专利名称：激光加工用粘接片的制作方法
技术领域：
本发明涉及激光加工用粘接片，更详细说就是涉及利用激光切割半导 体晶片等^f皮加工物时所使用的激光加工用粘接片。
背景技术：
最近，伴随电气、电子设备的小型化等而零件的小型化和高精密化在 进展。因此，即使在各种材料的切断加工中也被要求高精密、高精度化。 特别是在被强烈要求小型化、高密度化的半导体领域，近年来关注使用热 损伤少且能进行高精密加工的激光的半导体晶片切断方法。该技术例如是把基板上形成有各种电路和进行了表面处理的被加工物 固定在切割片上，利用激光切割被加工物而芯片化成小片的方法(例如专利文献l)。且提出如下的方案由含有基体材料膜的基体材料和在该基体 -材料的表面上形成的粘接剂层所构成，利用激光虽然粘接剂层被切断，但 基体材料膜不被切断的切割片(例如专利文献2 )。
专利文献l:特开2004-79746号公才艮
专利文献2:特开2002-343747号公4艮
但在被加工物的切割中使用激光时，仅把粘接剂层切断而不把基体材 料膜切断的控制是非常困难的。即使假定能仅把粘接剂层切断，也有时在 激光的照射部，基体材料膜的背面局部牢固地附着在切割装置的加工用装 夹台上。因此，有给以后的工序即拉伸基体材料膜而把被加工物剥离并把 它们一个一个回收的工序等带来障碍的问题。
发明内容
本发明是鉴于这种情况而开发的，目的在于提供一种激光加工用粘接 片，在使用激光切断半导体晶片等被加工物时能把基体材料膜自身的切断 限制到最小左右，防止基体材料膜向加工用工作台的局部附着，能容易且 高效率地进行以后的工序。
本发明者们反复锐意讨论了在激光切割装置进行切割时的激光照射 部，基体材料膜与加工用工作台局部牢固附着的现象，结果是激光的能 量到达基体材料膜的背面并通过向局部集中而产生热，引起基体材料膜材 料的熔化等，假定干预激光能量的集中和发热并发现把它们的作用限制到 最小左右的特定要件或它们的组合，则直至完成本发明。即，本发明的激光加工用粘接片是在基体材料膜的表面上层合有粘接 剂层的激光加工用粘接片，所述基体材料膜在背面具有熔化保护层。该激光加工用粘接片的熔化保护层最好是由具有200。C以上熔点材料 构成的层，例如最好是由从无机化合物、金属、有机化合物和它们组合构 成的组中选择的材料所形成的层。基体材料膜最好具有50%以上的光透过率，或是至少含有一层聚烯烃 系树脂。聚埽烃系树脂可以是从聚乙烯、聚丙烯、乙烯共聚物、丙烯共聚物、 乙烯-丙烯共聚物构成的组中选择的一种以上。基体材料膜至少还含有两层以上断裂伸长率不同的层，且最好邻接熔 化保护层并且配置断裂伸长率大的层，或断裂伸长率大的层具有100%以上 的断裂伸长率。根据本发明的激光加工用粘接片，能有效地防止在激光照射部由激光 能量向局部集中而引起产生的基体材料膜熔化。因此，能防止基体材料膜 的背面局部附着在切割装置加工用工作台上的现象。因此能容易且高效率 地进行以后的工序即拉伸基体材料膜而4巴被加工物与粘接剂层一起剥离并 4巴它们 一个一个回收的工序。膜的背面能更有效地防止基体材料膜的融化，能抑制局部附着在加工用工 作台上的现象。在熔化保护层是由从无机化合物、金属、有机化合物和它们组合构成 的组中选择的材料所形成的层时，能容易形成熔点高的熔化保护层。进而在基体材料膜具有50%以上的光透过率时，能防止基体材料膜自 身由激光而引起的恶化。在基体材料膜至少含有一层聚烯烃系树脂时，能把对于所使用激光的 光透过率和/或吸光系数设定得比较高，能降低基体材料膜自身的加工性，
