积法在中间压力范围内(100帕斯卡(Pa)的附近)运行得很好，因此使得能够获得高沉积速率，但是能够根据应用在从几个帕斯卡至几万帕斯卡下更准确地运行。[0025]然而，这些用于产生微波激发等离子体的传统的设备存在着许多缺点，其在应用至反应器类型的化学处理室以及农产品加热腔类型的处理室的微波处理设备中也经常遇到。[0026]关于阻抗匹配装置97所固有的限制的第一个缺陷是在每一应用装置上匹配独立性，这种阻抗匹配装置进一步用于应用在化学、医药(例如，通过微波辐射治疗的身体的一部分，如肿瘤)或农产品(如通过微波辐射加热或杀菌)的微波处理设备中。[0027]众所周知，阻抗匹配是一种能够优化功率或者电磁能量传输的技术，在例子中是微波功率或能量，在该例中为在发射器(在这种情况下为电磁波发生器)和称为负载的电接收机(即限于处理室中的等离子体)之间的传输。[0028]因此，如上所述，在微波处理设备中，通常使用一个或多个位于应用装置和电磁波发生器之间的阻抗匹配装置，用于优化性能。当由等离子体反射的功率为零或者尽可能低时，阻抗匹配被认为是最优的。[0029]然而，任何负载，如等离子气体、化学或气体反应性混合物，固体产物等具有随着时间的推移而变化的阻抗，其根据所实施的操作条件，例如在处理室中的压力，在处理室中的温度，引入到处理室中以创建等离子体的气体的性质、这些气体的比例，发射到负载的功率，发射到负载的电磁能量的性质，不同的气体的种类等，以及根据处理室的特点，例如处理室壁使用的材料，其壁的大小、形状、表面状态等。[0030]因此，安装的应用装置越多，该阻抗匹配就越复杂和有限制性，特别是如果每个应用装置都有各自的手动阻抗匹配装置，并且每一应用装置和可选地每一操作条件必须进行匹配。阻抗匹配装置可能有许多形式，并能够集成到该应用器。[0031]参照图2至图4，具有电介质的同轴阻抗匹配装置97—般包括两个同轴芯的同心环970，所述同心环970能够沿同轴电缆94的轴线移动，以改变在阻抗匹配装置97的输入端的阻抗。该同心环970造成电解质的不连续性，当他们移动时该同心环970使得能够调整反射系数。因此，通过在匹配装置的输入端移动同心环970，能够创建与由相关联的应用器反射的波相位相反且具有相同振幅的反射波，由此产生的反射功率为零，并且该系统相匹配。[0032]在微波处理方法中，操作条件经常在方法过程中改变，用户一般执行平均的调整并设置阻抗匹配装置。通过这种方式，对于在本方法中使用的多种操作条件，这种阻抗匹配是可接受的，然而对于每一操作条件来讲，其不是最优的，除非当每次需要改变操作条件的时候，用户手动重新进行匹配。[0033]还已知在产生等离子体的领域中使用自动的阻抗匹配装置，该自动的阻抗匹配装置集成了控制机械元件运动的电子控制装置。然而，这些自动阻抗匹配器由于电子控制装置是特别复杂和昂贵的，并且反应迟钝，因为他们需要在多个位置之间控制机械元件。[0034]第二个缺陷涉及难以控制或调节每一应用装置的发射功率，或者甚至在不同的应用装置之间平均地分配发射功率；很好的分布例如有利于农产品或化学合成物或混合物的均匀加热，特别有利于在化学反应器中的目标产物的反应，或在距处理室的壁特定的距离处产生就处理室的体积或表面而言均匀的等离子体。[0035]事实上，在功率分配器中产生的这种困难尤其不能完全令人满意。在磁控管发生器的情况下，最大的问题在于功率分配。事实上，功率分配器设计用于在多个天线之间均等地分配2.45GHz的微波功率。然而，由磁控管发生器提供的波的频率随功率变化，因此该分配器仅对于有限的功率范围是均等的，此外一个发生器到下一个发生器将是不同的。[0036]这种困难还来自于应用装置,一个应用装置到另一个应用装置的反射功率可能不同。通过使用由同一发生器供应的应用装置，在某些情况下能够看到一个应用装置的阻抗对另一应用装置的影响，在不同应用装置的功率供应线缺乏充分分隔的情况下。因此，可观察到由应用装置输送的功率之间的失衡，这有损于处理室中的等离子体或者加热的均匀性。[0037]应当指出，由不同应用装置传输到负载中的功率的均匀(equitable)的分布有利于在处理室中、至少距该应用装置达特定距离时，产生均匀的等离子体或者均匀的加热，但其并不单独地能够保证获得这种均匀性，因为均匀性取决于加热或等离子体在处理室中的分布，这主要地直接或间接地取决于操作条件(压力、发射功率、负载特性、预处理的产品或混合物等)以及处理室的尺寸和形状。[0038]在第一示例的设备中，如图1和图4所示，应用装置基于给定的网，例如方形或六边形，分布在同一平面上，称为源平面。通过在这些应用装置之间均等地分配所发射的功率，在每一应用器的端部可获得局部的等离子体。同时通过扩散，就在距该源平面一定距离处获得了等离子体的密度而言实质上均匀的等离子体。然而，从该源平面进一步移动，可观察到等离子体密度的变化。在这种情况下，等离子体的表面均匀性是指对应于平行于源平面的平面中的等离子体的均匀性。[0039]在第二示例的设备中，如图3中所示，该应用装置以冠状分布在圆柱形反应器的圆柱壁上。通过在这些应用装置之间均等地分配传输的功率，可在距圆柱形壁一定距离处获得离子体的密度大致均匀的等离子体。因此，可在大体积的处理室中获得均匀性，可以说是等离子体的体积的均匀性，因为这种类型的设备通常在很低的压力下运行，低的压力利于这些物质(espSces)的分布。[0040]第三缺陷涉及到在设备的具体案例中，使用电子回旋共振等离子体激发技术难以监测共振面。[0041]在存在均匀的磁场B的情况下，电子的轨迹围绕磁力线的螺旋卷绕。电子具有角速度ω，满足下列等式:[0042]ω=231.f=e.B/m,[0043]其中，m和e分别对应为质量和电子电荷。[0044]当交变脉冲均匀电场ωρ叠加在磁场B时，除了自身螺旋运动，电子在频率fP=ωρ/2η时受力。[0045]通过ECR技术，静态或准静态磁场中的电子的回转频率等于所施加的加速电场的频率时获得的共振。换言之，ω=ωρ时满足了电子回旋共振条件，增加了垂直于磁场B的电子速度的分量，使电子具有螺旋轨迹(该轨迹垂直于场线B，为螺旋型)。因此，大量的能量发射至电子，使得碰撞期间能够很容易地电离气体的中性粒子。这种类型等离子体工作在压力大约为10_3mbar(0.1Pa)范围内，其对应于足够低的压力，该压力允许电子在两个碰撞间获得足够的能量，但又不是太低，能够电离碰撞以维持等离子体。[0046]因此，受激发物质的产生区域依赖于磁场B以及发射波的频率f。然而，目前难以监测产生区域的位置，换言之，难以监测共振面，已知这种监测在修改等离子体的密度时可能具有多种优势，并且因此能优化安装性能。[0047]本领域的技术状态也可以通过专利申请EP1643641A2的教导说明，其公开了一种产生等离子体的微波处理设备，其使用固态发生器激发等离子体，在微波传输线路上使用放大器。该专利申请描述了通过仅控制一个传统“匹配单元”匹配设备来自动执行阻抗匹配的可能性，该专利还描述了上述所有缺陷。【
发明内容】[0048]本发明的目的为，通过提出微波处理设备全部或部分解决这些缺点，该微波处理设备使人们能够监测反射到所述或每个应用装置上的功率，以便于执行阻抗匹配，监测由所述或每个应用装置发射出的功率，从而特别地在不同的应用装置间均匀地分配发射出的功率，以可选择地在处理室中距离墙给定距离处获得体积或面积基本一致的等离子体，以及在使用电子回旋共振等离子体激励技术设备的特定例子中监测共振面。[0049]为此，本发明提出一种负载微波处理设备，其包括:[0050]-至少一个应用在微波范围内的电磁波的应用装置；[0051]-至少一个固态类型的在微波范围内的电磁波发生器，通过用于引导电磁波的装置连接到至少一个应用装置；[0052]-所述或每个发生器的频率调整系统，该频率调整系统设计用于调整所述对应的发生器产生的电磁波的频率f⑴；[0053]-所述或每个应用装置的测量系统，该测量系统设计用于测量所述对应的应用装置的反射功率Pk⑴；以及[0054]-自动控制装置，该自动控制装置连接至所述或每个频率调整系统，并且设计用于控制通过所述或每个频率调整系统对电磁波频率f⑴的调整，另一方面，该装置连接至所述或每个测量系统(31)，用来:[0055]el)作为输入并且实时接收来自所述或每个测量系统的反射功率测量值PK(i);并且[0056]e2)控制所述或每个频率调整系统以改变所述或每个发生器产生的电磁波频率f⑴，直至符合以下至少一个条件:[0057]a)由所述或每个测量系统测得的所述反射功率Pk⑴基本上达到第一参考值VK(i);或者[0058]b)所述或每个应用装置的发射功率Ρτω基本上达到第二参考值VT(i)，所述发射功率Ρτω对应于发射至所述对应的应用装置(30)的入射功率PIN(i)与在同一应用装置测得的所述反射功率Pk(O的差值，或下面的关系式:Pt(I)-Pin(I)-Pr⑴。