本公开涉及，光源装置以及投光装置，尤其涉及，利用将从半导体发光装置射出的光照射到波长转换部件而从波长转换部件放出的光的、投影显示装置等的显示器领域、或者车辆用照明、产业用照明、以及医疗用照明等的照明领域所利用的光源装置以及利用了该光源装置的投光装置。
背景技术：
在利用由半导体激光器等的半导体发光元件构成的半导体发光装置的光源装置以及投光装置中，为了使高光通量的光放出，而需要高效率地利用因半导体发光装置的光照射而从波长转换部件放出的光。
作为这种投光装置，专利文献1公开，利用半导体激光器元件以及荧光体的发光装置。利用图41说明专利文献1所公开的以往的发光装置1001。
图41是用于说明以往的发光装置1001的结构的图。
如图41示出，以往的发光装置1001具备，将激光振荡的半导体激光器元件1002、将从半导体激光器元件1002振荡的激光的至少一部分转换为非相干的光的荧光体1004、使从荧光体1004放出的光反射的反射板1005、以及抑制相干的激光向外部射出的安全装置(光检测器1011，控制部1009)。
从半导体激光器元件1002射出的蓝光的激光，由荧光体1004波长转换为波长比500nm大的光，并放出。此时，会有荧光体1004受损伤或脱落，从而荧光体1004发生异常劣化的情况。在此情况下，也会有发生例如激光直接向外部射出的状态等的光转换异常的情况。于是，在图41所示的以往的发光装置1001中，在因荧光体1004发生异常劣化而导致的功率降低由光检测器1011检测的情况下，停止半导体激光器元件1002的输出。具体而言，在由控制部1009，判断为受光元件1008的输出值为规定值以下的情况下，控制部1009，使半导体激光器元件1002的驱动停止。据此，能够抑制激光向外部射出。
并且，专利文献2提出，在将半导体激光器元件用于光源的车辆用前照灯中，在照明光的光程配置反射器的反射面，使由该反射面反射的照明光的一部分入射到光检测单元，控制半导体激光器元件的装置。根据该装置，在用于将激光波长转换的部件脱落的情况下，能够以不发出激光的方式控制半导体激光器元件。
(现有技术文献)
(专利文献)
专利文献1：日本特开2011-66069号公报
专利文献2：日本特开2014-180886号公报
然而，在以往的投光装置(例如专利文献1或专利文献2)中，为了将光引导到光检测器而设置的反射部件或光检测器本身，被配置在作为照明光有效的光通过的区域，因此，导致光学效率的损失。其结果为，投光装置的光通量降低，照明光的照射区域中发生光强度不均匀。
并且，根据以往的投光装置(例如专利文献1或专利文献2)的结构，外部环境的光容易入射到光检测器，难以由光检测器准确地检测因波长转换部件(荧光体等)的异常劣化而导致的光转换异常。
技术实现要素：
为了解决这样的问题，本公开的目的在于，提供能够由光检测器准确地检测波长转换部件的异常劣化，并且，即使利用光检测器也能够抑制因光检测器而在照明光的照射区域产生光强度不均匀的光源装置以及投光装置。
为了解决所述问题，本公开涉及的光源装置的实施方案之一，具备：半导体发光装置，射出激光；波长转换部件，从所述半导体发光装置射出的激光作为激励光照射到该波长转换部件，从而放出荧光；以及光检测器，从所述波长转换部件放出的光的一部分入射到该光检测器，所述光检测器，被配置在从放射利用光的光程偏离的位置，所述放射利用光是从所述波长转换部件向空间放出的光之中的作为照明光利用的光。
根据该结构，能够由光检测器准确地检测波长转换部件的异常劣化，并且，即使利用光检测器也能够抑制因光检测器而在照明光的照射区域产生光强度不均匀。进而，能够实现小型的光源装置，因此，也能够实现利用该光源装置的投光装置的小型化。
进而，本公开涉及的光源装置的实施方案之一也可以，还具备第一反射部件，所述第一反射部件，使从所述波长转换部件放出的光之中的不会作为照明光利用的光的一部分，反射向与所述放射利用光行进的方向远离的方向，由所述第一反射部件反射的光入射到所述光检测器。
根据该结构，能够使从波长转换部件放出的光之中的不会作为照明光利用的光(无用光)入射到光检测器。
进而，本公开涉及的光源装置的实施方案之一也可以，在所述放射利用光的光程设置有透光部件。
根据该结构，将透明部件设为透明罩那样的以防止尘埃以及灰埃附着到光检测器为目的的部件，从而能够取消为了仅将光引导到光检测器而产生的光学效率的损失。
或者，本公开涉及的光源装置的实施方案之一也可以，在所述放射利用光的光程设置有透光部件，所述透光部件作为所述第一反射部件发挥功能。
根据该结构，能够不利用反射部件，而使不会作为照明光利用的光(无用光)的一部分反射并引导到光检测器。
并且，本公开涉及的光源装置的实施方案之一也可以，还具备支撑部件，所述支撑部件支撑所述波长转换部件，所述透光部件堵塞所述支撑部件的开口。
根据该结构，能够保护由支撑部件支撑的波长转换部件。
或者，本公开涉及的光源装置的实施方案之一也可以，具备支撑部件，所述支撑部件支撑所述波长转换部件，所述半导体发光装置以及所述光检测器，被配置在安装在所述支撑部件的电路板。
据此，能够容易将半导体发光装置以及光检测器安装到电路板，因此，能够简单地制造光源装置。
进而，本公开涉及的光源装置的实施方案之一也可以，在所述支撑部件，设置有向所述光检测器入射的光通过的开口部。
根据该结构，能够经由开口部将从波长转换部件放出的光引导到光检测器。
进而，本公开涉及的光源装置的实施方案之一也可以，在所述支撑部件，设置有与所述开口部连通的凹处，所述光检测器，被配置在所述凹处。
根据该结构，能够保护光检测器，并且，能够仅使所希望的光入射到光检测器。
进而，本公开涉及的光源装置的实施方案之一也可以，在所述凹处中，在与所述光检测器相比接近所述半导体发光装置的位置配置有温度检测元件。
根据该结构，能够由温度检测元件检测半导体发光装置附近的温度，因此，能够考虑半导体发光装置的光输出的温度依赖性，判别波长转换部件是否发生异常劣化。因此，能够更准确地检测波长转换部件的异常劣化。
进而，本公开涉及的光源装置的实施方案之一也可以，安装所述半导体发光装置以及所述光检测器的所述电路板是，同一电路板，在所述同一电路板安装有控制部，该控制部根据入射到所述光检测器的光的强度对所述半导体发光装置进行控制。
根据该结构，能够实现更小型的光源装置，并且，不依赖于光源装置的外部控制也由光源装置本身能够进行，不使来自半导体发光装置的射出光直接向外部射出的安全功能。
进而，本公开涉及的光源装置的实施方案之一也可以，所述控制部，取消基于环境温度的所述半导体发光装置的光输出变化，根据所述光检测器的输出的变化率的变动检测所述波长转换部件的异常劣化。
根据该结构，能够忽视基于半导体发光装置的温度依赖性的光输出变化的影响，因此，能够更准确地检测波长转换部件的异常劣化。
或者，本公开涉及的光源装置的实施方案之一也可以，从所述半导体发光装置射出的由所述波长转换部件反射的激光之中的无用光入射到所述光检测器，所述控制部，根据来自所述光检测器的信号检测所述波长转换部件的异常劣化。
据此，能够容易检测波长转换部件的异常劣化。
进而，本公开涉及的光源装置的实施方案之一也可以，向与所述放射利用光行进的方向远离的方向行进的光入射到所述光检测器。
据此，能够不使从光源装置放出的照明光的利用效率下降，而检测波长转换部件的异常劣化。
并且，本公开涉及的光源装置的实施方案之一也可以，还具备第二反射部件，所述第二反射部件，使从所述半导体发光装置射出的激光反射，所述波长转换部件，使所述放射利用光从由所述第二反射部件反射的激光入射的面放出。
据此，能够实现激励光由波长转换部件反射而成为放射光的结构的反射型的光源装置。
进而，本公开涉及的光源装置的实施方案之一也可以，所述波长转换部件，使所述放射利用光从与所述激光入射的面相反侧的面放出。
据此，能够实现激励光透过波长转换部件而成为放射光的结构的透射型的光源装置。
进而，本公开涉及的光源装置的实施方案之一也可以，在所述半导体发光装置与所述波长转换部件之间，配置有对所述激光进行聚光的光学元件。
根据该结构，能够将从半导体发光装置射出的激光照射到波长转换部件的所希望的照射区域。
并且，本公开涉及的投光装置的实施方案之一，所述投光装置由光源装置和投光部件构成，所述投光部件，使从所述光源装置放出的放射利用光反射，所述光源装置，具备：射出激光的半导体发光装置；波长转换部件，从所述半导体发光装置射出的激光作为激励光照射到该波长转换部件，从而放出荧光；以及光检测器，从所述波长转换部件放出的光的一部分入射到该光检测器，所述光检测器，被配置在从由所述波长转换部件向空间放出的光之中的所述放射利用光的光程偏离的位置。
根据该结构，能够一边抑制在照明光的照射区域产生光强度不均匀，一边准确地检测波长转换部件的异常劣化，并且，利用小型的光源装置，从而能够实现具有良好的可靠性的小型的投光装置。
并且，本公开涉及的投光装置的实施方案之一也可以，所述光源装置具备，支撑所述波长转换部件的支撑部件、以及安装在所述支撑部件的电路板，在所述电路板中，在与由所述投光部件反射的光的方向相反侧安装有外部连接部。
根据该结构，能够简化投光装置的电布线。
并且，本公开涉及的投光装置的实施方案之一也可以，所述光源装置具备，支撑所述波长转换部件的支撑部件、以及安装在所述支撑部件的散热部件，所述散热部件，在与由所述投光部件反射的光的方向相反侧具有散热片。
根据该结构，能够避免投光装置的放射利用光的光程被限制，将光源装置中发生的热容易向外部(例如大气中)散发。
并且，本公开涉及的投光装置的实施方案之一也可以，所述光源装置具备第二反射部件，所述第二反射部件，使从所述半导体发光装置射出的激光反射向所述波长转换部，由所述第二反射部件反射的激光，朝向与由所述投光部件反射的光的方向相反侧。
据此，即使在光源装置的工作中波长转换部件被破损，也能够抑制定向性强且能量密度大的放射光照射到投光装置的部件并向外部直接放出。因此，能够提高投光装置的安全性。
根据本公开，能够由光检测器准确地检测波长转换部件的异常劣化，并且，即使利用光检测器也能够抑制因光检测器而在照明光的照射区域产生光强度不均匀。
附图说明
图1是示出实施例1涉及的光源装置的结构的概略截面图。
图2是示出实施例1涉及的光源装置的电路结构以及用于使该光源装置工作的驱动部的电路结构的电路框图。
图3是用于说明实施例1涉及的装载光源装置的灯具以及车辆的功能的概略图。
图4是实施例1涉及的光源装置的控制部的各个信号的时序图。
图5a是示出将放射光从光源装置放出到投光部件时的针对相当于投光部件的数值孔径的最大接受角的光利用效率的关系的图。
图5b是示出实施例1涉及的光源装置的第一放射光的光强度的对从光轴的角度的依赖性的图。
图5c是示出实施例1涉及的光源装置的第二放射光的光强度的对从光轴的角度的依赖性的图。
图6是用于说明实施例1涉及的光源装置的波长转换部件的形状的变化和放射光的变化的图。
图7是示出与图6对应的第一放射光的光强度的对从光轴的角度的依赖性的图。
图8是示出与图6对应的第二放射光的光强度的对从光轴的角度的依赖性的图。
图9是实施例1涉及的光源装置的控制部的各个信号的时序图。
图10是实施例1的变形例涉及的光源装置的控制部的各个信号的时序图。
图11是示出实施例2涉及的光源装置的结构的概略截面图。
图12是示出实施例2涉及的光源装置的更具体结构的截面图。
图13是用于说明实施例2涉及的光源装置的制造方法的图。
图14是用于说明实施例2涉及的光源装置的制造方法的图。
图15是示出实施例2涉及的装载光源装置的第一灯具的结构的概略截面图。
图16是示出实施例2涉及的装载光源装置的第二灯具的结构的概略截面图。
图17是示出实施例2涉及的装载光源装置的第三灯具的结构的概略截面图。
图18是示出实施例3涉及的光源装置的结构的概略截面图。
图19是示出实施例3涉及的光源装置的电路结构以及用于使该光源装置工作的驱动部的电路结构的电路框图。
图20是实施例3涉及的光源装置的控制部的各个信号的时序图。
图21是示出实施例3的变形例涉及的光源装置的结构的概略截面图。
图22是用于说明实施例3的变形例涉及的光源装置的波长转换部件的形状的变化和放射光的变化的图。
图23是示出实施例4涉及的光源装置的结构的概略截面图。
图24是示出实施例4涉及的光源装置的电路结构以及用于使该光源装置工作的驱动部的电路结构的电路框图。
图25是示出实施例5涉及的光源装置的结构的概略截面图。
图26是用于说明实施例5涉及的光源装置的制造方法的图。