即能不易切断。特别是聚烯烃系树脂是从聚乙烯、聚丙烯、乙烯共聚物、丙烯共聚物、 乙烯-丙烯共聚物构成的组中选择的 一种以上时，基体材料膜至少还含有两 层以上断裂伸长率不同的层，且在邻接背面配置断裂伸长率大的层时，断 裂伸长率大的层具有100%以上的断裂伸长率时，能把对于所使用激光的光 透过率和/或吸光系数设定得更高，因此能防止基体材料膜自身被切断。
图1 (a-e)是本发明激光加工用粘接片的概略剖面图。 符号说明10层11粘接剂层 12基体材料膜13树脂膜14金属层16有机物膜 17熔化保护层具体实施方式
本发明的激光加工用粘接片主要由基体材料膜、该基体材料膜表面上 层合的粘接剂层、该基体材料膜背面上层合/形成的熔化保护层所构成。 基体材料膜背面上形成的熔化保护层是被激光照射而不熔化/难于熔化的层，是为了不由基体材料膜的熔化等而使基体材料膜附着在加工用工作 台等上而用于保护基体材料膜背面侧的层。熔化保护层例如能由具有20(TC以上熔点的材料形成。且最好是由具有 220。C、 23(TC、 250。C以上熔点的材料形成。由此，就能防止在激光能量集 中的部位由基体材料膜的熔化等而引起的向加工用工作台等的附着。熔化保护层即使不是熔点必须在20(TC以上，但通过其一部分含有后述 的无机化合物和金属等，作为熔化保护层只要是能防止由激光能量而熔化 或是向加工用工作台等附着的层便可。熔化保护层例如能设定为是无机化合物、金属或有机化合物等的任一 个或是把它们组合的单层结构或是两层以上的层合结构。具体地无机化合物能举出二氧化硅(烟雾质二氧化硅、硅酸酐、沉 降性二氧化硅、熔化二氧化硅、晶体二氧化硅、超微粉无定形二氧化硅等)； 氧化铝、氧化钛、氧化锡II和IV、氧化锌、氧化钙、氧化镁等金属氧化物； 氮化硅、氮化铝等金属氮化物；SiC等金属炭化物；碳酸钾、碳酸钠、碳酸
钓、碳酸镁等金属碳酸盐；氢氧化铝、氢氧化镁等金属氢氧化物；钛酸钡、磷酸钙、硅酸钙、石膏、沸石、滑石、粘土、硫酸钡、云母、硅藻土、金属粉(金、银、4巴、鉑、镍等)等无机微粒子等。它们例如是球状、针状、 薄片状等各种形状，作为从1 jam到数百iam左右的大小能使用。可以把例如上述粒子状的无机化合物分散到合适的溶剂中，通过涂布 /干燥在基体材料膜背面上而形成熔化保护层，作为结合剂使用后述的有 机化合物(最好是与基体材料膜同样的材料或是熔点200。C以上的聚合物)， 也可以任意使用合适的溶剂，在其内分散/溶解粒子，并通过涂布在基体 材料膜背面上而形成。虽然例如也可以如图1 (c)所示那样，在对任意聚 合物(最好是与基体材料膜同样的材料或是熔点20(TC以上的聚合物)进行 挤压成型时把无机化合物进行分散而形成层IO,把该层IO例如利用热叠片、 粘接剂层等粘贴在形成有粘接剂层11的基体材料膜12上，而也可以作为 熔化保护层。这时，无机化合物在分散层10中含有例如能以5 80%重量左 右、10~60%重量左右、10 40%重量左右的范围。作为金属能举出铝、金、铜等、镍、钛、钨、钽等高熔点金属等、 以及它们的氧化物、氮化物等。金属例如能通过蒸镀、溅射等形成膜状来作为熔化保护层。且金属最 好直接形成在基体材料膜上，但例如也可以如图1 (a)所示那样，与基体 材料膜12另外地在由与上述基体材料膜同样的材料或后述的聚合物(最好 是与基体材料膜同样的材料或是熔点200。C以上的聚合物)等所形成的树脂 膜13上形成金属层14，把形成有该金属层14的树脂膜13例如通过热叠片 而粘贴在基体材料膜12上。或也可以如图1 (b)所示那样，把形成有金属 层14的树脂膜13例如利用粘接剂层11而粘贴在基体材料膜12上。