本发明涉及led背光领域，尤其涉及一种led器件、采用该led器件的背光灯条以及采用该背光灯条的背光模组。
背景技术：
随着led背光技术的迅猛发展，消费者对具有丰富色彩、更真实色彩还原能力的高色域显示设备的需求日益增强。目前实现高色域的主流方式有：
1、采用蓝光芯片激发红色和绿色荧光粉，但受限于当前绿色荧光粉的半波宽相对较宽，从而导致可实现的色域上限一般居于90％-95％之间，因此还无法满足更高色域的技术要求；
2、采用三光色led(简称rgb-led)组合，由于光谱中r、g、b三波段的半波宽均为芯片级，可实现的色域可达到105％甚至120％以上，但是，rgb-led混光困难、需要较高的散热要求，此外，采用rgb-led的背光驱动系统复杂、成本高以及效率低。
基于当前高色域led背光源技术存在的各种缺陷，现有技术出现了蓝光芯片加绿光芯片搭配红色荧光粉的背光led封装形式。其中，蓝绿芯片采用串联或双回路独立驱动的方式，红色荧光粉为氮化物荧光粉、氟化物荧光粉和硅酸盐荧光粉构成。
参照附图1和附图2所示，附图1为蓝光芯片101和绿光芯片102采用串联驱动的方式，附图2为蓝光芯片201和绿光芯片202采用双回路独立驱动的方式。采用附图1和附图2中的背光led器件时，其色域能达到100％以上，在实现超高色域的同时兼具高可靠性和低成本等优势。
但是，采用以上的封装形式时，其蓝光芯片和绿光芯片分别居于支架的两端，在实际应用中必然会存在以下缺陷：
1、单一器件方面，由于蓝光芯片301和绿光芯片302分别位于器件的两侧，在中间区域混光较好，随着远离中心区域混光效果会逐渐变差，呈现蓝光芯片301左侧偏红，绿光芯片302右侧偏绿，中部区域为白色的现象。另外，由于蓝光芯片301出光角度有限和绿光芯片的遮挡，绿光芯片302右侧的红色荧光粉不能被有效激发，降低整体发光效率，具体参照附图3；
2、实际应用时，如侧入式背光方式，器件在lightbar401上的贴片方式如附图4所示。其中器件与器件之间相互初步混光，再通过导光板充分混光达到白场效果，然而lightbar401上两端的首个器件，如最左端首个器件，蓝光芯片激发红色荧光粉发出品红色，由于无充分的绿光与之混光，因此在显示界面左边缘看到的是品红色，即附图4中的平红区402。同理，最右端由于无充分的品红光与之混光，右边缘看到的是绿色，即附图4中的绿色区403，整体出屏品味不佳，其实际效果如图4所示。
因此，如何改善这一具有前景的背光方案的技术缺陷，是急需解决的问题。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种能够提高色域的led器件。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种led器件，包括支架、设于支架上的led芯片以及覆盖所述led芯片上的光转换物质，所述光转换物质包括红色光转换物质，所述支架上设置有至少两个焊盘，所述至少两个焊盘分别位于所述支架的两侧，所述焊盘上设置有至少一个蓝光led芯片和至少一个绿光led芯片，支架上的led芯片呈n行*m列排布，其中n≥2，m≥2，至少位于支架两侧的同列的所述蓝光led芯片和所述绿光led芯片呈交替排布。
作为上述方案的改进，同行的所述蓝光led芯片和所述绿光led芯片呈交替排布。
作为上述方案的改进，同列的所述蓝光led芯片和所述绿光led芯片呈交替排布。
作为上述方案的改进，所述蓝光led芯片和绿光led芯片的个数相同。
作为上述方案的改进，所述支架上设置有两个焊盘，每个所述焊盘上设置有一个蓝光led芯片和一个绿光led芯片，两个蓝光led芯片呈对角线排布，两个绿光led芯片呈对角线排布。
作为上述方案的改进,同行led芯片的横向错开距离优选范围为0～0.5mm，同列led芯片的纵向错开距离优选为0.03～0.3mm。
作为上述方案的改进，至少一个蓝光led芯片和至少一个绿光led芯片为一个芯片串，芯片串内的led芯片串联连接，多个芯片串之间并联连接。