图27是示出实施例6涉及的光源装置的结构的概略截面图。
图28是示出实施例7涉及的光源装置的结构的概略截面图。
图29是示出实施例8涉及的光源装置的结构的概略截面图。
图30是用于说明实施例8涉及的光源装置的安全功能的图。
图31是示出实施例8的变形例涉及的光源装置的结构的概略截面图。
图32是示出实施例8的变形例涉及的光源装置的波长转换部件和透明罩部件和光检测器的位置关系的图。
图33a是示出比较例1涉及的光源装置的波长转换部件和透明罩部件和光检测器的位置关系的图。
图33b是示出比较例2涉及的光源装置的波长转换部件和透明罩部件和光检测器的位置关系的图。
图34是示出实施例9涉及的光源装置的结构的概略截面图。
图35是示出实施例9涉及的光源装置的电路结构以及用于使该光源装置工作的驱动部的电路结构的电路框图。
图36是示出实施例9的变形例涉及的光源装置的结构的概略截面图。
图37是示出实施例10涉及的光源装置的结构的概略截面图。
图38是用于说明实施例10涉及的光源装置的安全功能的图。
图39是用于说明实施例10涉及的光源装置的安全功能的图。
图40是变形例涉及的光源装置的控制部的各个信号的时序图。
图41是示出以往的光源装置的结构的截面图。
具体实施方式
对于本公开的实施例，以下利用附图进行说明。而且，以下说明的实施例，都示出本公开的优选的一个具体例子。因此，以下的实施例所示的、数值、构成要素、构成要素的配置位置及连接形态、以及工序(步骤)及工序的顺序等是一个例子，而不是限定本公开的主旨。因此，对于以下的实施例的构成要素中的、示出本公开的最上位概念的实施方案中没有记载的构成要素，作为任意的构成要素而被说明。
并且，各个图是示意图，并不一定是严密示出的图。而且，在各个图中，对实质上相同的结构附上相同的符号，省略或简化重复的说明。也就是说，对于各个图所共同的构成要素，省略或简化说明。
(实施例1)
以下，说明本公开的实施例1涉及的光源装置101。
(结构)
首先，对于实施例1涉及的光源装置101的结构，利用图1进行说明。图1是示出实施例1涉及的光源装置101的结构的概略截面图。
如图1示出，光源装置101具备，半导体发光装置1、波长转换部件4、以及光检测器7。在本实施例中，光源装置101还具备，聚光透镜3、支撑部件20、以及反射部件23。光源装置101，例如，被安装在散热部件130，例如，向投光透镜等的投光部件120放出照明光。
从半导体发光装置1射出的射出光11，由聚光透镜3聚光并照射到波长转换部件4，波长转换部件4生成的光作为光源装置101的放射光90放出到空间。放射光90的一部分，作为光源装置101的照明光照射到外部。
在光源装置101中，半导体发光装置1，与第一布线基板30连接。半导体发光装置1具有，半导体发光元件10、以及安装有半导体发光元件10的封装体12。封装体12是，例如to-can封装体，在封装体12，设置有作为用于向半导体发光元件10施加电力的布线的一对引脚13a及13b、以及安装有板玻璃等的透光性部件16的罐15。透光性部件16，使从半导体发光元件10射出的射出光11透过。半导体发光元件10，被配置在由封装体12和罐15包围的密闭空间内。
装载在半导体发光装置1的半导体发光元件10是，例如，具备氮化物半导体的发光层的氮化物半导体发光元件，在本实施例中，是形成有光波导的半导体激光二极管元件。因此，半导体发光装置1，射出作为射出光11的激光。从半导体发光元件10射出的射出光11是，例如，峰值波长在380nm到490nm之间的近紫外至蓝色的波长的光。在本实施例中，从半导体发光元件10，射出作为射出光11的例如峰值波长450nm的蓝色激光。射出光11，通过透光性部件16，放出到半导体发光装置1的外部。
半导体发光装置1的引脚13a以及13b，与第一布线基板30连接。第一布线基板30是，例如，在包含玻璃环氧的基板上由铜箔等形成布线的印刷布线基板(printedwiringboard)。在第一布线基板30，安装作为外部连接单元37的例如连接器。并且，外部连接单元37，与作为外部布线38的例如电连接用的电缆连接。从外部布线38提供的电力，经由外部连接单元37提供到第一布线基板30。据此，电力经由引脚13a以及13b提供到半导体发光装置1，半导体发光装置1发光。
聚光透镜3是，具有将从半导体发光装置1射出的射出光11聚光于波长转换部件4的功能的光学部件，被配置在半导体发光装置1与波长转换部件4之间。
聚光透镜3，由一个或多个凸透镜或凹反射透镜等的光学部件所组成的光学系统构成，射出光11的一部分或全部聚光于波长转换部件4的表面的一部分或全部。聚光透镜3，被配置在与透光性部件16相对的位置，例如，由固定在支撑部件20的透镜保持器5保持。在本实施例中，聚光透镜3是，凸透镜。通过利用聚光透镜3，能够将从半导体发光装置1射出的射出光11照射到波长转换部件4的所希望的照射区域。
波长转换部件4是，例如，包含至少一种以上的荧光体材料的荧光体光学元件。在此情况下，波长转换部件4，将入射的光作为激励光，发出荧光。也就是说，从半导体发光装置1射出的射出光11作为激励光照射到波长转换部件4，从而从波长转换部件4放出荧光。例如，波长转换部件4，吸收波长为380nm至490nm的光，放出在波长为420nm到780nm之间的可见光的区域具有至少一个峰值波长的荧光。
在本实施例中，波长转换部件4包括，荧光体。优选的是，波长转换部件4至少包括，放出波长为500nm到650nm之间的至少黄色光至红光的波长带的光的荧光体。作为荧光体，能够利用例如铈(ce)活化钇铝石榴石系(yag)的荧光体等。
放射光90是，从波长转换部件4向空间放出的光。从半导体发光装置1射出的射出光11的一部分或全部由波长转换部件4吸收，据此，从波长转换部件4放出，作为包含与射出光11不同的波长的光的光的放射光90。在本实施例中，放射光90，向光源装置101的外部的空间放出。具体而言，放射光90，从波长转换部件4的射出光11入射的一侧的面放出。
放射光90是，例如，射出光11的一部分不由波长转换部件4吸收而散射并放出的第一放射光91、和射出光11的其他的一部分由波长转换部件4吸收来作为荧光放出的第二放射光92混合的光。例如，在从半导体发光装置1射出的射出光11为蓝光、波长转换部件4的材料为黄色荧光体的情况下，第一放射光91为蓝光，第二放射光92为黄色光，蓝光和黄色光混合而生成的白光作为放射光90放出。
光检测器7是，例如光电二极管，接受从波长转换部件4放出的光的一部分。也就是说，波长转换部件4放出的光的一部分入射到光检测器7。在本实施例中，光检测器7，接受从波长转换部件4的表面之中的、射出光11入射的面放出的光。
光检测器7，被配置在从由波长转换部件4放出的光之中的作为照明光利用的光(放射利用光)的光程偏离的位置。在本实施例中，光检测器7，接受从波长转换部件4放出的放射光90之中的、不入射到投光部件120的光。也就是说，入射到光检测器7的光是，原来不会作为照明光利用的光(无用光)，光检测器7接受该无用光。也就是说，利用不由投光部件120接受的光，将该光入射到光检测器7。
光检测器7，与第二布线基板31连接。第二布线基板31是，例如，在聚酰亚胺等的基膜上由铜箔等形成布线的柔性印刷电路板(flexibleprintedcircuits)。并且，第二布线基板31，与第一布线基板30连接。在第一布线基板30也可以，安装作为用于将光检测器7接受光时发生的电流转换为电压的电子元件的电阻元件41等。能够按照与光检测器7接受的光的受光量对应的光检测器7的输出变化，判断波长转换部件4的状态。例如，在光检测器7的输出降低的情况下，能够判断为波长转换部件4劣化。
支撑部件20是，支撑波长转换部件4的支撑基台，由例如铝等的金属材料构成。波长转换部件4，由支撑部件20保持。在本实施例中，支撑部件20，不仅支撑波长转换部件4，也支撑半导体发光装置1、光检测器7、反射部件23以及第一布线基板30。并且，半导体发光装置1，经由透镜保持器5由支撑部件20支撑。
而且，支撑部件20的散热部件130侧的面是散热面20b，半导体发光装置1以及波长转换部件4中发生的热从散热面20b散热到散热部件130。此时，也可以在支撑部件20，设置用于将波长转换部件4和光检测器7分离的分离墙20c。
反射部件23(第一反射部件)，使从波长转换部件4放出的光的一部分，反射向与从波长转换部件4放出的光之中的作为照明光利用的光(放射利用光)行进的方向远离的方向。具体而言，反射部件23，使从波长转换部件4放出的放射光90的一部分的光反射，并引导到光检测器7。也就是说，由反射部件23反射的光入射到光检测器7。反射部件23，固定到支撑部件20的保持部20d，从而由支撑部件20支撑。
在如此构成的光源装置101中，从半导体发光装置1射出的射出光11照射到波长转换部件4，从波长转换部件4放出放射光90。
而且，如上所述，放射光90之中的向投光部件120放出的光，是作为光源装置101的照明光利用的放射利用光，也是由投光部件120接受的光。另一方面，放射光90之中的不朝向投光部件120而不会作为照明光利用的无用光的一部分，入射到光检测器7。
而且，在图1中，放射光利用范围95示出，由投光部件120接受的光的范围。并且，在图1中虚线所示的区域120a以及120b示出，即使投光部件120偏离也能够接受从光源装置101放出的放射光90的范围。也就是说，区域120a以及120b示出，放射光利用范围95的最大范围。
(电路)
接着，对于实施例1涉及的光源装置101的电路，利用图2进行说明。图2是示出实施例1涉及的光源装置101的电路结构以及用于使该光源装置101工作的驱动部的电路结构的电路框图。
如图2示出，光源装置101具有，半导体发光元件10、光检测器7、外部连接单元37以及电阻元件41，分别如图2所示连接。
电阻元件41，如上所述，将光检测器7接受光时发生的电流转换为电压。外部连接单元37具有，阳极端子c1、阴极端子c2、第一电源端子c3、第一信号端子c4、以及第一接地端子c5。外部连接单元37，经由外部布线38与控制部140连接。
光源装置101的驱动部具备，作为例如蓄电池的电源部160、作为例如中央控制部的外部电路150、以及控制部140。电源部160、外部电路150以及控制部140，例如，如图3示出，装载在汽车等的车辆。而且，图3是用于说明实施例1涉及的装载光源装置101的前照灯(灯具)以及具备前照灯的车辆的功能的概略截面图。
如图2示出，从控制部140，使用外部连接单元37的阳极端子c1和阴极端子c2，将用于驱动半导体发光元件10的电流提供到半导体发光元件10。并且，控制部140，还向光检测器7提供电力，接受由光检测器7和电阻元件41生成的信号。控制部140，根据入射到光检测器7的光的强度(受光量)对半导体发光装置1进行控制。电源部160，作为电源电力向控制部140提供电压vb。外部电路150，例如与控制部140进行通信，获得来自控制部140的信息，或者，向控制部140发出指示。
(工作)
接着，对于实施例1涉及的光源装置101的工作，根据实际的实验例等，参照图2以及图3，利用图4进行说明。图4是实施例1涉及的光源装置101的控制部140的各个信号的时序图。而且，图4示出由光检测器7仅接受第一放射光91(蓝光)以及第二放射光92(黄色光)之中的第二放射光92(黄色光)时的例子。在由光检测器7仅接受第二放射光92的情况下，在光检测器7的前方，适当地配置截止第一放射光91的波长的截止滤光片，或者，作为反射部件23利用主要使第二放射光92反射的滤光片来能够实现。
若图3中驱动车辆的发动机等进行光源装置101的工作准备，则如图2示出，电力从电源部160提供到控制部140，由作为第一降压转换器的降压电路143向电源电压vcc施加规定的电压。此时，如图4示出，在时间t1，向电源电压vcc，施加电压vcco。
接着，如图2示出，从外部电路150，向微控制器141发送规定的指示信号(vs)。据此，从作为第二降压转换器的降压电路142，规定的电流iop(t)，通过外部布线38流向外部连接单元37的阳极端子c1。此时，如图4示出，在时间t2，iop(t)＝io的电流流动。此时，传感电阻(senceresistance)，用于监视电流量，将电流iop(t)设定为准确的值。