[0059]通过实施对所述或每个固态发生器所产生的电磁波的频率的调整，其间当然保持在微波范围内，本发明能够简单而有效地解决现有技术中存在的各种问题。事实上，频率直接影响反射功率，因而影响阻抗匹配、发射功率、并且因此影响等离子体的均匀性、以及在实施电子气旋共振的等离子体激发技术设备的情况下影响谐振表面。[0060]本发明包括使用一个或多个固态发生器和一个或多个频率调整系统(在这种情况下为一台发生器)，从而能够改变由相应的固态发生器产生的电磁波的频率。[0061]固态发生器，也称为电磁波晶体管发生器，实际上是非常适合于自动改变每一应用装置的频率(例如，利用计算机上的计算机控制的监测程序或使用机械手)。[0062]关于功率的定义,我们有:PT⑴对应于由应用装置(i)向负载发射的功率，Pk⑴对应于由应用装置(i)反射的功率，Pin⑴对应于由相关联的发生器发射到该应用装置(i)的入射功率，如果发生器供应单个且同一的应用装置，则该入射功率Pin⑴等于由相关发生器提供的功率，其在线路损耗范围内。[0063]通过本发明，可以考虑三个优选的应用，其并不一定是限制性的。[0064]本发明的第一个应用包括改变由所述或者每个发生器产生的波的频率，用来控制在所述或者每一应用装置(i)上的反射功率Pk⑴。以这种方式能够最小化、潜在地抵消在所述或每一应用装置(i)上的反射功率Pk⑴，从而进行阻抗匹配。[0065]对于阻抗匹配，必须考虑多种现象:一个是，例如等离子或某些活性化学品的情况下阻抗负载本身局部的变化，因为这尤其取决于发射到负载的功率，该功率又取决于阻抗匹配，因此也取决于频率，因为频率影响阻抗匹配。[0066]在第一个应用，在某些情况下，本发明能够取消阻抗匹配装置，但在其他情况下，阻抗匹配装置提供了一定程度的阻抗匹配调整，因而没有完全取消该装置。因此，如果在方法的初始时阻抗调整(有或没有使用阻抗匹配装置)是令人满意的，并且负载不匹配(例如，当改变操作条件下)，那么本发明能够通过改变发生器或者单独地改变每个发生器的电磁波的频率f(J来再次匹配阻抗。[0067]因此，由于本发明，无论什么样的阻抗不一致(在开始或方法过程中)的原因，都可以通过改变电磁波的频率来最小化或者消除反射功率，不用考虑应用装置的种类。实际上，本发明并不限定于应用装置的特定结构，其可以是同轴应用器类型的(具有或不具有磁结构)，放电管(surfatron、谐振腔(Evensoncavity)、下游源、半金属等离子炬等),天线，具有电介质窗口的波导等。[0068]这种创新在所有微波处理的应用中是令人关注的，例如:如在化学反应器中的加热或微波辐射的应用方法，等离子体方法(蚀刻、材料层的沉积、化学或热化学处理、喷涂、去污、消毒、清洁、渗氮、离子注入、杀菌等)，使用微波辐射的医疗处理方法，由于所有这些应用需要阻抗匹配以优化关于离子密度、反应性物质的密度、激发物质的密度、物质的局部温度等。[0069]本发明的第二个应用包括改变通过所述或者每个发生器产生的频率f⑴，用来监测由所述或者每个应用装置(i)发射到负载的功率Pt(O的发射功率。通过这种方式，可以在不同的应用装置(i)之间均匀地分配发射功率Pt⑴，换句话说，使每一应用装置具有大致相同的发射功率Pt⑴，从而优选地在距该壁或其壁给定距离处获得均匀的加热或就处理室的体积或表面而言均匀的等离子体。[0070]这种对于每个应用装置(i)的发射功率的监测使得能够造成局部的不一致，通过并非所有的应用装置(i)发射相同的功率Pt⑴，如为了补偿边缘效应(由于靠近壁的等离子体的密度损失)有利于均匀地沉积或，相反地建立等离子体的密度梯度，例如形成逐步的沉积，不均匀的沉积，或受控制的沉积速度的沉积。[0071]在前两个应用中，本发明能够通过改变所述或每一应用装置(i)的频率f⑴来监测在每一应用装置(i)上的反射功率Pk⑴或发射功率Pt⑴，无论是否减小阻抗匹配的反射功率Pk⑴还是将发射功率Pt⑴假设为预定值。[0072]其实，对于每一应用设备(i)，(i为I至N之间的整数，N作为应用装置的数量)，发射功率Pt⑴对应发射到对应的应用设备的发射功率Pin(O(在发生器供应单个应用装置的情况下，发射功率等于由相关联的发生器提供的功率，在线路损耗范围内)与在同一应用装置上的反射功率ρκω之间的差值，即关系如下:PT(O=Pin⑴-Pk⑴。[0073]因此，通过改变频率f⑴来监测反射功率Pk⑴使得能够监测发射功率Pt⑴，反之亦然。当然，除了频率f⑴，还可以考虑用入射功率Pin⑴来调节发射功率匕⑴，已知可以调节入射功率Pin⑴，特别是通过调节相关联的发生器提供的功率。[0074]本发明的第三个应用涉及实施电子回旋共振(ECR)等离子体技术的设备，其包括改变由所述或者至少一个发生器产生的波的频率来监测在所述或者每一应用装置上的共振表面，以及因此在靠近讨论的设备的处理室的区域的等离子体的功率密度。[0075]根据一个特征，所述或每个频率调整系统设计成调整频率范围选择在微波范围内的电磁波频率，例如频率范围在大约2400-2500MHZ之间，或例如在大约5725_5875MHz之间，或者甚至在另一个属于微波范围的预定频率范围。[0076]例如，在2400和2500MHz之间的可变的频率范围内的情况下,发生器供给中心频率为2450MHz的电磁波，在50MHz的中心频率附近加减变化，因此，保持在微波范围内；总范围IOOMHz的变化使其能够响应在大约2450MHZ左右的阻抗匹配方面遇到的大多数问题。[0077]当然，本发明并不仅限于特定的频率范围或者给定的中心可用频率。本发明在微波范围内是有效的，并且频率范围的选择主要取决于用于该设备的固态发生器的技术以及使用条件和标准。[0078]根据本发明的一个可能性，该设备包括至少两个发生器和至少两个应用装置，每个发生器与所述频率调整系统相关联，每个发生器与至少一个应用装置相连。[0079]在这样的配置中，每个发生器向一个或多个应用装置提供电磁波。使用多个发生器，能够改善从一个应用装置到另一应用装置单独地调整反射功率、发射功率和/或共振表面的可能性，同时限制了应用装置之间的相互影响。[0080]要注意，如果一台发生器与多个应用装置(i)相关联，则这些应用装置(i)中的每一个的频率是相同的，且对应于由公共的发生器产生的波的频率。[0081]所述或每个固态发生器可以由给定功率的单个和同一发生器或者多个子发生器形成。例如，对于提供200W功率的固态发生器，可以有单个且同一的功率为200瓦的固态发生器，或有两个100W功率的固态子发生器。当然，这两个子发生器必须是同相的，并且因此具有共同的频率调整系统。[0082]根据本发明的另一可能性，设备包括N个发生器和N个应用装置，每个发生器与该频率调整系统相关联，其中N是一个大于2的整数，每个发生器与至少单个应用装置相连。[0083]该配置是特别有利的，因为每个应用装置(i)通过单个或同一发生器提供微波功率或能量，相反地，每个发生器供应单独和同一的应用装置。因此，功率分配器不是必须的，并且通过调整相应发生器上的频率来调整反射至每个应用装置的功率，该功率调整在应用装置间是独立的，因此限制了应用装置与电磁波分配装置之间的互相影响的问题。[0084]此外，还应该指出的是，该或每个发生器的频率f⑴调整是对自动命令的响应，其中自动控制是指处理器或计算机类型的，例如机器人。[0085]自动化控制装置的优点是能够为每个发生器执行自动频率调整，例如直至应用装置(i)上的反射功率Ρκω的最小化，用于阻抗匹配，监测应用装置(i)上的发射功率Ρτω以及监测共振面。