本发明涉及一种发光元件。
背景技术：
在现有技术中，经常采用发光二极管作为光源广泛应用于显示领域。显示器件通常包括复数个阵列排列的发光元件，每一发光元件至少包括晶粒和基板。所述晶粒设置于基板之上，且通常与基板大小相同，在生产过程中，大尺寸的晶粒需要消耗更多的原料，造成了显示器整体成本过高，在应用中，大尺寸的晶粒需要消耗更多的电能。因此，在本领域中，通常采用将晶粒的尺寸设计为小于基板的尺寸的方法来控制成本和减少耗能。但是，由于将晶粒的尺寸设计为小于基板的尺寸将导致一部分光线由晶粒侧面出射，从而降低了正向出光强度，同时增加了眩光现象的产生。因此，如何增加正向出光强度、减少眩光现象的产生是目前亟待解决的问题。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明提供一种发光元件以解决如何增加正向出光强度、减少眩光现象的产生的技术问题。
一种发光元件，包括基板和晶粒，所述晶粒设置于所述基板的表面，所述晶粒在基板的表面的投影位于所述基板的表面内，还包括反光部，所述反光部设置于所述基板的表面，所述反光部在基板的表面的投影位于所述基板的表面内，所述反光部围绕所述晶粒，所述反光部的高度小于所述晶粒的高度。
进一步的，所述晶粒的边长小于50微米。
进一步的，所述反光部的高度小于20微米。
进一步的，所述反光部为环状。
进一步的，所述反光部为复数个柱状物。
进一步的，每个所述柱状物的底面积小于晶粒底面积的50％。
进一步的，所述复数个柱状物之间存在间隙。
进一步的，所述发光元件还包括阻挡部，所述阻挡部位于基板上，并围绕所述反光部。
进一步的，所述阻挡部与所述反光部之间存在空隙。
本发明所提供的发光元件，通过提供反光部，将反光部设置于所述基板的表面，并且使反光部在基板的表面的投影位于所述基板的表面内，再通过反光部围绕设置在晶粒周围，且反光部的高度小于晶粒的高度，以使得由晶粒侧面出射的光线得以被反光部反射，不仅增加了所述发光元件的正向出光强度，同时减少了眩光现象的产生。
附图说明
图1为本发明所提供的发光元件的剖视图。
图2为本发明所提供的发光元件的第一种实施方式的俯视图。
图3为本发明所提供的发光元件的第二种实施方式的俯视图。
图4为本发明所提供的发光元件的第三种实施方式的俯视图。
图5为本发明所提供的发光元件的第四种实施方式的剖视图。
图6为本发明所提供的发光元件的第四种实施方式的俯视图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。
基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。
本发明提供一种发光元件10。如图1所示，图1为本发明所提供的发光元件10的剖视图。
所述发光元件10包括基板100、晶粒200和反光部300。
所述基板100可以采用薄膜场效应晶体管(tft，thinfilmtransistor)，铟镓锌氧化物(igzo，indiumgalliumzincoxide)和液晶等。所述基板100可以包括电路结构(图未示)。
所述晶粒200设置于所述基板100的表面101。所述晶粒200在基板100的表面101的投影位于所述基板100的表面101内，以使得晶粒200的尺寸小于基板100的尺寸，进而生产成本降低，同时在使用过程中，减少电能的消耗。
所述晶粒200可以包括自上而下依次堆叠而成的氮化镓外延层、n型半导体层、发光活性层以及p型半导体层(图未示)。所述晶粒200亦可以包括自上而下依次堆叠而成的氮化镓外延层、p型半导体层、发光活性层以及n型半导体层(图未示)。所述晶粒200的边长小于50微米。
所述反光部300设置于所述基板100的表面101。所述反光部300在基板100的表面101的投影位于所述基板100的表面101内，以使得维持产品尺寸不变，不额外产生成本损耗。所述反光部300围绕所述晶粒200。所述反光部300的高度小于所述晶粒200的高度，不仅维持产品尺寸不变，而且使得由所述晶粒200侧面出射的光线得以被所述反光部300反射，从而增加了所述发光元件100的正向出光强度，同时减少了眩光现象的产生。
所述反光部300可以采用硅胶(silicon)，环氧树脂(epoxy)，铝(al)，镍(ni)，钛(ti)，银(ag)，铜(cu)，铬(cr)，氧化硅(sio2)，氧化钛(tio2)和碳(c)等材料。所述反光部300的高度小于20微米。
请参阅图2，图2为本发明所提供的发光元件10的第一种实施方式的俯视图。
所述反光部300可以为环状。所述反光部300围绕所述晶粒200。所述晶粒200位于所述反光部300的中心。
请参阅图3-4，图3为本发明所提供的发光元件10的第二种实施方式的俯视图，图4为本发明所提供的发光元件10的第三种实施方式的俯视图。
所述反光部300可以为复数个柱状物301。所述柱状物301可以为圆柱、三角柱、金字塔型(图未示)。所述反光部300可以为不同形状、大小的所述柱状物301的组合。所述复数个柱状物301之间存在间隙302。所述复数个柱状物301可以环绕所述晶粒200一圈(如图3)，也可以环绕所述晶粒200多圈(图未示)。所述复数个柱状物301还可以根据需求排列于所述晶粒200周围(如图4)。每个所述柱状物301的底面积小于晶粒200底面积的50％。
进一步的，请参阅图5-6，图5为本发明所提供的发光元件10的第四种实施方式的剖视图，图6为本发明所提供的发光元件10的第四种实施方式的俯视图。
本发明所提供的发光元件10还可以包括阻挡部400，所述阻挡部400位于基板10上，并围绕所述反光部300。所述阻挡部400的高度小于等于所述晶粒200的高度。所述阻挡部400的高度大于等于所述反光部300的高度。所述阻挡部400与所述反光部300之间存在空隙401。所述阻挡部400可以进一步的反射由所述晶粒200侧面出射的光线，从而进一步的增加所述发光元件10的正向出光强度，同时减少眩光现象的产生。
以上所述，仅是本发明的较佳实施方式而已，并非对本发明任何形式上的限制，虽然本发明已是较佳实施方式揭露如上，并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施方式，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施方式所做的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。