这时的 树脂膜13和金属层14与其叫做熔化保护层，还不如是作为构成基体材料 膜的一部分。作为有机化合物能举出聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃；PET等聚酯；尼 龙等热塑性树脂；热塑性聚酰亚胺；PTFE、 ETFE等含氟聚乙烯；聚碳酸脂； 聚酯。其中以熔点200。C以上的为好。有机化合物也可以如图1 (d)所示那样成型为膜状，把该有机物膜16 通过热叠片等粘贴在形成有粘接剂层11的基体材料膜12上来作为熔化保 护层，也可以如图1 (e)所示那样把上述有机化合物溶解/分散在合适的
溶剂中，通过雾化器喷雾、各种涂布法而涂布/干燥在基体材料膜12上来 作为膜状的熔化保护层17形成。熔化保护层的膜厚没有特别的限定，例如能举出0.001 10jam左右。 通过以该范围内的膜厚来形成熔化保护层，能有效防止由基体材料膜的熔 化等而引起的向加工用工作台的附着。基体材料膜能从具有自身支承性的公知膜中选择。基体材料膜最好是 具有均匀厚度的片状，但也可以是网眼状等形态。且基体材料膜可以是单 一层，也可以是两层以上的多层结构。作为基体材料膜的材料例如能举出丙烯酸类树脂、聚氨酯系树脂、 聚降冰片烯系树脂、聚亚烷基二醇系树脂、聚烯烃系树脂(聚苯乙烯系树 脂、聚乙烯系树脂等)、聚酰亚胺系树脂、聚酯系树脂、环氧系树脂、聚酰 胺系树脂、聚碳酸酯系树脂、硅系树脂、氟系树脂等这样的高分子膜；铜、 铝、不锈钢等的金属片；PP、 PVC、 PE、 PU、 PS、 PO或PET等聚合物纤 维，人造丝或醋酸纤维素等合成纤维，棉、丝或羊毛等天然纤维和玻璃纤 维或碳纤维等无机纤维所构成的无纺布；通过把这些材料进行拉伸加工、 含浸加工等而付与了物理或光学功能的片；含有二烯烃系(苯乙烯-丁二烯 共聚物、丁二烯等)、非二烯烃系(异丁蹄-异戊二烯、氯化聚乙烯、氨基甲 酸酯等)、热塑性系(热塑性弹性体等)等橡胶成分的片；或是把它们组合 一种以上。其中以聚烯烃系树脂，具体说就是聚乙烯(例如低密度聚乙烯、有链 低密度聚乙烯、高密度聚乙烯等)、聚丙烯(例如拉伸聚丙烯、非拉伸聚丙 烯等)、乙烯-丙烯共聚物、乙烯共聚物、丙烯共聚物等为好，在基体材料膜 是多层结构的情况下，最好至少 一层是由聚烯烃系树脂形成。特别是这些基体材料膜材料最好是考虑以下说明的光透过率、层合状 态、断裂伸长率、吸光系数、熔点、厚度、抗断强度、比热、腐蚀率、Tg、 热变形温度、比重、导热率、热分解温度、线膨胀系数等至少一种特性或 两种以上的特性，更理想是考虑所有的特性来选择难于利用切断被加工物 的激光所切断的基体材料膜材料。基体材料膜优选具有50 u m以上的厚度，100 |a m以上、150 ju m以上 则更优选，且50 500jum左右为最优选。由此，能确保向半导体晶片的粘 贴、半导体晶片的切断和从半导体晶片的剥离等各工序中的操作性和作业性。基体材料膜在适用范围内的膜厚最好使激光的透过率，特别是从波长355nm附近到600nm附近的激光透过率是50%左右以上，进而是55%左右 以上、60%左右以上、65%左右以上。光透过率例如可以使用紫外可见光光 度计进行测定。由此，能防止基体材料膜自身由激光而引起的恶化。基体 材料膜的光透过率是指不存在有熔化保护层状态下的值，但在把形成为膜 的熔化保护层粘贴在基体材料膜上的情况下或是通过粘接剂层粘贴的情况 下，并不需要严格界定，也可以是形成为膜的熔化保护层没被粘贴状态下 的值。通常这是由于考虑了若考虑该膜或粘接剂层的材料和厚度则不会使 光透过率有大变动的缘故。