如图2示出，来自阳极端子c1的电流iop(t)，从外部布线38提供到外部连接单元37。而且，电流iop(t)，如图1示出，从第一布线基板30提供到引脚13a以及13b，经由不图示的金属导线提供到半导体发光元件10。提供到半导体发光元件10的电流iop(t)，转换为光能量，从半导体发光元件10发出射出光11。
如图1示出，从半导体发光元件10(半导体发光装置1)射出的射出光11，由聚光透镜3聚光并入射到波长转换部件4。在波长转换部件4中，将射出光11的一部分散射并放出第一放射光91，吸收射出光11的其他的一部分并放出第二放射光92。而且，第一放射光91和第二放射光92混合，作为放射光90从光源装置101放出。
此时，放射光90的一部分，由反射部件23反射并入射到光检测器7。入射到光检测器7的光，由光电转换元件和电阻元件41成为电压信号v1out(t)，如图2示出，由第一信号端子c4输出，输入到控制部140的微控制器141。
此时，对于输入到微控制器141的电压信号v1out(t)，例如，输入作为图4所示的时间上转换的电压信号的信号180。信号180是，从时间t2到tf1，按照基于光源装置101的连续通电的放射光90的功率降低在时间上减少的信号，若没有波长转换部件4的破损等，则如虚线的信号181示出以一定的比率减少。
因此，对于用于检测因波长转换部件4被破损等而导致的波长转换部件4的异常劣化的比较信号，能够利用图4的阈值信号190那样按照时间变化的电压值。在本实施例中，考虑波长转换部件4的经时劣化，将阈值信号190，设定为在时间上以阶梯状减少的值。具体而言，如图4示出，例如将从时间t2到t3之间设为阈值信号lev4，将从时间t3到t5设为阈值信号lev3。
比较该阈值信号190和信号180，在信号180比阈值信号190低的情况下(图4的时间tf2)，微控制器141，判断为波长转换部件4发生异常劣化，对降压电路142进行控制来将电流iop(t)设为0，使半导体发光装置1的工作停止。
而且，如图4示出，在使半导体发光装置1的工作停止的同时，将作为警报信号的电压val设为规定的电压valo，如图3示出，向外部电路150发送信号，使警告灯170显示警告信号即可。
如此，在本实施例的光源装置101的异常检测方法中，考虑波长转换部件4的经时劣化，并且，根据基于光检测器7的输出的信号180检测因波长转换部件4的破损等而导致的波长转换部件4的异常劣化。具体而言，控制部140，按照半导体发光装置1的工作时间使阈值信号190变化，对该阈值信号190与基于光检测器7的输出的信号180进行比较，从而判断波长转换部件4的异常劣化。据此，能够准确地检测不是波长转换部件4的经时劣化而是基于波长转换部件4的破损等的波长转换部件4的异常劣化。
在此，对于在光源装置101中，从半导体发光装置1射出的射出光11给波长转换部件4带来的影响，以下根据实际的设计以及实验例进行说明。
从光源装置101放出的放射光90，如图1示出，按照投光部件120(透镜)的数值孔径(na)作为照明光110而被利用。
为了使照明光110成为更明亮的光而依赖于投光部件120的性能。在此情况下，使投光部件120的数值孔径变大，从而能够提高光利用效率。具体而言，对于数值孔径高的透镜，能够利用例如以blu-ray(注册商标)用等开发的数值孔径(na)为0.85(最大接受角大致为58°)的透镜。
图5a是示出，在假设从光源装置101放出的放射光90以朗伯配光放出的情况下，针对相当于投光部件120的数值孔径的最大接受角的光利用效率的关系的图。
如图5a示出可见，作为投光部件120利用数值孔径na为0.85的透镜，从而能够利用大致70％以上的光。而且，由cd用的透镜(na＝0.45)，仅能够利用大致20％左右的光。并且，由dvd用的透镜(na＝0.6)，仅能够利用大致30％左右的光。
说明根据所述结果，试制光源装置101，研究放射光90的放射方向以及光检测器7的配置等的结果。
在本研究中，作为半导体发光装置1利用射出光11的峰值波长为450nm的装置，作为波长转换部件4利用yag荧光体。对于放射光90的光强度，如图1示出，将与波长转换部件4的表面垂直的方向设为光轴96，将从该光轴96倾斜的角度(±θ)设为射出角进行测量。
并且，将向波长转换部件4的射出光11的入射角度，设为从光轴96的-70°。也就是说，将由射出光11入射的入射方向与波长转换部件4的表面而成的角度设为20°(θ＝70°)。将接受从光源装置101放出的放射光90的投光部件120的数值孔径设为na＝0.85。在此情况下，放射光利用范围95成为，-58°≤θ≤+58°。
而且，对于光源装置101，利用图1的光源装置101中不具备保持部20d以及反射部件23的装置。
通过测量此时的来自光源装置101的放射光(即来自波长转换部件4的放射光)的光强度，从而观测到具有图5b以及图5c所示的角度依赖性的光强度分布的放射光。图5b以及图5c是示出，实施例1涉及的光源装置101的放射光的光强度下的对从光轴的角度的依赖性的图，图5b示出第一放射光91的角度依赖性，图5c示出第二放射光92的角度依赖性。
如图5b示出，第一放射光91，在放射光利用范围95(-58°≤θ≤+58°)，由波长转换部件4散射，观测到接近朗伯配光分布的放射光。
并且，对于角度θ更大的范围(+58°≤θ≤+90°)的第一放射光91b，观测到在角度θ为70°附近具有维持射出光11的定向性的状态下放出的放射光的峰值的分布。
另一方面，向半导体发光装置1侧的方向放出的一部分的第一放射光91c，由支撑部件20遮蔽，因此，在角度θ比-58°小的范围，没有观测到光强度。因此，在图5b中，对于角度θ比-58°小的范围，以虚线示出估计的光强度分布。
如图5c示出，第二放射光92是，由波长转换部件4包含的荧光体材料转换的光，因此，对于角度θ为+58°以上的第二放射光92b，也没有放出图5b所示的第一放射光91b那样维持定向性的光。
但是，在半导体发光装置1侧的角度θ小的范围，观测到与第一放射光91c同样被遮蔽的光强度低的第二放射光92c。
根据以上的实验结果，角度θ为+58°以上的放射光90，即，第一放射光91b以及第二放射光92b成为，不由投光部件120利用的无用光。因此，可见，使成为无用光的角度θ为+58°以上的放射光90的一部分由反射部件23反射并入射到光检测器7，从而从光源装置101通过投光部件120放出的照明光的利用效率不会降低。因此，能够不使照明光110的明度降低，而来自波长转换部件4的放射光90由光检测器7接受，来检测波长转换部件4的异常劣化。
在此，参照图4的时序图，利用图6至图8，说明准确地检测波长转换部件4的异常劣化的控制方法。图6是用于说明实施例1涉及的光源装置10的波长转换部件4的形状的变化和放射光的变化的图。图7以及图8是示出与图6对应的放射光90的光强度的对从光轴的角度的依赖性的图，图7示出第一放射光91的角度依赖性，图8示出第二放射光92的角度依赖性。而且，图7以及图8的(a)、(b)及(c)，分别与图6的(a)、(b)及(c)对应。
波长转换部件4的异常劣化，例如，因波长转换部件4的破损等而发生。
在图4中，假设在时间tf1开始波长转换部件4的破损。图6(a)示出，时间tf1以前的波长转换部件4附近的情况。图6(b)示出，紧在时间tf1之后的波长转换部件4附近的情况。
波长转换部件4是，例如波长转换元件4a以规定的厚度固定在反射部件4b上而成的。具体而言，对于反射部件4b，能够利用在硅基板的表面形成由银合金膜和电介质多层膜的层叠膜组成的反射膜的部件。并且，对于波长转换元件4a，例如，能够利用将荧光体粒子与硅酮等的粘合剂混合，以规定的厚度涂布并固化在反射部件4b上的元件。
在图6(a)中，聚光于波长转换元件4a并入射的射出光11的一部分，由波长转换元件4a的荧光体粒子散射，成为第一放射光91从波长转换元件4a放出。射出光11的其他的一部分，由荧光体粒子吸收，成为作为峰值波长为540nm附近的荧光的第二放射光92，从波长转换元件4a放出。
此时，波长转换元件4a的射出光11照射的照射区域4d附近，因作为从射出光11转换为第二放射光92时的能量损失的斯托克斯损失而发热，温度局部地上升。
该热，经由反射部件4b散热到支撑部件20，但是，也会有根据因向波长转换元件4a的高能密度的光的连续照射等而导致的晶体缺陷的增加等，不意图的波长转换元件4a的温度上升发生的情况。
在此情况下，如图6(b)示出，会有构成波长转换元件4a的粘合剂以及荧光体粒子的温度急剧上升，因该温度上升而在波长转换元件4a局部发生烧蚀等，波长转换元件4a中发生变质部的情况。
在这样的情况下，如图7(a)与图7(b)的比较所示，第一放射光91b的光强度峰值增加，如图8(a)与图8(b)的比较所示，第二放射光92的光强度降低。
而且，在以图6(b)的状态继续工作来使波长转换部件4继续照射射出光11的情况下，如图6(c)示出，射出光11照射的照射区域4d的波长转换元件4a完全消失，射出光11，直接照射到反射部件4b。
在此情况下，如图7(c)示出，第一放射光91b的光强度峰值极端增加，如图8(c)示出，第二放射光92的光强度极端降低。在这样的状态下，从光源装置101放出与射出光11同样的单色性和定向性强且能量密度大的放射光，因此，成为危险的状态。
为了避免这样的状态，在本实施例中，光检测器7，优先检测第二放射光92的光强度，使半导体发光装置1的驱动停止。具体而言，如下进行。
如图4示出，与光检测器7检测出的第二放射光92的光强度对应的信号180，因光源装置101的经年劣化而随时间单调减少。例如，第二放射光92的光强度，因波长转换部件4的经时劣化而逐渐减少。
此时，在以比光源装置101的保证期间短的期间发生波长转换部件4的破损的情况下，例如，在图4的时间tf1发生波长转换部件4的破损的情况下，在时间tf1以后，信号180的减少速度急剧加快。也就是说，信号180的直线或曲线的倾斜度变大。其结果为，信号180，在时间tf2低于阈值信号190。
此时的信号180与阈值信号190的比较处理由微控制器141进行，在紧后的时间tf3之前向降压电路142发送信号，从而将驱动电流iop(t)设为0，使半导体发光装置1的驱动停止。据此，不会从半导体发光装置1发出射出光11，因此，能够避免从光源装置101放出与第一放射光91同样的单色性和定向性强且能量密度大的放射光的危险的状态。
(效果)
以上，根据本实施例涉及的光源装置101，光检测器7，被配置在从由波长转换部件4放出的光之中的作为照明光110利用的光(放射利用光)的光程偏离的位置。
据此，能够由光检测器7准确地检测波长转换部件4的异常劣化，因此，能够抑制与从半导体发光装置1射出的射出光11同样的单色性和定向性高的能量密度大的放射光向光源装置101的外部直接射出。据此，能够实现安全性高的光源装置101。
而且，即使利用这样的光检测器7，光检测器7被配置在从放射利用光的光程偏离的位置，因此，能够抑制因光检测器7而在照明光110的照射区域产生光强度不均匀。
进而，能够实现小型的光源装置101，因此，也能够实现利用该光源装置101的投光装置的小型化。
并且，在本实施例中，向与放射利用光行进的方向远离的方向行进的光入射到光检测器7。具体而言，从波长转换部件4放出的光之中的不会作为照明光利用的光(无用光)入射到光检测器7。
据此，能够不使从光源装置101放出的照明光的利用效率下降，而检测波长转换部件4的异常劣化。
在此情况下，在本实施例中，具备使从波长转换部件4放出的光之中的不会作为照明光利用的光(无用光)的一部分，反射向与所述放射利用光行进的方向远离的方向的第一反射部件23，由第一反射部件23反射的光入射到光检测器7。
据此，能够容易使无用光入射到光检测器7。
而且，对于图4示出的所述实施例的检测波长转换部件4的异常劣化的控制方法，利用第二放射光92(黄色光)来进行，但是，不仅限于此。例如，也可以利用第一放射光91(蓝光)检测波长转换部件4的异常劣化。图9是利用第一放射光91(蓝光)检测波长转换部件4的异常劣化时的控制部140的各个信号的时序图。
在利用第一放射光91(蓝光)的情况下，与第二放射光92(黄色光)不同，如图7示出，若发生波长转换部件4的异常劣化，则与第二放射光92(黄色光)不同，光检测器7的第一放射光91b(无用光)的输出变大。也就是说，从半导体发光装置1射出的由波长转换部件4反射的激光之中的无用光入射到光检测器7。此时，微控制器141，根据来自该光检测器7的信号能够检测波长转换部件4的异常劣化。具体而言，如图9示出，预先准备比信号180的值大的阈值信号191，比较阈值信号191与信号180，在信号180比阈值信号191大的情况下(图4的时间tf2)，微控制器141，判断为波长转换部件4发生异常劣化，对降压电路142进行控制，从而将电流iop(t)设为0，使半导体发光装置1的工作停止。