[0086]本发明的实施例特别适合用于监测允许阻抗匹配(条件a)的反射功率Ρκω，以及调节发射功率Ρτω，使可能获得一致的等离子体(条件b)。作为提醒，通过改变频率监测反射功率ρκω引起监测发射功率Ρτω，反之亦然。换言之，这两个条件a)和b)基本等价。[0087]每个应用装置(i)具有对应的反射功率Ρκω的第一参考值VK(i)和发射功率Ρτω的第二参考值ντω。换言之，从某个应用装置至下一个的参考值νκω和ντω不需相等。[0088]更具体而言，当操作条件发生改变时，在接收来自测量系统的测量值后，所述或更多的应用装置(i)上的反射功率Ρκω的变化(条件a)或所述或更多的应用装置(i)的发射功率PT(i)的变化(条件b)将实时地告知自动控制装置。并且，通过简单的反馈回路，自动控制装置将调节反射功率Ρκω，特别是最小化反射功率Ρκω(条件a)，或者调节发射功率Ρτω，从而特别是通过改变应用装置(i)的电磁波频率f(1)，在每个应用装置上的发射功率Ρτω是相同的(条件b)。因此，为获得加热一致性或等离子体的一致性，阻抗匹配(条件a)或发射功率的调节(条件b)将会自动完成。[0089]更普遍的是，不论应用装置(i)的类型，根据反馈回路，反射功率Ρκω或发射功率Ρτω可以通过改变电磁波频率f(i)由控制装置自动调节。随着如下越来越多的具体描述，除了频率f(i)，当然可以考虑调节入射功率PIN(i)来调节发射功率ρτω。[0090]在一个特定的实施例中，对于所述或每个应用装置(i)，第一参考值νκω对应于反射功率Pk⑴测量最小值，从而在该或每个应用装置(i)上执行阻抗匹配，该最小值可以等于或接近于零。该反射功率最小值当然可以对应反射功率预定阈值，该阈值可以由程序默认设置或由用户设置，或以阈值功率形式用瓦特表示，或以反射功率与入射功率的比值百分比形式表示。[0091]因此，该实施例导致阻抗匹配，所述第一参考值，即沿着反馈回路达到每个应用装置(i)的反射功率Pk⑴，实际设置为O或至少可能的最小值，通过改变电磁波频率f(i)导致每个应用装置(i)的反射功率Ρκω自动最小化。换言之，对于阻抗匹配，自动控制装置将调节频率f⑴直至发现反射功率Pk⑴的最小值。[0092]根据一个有利的实施例，其中设备(I)包括多个应用装置(i)，对每个应用装置(i),其中第二参考值VT(i)对应于某个预先设定值VCt，该设定值对于每个应用装置(i)是相同的，通过基本上均匀地分配功率发射至负载，从而特别有利于在距离限定处理室的壁给定距离处获得均匀加热和体积或表面均匀的等离子体。[0093]因此，该实施例导致调节每个应用装置(i)上的发射功率Pt⑴，其对要求相当高一致性的等离子体方法特别感兴趣，该应用装置(i)上发射功率Pt⑴的自动调节寻求获得相同的应用装置(i)上发射功率Pt⑴。换言之，目标不再是系统地最小化每个应用装置(i)上的反射功率Pk⑴(对于阻抗匹配而言)，而是每个应用装置(i)上具有相同的发射功率Pt(i)°[0094]因此，为调节发射倒应用装置(i)上的功率Pt⑴，自动控制装置改变频率f⑴和额外可选的入射功率Pin⑴，因此，对于相同的应用装置，发射至应用装置的功率PT(i)=PIN⑴-Pk⑴等于所需设定值；PT⑴和Pk⑴为频率f(i)和入射功率Pin⑴的函数。[0095]在距应用装置特定距离处，为有利于获得一致加热或等离子体，对于发射功率Pt⑴，每个应用装置(i)接收相同的发射功率Pt⑴的设定值VCt，从而不同应用装置(i)的发射功率Pt⑴都相等，已知入射功率Pin⑴可能从某个应用装置(i)至另ー个时发生改变。[0096]例如，应用装置(I)具有150W的入射功率(即，Pin⑴=150W)和IOff的反射功率(即，Pr⑴=10W)，应用装置(2)具有142W的入射功率(即，Pin(2)=142ff)和2W的反射功率(即，Pe(2)=2W)。因此，对于应用装置(I)和应用装置(2)，每个发射至等离子体的发射功率Pt⑴=Pt(2)=140W。该情况对应于一方面通过调整应用装置(I)的电磁波频率f⑴，另ー方面通过利用应用装置(2)上电磁波频率f⑵，使应用装置(I)的反射功率Pk⑴为10W，并使应用装置(2)的反射功率Pk⑵为10W。如果可以应用的话，同样可以通过作用于与应用装置(i)相关联的发生器，来调节每个应用装置(i)上的入射功率Pin⑴。[0097]另ー方面，依然在条件b)背景下以及调节发射功率Pt⑴，同样可以考虑自动控制装置改变频率f⑴或额外可选的入射功率Pin⑴，因此发射功率Pt⑴从某个应用装置(i)至另ー个时发生改变。在此情况下，不是全部的第二參考值Vt⑴都一致，从而例如获得在处理室中的加热或等离子体受控制的差值。[0098]如果希望在应用装置上得到期望差值，对所述可选方案非常感兴趣，尤其是补偿边缘效应或创建沿着应用装置线发射的功率梯度，例如执行渐进沉积，获得可变密度的表面处理，或在连续的方法中执行处理的渐进监測。[0099]根据本发明的ー个可能性，设备包括多个应用装置(i)，控制装置连接至所述或每个发生器，作为输入，用来接收与每个应用装置(i)相关联的入射功率Pin⑴值，并且在监测步骤e2)中，控制装置设计通过执行下面子步骤来满足条件b):[0100]e3)对于每个应用装置(i)，计算与应用装置(i)中的发射功率Pt⑴对应的反射功率Pk(o的设定值VCK(i)，该发射功率Pt⑴等于第二參考值VT(i)，即，[0101]e4)对于所述每个应用装置(i)，监测频率调整系统使得所述相关发生器产生的电磁波频率f⑴变化，从而将反射功率Pk(o限制为所述设定值VCk⑴.[0102]这样，对于每个应用装置(i)，建立了反射功率Pk⑴的反馈回路，如此以满足条件b)，且因此调节发射功率Pt⑴。[0103]根据本发明的另ー个可能性，控制装置从功率方面控制所述或每个发生器以便所述或每个发生器提供某个给定入射功率Pin⑴，并且控制装置设计执行步骤e2)，且通过监测该或每个频率调整系统以改变相关联频率f⑴以及所述或每个发生器以改变相关联入射功率PIN(i)满足条件a)和/或b)。[0104]这样，对于该或每个应用装置，控制装置调整频率和入射功率以满足条件a)和/或b)。另外，调整入射功率使得事实上能够精细调节反射功率和/或发射功率。反射功率和发射功率取决于频率以及入射功率。[0105]有利的是，在频率以及入射功率双重控制背景下，在子步骤e4)期间，对于所述或每个应用装置(i)，控制装置设计用来监测:[0106]-相关发生器，从而该发生器提供给定的设定值为VCin⑴的入射功率Pin⑴，该功率是可选变量；并且[0107]-相关频率调整系统用来改变由所述相关发生器产生的电磁波的频率f⑴，从而将所述反射功率Pk(o限制至所述设定值VCk⑴，其满足下面关系式:VCK(i)=VCIN⑴-VT(i)。[0108]该技术是有利的，因为其能够调整频率f⑴和入射功率Pin⑴以满足条件b)，从而调节反射功率Pk⑴。当然可以理解为，在调整期间，可以改变入射功率Pin⑴的设定值VCin⑴，以最终获得对发射功率Pt⑴最好的调节。[0109]在ー个有利实施例中，设备包括多个应用装置，控制装置连接至所述或每个发生器，用来接收作为输入的与每个应用装置相关联的入射功率PIN(i)的值并且根据功率控制所述或每个发生器从而使所述或每个发生器提供给定的入射功率Pin⑴，并且在监测步骤e2)期间，控制装置设计用于执行以下几个子步骤来满足两个条件a)和b):[0110]e5)监测每个频率调整系统用于改变由所述相关发生器产生的电磁波的频率f?⑴，直至满足条件a)，这样每个反射功率PK(i)等于第一对应參考值VK(i)；[0111]e6)对于每个应用装置，计算与所述应用装置的发射功率Pt⑴对应的入射功率Pin⑴的设定值VCIN(i)，该发射功率Pt⑴等于第二參考值VT(i)，即，[0112]e7)控制该或每个发生器，从而使它提供设定值为VCin⑴的入射功率Pin⑴以满足条件b)。[0113]该实施例是有利的，因为其可以首先调节频率f⑴以满足条件a)(因此确保了反射功率匕⑴的调节，尤其是对于阻抗匹配)，其次可以调节入射功率PIN(i)以满足条件b)(因此确保了发射功率Pt⑴的调节，尤其是对加热一致性以及等离子体)。