基体材料膜最好具有两层以上不同材料的层合结构。在此，材料的不同不仅是其组成不同，而且也包含虽然组成相同但由分子结构、分子量等 的不同而特性不同的基体材料膜。例如把上述吸光系数、熔点、抗断强度、 断裂伸长率、光透过率、比热、腐蚀率、导热率、Tg、热变形温度、热分 解温度、线膨胀系数、比重等至少一种特性不同的进行层合的就合适。特别是两层以上的层合结构中最好至少 一层是不含有苯环的树脂、而 是链式饱和烃系树脂，例如聚烯烃系树脂。作为聚烯烃系树脂，能使用聚 乙烯、聚丙烯、乙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯共聚物、聚丁二烯、 聚乙烯醇、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯等一种以 上，特别最好是乙烯系(共)聚物和丙烯系(共)聚物、聚乙烯、聚丙烯、 乙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯共聚物的至少一种。通过选择这些材 料能谋求适当的拉伸性和对于激光加工的适当强度的平衡。在基体材料膜是层合结构时，最好含有聚乙烯树脂层和聚丙烯树脂层 这两者。特别是含有这些层的两层或三层的结构为更好。这时，把聚丙烯 树脂层配置在离粘接剂层远的位置为更好。例如在两层结构的情况下，在 基体材料膜的背面侧配置聚丙烯树脂层、在粘接剂层侧配置聚乙烯树脂层，在三层结构的情况下，在基体材料膜的背面侧或从此开始的 一层粘接剂层 侧配置聚丙烯树脂层、在粘接剂层侧配置聚乙烯树脂层为好。这是由于通 过这种配置，即使在激光加工时有基体材料膜的一部分被损伤，也能通过 存在于最背面侧的比较柔软的树脂即聚丙烯树脂层来确保基体材料膜的适 当拉伸性的缘故。基体材料膜最好至少含有断裂伸长率不同的两层以上的层。断裂伸长率例如能通过万能拉伸试验机以拉伸速度200mm /分，以JIS K-7127为基 准进行测定。断裂伸长率的差异没有特别地限定，例如是100%左右以上， 更好是300%左右以上。这时把断裂伸长率大的层配置在离粘接剂层远的位 置为好。即，最好配置在基体材料膜的背面，即，把拉伸性良好层配置在 激光难于切断的侧为好。特别是基体材料膜最好具有100%以上的断裂伸长率。在基体材料膜是 层合结构时，也可以不一定所有的层都具有100%以上的断裂伸长率，但至 少配置在基体材料膜的最背面为好。特别优选的是，断裂伸长率是100%以 上且抗断强度在上述范围的基体材料膜，在进行完激光切割后把切割片拉 伸，把被加工物切断而容易使形成的芯片离开。基体材料膜最好至少含有抗断强度不同的两层以上的层。在此，抗断 强度能通过万能拉伸试验机以拉伸速度200mm/分，以JIS K-7127为基准 进行测定。抗断强度的差异没有特别地限定，例如20MPa左右以上且50MPa 左右以下为合适。这时把抗断强度大的层配置在离粘接剂层远的位置为好。 即，在基体材料膜的背面配置具有利用激光不易切断的强度的层为好。基体材料膜最好含有熔点90。C以上的层。由此，能有效防止由激光照 射而引起的基体材料膜的熔化。熔点在95。C以上、IO(TC以上、ll(TC以上 就更好。在基体材料膜是单层结构时，需要构成它的层自身的熔点是9CTC 以上，在基体材料膜是层合结构时，也可以不一定所有层的熔点都是90°C 以上，至少有一层是具有卯。C以上熔点的层为好。这时，该一层最好配置 在激光加工时成为背面的侧(例如与装夹台接触的侧)。基体材料膜最好比热大。