如此，第一放射光91b由光检测器7接受，从而能够容易检测波长转换部件4的异常劣化。特别是，第一放射光91b的增加是，也就是说，定向性强且能量密度大的放射光增加的状态，也是光源装置101的安全性降低的状态。如此，直接检测能量密度大的第一放射光91b，从而能够准确地判断光源装置101的状态。
进而，在本实施例中，第一放射光91b是放射利用光之外的光。因此，能够不使照明光的明度降低，而准确地判断光源装置101的状态。
而且，在由光检测器7仅接受第一放射光91的情况下，在光检测器7的前方，适当地配置截止第二放射光92的波长的截止滤光片，或者，作为反射部件23利用主要使第一放射光91反射的滤光片来能够实现。
(实施例1的变形例)
利用图10说明实施例1的变形例。图10是实施例1的变形例涉及的光源装置的控制部的各个信号的时序图。
在本变形例中，也与所述实施例1同样，控制部140，对从光检测器7输出的电压信号v1out(t)进行运算处理，从而判断波长转换部件4的异常劣化。
在本变形例中，也如图10的信号180所示，电压信号v1out(t)，在工作电流一定的条件下，按照经时劣化所引起的光源装置101的放射光90的光通量降低而随时间减少，但是，在本变形例中，利用光源装置101的放射光90的光通量降低以一定的比率变化的情况，对电压信号v1out(t)的变化率进行运算，从而判断波长转换部件4是否发生异常劣化。
例如，在光源装置101的放射光90的光通量相对于时间t指数地劣化的情况下，能够由p(t)＝p0×exp(-β×t)表示光通量p(t)。在此，p0是初始的光通量，β是劣化率，t是时间。
此时，能够利用系数a，由成为v1out(t)＝a×p0×exp(-β×t)的近似式表示，从光检测器7输出的电压信号v1out(t)。在此，若将运算信号f(v1out(t))，利用系数b设定为f(v1out(t))＝-b×d/dt[ln(v1out(t)/a/p0)]，则能够由f(v1out(t))＝b×β表示。据此，能够根据作为常数的变化率b×β，进行波长转换部件4的异常劣化的有无的判断。
或者，在光源装置101的放射光90的光通量与时间t成比例地劣化的情况下，从光检测器7输出的电压信号v1out(t)，能够由直线表示，能够由成为v1out(t)＝v1out(ini)-f0×t(v1out(ini)是常数)的近似式表示。在此情况下，将运算信号f(v1out(t))设定为，f(v1out(t))＝-d/dt[v1out(t)]，从而能够根据作为常数的变化率f0，进行波长转换部件4的异常劣化的有无的判断。
据此，能够利用光检测器7准确地检测光源装置101的波长转换部件4的异常劣化。
而且，这些计算式等，也能够用于所述实施例1。也就是说，能够用于图4的各个信号。
如此，在本变形例的光源装置的异常检测方法中，也考虑波长转换部件4的经时劣化，并且，根据基于光检测器7的输出的信号180检测波长转换部件4的异常劣化，但是，在本变形例中，控制部140，根据基于光检测器7的输出的变化率的变动，判断波长转换部件4的异常劣化。据此，能够高效率地检测波长转换部件4的异常劣化。
(实施例2)
接着，对于实施例2涉及的光源装置101a，利用图11至图14进行说明。图11是示出实施例2涉及的光源装置101a的结构的概略截面图。图12是示出该光源装置101a的更具体结构的截面图。图13以及图14是用于说明该光源装置101a的制造方法的图。
(结构)
如图11示出，在本实施例的光源装置101a中，在安装在支撑部件20的第一布线基板30，配置有半导体发光装置1以及光检测器7。具体而言，半导体发光装置1以及光检测器7，被安装在第一布线基板30的同一面。在本实施例中，在第一布线基板30，在安装有半导体发光装置1以及光检测器7的面，还安装与外部布线38连接的外部连接单元37以及电阻元件41。
第一布线基板30是，印刷布线基板等的电路板。第一布线基板30被构成为，在例如包含玻璃环氧树脂的基板30a的双面，形成由绝缘层和金属图案构成的布线层30b以及30c。在布线层30b以及30c，形成例如铜箔等的金属布线。
在第一布线基板30，设置有贯通孔30d以及30e。半导体发光装置1的引脚13a以及13b插通贯通孔30d以及30e，由焊料35与布线层30b连接。并且，在第一布线基板30，设置有通孔布线30f。布线层30b和布线层30c，由通孔布线30f电连接。
在光检测器7，设置有端子7a。光检测器7，由端子7a与布线层30c连接。
在外部连接单元37，设置有端子37a。外部连接单元37，由端子37a与布线层30c连接。
在第一布线基板30的半导体发光装置1侧，配置聚光透镜3、波长转换部件4、以及反射部件23。在本实施例中，聚光透镜3，由第一光学元件3a和第二光学元件3b构成。第一光学元件3a是，例如凸透镜。第二光学元件3b是，具有反射功能的光学元件，例如由具有凹反射面的反射部件构成。也就是说，若将反射部件23设为第一反射部件，则第二光学元件3b是，使从半导体发光装置1射出的射出光11反射的第二反射部件。从半导体发光装置1射出的射出光11，由第一光学元件3a和第二光学元件3b聚光于波长转换部件4。
波长转换部件4，从由聚光透镜3(第二光学元件3b)反射的射出光11入射的面，放出包含作为照明光利用的放射利用光的放射光90。波长转换部件4，固定在支撑部件20。没有图示，但是，聚光透镜3和反射部件23，也可以固定在支撑部件20，也可以由不图示的保持部件保持。
在此，利用图12至图14，说明实施例2涉及的光源装置101a的更优选的结构。
在图12至图14所示的光源装置101a中，第一布线基板30，例如，固定在由铝合金等构成的支撑部件20。
在支撑部件20的一方的面，形成有用于将光源装置101a中发生的热散发到外部的散热面20b。在支撑部件20的散热面20b侧的一段内侧，形成有用于固定第一布线基板30的安装面20f。并且，在支撑部件20，为了稳定地固定第一布线基板30，而形成有保持部20d。在保持部20d，形成有与安装面20f相对的安装面20e。在安装面20f与安装面20e之间，形成有在光源装置101a制造时，用于将第一布线基板30配置在规定的位置的开口部20h。在支撑部件20的安装面20f，形成有用于固定第一布线基板30的螺孔20g(参照图14)。
进而，在支撑部件20，形成有用于将半导体发光装置1与第一布线基板30电连接的第一开口部21、以及用于将来自波长转换部件4的光的一部分引导到光检测器7的第二开口部22。也就是说，第二开口部22，使向光检测器7入射的光通过。据此，能够经由第二开口部22将从波长转换部件4放出的光引导到光检测器7。具体而言，第二开口部22，使由反射部件23反射的光通过。
并且，在支撑部件20，设置有与第二开口部22连通的凹处(凹部)，光检测器7，被配置在该凹处。据此，能够保护光检测器7，并且，能够仅使所希望的光入射到光检测器7。具体而言，能够容易仅使从波长转换部件4放出的放射光90之中的不由投光部件利用的光(无用光)入射到光检测器7。
在支撑部件20，固定有半导体发光装置1、波长转换部件4以及第一布线基板30。第一布线基板30，与半导体发光装置1以及光检测器7连接。半导体发光装置1和光检测器7，被配置在第一布线基板30的支撑部件20侧。
(制造方法)
接着，利用图13以及图14，说明图12示出的本实施例的光源装置101a的制造方法。在图13以及图14中，a1至a5示出装配顺序，按照a1→a2→a3→a4→a5的次序进行光源装置101a的装配。
首先，如图13的a1示出，在支撑部件20的规定的位置固定波长转换部件4。
接着，如图13的a2以及a3示出，将安装有光检测器7以及外部连接单元37的第一布线基板30的一部分从斜方向插入到支撑部件20的开口部20h，以第一布线基板30的表面与安装面20f密接的方式将第一布线基板30配置到支撑部件20。
接着，如图13的a4示出，将半导体发光装置1配置到支撑部件20的第一开口部21的上部，并且，将半导体发光装置1的引脚13a以及13b，插通到支撑部件20的第一开口部21，并且，插通到第一布线基板30的贯通孔30d以及30e。
接着，如图13以及图14的a5示出，将从支撑部件20的开口部20h插入的第一布线基板30，与作为支撑部件20的保持部20d的上表面的安装面20e以及作为支撑部件20的一段内侧的底面的安装面20f接触的方式安装，将螺钉50拧进到第一布线基板30的螺孔30g以及支撑部件20的螺孔20g。据此，能够将第一布线基板30固定到支撑部件20。
然后，如图12示出，利用焊料35将半导体发光装置1的引脚13a以及13b与第一布线基板30连接。而且，利用不图示的保持部件，将聚光透镜3与反射部件23固定到支撑部件20。
(工作)
接着，说明实施例2涉及的光源装置101a的工作。
从外部连接单元37输入的电力，经由第一布线基板30的布线层30b、通孔布线30f以及布线层30c输入到半导体发光装置1的半导体发光元件10。据此，从半导体发光元件10放出光。从半导体发光元件10放出的光，作为半导体发光装置1的射出光11射出。从半导体发光装置1射出的射出光11，聚光于聚光透镜3并入射到波长转换部件4。据此，从波长转换部件4放出放射光90。放射光90包括，射出光11没有由波长转换部件4波长转换而从波长转换部件4放出的第一放射光91、以及射出光11由波长转换部件4波长转换而放出的第二放射光92。
此时，从波长转换部件4放出的放射光90之中的不由投光部件(不图示)利用的光(无用光)的一部分，由配置在从由波长转换部件4放出的光之中的作为照明光由投光部件(不图示)利用的放射光90(放射利用光)的光程偏离的位置的光检测器7接受。
具体而言，不由投光部件利用的放射光90(无用光)的一部分，由反射部件23反射到第一布线基板30侧，通过支撑部件20的第二开口部22，引导到与第一布线基板30连接的光检测器7，并由光检测器7接受。
由光检测器7接受的光，由光检测器7转换为电信号。此时，在图2示出的电路中，成为与受光量成比例的电压信号，从外部连接单元37输出到控制部140。根据该电压信号，由控制部140判断波长转换部件4的异常状态，根据该判断结果进行半导体发光装置1的接通/断开，从而能够抑制与从半导体发光装置1射出的射出光11同样的单色性和定向性强且能量密度大的放射光向光源装置101a的外部射出。
(效果)
以上，根据本实施例涉及的光源装置101a，与实施例1同样，光检测器7，被配置在从由波长转换部件4向空间放出的光之中的作为照明光110利用的放射利用光的光程偏离的位置。
据此，能够由光检测器7准确地检测波长转换部件4的异常劣化来实现安全性高的光源装置101a，并且，即使利用光检测器7也能够抑制因光检测器7而在照明光110的照射区域产生光强度不均匀。而且，能够实现小型的光源装置101a，因此，也能够实现利用该光源装置101a的投光装置的小型化
并且，在本实施例中，安装半导体发光装置1以及光检测器7的电路板是同一电路板。具体而言，半导体发光装置1以及光检测器7被安装在同一第一布线基板30。
据此，能够实现更小型的光源装置101a。
特别是，在本实施例中，除了半导体发光装置1以及光检测器7以外，还外部连接单元37以及电阻元件41等的需要电布线的部件，与同一第一布线基板30连接。
据此，能够简化光源装置101a的电布线的结构，并且，即使将光源装置101a装载在会受到强烈的振动以及冲击的车辆等，也能够减少断线等的布线不良。进而，半导体发光装置1以及光检测器7，被安装在第一布线基板30的同一面侧，因此，能够简单地制造。
并且，半导体发光装置1、光检测器7、外部连接单元37、以及电阻元件41等的需要电布线的部件与同一第一布线基板30连接，因此，能够实现布线不良不存在且可靠性高的光源装置。
也就是说，根据图41示出的以往的发光装置1001，光检测器1011与半导体激光器元件1002远离，因此，用于使光检测器1011、控制部1009、驱动电路1010以及半导体激光器元件1002彼此连接的电布线变得复杂或变长。例如，需要使电路板的布线图案成为复杂化或细长化，使部件由引线彼此连接，因此，会有导致这些电布线的断线或短路的可能性。其结果为，会有不能检测荧光体1004的光转换异常的可能性。