作为上述方案的改进，所述蓝光led芯片和所述绿光led芯片的长、宽相等。
作为上述方案的改进，同列所述led芯片之间平行排布。
作为上述方案的改进，同列所述led芯片之间非平行排布。
作为上述方案的改进，所述红色光转换物质为红色荧光粉或量子点粉，所述红色荧光粉为氟化物荧光粉、氮化物荧光粉或硅酸盐荧光粉。
作为上述方案的改进，所述光转换物质的上方设有透明保护层。
相应的，本发明还公开了一种背光灯条，包括采用本发明所述的led器件。
作为上述方案的改进，所述led器件上设置有光学透镜。
相应的，本发明还公开了一种背光模组，包括至少一个本发明所述的背光灯条。
实施本发明的实施例，具有如下有益效果：
1、采用本发明的led器件时，所述支架内设置有至少两个焊盘，所述两个焊盘分别位于所述支架的两侧，所述焊盘上设置有至少一个蓝光led芯片和至少一个绿光led芯片，其中所述led芯片呈矩阵式排布，即设置成n行*m列，n≥2，m≥2，且本发明将至少位于支架两侧的同列的所述蓝光led芯片和所述绿光led芯片呈交替排布，即位于支架最外列的上下led芯片的颜色不同。支架的两端既有蓝光led芯片，又有绿光led芯片，所以由支架两端发射出的光线也能够得到充分的混合；此外，上下交替的蓝光led芯片和绿光led芯片再搭配受蓝光激发的红色光转换物质后，三基色的混合白光质量可以得到大幅度提升，采用本发明的led器件时，其色域可以达到100％以上。
2、采用本发明的led器件时，在本实施例中所述支架上设置有两个焊盘，每个所述焊盘上设置有一个蓝光led芯片和一个绿光led芯片，两个焊盘上的蓝光led芯片和蓝光led芯片呈对角线排布，绿光led芯片和绿光led芯片呈对角线排布，蓝、绿led芯片交叉排布，可使蓝、绿led芯片的光线充分混合，再搭配受蓝光激发的红色光转换物质后的三基色的混合白光质量可以得到大幅度提升，采用本发明的led器件时，其色域可以达到100％以上。
3、采用本发明的led器件时，蓝光led芯片和绿光led芯片采用长、宽相同的芯片，其发光强度相近，再搭配受蓝光激发的红色光转换物质后，三基色的混合白光质量可以得到大幅度提升，采用本发明的led器件时，其色域可以达到100％以上。
4、采用本发明led器件的背光灯条以及背光模组的色域均可以达到100％以上的高色域，此外，采用本发明的led器件的背光灯条和背光模组的显示品味的质量也能够得到明显的改善。
附图说明
图1是现有技术中采用蓝绿芯片串接时的结构示意图；
图2是现有技术中采用蓝绿芯片双回路独立驱动时的结构示意图；
图3是现有技术中采用蓝绿芯片时的出光图；
图4是现有技术中lightbar采用蓝绿芯片时的装机效果图；
图5是本发明led器件采用四个芯片时的第一种连接方式简图；
图6是本发明led器件采用四个芯片时的第二种连接方式简图；
图7是本发明led器件采用四个芯片时的第三种连接方式简图；
图8是本发明led器件采用六个芯片时的第一种连接方式简图；
图9是本发明led器件采用六个芯片时的第二种连接方式简图；
图10是本发明led器件采用直下式且采用四个芯片时的第一种连接方式简图；
图11是本发明led器件采用直下式且采用四个芯片时的第二种连接方式简图；
图12是本发明led器件采用直下式且采用四个芯片时的第三种连接方式简图；
图13是本发明的led器件采用大小不同的蓝光led芯片和绿光led芯片时的ciexy近场曲线图；
图14是本发明的led器件采用大小相同的蓝光led芯片和绿光led芯片时的ciexy近场曲线图；
图15a是试验一方案一的ciexy近场曲线图；
图15b是实验一方案二的ciexy近场曲线图；
图15c是实验一方案三的ciexy近场曲线图；
图16a是实验二方案一的ciexy近场曲线图；
图16b是实验二方案二的ciexy近场曲线图；
图16c是试验二方案三的ciexy近场曲线图；
图17是实施例三中的led器件的结构视图；
图18是本发明背光模组的结构示意图；