例如比热是0.5J/g'K左右以上、0.7J/g'k 左右以上、0.8J/g'K左右以上、1.0J/g'K左右以上、UJ/g'K左右以上、 1.2J/g'K左右以上为好。通过比热比较大，使基体材料膜自身难于由激光 产生的热而变热，使其热的一部分容易向基体材料膜外逃逸。其结果是基 体材料膜难于被加工，把基体材料膜的切断限制到最小左右，且能防止背 面的局部向加工用工作台附着。比热能通过JIS K-7123来测定。具体说就 是使用示差扫描热量计(DSC)能实测求出把试料片以10。C/mr^的升温 所需要的热量。 基体材料膜最好蚀刻率低。例如在1 5J/cr^左右的激光强度下腐蚀
率是0.3 1.5nm/脉沖为好，腐蚀率是0.3 1.2jam/脉沖、0.3-1.1 jam/脉 冲为更好。特别是在1 2J/cn^左右的激光强度下腐蚀率是0.9jum/脉沖 以下、0.8jum/脉冲以下、0.7 pm/脉冲以下为好。通过腐蚀率低，能防 止基体材料膜自身的切断。基体材料膜最好是玻璃化转变点(Tg)是50。C左右以下、3(TC、 20 。C、或是0。C左右以下，或者热变形温度为20(TC以下，190°C、 180°C、 170 。C左右以下，比重是1.4g/cm3左右以下、1.3g/cm3左右以下、1.2g/cm3 左右以下、1.0g/ci^左右以下为好。通过具有这些特性，对于把基体材料 膜的切断限制到最小左右且防止背面的局部向加工用工作台附着是有利 的。Tg和热变形温度例如能利用JIS K7121的一般塑料转变温度的测定方 法[具体就是差示热分析(DTA)、差示扫描热量分析(DSC)等]来测定。 比重例如能利用JISK7112的一般知道的塑料密度(比重)的测定方法(具 体就是水中置换法、比重计法、沉浮法、密度梯度法等)来测定。为了提高基体材料膜的表面与加工装置工作台等邻接材料的贴紧性和 保持性等，也可以施加例如铬酸处理、臭氧曝露、火焰曝露、高压电击曝 露和离子化放射线处理等化学或物理的处理，或是进行基底涂布剂(例如 后述的粘接物质)的涂布处理等公知的表面处理。在本发明激光加工用粘接片上形成的粘接剂层没有特别限定，例如能 使用含有由紫外线、电子射线等放射线而固化的能量线固化性树脂、热固 化性树脂和热塑性树脂等本领域所公知的粘接剂组成物来形成。特别是为 了提高被加工物的剥离性，最好使用能量线固化性树脂。这是由于通过照 射能量线而在粘接剂内形成三雉网形结构，所以能使粘接强度降低，能在 使用后容易剥离的缘故。这些粘接剂没有特别限定，例如能使用特开 2002-203816号、特开2003-142433号、特开2005-19607号、特开2005-279698 号、特开2006-35277号、特开2006-111659号等所记载的。具体地能举出配合有天然橡胶和各种合成橡胶等橡胶，或由具有丙 烯腈和碳数1 20左右直链或分枝烷基的丙烯酸烷基酯或聚曱基丙烯酸烷基 酯所制造的聚(曱基)丙烯酸烷基酯等的丙烯系聚合物的。粘接剂中作为交联剂也可以添加多功能单体。作为交联剂能举出己 二醇二 (曱基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二 (曱基)丙烯酸酯和丙烯酸尿烷 酯等。它们可以单独使用，也可以组合两种以上使用。