另一方面，在本实施例的光源装置101a中，半导体发光装置1以及光检测器7等的需要电布线的部件被配置在同一第一布线基板30。据此，能够抑制连接半导体发光装置1以及光检测器7等的电布线(连接布线)的复杂化或细长化。据此，能够抑制因电布线的断线或短路而发生布线不良，因此，能够实现可靠性高的光源装置。而且，电布线变得简单，因此，能够实现小型的光源装置101a。
并且，在本实施例中，具备使从半导体发光装置1，向与第一布线基板30远离的方向射出的射出光11反射的第二光学元件3b，波长转换部件4，使放射利用光从由第二光学元件3b反射的射出光11入射的面放出。
据此，能够由折返的光学系统实现，将从半导体发光装置1放出的射出光11传播，直到作为放射光90从光源装置101a放出为止的光程。因此，能够使光源装置的厚度、即图12的上下方向变薄。
并且，在本实施例中，第一布线基板30，被安装在支撑部件20的与散热面20b不同的安装面20f。
据此，能够抑制因第一布线基板30的存在而导致光源装置101a中发生的热的散热性降低。
进而，在本实施例中，第一布线基板30以由安装面20f和安装面20e夹住的状态而被固定在支撑部件20。
据此，以稳定的状态，第一布线基板30由支撑部件20保持。
特别是，在本实施例中，形成有安装面20e的保持部20d，被设置在外部连接单元37附近，尤其被设置在外部连接单元37的下部。
据此，即使在将外部布线38与外部连接单元37(连接器)插拔时外部连接单元37受到应力的情况下，也能够抑制第一布线基板30因弯曲或曲折等而变形。特别是，若第一布线基板30是树脂基板，在将外部布线38与外部连接单元37插拔时，则应力容易集中并施加到外部连接单元37附近的第一布线基板30。因此，在支撑部件20设置保持部20d，从而能够有效地抑制第一布线基板30的变形。进而，此时，优选固定为，在支撑部件20的开口部20h附近的第一布线基板30，力量61、62施加在朝向安装面20f、20e的方向上。
进而，在本实施例中，将从第一布线基板30的正面(安装外部连接单元37的面)向支撑部件20的第一开口部21插通的引脚13a、13b，在第一布线基板30的背面(与安装外部连接单元37的面相反侧的面)由焊料35焊接。
据此，能够由焊料35和保持部20d将第一布线基板30坚固固定在支撑部件20。
进而，第一布线基板30，利用螺钉50而被固定在支撑部件20的安装面20f。
据此，能够将第一布线基板30稳定地固定在支撑部件20。
(灯具)
接着，对于本实施例涉及的装载光源装置101a的灯具201，利用图15进行说明。图15是示出实施例2涉及的装载光源装置101a的灯具201的结构的概略截面图。
如图15示出，灯具201是，投光装置的一个例子，具备：散热部件130；安装在散热部件130的光源装置101a；以及将从光源装置101a放出的光照射到外部的投光部件120。
在光源装置101a中，从半导体发光装置1射出的射出光11，由聚光透镜3聚光于波长转换部件4。聚光透镜3，由固定在支撑部件20的保持部件25保持。保持部件25，具有保持聚光透镜3的功能，并且，具有调整聚光透镜3的位置的功能。并且，反射部件23，由固定在支撑部件20的保持部件26保持。
从波长转换部件4放出的放射光90的一部分，由反射部件23反射并入射到光检测器7。
对于散热部件130，例如，可以利用将铝合金加工为规定的形状并对表面进行耐酸铝处理的部件。散热部件130具有，用于安装光源装置101a的板状的安装部131、以及用于将光源装置101a中发生的热排出到外部的空气的散热片132。光源装置101a中发生的热，经由安装部131传导到散热片132，向外部散热。
投光部件120，被配置在光源装置101a的放射光90放射的一侧，使从光源装置101a放射的放射光90向前方反射。在本实施例中，投光部件120是，在例如塑料部件的凹面的表面形成有铝膜的反射器(反射板)。
在灯具201中，从光源装置101a向投光部件120侧由朗伯配光放出的放射光90，以由投光部件120大致成为平行光的方式反射，作为照明光110向灯具201的外部射出。
此时，对于从投光部件120射出的放射光90，仅由开口限制而限制在放射光利用范围95内的放射光作为照明光110从灯具201放出。
从所述结构的灯具射出的照明光110是定向性强的光，但是，照明光110的大部分由具有宽广的光谱的荧光构成，或者，由瞳径大的投光部件120转换为大致平行光，成为每单位面积的能量密度低的光，从而成为与射出光11相比危险性充分低的光。
另一方面，放射光90之中的、放出到放射光利用范围95以外的放射光之中的一部分，由反射部件23反射，由安装在第一布线基板30的光检测器7接受。据此，能够检测波长转换部件4的异常劣化。
如此，能够利用放射光利用范围95以外的放射光，从光检测器7接受来自波长转换部件4的光，因此，能够根据照明光110的光通量降低检测波长转换部件4的异常劣化，并且，即使利用光检测器7也能够抑制由光检测器7在照明光的照射区域发生光强度不均匀。
据此，在装载光源装置101a的灯具201中，在光源装置101a工作的期间波长转换部件4被破损的情况下，由光检测器7检测放射光90的光强度的变化，从而能够利用外部布线38向控制部140发送信号，使半导体发光装置1的工作停止。
并且，在本实施例的灯具201中，光源装置101a的外部连接单元37以及外部布线38，被安装在相对于将照明光110向外部放出的方向相反侧。根据该结构，能够简化灯具201的电布线。
进而，如上所述构成的光源装置101a是小型，因此，作为灯具201的光源利用光源装置101a，从而能够实现小型的灯具。
进而，如上所述构成的光源装置101a，预先具备波长转换部件4、反射部件23以及光检测器7，将投光部件120相对于光源装置101a的位置调整在调整轴120c的方向上。在该调整工序中，波长转换部件4、反射部件23以及光检测器7的位置关系没有变化，因此，能够准确地检测波长转换部件4的发光状态。
并且，光源装置101a的聚光透镜3(反射部件)，被配置在与投光部件120相比在半导体发光装置1侧，固定在与半导体发光装置1以及波长转换部件4相同的支撑部件20。而且，从波长转换部件4放出后、由投光部件120反射并向外部放出的照明光110的光程，不与半导体发光装置1射出后、达到波长转换部件4的射出光11的光程交叉。因此，在一边使光源装置101a发光一边调整投光部件120的位置的情况下等，在固定光源装置101a内的光程的状态下，能够容易调整向投光部件120入射的光的光程以及由投光部件120放出的光的光程。
并且，灯具201，被安装在作为与配置投光部件120的面相反的支撑部件20的面的散热面20b。
据此，能够避免限制从波长转换部件4放出的放射利用光的光程，来容易将光源装置101a中发生的热传导到散热部件130。
而且，光源装置101a的第一布线基板30，被安装在作为与配置投光部件120的面相反的支撑部件20的面、且与散热面20b不同的安装面20f。
据此，在将波长光源装置101a中发生的热传导到散热部件130时，能够抑制因第一布线基板30存在而使光源装置101a中发生的热的散热性降低。
进而，散热片132，被配置在散热部件130的、与将照明光110向外部放出的方向相反侧的部分。
根据该结构，能够避免限制灯具201的放射利用光的光程，来容易将光源装置101a中发生的热向外部(例如气氛中)散热。
进而，作为从半导体发光装置1放出的激光的射出光11，由位于与投光部件120相比半导体发光装置1侧的聚光透镜3(反射部件)反射并照射到波长转换部件4。而且，由聚光透镜3反射的射出光11，以向与将照明光110向外部放出的方向相反侧的方向行进的方式由聚光透镜3反射。
据此，即使在光源装置101a的工作中波长转换部件4被破损，定向性强且能量密度大的放射光，也一定照射到灯具201的部件的一部分，因此，能够抑制直接向灯具201的外部放出。也就是说，能够降低定向性强且能量密度大的放射光的能量密度。因此，能够提高灯具201的安全性。
而且，对于利用光源装置101a的投光装置，也可以构成为图16所示的灯具301。
如图16示出，灯具301，具有：散热部件130；被安装在散热部件130的安装部131的一方的面侧的光源装置101a(第一光源装置)；被安装在安装部131的另一方的面侧的光源装置300(第二光源装置)；投光部件120；以及投光部件320。
光源装置300被构成为，布线基板330上安装半导体发光装置304、以及用于向布线基板330从外部提供电力的外部连接单元337。半导体发光装置304是，例如，射出白光的白色led元件被安装在封装体的。
投光部件120是，使从光源装置101a放出的放射光90向前方反射的第一反射器。投光部件320是，使从光源装置300放出的放射光390，向前方作为大致平行光的照明光310反射的第二反射器。
根据该结构，能够实现安装有两种光源装置的小型的灯具。而且，灯具301是，例如，车辆用前照灯，能够将光源装置101a用于远光，将光源装置300用于近光。
并且，利用光源装置101a的投光装置也可以构成为，图17所示的灯具401。
如图17示出，灯具301，具备：散热部件130；被安装在散热部件130的光源装置101a；被配置在光源装置101a的前方的投光部件120；以及被安装在投光部件120的致动器121。
投光部件120是，投射透镜。具体而言，投光部件120是，例如，将放射光90变为平行光的照明光110的准直透镜。致动器121是，使投光部件120，向与照明光110的行进方向垂直的方向水平移动的电动机等。
在图17所示的灯具301中，能够由致动器121使投光部件120移动。据此，能够对照明光110的照射区域进行微调整。而且，在该调整工序中，光源装置101a的波长转换部件4和反射部件23和光检测器7的位置关系不变化，因此，能够总是准确地检测波长转换部件4的发光状态。
(实施例3)
接着，对于实施例3涉及的光源装置101b，利用图18至图20进行说明。图18是示出实施例3涉及的光源装置101b的结构的概略截面图。图19是示出该光源装置101b的电路结构以及用于使该光源装置101b工作的驱动部的电路结构的电路框图。图20是该光源装置101b的控制部140的各个信号的时序图。
(结构)
如图18示出，本实施例的光源装置101b，在实施例1的光源装置101中还具备温度检测元件42。
温度检测元件42，检测半导体发光装置1附近的温度。具体而言，温度检测元件42，被配置在形成在支撑部件20的凹处(凹部)。并且，温度检测元件42，被配置在与光检测器7相比离半导体发光装置1近的位置。
温度检测元件42是，例如热敏电阻器。在本实施例中，对于温度检测元件42，利用ntc(negativetemperaturecoefficient)热敏电阻器，但是，不仅限于此。
温度检测元件42，被安装在安装有半导体发光装置1的第一布线基板30。在本实施例中，温度检测元件42，被安装在第一布线基板30的安装有半导体发光装置1的面。具体而言，温度检测元件42，在第一布线基板30与支撑部件20之间，被收纳在形成在支撑部件20的凹处(凹部)。
并且，光源装置101b具备，电阻元件43以及保护元件44。电阻元件43，将温度检测元件42的电阻变化转换为电压变化。保护元件44是，例如，齐纳二极管。在本实施例中，电阻元件43以及保护元件44，被安装在第一布线基板30的与安装有半导体发光装置1的面相反侧的面。
进而，光源装置101b具备，透明罩部件9。透明罩部件9，被配置在波长转换部件4的前方(放射光90放射的一侧)。透明罩部件9，固定在支撑部件20。
并且，在本实施例中，也与实施例1、2同样，配置光检测器7，但是，在本实施例中，与实施例1、2不同，光检测器7，固定在支撑部件20。光检测器7，经由第二布线基板31与第一布线基板30电连接。第二布线基板31是，例如，柔性布线基板。
光检测器7，被配置在波长转换部件4附近。在本实施例中，光检测器7被配置为，受光面朝向波长转换部件4。并且，在波长转换部件4与光检测器7之间，例如，配置有使波长500nm以下的波长的光的一部分或全部反射的光滤波器8。
(工作)
接着，利用图19以及图20说明光源装置101b的工作。