图19是本发明led器件的色域图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。仅此声明，本发明在文中出现或即将出现的上、下、左、右、前、后、内、外等方位用词，仅以本发明的附图为基准，其并不是对本发明的具体限定。
实施例一
参见附图5至附图12，本发明公开了一种led器件，包括led支架1、设于led支架1上的led芯片以及覆盖所述led芯片上的光转换物质，所述光转换物质包括红色光转换物质。其中，所述光转换物质的上方优选设有透明保护层。
所述led支架内设置有至少两个焊盘，所述两个焊盘分别位于所述led支架的两侧，所述焊盘上设置有至少一个蓝光led芯片2a和至少一个绿光led芯片2b，支架上的led芯片呈n行*m列排布，其中n≥2，m≥2。即所述支架上的led芯片成矩阵式排布，且其中n一般为偶数，至少位于支架两侧的同列的所述蓝光led芯片和所述绿光led芯片呈交替排布。其中，位于支架两侧的同列的led芯片是指与支架端部相邻的那列，即最外列。优选的，同列及同行的所述蓝光led芯片和所述绿光led芯片均呈交替排布。
在本实施例中，所述蓝光led芯片和所述绿光led芯片的个数优选为相同数量，一个蓝光led芯片和一个绿光led芯片为一组，以达到混光均匀的目的。
所述led芯片成矩阵式排布，设置成n行*m列(n为偶数)，同列的蓝光led芯片和绿光led芯片呈上下交替排布，同行的蓝光led芯片和绿光led芯片呈交替排布，相邻所述led芯片的颜色不同，即所述蓝光led芯片2a和绿光led芯片2b沿矩阵式的横向(行)和纵向(列)均是依次交替排布，当支架1的长宽不等时，矩阵的横向优选为支架1的长度方向，矩阵的纵向优选为支架1的宽度方向。
其中，所述蓝光led芯片2a和绿光led芯片2b采用矩阵式排布时有以下两种排布方式：
第一种排布方式，同列所述蓝光led芯片2a和绿光led芯片2b呈上下排布，同列的led芯片间平行排布，优选led芯片的长或宽与所述led支架的长或宽平行放置。其中附图5至附图10采用的就是同列的led芯片平行及led芯片的长或宽与所述led支架的长或宽平行放置方式。
同列led芯片采用平行排布的led器件时，其包含至少两个蓝光led芯片2a和至少两个绿光led芯片2b，蓝光led芯片2a和绿光led芯片2b采用交替的矩阵式排布，此时，支架1的两端有上下排布的蓝光led芯片2a和绿光led芯片2b，所以由led器件两端发射出的光线也能够得到充分的混合。长方形支架优选采用此种排布方式，例如7016、4014和8520等。其中，所述蓝光led芯片2a和所述绿光led芯片2b的长、宽相等，此时，led器件内的芯片排布更为均匀。其中，附图13显示的是大小不同的蓝光led芯片和绿光led芯片时的ciexy近场曲线，附图14显示的是大小相同的蓝光led芯片和绿光led芯片时的ciexy近场曲线。由附图13和附图14对比两种方案的ciexy近场曲线，可观察到大小相同的蓝绿芯片方案的x、y值分布更加稳定，表面各点色点差异小，说明白光混光效果更佳。
第二种排布方式，同列的led芯片间为非平行排布，且led芯片呈倾斜式放置，即所述led芯片的长或宽与所述led支架的长或宽处于非平行状态，进一步的，同列相邻的所述led芯片呈轴对称排布。如所述蓝光led芯片和绿光led芯片可以沿环状的周向依次交替排布，附图11采用的就是环状排布方式；或所述蓝光led芯片和所述绿光led芯片呈x状排布，附图12采用的就是这种x状排布，正方形支架可以采用上述第一种排布方式，也可以采用此种排布方式，例如3030等。
芯片采用环状或x状排布的led器件时，所述支架两侧的焊盘上分别放置有至少一个蓝光led芯片和至少一个绿光led芯片，且蓝光led芯片和绿光led芯片采用环状或x状排布的方式，此时，支架的四周都均匀覆盖蓝光led芯片和绿光led芯片，所以由支架任何一个角度发射出的光线都能够得到充分的混合。
