技术特征：
1.一种半导体集成电路穿硅检测装置，包括壳体(1)，其特征在于：所述壳体(1)的内部开设有放置槽(2)，所述壳体(1)的内部底壁设置有蜗杆(3)，所述蜗杆(3)的表面设置有补光机构(4)，所述蜗杆(3)的左右两侧均活动连接有啮合杆(5)；所述补光机构(4)包括弹簧杆(6)、补光灯(7)、连杆(8)、气流箱(9)，所述弹簧杆(6)的顶部与补光灯(7)固定连接，所述补光灯(7)的内部开设有空槽(18)，所述弹簧杆(6)的左右两侧均与连杆(8)固定连接，所述连杆(8)远离弹簧杆(6)的一端与气流箱(9)活动连接，所述气流箱(9)的内部开设有滑槽(10)，所述滑槽(10)的表面滑动连接有活塞(11)。2.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路穿硅检测装置，其特征在于：所述气流箱(9)的表面开设有气孔(12)，所述气孔(12)处于放置槽(2)的下方。3.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路穿硅检测装置，其特征在于：所述气流箱(9)远离连杆(8)的一侧与壳体(1)内部侧壁固定连接。4.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路穿硅检测装置，其特征在于：所述连杆(8)通过活塞(11)与气流箱(9)活动连接，所述连杆(8)的长度与滑槽(10)的长度相适配。5.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路穿硅检测装置，其特征在于：所述蜗杆(3)为分段式设计，且两段螺纹槽方向相反。6.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路穿硅检测装置，其特征在于：所述蜗杆(3)与弹簧杆(6)的连接处设置有涡轮(13)，所述涡轮(13)与蜗杆(3)相适配。7.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路穿硅检测装置，其特征在于：所述蜗杆(3)与啮合杆(5)的连接处设置有锥齿轮(14)。8.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路穿硅检测装置，其特征在于：所述气流箱(9)的表面四角均设置有挡持块(15)，所述挡持块(15)的表面固定连接有柔性布(16)。9.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路穿硅检测装置，其特征在于：所述气流箱(9)的表面固定连接有囊性包(17)。
技术总结
本发明涉及集成电路穿硅检测技术领域，且公开了一种半导体集成电路穿硅检测装置，包括壳体，所述壳体的内部开设有放置槽，所述壳体的内部底壁设置有蜗杆，所述蜗杆的表面设置有补光机构，所述蜗杆的左右两侧均活动连接有啮合杆；涡轮在蜗杆表面移动的轨迹与处于半导体表面的检测仪器的轨迹相同，蜗杆为分段式设计，当涡轮处于蜗杆的左半部时，涡轮向左移动而带动蜗杆旋转，此时蜗杆经锥齿轮带动啮合杆旋转，啮合杆旋转会带动其表面的补光机构向上移动，补光机构移动会使补光灯的光线照射在半导体表面，配合此时的检测仪器进行检测工作，反之当涡轮移动至蜗杆的右侧时，其表面的补光机构移动轨迹相同，故从而达到了扫描检测时适配补光的效果。配补光的效果。配补光的效果。
技术研发人员：张乔栋 李锋 袁虎 申政澔
受保护的技术使用者：江苏纳沛斯半导体有限公司
技术研发日：2022.08.16
技术公布日：2022/11/29