如图19示出，从控制部140，由阳极端子c1以及阴极端子c2，提供用于驱动半导体发光装置1(半导体发光元件10)的电流iop(t)。并且，控制部140，向光检测器7提供电源，并且接受光检测器7、电阻元件41、温度检测元件42以及电阻元件43中生成的信号。
如图20示出，在本实施例中，控制部140，对从光检测器7与电阻元件41输出的电压信号v1out(t)、以及从温度检测元件42与电阻元件43输出的电压信号v2out(t)进行运算处理，从而判断波长转换部件4的异常劣化。
在本实施例中，也如图20的信号180a至180f所示，对于电压信号v1out(t)，利用在工作电流一定的条件下，光源装置101b的放射光90的光通量降低以一定的比率变化的情况，对电压信号v1out(t)的变化率进行运算，从而判断波长转换部件4是否发生异常劣化，但是，在本实施例中，考虑半导体发光装置1的光输出的温度依赖性，判断波长转换部件4是否发生异常劣化。以下，进行具体说明。
光源装置101b的半导体发光装置1，在通电电流一定的情况下，具有若环境温度变化则光输出变化的温度依赖性。例如，若成为低温则半导体发光装置1的光输出变高，反而，若成为高温则半导体发光装置1的光输出变低。
于是，控制部140，预先测量半导体发光装置1的温度依赖性，通过微控制器141的运算，使基于半导体发光装置1的温度依赖性的光输出变化量抵销。
在图20中可见，在t3至t4的期间以及t5至t6的期间中电压信号v1out(t)的信号180b以及180d的减少倾斜度大，在t4至t5的期间中电压信号v1out(t)的信号180c的上升倾斜度大，但是，如根据从温度检测元件42输出的电压信号v2out(t)能够判断，在t3至t4的期间以及t5至t6的期间中受到环境温度上升的影响而光检测器7的光输出降低，在t4至t5的期间中受到环境温度降低的影响而光检测器7的光输出上升。对于具体环境温度变化，上升是，例如早上至中午的气温上升，温度降低是，例如过午至夜晚的气温降低等。于是，在本实施例中，由这些温度依赖性使光检测器7的光输出变化量抵销。
例如，对光源装置101b的放射光90的光通量由g(v1out(t)，v2out(t))进行运算，从而进行使温度依赖性与光检测器7的光输出变化量抵销的处理后，计算光源装置101b的放射光90的光通量相对于时间t的变化率f0。而且，根据该变化率f0，进行波长转换部件4的异常劣化的有无的判断。具体而言，由光检测器7接受放射光90的一部分，若g(v1out(t)，v2out(t))成为levb1以上，则判断为波长转换部件4发生异常劣化，停止流向阳极端子c1的电流，来使半导体发光装置1的工作停止。
并且，在使半导体发光装置1的工作停止的同时，将作为警报信号的电压val设为规定的电压val0，使警告灯显示警告信号即可。
如此，在本实施例的光源装置101b的异常检测方法中，也考虑波长转换部件4的经时劣化，并且，根据基于光检测器7的输出的信号180检测波长转换部件4的异常劣化，但是，在本实施例中，控制部140，消除基于环境温度的半导体发光装置1的光输出变化，根据基于光检测器7的输出的变化率的变动，判断波长转换部件4的异常劣化。据此，能够忽视基于半导体发光装置1的温度依赖性的光输出变化的影响，因此，能够更准确地检测波长转换部件4的异常劣化。
(效果)
以上，根据本实施例涉及的光源装置101b，与实施例1、2同样，光检测器7，被配置在从由波长转换部件4向空间放出的光之中的作为照明光110利用的放射利用光的光程偏离的位置。
据此，能够由光检测器7准确地检测波长转换部件4的异常劣化来实现安全性高的光源装置101b，并且，即使利用光检测器7也能够抑制因光检测器7而在照明光110的照射区域产生光强度不均匀。而且，能够实现小型的光源装置101b，因此，也能够实现利用该光源装置101b的投光装置的小型化。
并且，本实施例的光源装置101b具有，被配置在与光检测器7相比离半导体发光装置1近的位置的温度检测元件42。
据此，能够考虑半导体发光装置1的光输出的温度依赖性，判断波长转换部件4是否发生异常劣化。因此，能够更准确地检测波长转换部件4的异常劣化。
进而，光源装置101b具备温度检测元件42，能够检测半导体发光装置1附近的温度，因此，控制部140，能够使光源装置101b更安全地工作。具体而言，若从温度检测元件42获得的温度成为规定的温度以上，则减少向半导体发光装置1施加的电流量。据此，能够抑制光源装置101b的温度上升，因此，能够抑制半导体发光装置1劣化。并且，在半导体发光装置1的温度一定成为以下、例如0℃以下的情况下，也减少向半导体发光装置1施加的电流量。据此，能够抑制来自半导体发光装置1的射出光11的强度，因温度降低而增加，光密度高的射出光11照射到波长转换部件4，导致波长转换部件4的破损。
(实施例3的变形例)
利用图21说明实施例3的变形例。图21是示出实施例3的变形例涉及的光源装置101b’的结构的概略截面图。
所述实施例3的光源装置101b被构成为，激励光由波长转换部件反射来成为放射光，但是，本变形例的光源装置101b’被构成为，激励光透过波长转换部件来成为放射光。具体而言，在所述实施例3的光源装置101b中，从半导体发光装置1射出的射出光11，入射到波长转换部件4的一方的面，从该一方的面放出放射光90，但是，如图21示出，在本变形例的光源装置101b’中，从半导体发光装置1射出的射出光11，从波长转换部件4的一方的面入射，从波长转换部件4的另一方的面放出放射光90。也就是说，波长转换部件4，从与来自半导体发光装置1的射出光11入射的面相反侧的面放出放射光90。
在本变形例中，波长转换部件4，被配置在经由聚光透镜3与半导体发光装置1相对的位置。波长转换部件4，由固定反射部件23的保持部件26保持，保持部件26固定在支撑部件20。具体而言，波长转换部件4，嵌入到保持部件26的贯通孔。
在此，对于在本变形例的光源装置101b’中，准确地检测波长转换部件4的劣化的控制方法，利用图22进行说明。图22是用于说明实施例3的变形例涉及的光源装置101b’的波长转换部件4的形状的变化和放射光的变化的图。
波长转换部件4，如图22(a)示出，由支撑部件4c、被配置在支撑部件4c的上方的波长转换元件4a、以及被配置在支撑部件4c与波长转换元件4a之间的反射部件4b构成。
波长转换元件4a包含，例如至少一种以上的荧光材料。支撑部件4c是，例如由蓝宝石等构成的透明部件。在本变形例中，反射部件4b是，使射出光11的波长的光透过、且使波长转换元件4a生成的萤光的波长的光反射的双向分色镜，例如由电介质多层膜构成。
入射到波长转换元件4a的射出光11，成为第一放射光91以及第二放射光92。第一放射光91以及第二放射光92，从与波长转换元件4a的射出光11入射的面相反侧的面向外部放出。
而且，从与波长转换元件4a的射出光11入射的面相反侧的面，也放出包含第一放射光91d和第二放射光92d的放射光90d。也就是说，放射光90d，向半导体发光装置1侧放出。第一放射光91d以及第二放射光92d，与第一放射光91以及第二放射光92相比光强度小。由第一放射光91d和第二放射光92d构成的放射光90d是，从波长转换部件4放出的放射光90之中的不由投光部件利用的光(无用光)，由反射部件23反射，入射到光检测器7。
此时，波长转换元件4a中的射出光11照射的照射区域附近，因作为从射出光11转换为第二放射光92时的能量损失的斯托克斯损失而发热，温度局部地上升。
该热，从反射部件4b以及支撑部件4c散热到保持部件26，但是，也会有根据因向波长转换元件4a的高能密度的光的连续照射等而导致的晶体缺陷的增加等，不意图的波长转换元件4a的温度上升发生的情况。
在此情况下，如图22(b)示出，也会有粘合剂以及荧光体粒子的温度急剧上升，因该温度上升而粘合剂局部地分解、汽化来发生空洞等的情况。
而且，在以图22(b)的状态继续工作来使波长转换部件4继续照射射出光11的情况下，如图22(c)示出，射出光11照射的照射区域的波长转换元件4a完全消失，射出光11，照原样直接照射到外部。在这样的状态下，从光源装置101b’放出与射出光11同样的单色性和定向性强且能量密度大的放射光，因此，成为危险的状态。
此时，在图22(c)的状态下，向半导体发光装置1侧(光检测器7侧)放出的放射光90b的光量也变化。因此，由光检测器7连续检测从波长转换部件4放出的放射光90b，从而能够准确地检测波长转换部件4的状态。具体而言，能够根据与由光检测器7检测出的放射光90b的光强度对应的电压的变化，检测波长转换部件4的异常劣化。而且，在判断为波长转换部件4发生异常劣化的情况下，使半导体发光装置1的驱动停止。
如此，本变形例的光源装置101b’，也能够获得与所述实施例3的光源装置101b同样的效果。
并且，在本变形例中，波长转换部件4，从与来自半导体发光装置1的射出光11入射的面相反侧的面放出放射光90。
据此，能够实现激励光透过波长转换部件来成为放射光的结构的光源装置101b’。
(实施例4)
接着，对于实施例4涉及的光源装置101c，利用图23以及图24进行说明。图23是示出实施例4涉及的光源装置101c的结构的概略截面图。图24是示出该光源装置101c的电路结构以及用于使该光源装置101c工作的驱动部的电路结构的电路框图。
如图23以及图24示出，在本实施例的光源装置101c中，在支撑部件20固定半导体发光装置1以及波长转换部件4，并且，在第一布线基板30上，配置半导体发光装置1和光检测器7和温度检测元件42，还配置控制部140的一部分或全部。也就是说，在本实施例的光源装置101c中，装载根据入射到光检测器7的光的强度对半导体发光装置1进行控制的控制部140的一部分或全部，以作为光源装置101c的内部部件。
具体而言，构成控制部140的、微控制器141、降压电路142以及降压电路143等的一部分或全部，被安装在第一布线基板30。微控制器141，由封装体化的ic(integratedcircuit)构成。
半导体发光装置1和光检测器7和温度检测元件42，被安装在第一布线基板30的支撑部件20侧的面。而且，光检测器7和温度检测元件42，被配置在与第二开口部22的开口部连通的凹处。此时，温度检测元件42，被配置在半导体发光装置1附近。也就是说，温度检测元件42，被配置在与光检测器7相比，接近半导体发光装置1的位置。另一方面，在本实施例中说明，微控制器141，被安装在第一布线基板30的与支撑部件20侧相反侧的面的结构。
而且，在第一布线基板30，还安装电阻元件41以及43。电阻元件41，将光检测器7接受光时发生的电流转换为电压，从而生成信号v1out(t)。电阻元件43，将从温度检测元件42输出的电压分压，从而生成信号v2out(t)。
微控制器141，接受电阻元件41以及43所生成的信号(v1out(t)，v2out(t))，判断光源装置101c的状态，在有异常时将从降压电路142输出的电流iop(t)设为0安培，使半导体发光装置1的驱动停止。
被配置在从放射光90之中的作为照明光利用的光(放射利用光)的光程偏离的位置的光检测器7接受，放射光90之中的不会作为照明光利用的光(无用光)。无用光的一部分，由反射部件23反射，通过第二开口部22，被引导到光检测器7。而且，在本实施例中，反射部件23是，支撑部件20的一部分，但是，也可以是与支撑部件20不同的部件。
根据光检测器7接受的作为无用光的放射光90的受光量，由微控制器141判断波长转换部件4的异常状态，根据其判断结果进行半导体发光装置1的接通/断开，从而抑制与从半导体发光装置1射出的射出光11同样的单色性和定向性高且能量密度大的放射光向光源装置101c的外部射出。
以上，根据本实施例涉及的光源装置101c，与实施例1至3同样，光检测器7，被配置在从由波长转换部件4向空间放出的光之中的作为照明光110利用的放射利用光的光程偏离的位置。
据此，能够由光检测器7准确地检测波长转换部件4的异常劣化来实现安全性高的光源装置101c，并且，即使利用光检测器7也能够抑制因光检测器7而在照明光110的照射区域产生光强度不均匀。而且，也能够实现小型的光源装置101c，因此，也能够实现利用该光源装置101c的投光装置的小型化。
并且，在本实施例中，构成控制部140的微控制器141以及降压电路等被配置在第一布线基板30。而且，微控制器141，接受与入射到光检测器7的光量以及温度检测元件42的温度有关的信号(v1out(t)，v2out(t))，判断光源装置101c的状态，在有异常时对降压电路进行控制来将电流iop(t)设为0，从而能够使半导体发光装置1的工作停止。