此外，呈矩阵式排布的蓝光led芯片2a和绿光led芯片2b再搭配受蓝光激发的红色光转换物质后，三基色的混合白光质量可以得到大幅度提升，根据发明人试验得出，当采用本发明的led器件时，其色域可以达到100％以上。其中，所述蓝光led芯片2a的波长优选为440-460nm，所述绿光led芯片2b的波长优选为520-540nm。
此外，需要说明的是，基于驱动电源设计方面的考虑，背光器件的电压一般要限制在8v之内，本发明为了减小led器件的整体电压压力，本发明优选将相邻的蓝光led芯片2a和绿光led芯片2b先串联，然后再将两个串联的芯片进行并联。具体的，所述一个蓝光led芯片和一个绿光led芯片为一个芯片串，芯片串内的led芯片间串联连接，多组芯片串之间并联连接。此时，led器件承受的最大压力相对较低，对提高led器件的寿命可以起到很大的作用，且可以降低led器件产生的热量。
此外，为了便于连通本发明的芯片，当同列所述蓝光led芯片和绿光led芯片呈平行状态排布，led芯片的长或宽与所述支架的长或宽平行时，本发明优选采用以下两种排布方式的焊盘：
第一种排布方式，所述支架1设有与每列芯片一一对应的焊盘，每列的芯片设于同一焊盘内；其中附图5至附图8以及附图10至附图12采用此种排布方式，采用此种排布方式时，也可以设置成多回路电路，如附图7所示，此时，需要另外增加电极焊盘。
第二种排布方式，所述支架1设有至少两个用于安装蓝光led芯片2a和绿光led芯片2b的焊盘，所述蓝光led芯片2a和绿光led芯片2b呈至少三列排布，至少一个焊盘上设有至少两列芯片。其中，附图9采用的是此种排布方式。
需要说明的是，现有技术用于背光领域的支架1一般为7016、4014、8520或者3030等，基于现有技术的支架1大小的限制以及芯片可靠性方面的隐患，一个支架1一般配套4个或者6个芯片。
当所述led芯片设置有四个led芯片时，所述蓝光led芯片2a和绿光led芯片2b均设有两个，此时，所述支架1设有两个焊盘3，每个焊盘3上对应设有两个相邻的芯片。即四个芯片分成两组，每组内设有一个蓝光led芯片和一个绿光led芯片，每个焊盘上设有一组芯片。
其中，当四个芯片采用矩阵式平行排布方式时，两个焊盘3与每列芯片一一对应，此时，蓝光led芯片2a和绿光led芯片2b可以采用附图5至附图7或者附图10四种连接方式。其中附图5至附图7为侧入式led器件，附图10为直下式led器件。附图5和附图6采用的是单回路连接方式，附图7采用的是双回路连接方式。附图5中显示的是先将同一排的芯片串联，然后将上下排进行并联连接，其中各个芯片需要同各自的焊盘电连接；附图6中显示的是先将同一焊盘的芯片串联，然后将两个焊盘进行并联连接；附图7中需要另外增加两个电极焊盘，附图7显示的是将各个焊盘上的芯片独自串联，然后将同焊盘上的芯片中的一个电极与自身电连接，另一个电极与电极焊盘连接，此种方式为双回路连接。
其中，当四个芯片采用非平行式的环状或x状排布时，两个焊盘呈左右对称排布，左边的两个芯片设于左边的焊盘上，如附图11、图12所述，右边的两个芯片设于右边的两个焊盘上。此处的左右是相对的，并不表示一定要和支架的边缘平行。
当所述led芯片设有六个led芯片时，所述蓝光led芯片2a和绿光led芯片2b均设有三个，此时，焊盘又有以下两种方案：
第一种方案，六个芯片排布成两排三列，所述支架1设有与每列芯片一一对应的三个焊盘4。此时，蓝光led芯片2a和绿光led芯片2b可以采用附图8中的连接方式，即先将各个焊盘4上的芯片进行串联连接，然后再将串联的芯片进行依次并联连接。
第二种方案，六个芯片排布成两行三列，所述支架1设有两个焊盘(5a、5b)，相邻的两列芯片设于同一个焊盘5a上，此为第一焊盘5a，另一列芯片设于另一个焊盘5b上，此为第二焊盘5b。此时，蓝光led芯片2a和绿光led芯片2b可以采用附图9中的连接方式，将第一焊盘5a中的上下排芯片分别串联，左列的两个芯片与第一焊盘电连接，右边的两个芯片与第二焊盘电连接，从而形成并联，第二焊盘上的两个芯片串联连接，其中一个芯片与第一焊盘电连接，另一个芯片与第二焊盘电连接。