[0114]当然，在入射功率Pin⑴的调整期间(步骤e7)，反射功率PK(n的值可以改变，因此，入射功率PIN(i)必须高效地变化直至达到其设定值VCin⑴，但是经常需要考虑到反射功率Pk⑴的实际值。因此，监测步骤e2)是ー个实时的动态且连续的步骤，为连续变化至反射功率Pe⑴和入射功率PIN(i)的变量，其可能具有迭代过程。[0115]有利的是，在监测步骤e2)中，控制装置设计在子步骤e5)前执行子步骤e8)，该子步骤e8)包括控制所述或每个发生器，因此它提供数值上接近或大体上等于第二參考值^T(i)的入射功率Pin⑴。[0116]因此在子步骤e5)中调整频率f⑴前，子步骤e8)可以使入射功率Pin⑴接近其最终值，即设定值VCin⑴。从而成功执行以下几个子步骤:[0117]e8)初始，控制装置监测所述或每个发生器用于调整所述或每个入射功率Pin⑴至某个值，该值接近或等于第二參考值VT(i)；[0118]e5)调整所述或每个频率f⑴满足条件a)，从而调节所述或每个反射功率Pk⑴；[0119]e6)和e7)—旦调节好所述或每个反射功率PK(i)，对所述或每个功率Pin⑴，仅剩下几瓦特可以添加，使其达到设定值VCIN(i)。[0120]在ー个特定实施例中，所述设备还包括至少ー个设计用来产生磁共振场的磁结构，该磁结构与电磁波一起可以产生电子回旋共振等离子体，并且所述控制装置设计目的是:[0121]fl)为所述或每个频率调整系统，计算目标频率Cf?⑴，所述频率对应于所述或每个应用装置电子回旋共振面的预定值；[0122]f2)为每个应用装置监测所述频率调整系统，使所述或每个发生器产生的电磁波频率f(i)限制为对应设定值Cf⑴，从而使所述或每个应用装置的电子回旋共振面达到对应得预定值。[0123]因此，在具体的电子回旋共振(ECR)等离子体激发技术的情况下，本发明能够通过改变应用装置的波的频率来改变电子回旋共振表面的值，并且因此监测等离子体的建立区域的几何形状。改变共振表面是改变频率的附加优点，因为共振表面是影响等离子体的特性及性能的參数。[0124]在ー个特定实施例中，所述或每个应用装置包括磁结构，并且可替代地，该磁结构集成至处理室，并不集成至应用装置。[0125]在该PCR技术的情况下，根据集成或未集成到应用装置的磁结构，每ー频率将对应于特定的共振表面。因此，对于同一发射功率，在两个不同的频率，由于共振表面随频率而变化，等离子体密度可能在处理室的体积的某点上是不同的。[0126]例如，对于使用永磁体的同轴应用器，该永磁体通常位于如上所述的应用器的端部，如果降低频率则共振区域将从等离子体装置离开(因为磁场也从该应用装置离开地减小)，从而使得能够增大活性创建表面(激发态物质，离子化的物质，自由基等)。相反，创建区域可能通过增加频率而減少，从而使得能够将创建区域集中到靠近应用装置，并因此局部地増加等离子体的密度，虽然这也提高了基本源的损失。[0127]本发明还涉及ー种负载微波处理方法，包括以下几个步骤:[0128]-使用至少ー个固态发生器产生至少ー个在微波范围内的电磁波；[0129]-将所述或每个电磁波引导到所述电磁波的至少ー个电磁波应用装置；[0130]-通过所述或每个电磁波的所述或每个电磁波应用装置应用到负载上；[0131]其特征在于，该方法进ー步包括用于自动调整所述或每个电磁波的频率的步骤，从而调节在所述或每个应用装置上的反射功率Pk⑴和/或调节所述或每个应用装置的发射功率Pt⑴，使用以下的几个步骤:[0132]pi)对于所述或每个应用装置，通过所述相应应用装置測量反射功率Pk⑴，并且[0133]p2)监测所述或每个发生器产生的电磁波的频率f⑴，直至满足以下至少ー个条件:[0134]a)所述或每个应用装置上测得的所述反射功率PK(n基本上达到第一參考值VK(i);或者[0135]b)所述或每个应用装置的发射功率PT(i)基本上达到第二參考值VT(i)，所述发射功率PT(i)对应于发射至所述对应的应用装置的入射功率Pin⑴与在同一应用装置上测得的所述反射功率Pr⑴的差值，即，如以下的关系式⑴。[0136]该自动步骤pi)和p2)特别适于监测反射功率Pk⑴，其允许阻抗匹配(条件a)，并且适于调节发射功率Pt⑴，特别地使得能够获得均匀的加热或等离子体(条件b)。[0137]根据本发明的ー个可能性，所述产生步骤包括使用至少两个发生器产生至少两个电磁波，所述引导步骤包括引导用于至少ー个应用装置的每个电磁波，并且所述调整步骤包括彼此独立地调整每个电磁波的频率。[0138]根据本发明的ー个可能性，所述产生步骤包括使用N个发生器产生N个的电磁波，所述引导步骤包括引导用于N个应用装置的N个电磁波，其中N是大于2的整数，并且所述调整步骤包括彼此独立地调节每个电磁波的频率。[0139]在ー个特定实施例中，对于所述或每个应用装置(i)，所述第一參考值VK(i)对应于所测量的反射功率Pk(o的最小值，从而执行对所述或每个应用装置的阻抗匹配，该最小值可以等于或接近于零，并且可设定为给定的阀值功率值，或者反射功率与入射功率的给定百分比。[0140]因此，在该实施例中，该方法用于最小化在每ー应用装置(i)上的反射功率Pk⑴，从而执行阻抗匹配。[0141]根据另ー实施例，其中该设备包括多个应用装置(i)，对于每个所述应用装置(i)，其中第二參考值VT(i)对应预先设定值VCt，所述值对于每个应用装置(i)是相同的，在距离限定所述处理室的壁给定的距离处，通过在应用装置之间基本上均匀地分配传输到负载的功率，因此特别有利于均匀加热或在处理室中获得均匀的等离子体体积或表面。[0142]因此，为了调节发射到应用装置(i)的发射功率PT(i)，该方法包括改变频率f⑴，井且可选地附加地改变入射功率Pin⑴，从而发射到应用装置的功率Pt(O=Pin⑴-Pk⑴与同一应用装置所需的设定值VCt相同；其中，Pt⑴和Pk⑴为频率f⑴和入射功率Pin⑴的函数。最終，每个设备将发射与每ー应用装置(i)相关联的设定值VCt相同的功率。以这种方式，负载从每ー应用装置接收相同的功率。[0143]可选择地，仍然在条件b)和调节发射功率Pt⑴的背景下，能够考虑改变频率f⑴和可选地附加地改变入射功率Pin⑴的方法,从而使该发射功率Pt⑴从ー个应用装置(i)到下一个应用装置而不同。在那种情况下，第二參考值Vt⑴不是全部相同的。[0144]如果该设备包括多个应用装置(i)，该方法还包含建立或測量与每个应用装置相关联的所述入射功率Pin⑴的步骤；[0145]并且通过执行以下的几个子步骤使监测步骤p2)满足条件b):[0146]p3)对于每个应用装置(i),计算与应用装置(i)的发射功率Pt⑴对应的反射功率Pr(O的设定值VCK(i)，该发射功率Pt⑴等于第二參考值VT(i)，例如:VCrg厂Pin⑴_VT⑴;[0147]p4)对于每个应用装置(i)，监测由所述相关发生器产生的电磁波频率f⑴，从而将反射功率Pk(o限制为所述设定值VCk⑴。[0148]以这种方式，通过改变相对应的频率f(i)，每ー应用装置(i)的反射功率Pk⑴产生了反馈回路，从而满足条件b)，并且因此调节发射功率Pt⑴。[0149]有利的，对于每个应用装置，通过监测由所述相关发生器产生的电磁波频率f⑴和所述相同发生器发射出的入射功率Pin⑴使监测步骤P2)满足条件a)和/或b)。[0150]以这种方式，调节频率和入射功率以调节反射和/或发射功率，该反射和/或发射功率均取决于频率和入射功率。[0151]根据本发明的ー种可能性，对于每个应用装置(i)，子步骤p4)包括对以下两方面的监测:[0152]-由所述相关发生器发射出的入射功率Pin⑴为某个给定的设定值VN(i)，该设定值VN(i)是可变的；以及[0153]-由所述相关发生器产生的电磁波频率f⑴，从而将反射功率PK(n限制为所述设定值VCk⑴，满足下面关系式:VCrG厂VCin(i)_VT⑴。[0154]因为可以调节频率f⑴和入射功率Pin⑴以满足条件b)，并因此调整发射功率Pt⑴，该技术是有利的。当然，应当理解的是，也可以在调节过程中改变入射功率的设定值VCin⑴，从而最终获得对发射功率PT(i)的最好的调节。