一种双电离的离子源的制作方法
【专利摘要】一种双电离的离子源，该离子源由电子轰击电离（EI源）和真空紫外灯电离（PI源）两种电离方式组成，其结构包括进样管，推斥极、电离室、灯丝、紫外灯、引出极、聚焦极、出射极、推斥板和接地栅板。本发明拓宽了单一离子源分析多形态样品时的适用性，同时提高了碎片离子的质量选择，可有效的分析离子组成和样品结构。
【专利说明】—种双电离的离子源
【技术领域】
[0001]本发明属于离子源领域，具体涉及一种双电离的离子源。
【背景技术】
[0002]质谱技术是一种测量离子荷质比的分析方法，其原理是使试样中各组分在离子源中发生电离，生成不同荷质比的带正电荷的离子，经加速电场的作用，形成离子束，进入质量分析器。在质量分析器中，再利用电场和磁场使发生相反的速度色散，将它们分别聚焦而得到质谱图，从而确定其质量。
[0003]待测样品要在电离室中被离子源电离后才能被质谱检测到，以往的电离方式通常为单一的硬电离或软电离，软电离可得到样品的分子离子峰，可更好的解析谱图，但电离能量较低，对于难电离的样品不适用；硬电离的电离能量较大，但易产生碎片离子，对谱图的解析带来一定的困难。
【发明内容】
[0004]为了克服现有技术存在的缺陷，本发明的目的是提供一种双电离的离子源，采用EI或PI两种电离方式，拓宽了单一离子源分析多形态样品时的适用性，同时提高了碎片离子的质量选择，可有效的分析离子组成和样品结构。
[0005]本发明提供了一种双电离的离子源，该离子源由样品管，推斥极、电离室、灯丝、紫外灯、引出极、聚焦极、出射极、接地栅板、推斥板组成；
[0006]该离子源是以样品管为起点，依次为推斥极、电离室、灯丝、紫外灯、引出极、聚焦极、出射极、接地栅板及推斥板；其中，灯丝位于电离室的一侧，紫外灯位于电离室的上方。
[0007]本发明提供的双电离的离子源，该离子源由电子轰击电离(EI源)和真空紫外灯电离(PI源)两种电离方式组成。
[0008]本发明提供的双电离的离子源，所述推斥极电压为0?30V ;所述引出极电压为0?15V ;所述聚焦极电压为-110?OV ;所述出射极电压为-41?OV ;所述灯丝电离能为_70eV ;所述真空紫外灯电离能为8?15eV。
[0009]本发明的有益效果是:本发明电离方式为电子轰击电离或紫外光电离两种，拓宽了单一离子源分析多形态样品时的适用性，同时提高了碎片离子的质量选择，可有效的分析离子组成和样品结构。电离产生的离子被推斥极向分析器推斥，在推斥过程中经由引出极与聚焦极进行汇聚，最终汇聚到离子源的出口上。通过调节推斥极、引出极、聚焦极的电压可以调节出射离子的能量与方向分布。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1是本发明一种双电离的离子源的结构图，其中，I为样品管；2为推斥极；3为电离室；4为灯丝；5为紫外灯；6为引出极；7为聚焦极；8为出射极；9为接地栅板；10为推斥板。【具体实施方式】
[0011]下面结合图1对本发明作进一步的说明。
[0012]如图1所示，本发明一种双电离的离子源，以样品管为起点，依次为推斥极、电离室、灯丝、紫外灯、引出极、聚焦极、出射极、接地栅板及推斥板。其中，灯丝位于电离室的一侦U，紫外灯位于电离室的上方。
[0013]本发明采用电子轰击电离或紫外光电离两种，拓宽了单一离子源分析多形态样品时的适用性，同时提高了碎片离子的质量选择，可有效的分析离子组成和样品结构。电离产生的离子被推斥极向分析器推斥，在推斥过程中经由引出极与聚焦极进行汇聚，最终汇聚到离子源的出口上。通过调节推斥极、引出极、聚焦极的电压可以调节出射离子的能量与方向分布。
【权利要求】
1.一种双电离的离子源，其特征在于:该离子源由样品管，推斥极、电离室、灯丝、紫外灯、引出极、聚焦极、出射极、接地栅板、推斥板组成； 该离子源是以样品管为起点，依次为推斥极、电离室、灯丝、紫外灯、引出极、聚焦极、出射极、接地栅板及推斥板；其中，灯丝位于电离室的一侧，紫外灯位于电离室的上方。
2.按照权利要求1所述双电离的离子源，其特征在于:该离子源由电子轰击电离和真空紫外灯电离两种电离方式组成。
3.按照权利要求1所述双电离的离子源，其特征在于:所述推斥极电压为O?30V。
4.按照权利要求1所述双电离的离子源，其特征在于:所述引出极电压为O?15V。
5.按照权利要求1所述双电离的离子源，其特征在于:所述聚焦极电压为-110?0V。
6.按照权利要求1所述双电离的离子源，其特征在于:所述出射极电压为-41?0V。
7.按照权利要求1所述双电离的离子源，其特征在于:所述灯丝电离能为_70eV。
8.按照权利要求2所述双电离的离子源，其特征在于:所述真空紫外灯电离能为8?15eV0
【文档编号】H01J49/14GK103594326SQ201310617392
【公开日】2014年2月19日 申请日期:2013年11月27日 优先权日:2013年11月27日
【发明者】唐紫超, 史磊, 李刚, 王兴龙, 吴小虎, 张世宇 申请人:中国科学院大连化学物理研究所