其中，附图5至附图9一般用于侧入式led器件，附图10至附图12一般用于直下式led器件，用于直下式led器件时，一般需要安装透镜。
需要说明的是，本发明相邻焊盘的相邻的边缘优选朝同一个方向倾斜设置。相邻焊盘之间的区域即绝缘区，若将绝缘区的边缘设置成与支架边缘之间平行的结构，则在受外界力时很容易破损，当相邻焊盘的相邻的边缘设置为朝同一个方向倾斜时，在受到附图5至9中的宽度方向的力时，还可以通过焊盘进行一定的缓冲，从而提高led器件的整体受力能力。
本发明通过蓝绿芯片搭配红色光转换物质从而可以得到色域较高的白光，本实施例中，所述红色光转换物质为红色荧光粉，所述红色荧光粉为氟化物荧光粉、氮化物荧光粉或硅酸盐荧光粉。
此外，本发明优选在光转换物质的上方设有透明保护层。所述透明保护层优选为透明硅胶层，可以增强器件的气密性。
此外，需要说明的是，本发明中的led器件中的各芯片之间的间距对其散发出的光的品质也有一定的关系，以下以7016为例(蓝光1734，绿光1734)，展示随距离的改变，混光效果的变化。
实验一：
首先固定蓝绿芯片的纵向距离为0.24mm，观察蓝绿芯片横向距离(即两芯片分别到支架焊盘边缘的距离)对混光效果的影响。
方案一，蓝光芯片距离焊盘边缘0.2mm，绿光芯片距离焊盘边缘0.2mm，即蓝绿芯片横向错开0.7mm；附图15a是采用此方案的ciexy近场曲线图。
方案二，蓝光芯片距离焊盘边缘0.35mm，绿光芯片距离焊盘边缘0.35mm，即蓝绿芯片横向错开0.4mm；附图15b是采用此方案的ciexy近场曲线图。
方案三，蓝光芯片距离焊盘边缘0.55mm，绿光芯片距离焊盘边缘0.55mm，即蓝绿芯片横向错开0mm，对齐排布在每个焊盘中部；附图15c是采用此方案的ciexy近场曲线图。
作出上述三个方案的ciexy近场曲线，可得出随蓝绿芯片往焊盘中部移动，逐步对齐排布时，其ciexy近场曲线愈加平稳，表明混光效果逐步变好。
实验二：
在保持蓝绿芯片的横向错开为一定值的基础上，观察蓝绿芯片纵向距离对混光效果的影响。
方案一，蓝光芯片和绿光芯片纵向距离为0.33mm；附图16a是采用此方案的ciexy近场曲线图。
方案二，蓝光芯片和绿光芯片纵向距离为0.13mm；附图16b是采用此方案的ciexy近场曲线图。
方案三，蓝光芯片和绿光芯片纵向距离为0.03mm；附图16c是采用此方案的ciexy近场曲线图。
作出上述三个方案的ciexy近场曲线，可得出随蓝绿芯片纵向逐渐挨近，其ciexy近场曲线趋于平稳，混光效果增强。表明蓝绿芯片的距离对混光有一定的影响作用，并且两者距离越小，越促进混光。
综合混光效果及制备工艺考量，发明人得出：同行led芯片的横向错开距离优选范围为0～0.5mm，同列led芯片的纵向错开距离优选为0.03～0.3mm。若同行led芯片的横向错开距离以及同列led芯片的纵向错开距离不处于对应的范围内时，其混光的均匀度不高。
此外，本实施例的led器件的发光强度与荧光粉的浓度以及颗粒大小之间也有一定的关系，以7016为例，其中蓝光芯片1734的波长为450-452.5nm，绿光芯片1734的波长为525-527.5nm，封装胶采用双组份的oe7662，红色荧光粉为k2sif6:mn4+，发射波长为630nm，颗粒尺寸为18～40um。以下为发光强度、ciex&y以及色域ntsc随荧光粉浓度变化的变化表格。
由以上6组实验数据发现，荧光粉浓度较高，随浓度逐步增加，ciex&y色点变高，亮度有提升，浓度每增加5％左右的幅度，则亮度提升在1-2％之间。同时，随色点变高，ntsc值也有一定幅度的提升。根据发明人实验研究得出，所述荧光粉的浓度范围优选为85％-110％，荧光粉颗粒的粒径范围优选为15um-45um。若荧光粉的浓度大于110％，则胶体太浓稠，无法点胶。
实施例二