[0155]在设备包括多个所述应用装置的ー个有利的实施例中，通过执行下面子步骤使监测步骤P2)满足条件a)和b):[0156]p5)监测由所述相关发生器产生的电磁波频率f⑴直至满足条件a)，这样每个反射功率Pk⑴等于第一对应參考值\⑴;[0157]p6)对于每个应用装置，计算与所述应用装置的发射功率Pt⑴对应的入射功率Pin⑴的设定值VCIN(i)，该发射功率Pt⑴等于第二參考值VT(i)，即，[0158]p7)调整由相应发生器发射出的入射功率Pin⑴为设定值VCIN(i)，以满足条件b)。[0159]该实施例是有利的，因为它能够调节频率f⑴直至满足条件a)(并且因此确保调节反射功率Pk⑴，特别是考虑到阻抗匹配)，并且继续调节入射功率Pin⑴直至满足条件b)(并因此确保调节发射功率Pin⑴，特别是考虑到均匀加热或等离子体)。[0160]当然，在对入射功率Pin⑴的任何调节过程中(步骤p7)，反射功率Pk⑴的值可改变，并且入射功率Pin⑴必须因此有效地改变，直至达到其设定值VCIN(i)，但是始終考虑反射功率Pk⑴的实际值。因此，该监测步骤P2)是个实时的、动态或连续的步骤，其可具有连续地适应反射功率Pk⑴和入射功率Pin(o的迭代。[0161]有利的，在子步骤p5)前，所述监测步骤p2)还包含子步骤p8)用于调整相应发生器发射出的入射功率Pin⑴至接近或基本上等于第二基准值VT(i)。[0162]在子步骤p5)调整频率f(i)之前，该子步骤p8)使得可以使入射Pin⑴接近其最终值，即设定值VCin⑴。[0163]在电子回旋共振(ECR)等离子体激励技术的特定情况下，所述方法包括设计用于产生磁共振场的步骤，其与电磁波一起可以产生电子回旋共振等离子体，并且所述方法还包含下面步骤:[0164]rl)对于所述或每个应用装置，计算目标频率Cf⑴，所述频率对应所述电子回旋共振面的预定值；[0165]r2)将所述或每个发生器产生的电磁波频率f⑴限制为对应的设定值Cf⑴，以便所述或每个应用装置的电子回旋共振面达到对应预定值。【专利附图】【附图说明】[0166]參考附图并阅读以下多个非限制性实施例的详细描述后，本发明的其它特征和优点将会显现。其中[0167]-图1，已描述，是产生等离子体的已知微波处理设备反应器的示意性透视和部分剖视图；[0168]-图2，已描述，是产生等离子体的已知微波处理设备的局部示意图；[0169]-图3，已描述，是产生等离子体的另一已知微波处理设备的局部示意图；[0170]-图4，已描述，是产生等离子体的另一已知微波处理设备的局部示意图；[0171]-图5，是根据本发明的第一微波处理设备的示意图；[0172]-图6，是根据本发明的第二微波处理设备的示意图；[0173]-图7，是根据本发明的第三微波处理设备的示意图；[0174]-图8，是根据本发明的第四微波处理设备的示意图；[0175]-图9，是根据本发明的第五微波处理设备的示意图；[0176]-图10，是根据本发明的第六微波处理设备的示意图；[0177]-图11，是根据本发明的第七微波处理设备的示意图；[0178]-图12，是根据本发明的第八微波处理设备的示意图；【具体实施方式】[0179]下面的描述涉及到用于处理等离子体类型负载的微波处理设备1，換言之，在处理室中产生等离子体的设备。当然可以考虑设备I的其他应用，例如包含有即将通过微波处理的固态，液态和/或气态产物的化学反应器类型的处理室，或上下文中应用微波辐射处理身体部位的医学处理。[0180]在图5中所示的本发明的第一实施例中，等离子体的生产设备I包括:_具有处理室20的反应器2，在该处理室的体积内产生等离子体；[0181]-包括应用装置30的基本等离子体源3，该应用装置将在微波范围内的电磁波应用到处理室20内部，以及测量由应用装置30的反射功率的測量系统31；[0182]-微波范围内的固态类型电磁波发生器4，该发生器通过引导电磁能量的装置5连接至应用装置30，该发生器4含有频率调整系统40，该调整系统设计用于调整在大约2400-2500MHZ之间的微波频率，或者甚至在另ー个预定频率范围；以及[0183]-控制器6，该控制器在输入端连接至測量系统31，在输出端连接至频率调整系统40。[0184]对于其余描述以及其它实施例:[0185]-所述或每个应用装置30为同轴应用器类型的，但本发明并不限定于这样的同轴应用器，可以考虑其他类型的应用微波能量的装置，例如，放电管(表面波(surfatron)、谐振腔(Evensoncavity)、下游源、半金属等离子炬、绝缘管等等),天线,具有电介质窗ロ的波导管等等。[0186]-所述或每个发生器4为固态电磁波发生器类型，同样被称为晶体管发生器，其具有的优点是在其操作频率范围内，使得能够手动或自动监测电磁波频率(不同于磁控管)；[0187]-尽管可以考虑其他形式的引导装置，例如波导形式，所述或每个引导装置5为同轴电缆形式的，其特别适合直接连接至固态发生器4。[0188]測量系统31可以由环行器和负载相结合的绝缘体组成。当基本源提供反射性功率时，环行器偏转功率至负载。通过耦合，可以提取(prelevee)和測量功率的一小部分。已知提取部分(或衰减系数)，可以推断出反射功率。測量系统同样可以是测量參数S，尤其是S1.1的系统。[0189]控制器6设计为6种操作模式。[0190]在第一种操作模式中，控制器6:[0191]-接收来自測量系统31的反射功率测量值Pkm作为输入；[0192]-监测(或改变)发生器4产生的电磁波频率f，直至应用装置測量出的反射功率Pk基本达到第一參考值VK。[0193]換言之，控制器6找出反射功率Pk等于第一參考值Vk时的频率f，该第一參考值Vk可以基本设为零值，或者至少在最小访问值，以便匹配位于等离子体和基本源3之间的阻抗。[0194]在第二种操作模式中，控制器6:[0195]-接收来自測量系统31的反射功率测量值Pk作为输入；[0196]-接收源上的入射功率值Pin作为输入，该值来源于发生器4，该发生器与控制器6相连；[0197]-计算与发射功率Pt对应的反射功率Pk的设定值Vra，该发射功率Pt等于第二參考值VT,BP,VCe=Pin-Vt;[0198]-监测(或改变)发生器4产生的电磁波频率f，直至应用装置測量出的反射功率Pk基本达到第一參考值Vra。[0199]因此,反射功率Pk屈服(asservissement)于设定值VCk用于调节发射功率Pt至第ニ參考值VT。換言之，控制器6找出Pt=Vt时的频率f。[0200]在第三种操作模式中，控制器6:[0201]-接收来自測量系统31的反射功率测量值Pk作为输入；[0202]-接收源上的入射功率值Pin作为输入，该值来源于发生器4，该发生器与控制器6相连；[0203]-监测(或改变)频率f和入射功率PIN，直至应用装置測量出的反射功率Pk基本达到第一參考值VK。[0204]換言之，控制器6找出反射功率Pk等于第一參考值Vk时的ー对值(频率f，入射功率Pin)。[0205]例如，当反射功率Pk达到基本为零的第一參考值Vk时，可以首先考虑控制器6寻找某个频率，此时反射功率Pk最小但仍大于零，其次，控制器6寻找入射功率PIN，此时反射功率Pk基本等于零。只有在仅调整频率无法达到第一參考值Vk时，才调整入射功率PIN。[0206]在第四种操作模式中，控制器6:[0207]-接收来自測量系统31的反射功率测量值Pk作为输入；[0208]-接收源上的入射功率值Pin作为输入，该值来源于发生器4，该发生器与控制器6相连；[0209]-监测(或改变)频率f和入射功率PIN，直至发射功率Pt=Pin-Pk基本达到第二參考值VT。[0210]換言之，控制器6找出Pt=Vt时的ー对值(频率f，入射功率PinX例如，当发射功率Pt达到第二參考值Vt时，可以首先考虑控制器6寻找某个频率，此时发射功率Pt最接近第ニ參考值Vt(不需最小化反射功率PK)，并且，其次控制器6寻找入射功率PIN，此时发射功率Pt等于第二參考值VT。只有在仅调整频率无法达到第二參考值Vt时，才调整入射功率PIN。[0211]在第五种操作模式中，控制器6:[0212]-接收来自測量系统31的反射功率测量值Pkm作为输入；[0213]-接收源上的入射功率值Pin作为输入，该值来源于发生器4，该发生器与控制器6相连；[0214]-监测(或改变)频率f，直至反射功率Pk基本达到第一參考值\，更优地直至反射功率Pk达到最小值。