并且，根据该结构，能够由温度检测元件42检测半导体发光装置1附近的温度，因此，能够考虑半导体发光装置1的光输出的温度依赖性，判断波长转换部件4是否发生异常劣化。因此，能够更准确地检测波长转换部件4的异常劣化。
如此，根据本实施例涉及的光源装置101c，不依赖于光源装置101c的外部控制也由光源装置101c本身能够进行，不使来自半导体发光装置1的射出光11直接向外部射出的安全功能。
(实施例5)
接着，对于实施例5涉及的光源装置101d，利用图25以及图26进行说明。图25是示出实施例5涉及的光源装置101d的结构的概略截面图。图26是用于说明该光源装置101d的制造方法的图。
图25所示的本实施例的光源装置101d，将实施例4的光源装置101c的、第一布线基板30变为金属芯基板。
具体而言，第一布线基板30的基板30a是，例如以铜或铝为底座材料在表面的一部分形成由绝缘膜和金属图案构成的布线层30b以及30c的金属芯基板。
能够如图26所示组装如此构成的光源装置101d。具体而言，在支撑部件20的一侧装配波长转换部件4，在支撑部件20的另一侧，装配安装有半导体发光装置1、光检测器7以及温度检测元件42的第一布线基板30。此时，半导体发光装置1，预先被安装为与第一布线基板30直接密接。第一布线基板30，由螺钉50固定在支撑部件20。
在本实施例中，也与实施例4同样，被配置在从放射光90之中的作为照明光利用的光(放射利用光)的光程偏离的位置的光检测器7接受，放射光90之中的不会作为照明光利用的光(无用光)。而且，无用光的一部分，由反射部件23反射，通过第二开口部22，被引导到光检测器7。
而且，根据光检测器7接受的无用光的受光量，由控制器140判断波长转换部件4的异常状态，根据其判断结果进行半导体发光装置1的接通/断开，从而抑制与从半导体发光装置1射出的射出光11同样的单色性和定向性高且能量密度大的放射光向光源装置101d的外部射出。
以上，根据本实施例涉及的光源装置101d，与实施例1至4同样，光检测器7，被配置在从由波长转换部件4向空间放出的光之中的作为照明光110利用的放射利用光的光程偏离的位置。
据此，能够由光检测器7准确地检测波长转换部件4的异常劣化来实现安全性高的光源装置101d，并且，即使利用光检测器7也能够抑制因光检测器7而在照明光110的照射区域产生光强度不均匀。而且，也能够实现小型的光源装置101d，因此，也能够实现利用该光源装置101d的投光装置的小型化。
并且，在本实施例中，第一布线基板30，由热传导良好的金属芯基板构成。而且，半导体发光装置1被安装为与第一布线基板30密接。而且，将第一布线基板30的与安装半导体发光装置1的面相反的面设为散热面30h。
据此，能够实现半导体发光装置1的散热特性良好的光源装置101d。
(实施例6)
接着，对于实施例6涉及的光源装置101e，利用图27进行说明。图27是示出实施例6涉及的光源装置101e的结构的概略截面图。
在本实施例中，波长转换部件4是，在热导率高的透明基板表面形成没有图示的反射膜而构成的反射部件4b上，形成将例如荧光体粒子与硅酮等的粘合剂混合而构成的波长转换元件4a来构成的。更具体而言，反射部件4b是，在例如蓝宝石以及碳化硅结晶基板上形成电介质多层膜来构成的。
如图27示出，在本实施例的光源装置101e中，光检测器7，也被配置在从由波长转换部件4放出的放射光90之中的作为照明光利用的光(放射利用光)的光程偏离的位置，但是，在本实施例中，光检测器7，通过支撑部件20的第二开口部22接受，向与向投光部件(不图示)放出的放射利用光相反侧放出的放射光90d的一部分。
而且，入射到光检测器7的光是，作为从波长转换部件4放出的放射光90之中的不会作为照明光利用的光的一部分的无用光，是例如从波长转换部件4的反射部件4b的漏光。
如此，在本实施例中，也被配置在从放射光90之中的作为照明光利用的光(放射利用光)的光程偏离的位置的光检测器7接受，放射光90之中的不会作为照明光利用的光(无用光)。
而且，根据光检测器7接受的光的受光量，由控制器140判断波长转换部件4的异常状态，根据其判断结果进行半导体发光装置1的接通/断开，从而抑制与从半导体发光装置1射出的射出光11同样的单色性和定向性高且能量密度大的放射光向光源装置101e的外部射出。
以上，根据本实施例涉及的光源装置101e，与实施例1至5同样，光检测器7，被配置在从由波长转换部件4向空间放出的光之中的作为照明光110利用的放射利用光的光程偏离的位置。
据此，能够由光检测器7准确地检测波长转换部件4的异常劣化来实现安全性高的光源装置101e，并且，即使利用光检测器7也能够抑制因光检测器7而在照明光110的照射区域产生光强度不均匀。而且，也能够实现小型的光源装置101e，因此，也能够实现利用该光源装置101e的投光装置的小型化。
(实施例7)
接着，对于实施例7涉及的光源装置101f，利用图28进行说明。图28是示出实施例7涉及的光源装置101f的结构的概略截面图。
在所述实施例1的光源装置101f中，半导体发光元件10，利用to-can型的封装体12而被封装体化，在本实施例的光源装置101f中，半导体发光元件10是，利用to-can型以外的封装体12而被封装体化的半导体发光装置1。具体而言，与称为蝶型的封装体的结构同样，在盒型的封装体12的侧面配置引脚13a。而且，在封装体12的底面经由子安装台等安装半导体发光元件10。而且，在封装体12的没有配置引脚13a的侧面，固定例如作为凸透镜的聚光透镜3。
第一布线基板30是，例如仅在作为铝或铜的基板30a的一方的面形成布线层30b的金属芯基板。而且，半导体发光装置1，与实施例5不同，引脚13a不贯通第一布线基板30，在与波长转换部件4、以及光检测器7相同的面进行表面安装。更优选的是，半导体发光装置1、光检测器7、外部连接单元37，被安装在第一布线基板30的同一面，在同一面电连接。而且，进而，波长转换部件以及反射部件也被配置在同一面。此时波长转换部件4，倾斜固定在半导体发光元件10，被配置为射出光11能够容易聚光于波长转换部件4上。
在本实施例中，从半导体发光元件10射出的射出光11由聚光透镜3聚光于波长转换部件4，作为放射光90向上方放出。
此时，在本实施例涉及的光源装置101f中，也与实施例1至6同样，光检测器7，被配置在从由波长转换部件4向空间放出的光之中的作为照明光110利用的放射利用光的光程偏离的位置。
据此，能够由光检测器7准确地检测波长转换部件4的异常劣化来实现安全性高的光源装置101f，并且，即使利用光检测器7也能够抑制因光检测器7而在照明光110的照射区域产生光强度不均匀。而且，也能够实现小型的光源装置101f，因此，也能够实现利用该光源装置101f的投光装置的小型化。
并且，在本实施例中，半导体发光装置1、光检测器7、以及外部连接单元37，被安装在第一布线基板30的同一面，在同一面电连接。
据此，能够简单地构成以及制造光源装置101f。
(实施例8)
接着，对于实施例8涉及的光源装置101g，利用图29以及图30进行说明。图29是示出实施例8涉及的光源装置101g的结构的概略截面图。图30是用于说明该光源装置101g的安全功能的图。
如图29示出，本实施例的光源装置101g，在实施例1的光源装置101中，具备透明罩部件9。透明罩部件9，以堵塞支撑部件20的开口的方式覆盖波长转换部件4以及光检测器7。在本实施例中，透明罩部件9，以表面与支撑部件20的下表面大致平行的方式固定在支撑部件20。对于透明罩部件9，例如，能够利用在双面形成有表面反射率为例如0.1％至2％之间的反射防止膜的玻璃板(盖玻璃)或透明树脂板。
从波长转换部件4放出的放射光90之中的通过放射光利用范围95的光，由投光部件120投影到外部。放射光利用范围95是，由投光部件120接受的光的范围。
透明罩部件9是，被配置在波长转换部件4的上方的透光部件，使从波长转换部件4放出的放射光90透过。在本实施例中，从波长转换部件4放出的放射光90的一部分，在透明罩部件9的表面反射。也就是说，透明罩部件9，作为使从波长转换部件4放出的光之中的作为照明光利用的光(放射利用光)透过的透过部件发挥功能，并且，也作为使从波长转换部件4放出的光之中的不会作为照明光利用的光(无用光)的一部分反射的反射部件发挥功能。
光检测器7，接受由透明罩部件9反射的放射光90的一部分的光。具体而言，光检测器7，接受放射光90之中的不会作为照明光利用的光(无用光)。
在如此构成的光源装置101g中，若因透明罩部件9脱离、破裂或透明罩部件9的位置偏离等而发生透明罩部件9的不良状况，则入射到光检测器7的放射光90的受光量发生变化。例如，如图30示出，若透明罩部件9脱离，则不会放射光90入射到光检测器7，因此，光检测器7的受光量降低。如此，通过检测光检测器7的受光量的变化，从而判断为因透明罩部件9脱离、破裂等而发生透明罩部件9的不良状况，停止半导体发光装置1的工作。
在本实施例中，也被配置在从放射光90之中的作为照明光利用的光(放射利用光)的光程偏离的位置的光检测器7，接受作为放射光90之中的不会作为照明光利用的光(无用光)的、由透明罩部件9反射的光。
而且，根据由光检测器7接受的光的无用光的受光量由控制部140判断波长转换部件4的异常状态，根据其判断结果进行半导体发光装置1的接通/断开，从而抑制与从半导体发光装置1射出的射出光11同样的单色性和定向性高且能量密度大的放射光向光源装置101g的外部射出。
以上，根据本实施例涉及的光源装置101g，与实施例1至7同样，光检测器7，被配置在从由波长转换部件4放出的光之中的作为照明光110利用的放射利用光的光程偏离的位置。
据此，能够由光检测器7准确地检测波长转换部件4的异常劣化来实现安全性高的光源装置101g，并且，即使利用光检测器7也能够抑制因光检测器7而在照明光110的照射区域产生光强度不均匀。而且，也能够实现小型的光源装置101g，因此，也能够实现利用该光源装置101g的投光装置的小型化。
并且，在本实施例中，由透明罩部件9保护波长转换部件4以及光检测器7。
据此，能够实现防尘性以及防水性良好的光源装置101g。特别是，透明罩部件9保护光检测器7，从而能够抑制尘埃等附着到光检测器7的表面，能够准确地检测波长转换部件4的异常。
而且，在本实施例中，也能够由光检测器7检测透明罩部件9脱离、破裂等的透明罩部件9的不良状况。
据此，能够建立安全功能并且实现可靠性高的光源装置101g。
并且，在本实施例中，透明罩部件9，作为使作为照明光利用的光(放射利用光)透过的透过部件发挥功能，并且，也作为使不会作为照明光利用的光(无用光)的一部分反射的反射部件发挥功能。
据此，能够保护波长转换部件4以及光检测器7，并且，也能够不利用反射部件23，而使不会作为照明光利用的光(无用光)的一部分反射并入射到光检测器7。因此，能够实现可靠性高的小型的光源装置101g。
(实施例8的变形例)
接着，对于实施例8的变形例涉及的光源装置101g’，利用图31进行说明。图31是示出实施例8的变形例涉及的光源装置101g’的结构的概略截面图。
所述实施例8的光源装置101g被配置为，透明罩部件9与支撑部件20的下表面大致平行，但是，如图31示出，本实施例的光源装置101g’被配置为，透明罩部件9相对于支撑部件20的下表面倾斜。具体而言，透明罩部件9倾斜，以半导体发光装置1侧的端部位于上方。
在此，对于透明罩部件9的倾斜度与从波长转换部件4到光检测器7的光程长度的关系，利用图32、图33a以及图33b进行说明。图32、图33a以及图33b是用于说明透明罩部件9的倾斜度与从波长转换部件4到光检测器7的光程长度的关系的图。图32示出实施例8的变形例涉及的光源装置101g’的波长转换部件4和透明罩部件9和光检测器7的位置关系，图33a以及图33b分别示出比较例1以及比较例2的波长转换部件4和透明罩部件9和光检测器7的位置关系。在以后的比较中说明，射出光11相对于波长转换部件4以入射角θ1入射并反射，该反射的入射光(射出11)相对于透明罩部件9以入射光θ2入射并反射，在该光程配置光检测器7的情况。
在图33a示出的比较例1中，波长转换部件4、透明罩部件9以及光检测器7被配置为彼此平行。此时，入射角θ1与入射角θ2大致相等。并且，在图33b示出的比较例2中，透明罩部件9以及光检测器7平行，但是，波长转换部件4被配置为，向半导体发光装置1侧倾斜，波长转换部件4相对于透明罩部件9以及光检测器7倾斜。此时，入射角θ2比入射角θ1小。