为了制造能量线固化型粘接剂，最好组合由光照射而能容易反应的单 体或低聚体，所谓的光聚合性化合物。作为它们的例能举出氨基曱酸酯、 曱基丙烯酸酯、三甲基丙烷三曱基丙烯酸酯、四烃曱基曱烷四曱基丙烯酸 酯和4-丁二醇二曱基丙烯酸酯等。这时也可以含有光聚合引发剂。作为引发剂能举出4- ( 4-羟基乙氧基) 苯基(2-羟基-2丙基)酮等苯乙酮化合物、苯偶姻乙醚等苯偶姻醚化合物、 酮缩醇化合物、芳香族磺酰氯化合物、光活性肟化合物和二苯酮化合物。 它们可以单独使用，也可以组合两种以上使用。为了制造热敏粘接剂，也可以使用所谓的热发泡成分(分解型或微胶 嚢型)。例如参照欧洲专利第0523505号。只要需要，粘接剂中也可以混合增粘剂、填充材料、颜料、防老剂或 稳定剂、软化剂等任意的添加剂。粘接剂层的厚度没有特别限定，但考虑到得到足够粘接强度，并且在 把粘接片从半导体晶片等取下来后在其上不残存不希望的粘接剂残渣，例 如能举出300 nm左右以下，3 200lam左右。本发明的激光加工用粘接片能通过该领域所公知的方法形成。例如如 上所述，通过调制粘接剂成分并把它在基体材料膜上涂布/干燥来形成。 作为粘接剂成分的涂布方法能采用棒式涂布器涂布、空气刮浆刀涂布、 凹版涂布、凹版换向涂布、逆转辊涂布、刮板涂布、口才莫涂布、浸泡涂布、 胶版印刷、苯胺印刷、网版印刷等各种方法。还有，也可以采用另外在剥 离衬垫上形成粘接剂层后把它粘贴在基体材料膜上的方法等。本发明的激光加工用粘接片能恰当地在使用激光的加工中使用。例如 能举出具有400nm以下振荡波长的激光，具体说就是振荡波长248nm的 KrF准分子激光、308nm的XeCl准分子激光、YAG激光的第三高次谐波 (355nm)、第四高次谐波(266nm )。也可以使用具有400nm以上振荡波长 的激光(例如波长750 800nm附近的钛蓝宝石激光等，脉冲幅度是1 x 10—9 秒(0.000000001秒)以下)。本发明的激光加工用粘接片通常能在半导体晶片例如硅晶片、锗晶片、 镓晶片、砷晶片、电路基板、陶瓷基板、金属基板、半导体激光器等发光 或受光元件基才反、MEMS (Micro Electro Mechanical System !鼓电才几才成 系统)基板以及半导体封装等中使用。即在使用激光的切割加工前例如粘
贴在切割装置的半导体晶片等加工用工作台面 一侧上，能利用于支承固定 这些半导体晶片等切断时和在后工序中的单片化的芯片。在这种使用中，本发明的激光加工用粘接片与半导体晶片等一起被把 粘接剂层或粘接剂层和基体材料膜的一部分切断，但加工用工作台侧的基 体材料膜不被切断，能防止被单片化的芯片等散乱或落下。由于在激光照 射部基体材料膜没被熔化，所以能防止基体材料膜的背面局部向切割装置 的加工用工作台附着的现象。以下具体说明本发明的激光加工用粘接片，但本发明并不限定于这些 实施例。实施例1 (丙烯酸系粘接剂)把丙烯酸丁酯/丙烯酸乙酯/丙烯酸2-烃基乙酯/丙烯酸以重量比60 /40/4/l进行共聚，把得到的数平均分子量50万的丙烯酸系聚合物100 重量份、异氰酸盐系交联剂(日本聚氨酯社制、括罗乃托(〕口氺一 卜) HL)3重量份、环氧系交联剂(三菱气体化学社制、台托拉多(亍卜，:y K) C)2重量份加到甲苯500重量份中，均匀溶解混合而调制成丙烯酸系 粘接剂溶液。把该丙烯系粘接剂溶液涂布到PET隔离物(带有聚硅氧烷剥 离剂的PET膜)上，在12(TC下干燥3分钟而得到厚度10pm的粘接剂层 A。(基体材料膜+熔化保护层)在聚丙烯(20ym) /聚乙烯(60nm) /聚丙烯(20pm)的复合膜 B (熔点 130°C)的背面侧通过热叠片贴合厚度25ym的铝蒸镀聚丙烯 膜VM-CPP2203 (东来膜加工株式会社制，铝层厚度约0.1jam)，得到带 熔化保护层的基体材料膜。叠片温度设定为80。C[参考铝熔点660°C、 聚丙烯的断裂伸长率600%、聚乙烯的断裂伸长率500%。仅把铝层除外的 整个基体材料膜的光透过率约85% (400 600nm)、约70% ( 355nm)]。 (激光加工用粘接片)如图1 (a)所示，在贴合有含有上述金属层(铝蒸镀层)14熔化保护 层的树脂膜13的基体材料膜12的相反侧贴合粘接剂层All，得到带熔化保 护层的激光加工用粘接片。一-(试验片)