[0215]-监测(或改变)入射功率PIN，直至发射功率Pt=Pin-Pk基本等于第二參考值Vt。[0216]換言之，控制器6找出Pk=Vk(Pe=最小访问值)以及Pt=Vt时的ー对值(频率f，入射功率PIN)。对于频率的监测步骤，可以考虑控制器6从初始频率开始，然后改变频率f以减小反射功率Pk直至发现其最小值。[0217]在第六种操作模式中，设备为电子回旋共振(ECR)等离子体产生设备。在这种情况下，基本源3还包括设计用来创建磁共振场的磁结构(未示出)，其与电磁波结合，使得能够产生电子回旋共振(ECR)等离子体。[0218]在第六种操作模式中，控制器6:[0219]-对所述或每个频率调整系统40，计算目标频率Cf⑴，该频率对应所述或每个基本等离子体源3的共振面的预定值；并且[0220]-对每个基本源3，监测频率调整系统40使所述或每个发生器4产生的电磁波频率f⑴屈服于对应设定值Cf⑴，以便所述或每个基本等离子体源3的共振面达到对应预定值。[0221]在图6所示的本发明的第二实施例中，等离子体产生设备I与图5所示的第一实施例相同，例外在于，它还包括位于应用器30上游位置的阻抗匹配装置7。[0222]因此，通过对操作的调整，在操作期间，该阻抗匹配装置7使得能够在控制器6执行第二精细阻抗匹配和/或调节发射功率前，自动且实时地执行第一阻抗匹配，尤其是通过执行上面描述的操作模式。[0223]在图7所示的本发明的第三实施例中，等离子体产生设备包括:[0224]-具有产生等离子体的处理室20的反应器2；[0225]-多个基本等离子体源3，每个基本等离子体源包括在位于处理室20内部的应用器30，该应用器应用在微波范围内的电磁波，以及测量对应的应用器30反射的功率的測量系统31；[0226]-固态类型的微波范围内的电磁波发生器4，该发生器通过同轴电缆5连接至应用器30，该发生器4包括频率调整系统40，该调整系统设计用于调整在大约2400-2500MHZ间的微波的频率，或者甚至在另ー个预定频率范围内；以及-控制器6，该控制器在输入端连接至測量系统31，在输出端连接至频率调整系统40，以及[0227]-位于发生器4输出端的功率分配器，该功率分配器设计用于通过k个数目的基本源3分配由发生器4产生的微波功率，该功率分配器8具有k个输出端，每个输出端通过同轴电缆5连接至应用器30，因此功率分配器8的每个输出端提取由发生器4产生的总功率的1/k至应用器30。[0228]控制器6被设计为执行以上所述的6种操作模式，区别在于单个发生器4与多个基本源3关联。因此，控制器6能够:[0229]-在第一操作模式下:通过调节由共享发生器4产生的微波的频率来调节每个基本源(i)的反射功率Pk⑴，优选用于阻抗匹配；[0230]-在第二操作模式下:通过调节由共享发生器4产生的微波的频率来调节每个基本源(i)的发射功率Pt⑴；[0231]-在第三操作模式下:通过调节由共享发生器4产生的微波的频率以及源(i)的入射功率Pin⑴来调节每个基本源(i)的反射功率Pk⑴，功率分配器8分配完功率后，源(i)的入射功率Pin⑴对应发生器4的功率Pcjen的一部分；[0232]-在第四操作模式下:通过调节由共享发生器4产生的微波的频率以及源(i)的入射功率Pin⑴(发生器4的功率Pcjen的部分功率)实现每个基本源(i)的发射功率Pt⑴调节;[0233]-在第五操作模式下:通过调节由共享发生器4产生的微波的频率以及源(i)的入射功率Pin⑴(产生器4功率Pcjen的部分功率)调节每个基本源(i)的反射功率Pk⑴以及发射功率PT(i);并且[0234]-在第六操作模式下:在与基本源(i)相关联的创建区域内，通过调节由共享发生器4产生的微波的频率监测共振面。[0235]当然，这种设备由于发生器4供应多个基本源3而具有限制，从而在多个应用器30上测得的反射功率匕⑴不能全都准确地达到相同的第一參考值VK(i)，因为应用器30之间可能存在差量，且基本源3可能相互影响。然而，事实仍然是，通过可选择地调节由信号发生器4产生的波的频率f，以及优选地功率PeEN，该控制器6使得能够整体地以及平均地调节所有基本源3的反射功率和/或发送功率以及谐振面。[0236]然而，从理论上讲，如果应用器30是相同的，或者更准确地说，如果发生器4和每个源3之间的微波线路是相同的，并且如果不考虑频率f，通过功率分配器8分配的功率是平衡的，并且如果每个应用器30末端操作条件是相同的(换句话说，如果应用器30附近的等离子体是均匀的)，那么对于每个源3，频率f可能是相同的，以便执行阻抗匹配和/或调节发射功率和/或监测谐振表面。[0237]在图8所示的本发明的第四实施例中，等离子体产生设备I与图7所示的第三实施例相同，区别在干，它还包括一个位于发生器4和功率分配器8之间的阻抗匹配装置7。[0238]因此，通过操作前的调整，在操作期间，该阻抗匹配装置7使得能够在控制器6对所有基本源3执行第二阻抗匹配前自动且实时地执行第一阻抗匹配。通常情况下，控制器6设计为执行上述6种操作模式，区别在于由所有源3共享的阻抗匹配由共享阻抗匹配装置7完成。[0239]在图9所示的本发明的第五实施例中，等离子体产生设备I与图7所示的第三实施例相同，区别在干，它还包括多个位于功率分配器8和应用器30之间的阻抗匹配装置7，每个阻抗匹配装置7对应ー个应用器30。[0240]因此，通过操作前的调整，该阻抗匹配装置7能够对每个基本源3执行第一阻抗匹配。接着，在操作期间，控制器6能够对所有基本源3自动且实时地执行第二阻抗匹配。通常情况下，控制器6设计为执行上述6种操作模式，区别在于每个源3的単独阻抗匹配可能由每个阻抗匹配装置7完成，独立地从某个源3至下ー个完成阻抗匹配。这样，能够补偿应用器30间的差值(更准确地说是位于发生器4和每个源3之间的微波线路间的差值)，功率分配器8完成的功率分配差別，以及缺少的应用器30末端的等离子体一致性。[0241]在图10所示的本发明的第六实施例中，等离子体产生设备包括:[0242]-具有产生等离子体的处理室20的反应器2；[0243]-多个基本等离子体源3，每个基本等离子体源包括位于处理室20内部的应用装置30，该应用装置用于应用在微波范围内的电磁波，以及测量对应的应用装置30反射的功率的測量系统31;以及[0244]-多个固态类型的微波范围内电磁波发生器4，，每个发生器通过同轴电缆5连接至ー个应用器30，每基本源3有一个发生器4，每个发生器4含有频率调整系统40，该调整系统设计用于调整在大约2400-2500MHZ间的微波频率，或者甚至在另ー个预定频率范围内-M及[0245]-控制器6，该控制器的输入端连接至測量系统31，输出端连接至频率调整系统40。[0246]控制器6设计为执行上述6种操作模式，区别在于每个发生器4与单个基本源3相关联。因此，控制器6能够:[0247]-在第一操作模式下:通过调节由相关联的发生器4产生的微波的频率f?⑴来调节每个基本源(i)(独立地从某个源至下ー个)的反射功率Pk⑴，优选用于阻抗匹配；[0248]-在第二操作模式下:通过调节由相关联发生器4产生的微波的频率f⑴来调节每个基本源(i)(独立地从某个源至下ー个)的发射功率Pt⑴；[0249]-在第三操作模式下:通过调节由相关联发生器4产生的微波的频率f⑴以及源(i)(独立地从某个源至下ー个)的入射功率Pin⑴调节每个基本源(i)的反射功率Pk⑴；已知源(i)的入射功率Pin⑴基本上对应相关联产生器4的功率Pcjen⑴；在反馈损失内(如此调节源(i)的入射功率Pin⑴引起调节相关联发生器4的功率Pcjen⑴)[0250]-在第四操作模式下:通过调节由相关联发生器4产生的微波的频率f⑴以及源(i)的入射功率Pin⑴(因此相关联的发生器4的功率P.⑴)来调节每个基本源(i)(独立地从某个源至下ー个)的发射功率Pt(o；[0251]-在第五操作模式下:通过调节由相关联发生器4产生的微波的频率f⑴以及源(i)的入射功率Pin(o(因此相关联发生器4的功率P⑴)来调节每个基本源(i)的反射功率Pk(o以及调节发射功率Pt⑴;[0252]-在第六操作模式下:通过调节由相关联发生器4产生的微波的频率f⑴监测共振面以及在与基本源(i)(独立地从某个源至下ー个)相关联的创建区域。