比较图33a和图33b可见，从波长转换部件4到光检测器7的光程长度，与图33a示出的比较例1相比图33b示出的比较例2短。也就是说，使波长转换部件4向半导体发光装置1侧倾斜，从而能够使从波长转换部件4到光检测器7的光程长度变短。其效果是，将光检测器7配置在接近透明罩部件9侧的位置7b时也产生的。
并且，在图32示出的本实施例中，波长转换部件4以及光检测器7被配置为平行，但是，透明罩部件9被配置为相对于波长转换部件4以及光检测器7倾斜。
比较图32和图33b可见，从波长转换部件4到光检测器7的光程长度，与图33b示出的比较例2相比图32示出的本实施例短。也就是说，如本实施例，透明罩部件9被配置为相对于支撑部件20的下表面倾斜，从而能够使从波长转换部件4到光检测器7的光程长度更短。
以上，根据本变形例涉及的光源装置101g’，能够获得与实施例8同样的效果。
并且，在本变形例中，透明罩部件9被配置为相对于支撑部件20的下表面倾斜。
据此，相对于实施例8的光源装置101g，能够使从波长转换部件4到光检测器7的光程长度短，因此，能够谋求光源装置的小型化。
(实施例9)
接着，对于实施例9涉及的光源装置101h，利用图34以及图35进行说明。图34是示出实施例9涉及的光源装置101h的结构的概略截面图。图35是示出该光源装置101h的电路结构以及用于使该光源装置101h工作的驱动部的电路结构的电路框图。
如图34示出，本实施例的光源装置101h，相对于实施例8的变形例的光源装置101g’，还具备光检测器307。光检测器307，接受放射光90的一部分。具体而言，光检测器307，接受图5b以及图5c所示的半导体发光装置1侧的放射光利用范围95外的第一放射光91c以及第二放射光92c。而且，光检测器7，如上所述，接受与图5b以及图5c所示的半导体发光装置1相反侧的放射光利用范围95外的第一放射光91b以及第二放射光92b。
如图35示出，在本实施例中，从光检测器7(第一光检测器)以及光检测器307(第二光检测器)的每一个输出的信号，由例如差动放大器46接受来生成差动信号c4，将该差动信号c4输出到控制部140，从而判断在波长转换部件4存在异常、还是在透明罩部件9存在异常，从而控制光源装置101h的工作。
此时，如图5b以及图5c示出，对光检测器307接受的半导体发光装置1侧的放射光利用范围95外的放射光(第一放射光91c以及第二放射光92c)、与光检测器7接受的与半导体发光装置1相反侧的放射光利用范围95外的放射光(第一放射光91b以及第二放射光92b)进行比较，从而能够判断在波长转换部件4存在异常、还是在透明罩部件9存在异常。
其结果为，如图6(a)至(c)示出，在波长转换部件4发生破损的情况下，光检测器307与光检测器7的功率比率发生变化，因此，能够更准确地检测波长转换部件4的破损。
在本实施例中，也被配置在从放射光90之中的作为照明光利用的光(放射利用光)的光程偏离的位置的光检测器7，接受作为放射光90之中的不会作为照明光利用的光(无用光)的、由透明罩部件9反射的光。
而且，根据由光检测器7接受的光的无用光的受光量由控制部140判断波长转换部件4的异常状态，根据其判断结果进行半导体发光装置1的接通/断开，从而抑制与从半导体发光装置1射出的射出光11同样的单色性和定向性高且能量密度大的放射光向光源装置101h的外部射出。
以上，根据本实施例涉及的光源装置101h，与实施例1至8同样，光检测器7，被配置在从由波长转换部件4放出的光之中的作为照明光110利用的放射利用光的光程偏离的位置。
据此，能够由光检测器7准确地检测波长转换部件4的异常劣化来实现安全性高的光源装置101h，并且，即使利用光检测器7也能够抑制因光检测器7而在照明光110的照射区域产生光强度不均匀。而且，也能够实现小型的光源装置101h，因此，也能够实现利用该光源装置101h的投光装置的小型化。
并且，在本实施例中，不仅由光检测器7接受放射光90的一部分，也由光检测器307接受放射光90的一部分。
据此，能够更准确地检测波长转换部件4的异常劣化，因此，能够实现安全性更高的光源装置101h。
并且，利用光检测器7以及光检测器307的光源装置也可以是，图36示出的结构的光源装置101h’。在图36所示的光源装置101h’中，具备设置有第二开口部22和开口部322的支撑部件20，在第二开口部22和开口部322的上方的每一个，反射部件23和反射部件24由不图示的支撑部件固定。而且，反射部件24，使半导体发光装置1侧的放射光利用范围95外的放射光(第一放射光91c以及第二放射光92c)的一部分或全部反射，通过开口部322，引导到安装在第一布线基板30的光检测器307。而且，反射部件24，被配置在不与射出光11干涉的位置。
根据该结构，能够将光检测器7以及307的双方安装在第一布线基板30上，因此，能够容易构成光源装置101h。
(实施例10)
接着，对于实施例10涉及的光源装置101i，利用图37至图39进行说明。图37是示出实施例10涉及的光源装置101i的结构的概略截面图。图38以及图39是用于说明该光源装置101i的安全功能的图。
如图37示出，本实施例的光源装置101i，相对于实施例2的光源装置101a，还具备透明罩部件9、以及罩部件27。
透明罩部件9，被配置为堵塞由支撑部件20和罩部件27构成的开口，覆盖波长转换部件4。对于透明罩部件9，例如，可以利用玻璃板或透明树脂板。并且，透明罩部件9的边缘，在全周，由例如紫外线固化树脂等的粘接材料36固定在支撑部件20和罩部件27。具体而言，将透明罩部件9从上方安装并粘接到，设置在支撑部件20的一部分的安装面20i、设置在罩部件27的安装面27a。而且，密闭射出光11的光程以及波长转换部件4。
罩部件27被配置为，覆盖保持部件25。保持部件25，具有保持第二光学元件3b的功能，并且，具有调整第二光学元件3b的位置的功能。保持部件25，由螺钉52固定在支撑部件20。罩部件27，由螺钉53固定在支撑部件20。
并且，在本实施例中，在透明罩部件9的一部分设置有反射部件23。因此，光检测器7，通过设置在支撑部件20的第二开口部22接受，由设置在透明罩部件9的反射部件23反射的放射光90的一部分。
在如此构成的光源装置101i中，从光源装置101i放出危险的光的最危险的破损状态是，如图39示出的保持部件25和罩部件27从支撑部件20脱离的情况。在此情况下，半导体发光装置1的上方的第二光学元件3b也脱离。在此情况下，从半导体发光装置1射出的、由第一光学元件3准直的射出光11，照原样从光源装置101i放出。
在本实施例中，如图38以及图39示出，在因光源装置101i被破损、破坏而第二光学元件3b脱离的情况下，在其之前，罩部件27也从支撑部件20脱离，因此，其结果为，透明罩部件9也脱离。在此情况下，不能由光检测器7接受，在设置在透明罩部件9的反射部件23反射的放射光90。据此，入射到光检测器7的放射光90的受光量发生变化，因此，能够检测光源装置101i被破损、破坏，来停止半导体发光装置1的工作。
在本实施例中，也被配置在从放射光90之中的作为照明光利用的光(放射利用光)的光程偏离的位置的光检测器7，接受作为放射光90之中的不会作为照明光利用的光(无用光)的、由透明罩部件9反射的光。
而且，根据光检测器7接受的无用光的受光量，由控制部140判断波长转换部件4的异常状态，根据其判断结果进行半导体发光装置1的接通/断开，从而抑制与从半导体发光装置1射出的射出光11同样的单色性和定向性高且能量密度大的放射光向光源装置101i的外部射出。
以上，根据本实施例涉及的光源装置101i，与实施例1至9同样，光检测器7，被配置在从由波长转换部件4放出的光之中的作为照明光110利用的放射利用光的光程偏离的位置。
据此，能够由光检测器7准确地检测波长转换部件4的异常劣化来实现安全性高的光源装置101i，并且，即使利用光检测器7也能够抑制因光检测器7而在照明光110的照射区域产生光强度不均匀。而且，也能够实现小型的光源装置101i，因此，也能够实现利用该光源装置101i的投光装置的小型化。
并且，在本实施例中，由透明罩部件9保护波长转换部件4。并且，由固定有半导体发光装置1的支撑部件20、罩部件27，以及透明罩部件9，密闭射出光11的光程以及波长转换部件4。
据此，能够实现防尘性以及防水性良好的光源装置101i。具体而言，根据光镊效果，尘埃等从光源装置101i的外部集中于射出光11的光程，附着到聚光透镜3的表面，能够防止光源装置101i的光学特性降低。并且，能够抑制尘埃等从光源装置101i的外部侵入到射出光11的光程，使射出光11散射。通过抑制该散射，从而能够抑制从光源装置射出与射出光同样的单色性和定向性高且能量密度大的放射光。
而且，在本实施例中，对于透明罩部件9，说明了在透明罩部件9的一部分设置反射部件23的结构，但是，光源装置的结构，不仅限于此。对于透明罩部件9，也可以利用在两侧的表面形成反射率0.1至2％的反射防止膜的玻璃，利用其反射光进行光检测。并且，分别独立地设置透明罩部件9以及反射部件23，也可以实现密闭性等的效果。
(其他的变形例等)
以上，对于本公开涉及的光源装置以及投光装置，根据实施例以及变形例进行了说明，但是，本公开，不仅限于所述实施例以及变形例。
例如，在所述实施例中，向光检测器7施加的电源电压vcc是基于cw驱动(连续振荡驱动)的一定电压，但是，如图40示出，向光检测器7施加的电源电压vcc也可以是，基于脉冲驱动(瞬间脉冲)的脉冲电压。图40是变形例涉及的光源装置的控制部的各个信号、光通量、噪声的时序图的一个例子。如此，使脉冲驱动的电源电压vcc与基于光检测器7的受光的信号180同步，进行运算，从而能够生成外部的噪声信号等的影响被除去的信号180b。据此，能够更准确地检测波长转换部件4的异常劣化。并且，在所述实施例中，说明了装载一个半导体发光装置的光源装置，但是，本发明，不仅限于此，例如，也可以适用于装载多个半导体发光装置的光源装置、以及装载安装了具有多个光波导的半导体发光元件的半导体发光装置的光源装置。
并且，在所述实施例中，从光源装置放出的光，用于照明用，但是，不仅限于此。
另外，对各个实施例以及变形例实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的形态，在不脱离本公开的宗旨的范围内任意组合各个实施例以及变形例的构成要素以及功能来实现的形态，也包含在本公开中。
本公开，能够作为具有半导体发光元件以及波长转换部件的光源装置以及利用它的投光装置等、各种光学设备广泛地利用。
符号说明
1、304半导体发光装置
3聚光透镜
3a第一光学元件
3b第二光学元件
4波长转换部件
4a波长转换元件
4b反射部件
4c支撑部件
4d照射区域
5透镜保持器
7、307光检测器
7a、37a端子
8光滤波器
9透明罩部件
10半导体发光元件
11射出光
12封装体
13a、13b引脚
15罐
16透光性部件
20支撑部件
20b、30f散热面
20c分离墙
20d保持部
20e、20f、20i、27a安装面
20h、322开口部
21第一开口部
22第二开口部
23、24反射部件
25、26保持部件
27罩部件
30第一布线基板
30a基板
30b布线层
30c布线层
30d、30e贯通孔
30f通孔布线
31第二布线基板
35焊料
36粘接材料
37、337外部连接单元
38外部布线
41电阻元件
42温度检测元件
43电阻元件
44保护元件
46差动放大器
50、52、53螺钉
90、90b、90d、390放射光
91、91b、91c、91d第一放射光
92、92b、92c、92d第二放射光
95放射光利用范围
96光轴
101、101a、101b、101b’、101c、101d、101e、101f、101g、101g’、101h、101h’、101i、300光源装置
110、310照明光
120投光部件
120a、120b区域
121致动器
130散热部件
131安装部
132散热片
140控制部
141微控制器
142、143降压电路
150外部电路
160电源部
170警告灯
180、180a至180f信号
190、191阈值信号
201、301、401灯具
320投光部件
330布线基板