本实施例与实施例一不同的是，本实施例光转换物质6内含有量子点，即所述红色光转换物质为量子点。其中，光转换物质6即led器件中的发光层。
但是，目前所公开的量子点材料在制备发光层的过程中均采用有机溶剂配胶的形式，需要先将量子点材料分散于甲苯或氯仿等有毒有机溶剂中，再与封装胶搅拌混合后真空去除有机溶剂，最后点胶进行热固化，制备过程工序多且不环保。
为了解决现有技术的量子点带来的问题，在本实施例中，所述量子点为通过将量子点颗粒嵌入到高分子聚合物中而制得，所述高分子聚合物为含有介孔结构的聚合物微球。其形成发光层的过程为：所述量子点和固化胶混合搅拌，再将其涂覆在芯片上，经固化形成发光层。本实施例在发光层中引入量子点作为光转换物质，其中，量子点部分取代或全部取代普通的荧光粉，与固化胶混合后形成发光层。
其中，所述光转换物质通过将量子点颗粒嵌入到含有介孔结构的高分子聚合物微球中而制得。量子点深入到介孔结构中，结构稳定，且由于有外围聚合物层的保护，其热防御性及化学稳定性得以提升，分散性好无团聚，因此可以像荧光粉一般直接跟固化胶混合，不需要有机溶剂，简化工序，避免有机溶剂对环境的污染。
实施例三
需要说明的是，实施例一和实施例二中的led器件可以为侧入式背光方式或者是直下式背光方式，当采用直下式的背光方式时，需要增加光学透镜。
参见附图17所示，本实施例所述led器件包括光学透镜9、支架1、设于支架1上的led芯片2以及覆盖所述led芯片2的光转换物质，所述光转换物质包括红色光转换物质，所述支架内设置有至少两个焊盘，所述两个焊盘分别位于所述支架的两侧，所述焊盘上设置有至少一个蓝光led芯片2a和至少一个绿光led芯片2b，led芯片呈n行*m列排布，其中n≥2，m≥2。即所述支架上的led芯片成矩阵式排布，且其中n一般为偶数。所述蓝光led芯片和所述绿光led芯片呈同列上下排布，同行或同列相邻所述led芯片的颜色不同。所述led器件上设置有光学透镜，即所述led器件设于所述光学透镜的底部。
实施例四
本实施例公开了一种背光灯条，包括采用上述实施例中的至少一个led器件501。作为背光灯条其中一种优选的实施方式，其包括上述的至少一个led器件501、pcb板502，所述led器件501安装在所述pcb板上，具体参照附图18所示。或者，所述背光灯条包括上述的至少一个led器件501、光学透镜和pcb板502，所述led器件501安装在所述pcb板上，所述光学透镜固化在所述pcb板上，并位于所述led器件501上方。进一步的，所述pcb板上设置有接线端子用于与外部电源连接。
实施例五
本实施例公开了一种背光模组，包括实施例四的至少一个背光灯条。作为背光模组其中一种优选的实施方式，其包括上述的至少一个背光灯条以及由下至上依次设置的发射膜601、导光板602、扩散膜603、棱镜膜604和lcd605，具体请见附图18所示。该背光模组应用在直下式或侧入式tv背光，或者该背光模组应用在直下式或侧入式面板灯等设备中。
以下为本实施例背光模组的封装过程：
(1)将蓝光led芯片和绿光led芯片按照图5至图12中任一种方式排布在支架上，并通过导线将芯片连通。其中，支架为7016kpg，蓝光led芯片为1128，波长为450-452.5nm，半波宽为15nm，绿光led芯片为1128，波长为530-532.5nm，半波宽为30nm。
(2)将红色荧光粉与封装胶均匀混合后涂覆在支架中，并进行烘烤硬化处理。其中，荧光粉为氟化物k2sif6:mn4+，简称ksf粉。
(3)将硬化好的led器件贴于pcb板上，过回流焊后得到lightbar。
(4)将lightbar安装于侧入式背光模组中，观察品味。
通过上述方式安装的lightbar的色域图如附图19所示。其显示了led器件的色域图，曲线l1为标准ntsc，曲线l2为本发明led器件ntsc。由图19可知，ntsc值达到103％，可见采用本发明的led器件的色域比现有技术的高。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。