[0253]因此，控制器6相互独立地监测频率调整系统31(监测频率)以及发生器4(监测入射频率)。[0254]例如，在第一操作模式下(调节反射功率)，对于第一基本源3,测量第一反射功率Pe⑴，并且对于第一发生器4，控制器6找出第一频率f?⑴使得该反射功率Pk⑴能够达到第一參考值Vk⑴，如为零或者至少为最小值。通过使用仅与第一基本源3和第一发生器4有关的第一反馈回路完成反射功率Pk⑴的调节，该反射功率Pk⑴的调节通过改变第一发生器4的频率来实现。[0255]同样，对于第二基本源3，測量了第二反射功率Pk⑵，并且对于第二发生器4，控制器6找出第二频率f⑵使得该反射功率Pk⑵达到第二參考值VK(2)，如为零或者至少为最小值。通过使用仅与第二基本源3和第二发生器4有关的第二反馈回路完成反射功率PK(2)的调节，该反射功率Pk(2)的调节通过改变第二发生器4的频率来实现。[0256]相对于第三，第四和第五实施例，该设备的优势在于，彼此独立地调节功率(阻抗适配)和/或调节发射功率和/或监测每个基本源3的共振表面。因此，该设备能够通过利用彼此独立地调节每个发生器4的频率来监测仍然彼此独立地发射到每个基本源3的功率，例如对于均匀化等离子体。[0257]在图11所示的本发明的第七实施例中，等离子体产生设备I与图10所示的第六实施例相同，区别在于，它还包括多个位于发生器4和应用器30之间的阻抗匹配装置7，每个阻抗匹配装置7对应ー个应用器30.[0258]因此，通过操作前的调整，该阻抗匹配装置7可以对每个基本源3执行第一阻抗匹配。接着，控制器6可以执行上述6种操作模式，例如，在操作期间对每个基本源独立、自动并且实时地对每个基本源3(第一，第三和第五实施例)执行第二精细阻抗匹配。[0259]在图12所示的本发明的第八实施例中，根据图7的第三实施例，等离子体产生设备I包括第一子设备，同样根据图7的第三实施例，等离子体产生设备I包括第二子设备，其中两个子设备的应用器30位于同一反应器20的同一处理室20中。[0260]因此，第一子设备包括:[0261]-多个基本等离子体源3，每个基本等离子体源含有位于处理室20内部的应用装置30，以及测量对应的应用装置30反射的功率的測量系统31；[0262]-微波范围内的电磁波发生器4，，每个发生器通过同轴电缆5连接至ー个应用器30，该发生器4包括频率调整系统40，该调整系统设计用于调整在大约2400-2500MHZ间的微波频率，或者甚至在另ー个预定频率范围内；并且[0263]-位于发生器4输出端的功率分配器8，该功率分配器具有k个通过同轴电缆连接至应用器30的输出，因此功率分配器8的每个输出提取发生器4产生的总功率的1/k至应用器30。[0264]因此，第二子设备包括:[0265]-多个基本等离子体源3，每个基本等离子体源包括位于同一处理室20内部的应用装置30，以及测量对应的应用装置30反射的功率的測量系统31；[0266]-固态类型的微波范围内电磁波发生器4，，每个发生器通过同轴电缆5连接至一个应用器30，该发生器4含有频率调整系统40，该调整系统调整在大约2400-2500MHZ间的微波频率，或者甚至在另ー个预定频率范围内；以及[0267]-位于发生器4输出端的功率分配器8，该功率分配器具有m个(m不必须等于k)通过同轴电缆5连接至应用器30的输出，因此功率分配器8的每个输出提取发生器4产生的总功率的1/m至应用器30。[0268]此外，设备I包括控制器6，该控制器输入连接至所有基本源3的測量系统31，输出连接至两个发生器4的频率调整系统40。[0269]当然，在ー个和/或其他两个子设备中，可以考虑为每个产生器提供一个阻抗匹配装置(如图8的第四实施例)，或为每个应用器提供一个阻抗匹配装置(如图8的第五实施例)。[0270]同样可以考虑增加新的子装配，或用新的子装配替换两个子装配中的ー个，该新的子装配可以是第一、第二、第六或第七实施例，其中每个应用器有一个发生器。在此情况下，该设备仍然包含连接至不同測量系统31的単独的控制器和不同频率调整系统40。[0271]当然，以上描述的示例性实施例不是限制性的，只要不超出本发明的范围，其他改进和细节可以添加至该设备，例如可生产其他形式的应用装置和/或用于引导电磁波的引导装置。【权利要求】1.一种负载微波处理设备(I),包括:-至少一个应用在微波范围内的电磁波的应用装置(30);-至少一个固态类型的在微波范围内的电磁波发生器(4)，通过用于引导电磁波的装置(5)连接到至少一个应用装置(30);其特征在于，该设备进一步包括:-所述或每个发生器(4)的频率调整系统(40)，该频率调整系统设计用于调整所述对应的发生器(4)产生的电磁波的频率f(i);-所述或每个应用装置(30)的测量系统(31)，该测量系统设计用于测量所述对应的应用装置(30)的反射功率Pk⑴；以及-自动控制装置(6)，该自动控制装置连接至所述或每个频率调整系统(40)，并且设计用于控制通过所述或每个频率调整系统(40)对电磁波频率f⑴的调整，另一方面，该自动控制装置连接至所述或每个测量系统(31)，用来:el)作为输入并且实时接收来自所述或每个测量系统(31)的反射功率测量值Pk⑴;并且e2)控制所述或每个频率调整系统(40)以改变所述或每个发生器(4)产生的电磁波频率f⑴，直至符合以下至少一个条件:a)由所述或每个测量系统(31)测得的所述反射功率Pk⑴基本上达到第一参考值VK(i);或者b)所述或每个应用装置(30)的发射功率Ρτω基本上达到第二参考值VT(i)，所述发射功率Ρτω对应于发射至所述对应的应用装置(30)的入射功率PIN(i)与在同一应用装置(30)测得的所述反射功率Pk(O的差值，或下面的关系式:PT(i)=PIN(i)-PK⑴。2.根据权利要求1所述设备(1)，其特征在于，所述或每个频率调整系统(40)设计用于调整电磁波频率，其频率范围在微波范围内选择，例如频率范围在大约2400-2500MHZ间，或例如在大约5725-5875MHZ间，或者甚至在另一个属于微波范围的预定频率范围内。3.根据前述权利要求中任一项所述设备(I)，其特征在于，包括至少两个各自与所述频率调整系统(40)相关联的发生器(4)和至少两个应用装置(30)，每个发生器(4)与至少一个应用装置(30)相连。4.根据前述权利要求中任一项所述设备(I)，其特征在于，包括N个各自与所述频率调整系统(40)相关联的发生器(4)和N个应用装置(30)，其中N是大于2的整数，每个发生器(4)与至少单个应用装置(30)相连。5.根据前述权利要求中任一项所述设备(I)，其特征在于，对于所述或每个应用装置(30)，其中所述第一参考量VK(i)对应于经测量的反射功率Pk⑴的最小值，可以等于或接近于零，并且特别是对应于预定的阈值反射功率，从而执行对所述或每个应用装置(30)的阻抗匹配。6.根据前述权利要求中任一项所述设备(I)，其特征在于，所述设备(I)包括多个应用装置(30)，对于每个应用装置(30)，其中第二参考值VT(i)对应于某个预先设定值VCt，每个应用装置(30)的该预先设定值是相同的。7.根据前述权利要求中任一项所述设备(I)，其特征在于，所述设备(I)包括多个应用装置(30)，它们的第二参考值VT(i)不是全部相同的。8.根据前述权利要求中任一项所述设备(I)，其特征在于，所述设备(I)包括多个应用装置(30)，其中所述控制装置(6)连接至所述或每个发生器(4)，用来接收作为输入的与每个应用装置(30)相关联的所述入射功率PIN(i)的值，并且在监测步骤e2)期间所述控制装置(6)设计为通过执行以下的子步骤来满足条件b):e3)对于每个应用装置(30)，计算与应用装置(30)的发射功率Pt⑴对应的反射功率Pk(O的设定值VCK(i)，该发射功率Pt⑴等于第二参考值VT(i)，即，VCrG厂PlN(i)_VT(i);e4)对于所述每个应用装置(30)，监测频率调整系统(40)，使得所述相关发生器(4)产生的电磁波频率f⑴变化，从而将反射功率Pk(O限制至所述设定值VCk⑴。9.根据前述权利要求中任一项所述设备(1)，其特征在于，其中所述控制装置(6)依据功率控制所述或每个发生器(4)从而使所述或每个发生器(4)提供给定的入射功率PIN(i)，并且所述控制装置(6)设计用于执行步骤e2)，并且通过监测所述或每个频率调整系统(31)以改变相关联频率和所述或每个发生器(4)以改变相关联入射功率PIN(i)来满足条件a)和/或b)。10.该权利要求8和9所述设备，其特征在于，在子步骤e4)期间，对于所述或每个应用装置(30)，所述控制装置(6)设计用来监测以下两个方面:-所述相关发生器(4)，从而所述相关发生器(4)提供给定的设定值VCin⑴的入射功率Pin⑴，可选地该设定值是变量；并且`-所述相关频率调整系统(40)用来改变由所述相关发生器(4)产生的电磁波的频率f(i)，从而将所述反射功率Pk⑴限制为所述设定值VCk⑴，其满足下面关系式:^CE(j)-VCIN(i)-Vt(j)。11.根据前述权利要求中任一项所述设备(1)，其特征在于，所述设备(I)包括多个应用装置(30)，所述控制装置(6)连接至所述或每个发生器(4)，用来接收作为输入的与每个应用装置(30)相关联的所述入射功率PIN(i)的值，并且依据功率控制所述或每个发生器(4)从而使所述或每个发生器(4)提供给定的入射功率PIN(i)，并且在监测步骤e2)期间，控制装置(6)设计用于执行以下几个子步骤来满足两个条件a)和b):e5)监测所述每个频率调整系统(40)用于改变由所述相关发生器(4)产生的电磁波的频率f(i)，直至满足条件a)，这样每个反射功率Ρκω等于第一对应参考值VK(i)；e6)对于每个应用装置(30)，计算与所述应用装置(30)的发射功率Pt⑴的入射功率Pin(O的设定值VCIN(i)，该发射功率Pt⑴等于第二参考值VT(i)，即，VCin⑴-Vr⑴+Vt⑴；e7)控制所述或每个发生器(4)从而使该发生器提供设定值VCIN(i)的入射功率PIN(i)，以满足条件b)。12.根据权利要求11所述设备(1)，其特征在于，在监测步骤e2)期间所述控制装置(6)设计用于在子步骤e5)前执行子步骤e8)，所述子步骤e8)包括控制所述或每个发生器从而该发生器提供数值上接近或大体上等于第二参考值VT(i)的入射功率PIN(i)。13.根据前述权利要求中任一项所述设备(I)，其特征在于，所述设备(I)进一步包括至少一个设计用来产生磁共振场的磁结构，其与电磁波一起能够产生电子回旋共振等离子体，并且所述控制装置(6)设计的目的是:fl)为所述或每个频率调整系统(40)计算目标频率Cf⑴，所述频率对应于所述或每个应用装置(30)电子回旋共振面的预定值；f2)为每个基本源(3)监测所述频率调整系统(40)，使所述或每个发生器(4)产生的电磁波频率&)限制至对应设定值Cf⑴，从而使所述或每个应用装置的电子回旋共振面达到对应的预定值。14.一种负载微波处理方法，包括以下几个步骤:-使用至少一个固态发生器(4)产生至少一个在微波范围内的电磁波；-将所述或每个电磁波引导到所述电磁波的至少一个电磁波应用装置(30);-通过所述或每个电磁波的所述或每个应用装置(30)应用到负载上；其特征在于，该方法进一步包括用于自动调整所述或每个电磁波的频率的步骤，，从而调节所述或每个应用装置(30)的反射功率Pk⑴和/或通过所述或每个应用装置(30)调节发射功率Pt⑴，使用以下的几个步骤:Pl)对于所述或每个应用装置(30)，通过所述相应应用装置(30)测量反射功率Pk⑴，并且P2)监测所述或每个发生器(4)产生的电磁波的频率f(i)，直至满足以下至少一个条件:a)所述或每个应用装置(30)上测得的所述反射功率Pk⑴基本上达到第一参考值VK(i);或者b)所述或每个应用装置(30)的发射功率Ρτω基本上达到第二参考值VT(i)，所述发射功率Ρτω对应于发射至所述对应的应用装置(30)的入射功率PIN(i)与在同一应用装置(30)上测得的所述反射功率Pk⑴的差值，即，如以下关系式:PT(i)=PIN(i)-PK⑴。15.根据权利要求14所述方法，其特征在于，所述产生步骤包括使用至少两个发生器(4)产生至少两个电磁波，所述引导步骤包括引导用于至少一个应用装置(30)的每一电磁波，并且所述调整步骤包括彼此独立地调整每个电磁波的频率。16.根据权利要求14或15所述方法，其特征在于，所述产生步骤包括使用N个发生器(4)产生N个的电磁波，所述引导步骤包括引导用于N个应用装置(30)的N个电磁波，其中N是大于2的整数，并且所述调整步骤包括彼此独立地调节每个电磁波的频率。17.根据权利要求14至16中的任一项所述方法，其特征在于，所述或每个应用装置(30)的所述第一参考量VK(i)对应于所测量的反射功率Pk⑴最小值，可以等于或接近于零，并且特别是对应于预定的阈值反射功率，从而执行对所述或每个应用装置(30)的阻抗匹配。18.根据具有多个所述应用装置(30)的权利要求14至17中的任一项所述方法，其特征在于，对于每个所述应用装置(30)，其中第二参考值VT(i)对应于预先设定值VCT，对于每个基本源(3)的预先设定值VCt是相同的，因此特别有利于均匀加热或在处理室(20)中获得均匀的等离子体或等离子表面。19.根据具有多个所述应用装置(30)的权利要求14至18中的任一项所述方法，其特征在于，所述方法进一步包含建立或测量与每个应用装置(30)相关联的所述入射功率Pin⑴的步骤，并且其中监测步骤P2)通过执行以下几个子步骤满足条件b):P3)对于每个应用装置(30)，计算与该应用装置(30)的发射功率Pt⑴对应的反射功率Pe(O的设定值VCK(i)，该发射功率Pt⑴等于第二参考值VT(i)，例如:VClUi厂PlN(i)_^T(i);P4)对于每个应用装置(30)，监测由所述相关发生器(4)产生的电磁波频率f⑴，从而将反射功率Pk(ο限制至所述设定值VCk⑴。20.根据权利要求14至19中的任一项所述方法，其特征在于，对于每个应用装置(30)，通过监测由所述相关发生器(4)产生的电磁波频率f(i)和所述相同发生器(4)发射出的入射功率PIN(i)，以使监测步骤P2)满足条件a)和/或b)。21.根据权利要求19和20所述方法，其特征在于，对于每个应用装置(30)，其中子步骤P4)包括监测两个方面:-由所述相关发生器(4)发射出的入射功率PIN(i)为某个给定的设定值VN(i)，该设定值VN(i)使可变的；以及-由所述相关发生器(4)产生的电磁波频率f(i)，从而将反射功率Pk⑴限制至所述设定值VCk⑴，满足以下关系式:VCrG=VCin(O-VtG)。22.根据具有多个应用装置(30)的权利要求20所述方法，其特征在于，对于多个所述应用装置(30)，其中监测步骤p2)通过执行以下子步骤满足条件a)和b)；P5)监测由所述相关发生器产生的电磁波频率f(i)，直至满足条件a)，这样每个反射功率Pk⑴等于对应的第一参考值\⑴;P6)对于每个应用装置(30)，计算与所述应用装置(30)的发射功率Pt⑴对应的入射功率Pin⑴的设定值VCIN(i)，该发射功率Pt⑴等于第二参考值VT(i)，即，^Cin(J)-Ve(J)+Vt(j);Ρ7)调整由相应发生器发射出的入射功率Pin⑴至设定值VCIN(i)，以满足条件b)。23.根据权利要求22所述方法，其特征在于，在子步骤p5)前，所述监测步骤p2)进一步包括子步骤P8)以调整相应发生器发射出的入射功率Pin⑴至接近或基本上等于第二基准值Vt⑴。24.根据权利要求14至23中的任一项所述方法，其特征在于，所述方法包括一个设计用来产生磁共振场的步骤，其与电磁波一起能够产生电子回旋共振等离子体，并且所述方法进一步包括以下几个步骤:rl)对于所述或每个应用装置(30)，计算目标频率Cf⑴，所述频率对应于所述电子回旋共振面的预定值；r2)将所述或每个发生器(4)产生的电磁波频率f(i限制至对应设定值Cf(i)，从而使所述或每个应用装置(30)的电子回旋共振面达到对应预定值。【文档编号】H01J37/32GK103608892SQ201280020919【公开日】2014年2月26日申请日期:2012年4月25日优先权日:2011年4月27日【发明者】阿德里安·格朗德芒格,让-玛丽·雅各米诺,玛丽莱娜·拉多尤,路易斯·拉特拉斯申请人:塞勒姆电子与微波工业应用研究公司