使用硅镜晶片(、V!i3y^，一々工八)(信越半导体(抹)制，CZN < 100 > 2.5 - 3.5 ( 4英寸)，使用JIS K6253规定的2kg橡胶辊，以在晶片 上一个往复的条件把带熔化保护层的激光加工用粘接片压接在晶片上。 (切割)使粘接片面向下，把粘贴了激光加工用粘接片的对称硅晶片配置在具 有石英玻璃制吸附板的装夹台上。把波长355nm、平均输出5W、重复频率30kHz的YAG激光第三高次 谐波(355nm)通过f 6透4竟向聚酰亚胺膜表面聚光成25 n m的径，通过电 扫描器把激光以20mm秒的速度进行扫描，把晶片加工切断。加工切断后，在粘接片与装夹台之间未发现有熔接。实施例2如图1 (b)所示，在基体材料膜12即聚丙烯/聚乙烯复合膜B的背 面侧作为熔化保护层而贴合带金属层14的树脂膜13即铝蒸镀膜 VM-CPP2203 (东来(東l/)膜加工抹式会社制)时，替代热叠片而使用粘 接剂层All (膜厚5 nm),粘贴熔化保护层而制作带熔化保护层的激光加工 用粘接片。使用得到的激光加工用粘接片进行与实施例1同样的切断加工，结果 是在粘接片与装夹台之间未发现有熔接。 实施例3(二氧化硅分散EVA片)把埃巴浮雷科司(工^7l/:y夕7)EV450(乙烯-醋酸乙烯共聚树脂、 熔点84°C、三井杜邦求!J化学(于、二求乂求y ^r^力》)制)100g混合 到曱苯400g中。然后在50'C下搅拌一小时，得到聚合物溶液。把平均粒径 4 |i m的二氧化硅填料PLV-4 ( TATSUMORI制)加入30g，搅拌30分钟直 到均匀，得到二氧化硅填料分散溶液。(参考二氧化硅熔点1540°C。把得到的二氧化硅填料分散溶液涂布到PET隔离物(带有聚硅氧烷剥 离剂的PET膜)上，在120。C下干燥3分钟而得到厚度20ym的二氧化硅 填料分散树脂层。如1 (c)所示，把该二氧化硅填料分散树脂层10通过80。C的热叠片 粘贴在基体材料膜12即聚丙烯/聚乙烯复合膜B上，然后把i占接剂层All 粘贴在二氧化硅填料分散树脂层IO的相反侧，由此，制作带熔化保护层的
激光加工用粘4^片。使用得到的激光加工用粘接片进^"与实施例1同样的切断加工，结果 是在粘接片与装夹台之间未发现有熔接。由于该二氧化硅填料分散树脂层io有约23%重量的二氧化硅填料含在 聚合物中，所以认为通过该二氧化硅填料来防止树脂熔化，防止向装夹台 的熔接。实施例4如图1 (d)所示，作为由有机化合物形成的有机物膜16而把耐热性膜 Floun ETFE (旭玻璃制熔点260°C ) 30 m m在80。C把热叠片粘贴在基体 材料膜12即聚丙烯/聚乙烯复合膜b的背面侧。在得到的基体材料膜12 的相反侧粘贴粘接剂层All,制作带熔化保护层的激光加工用粘接片。使用得到的激光加工用粘接片进行与实施例1同样的切断加工，结果 是在粘接片与装夹台之间未发现有熔接。实施例5如图1 (e)所示，向基体材料膜12即聚丙烯/聚乙烯复合膜b的背 面侧把RTV聚硅氧烷喷雾器FC112范因泰克日本(7 7 一 乂于、7夕-亇八° 乂)制，耐热温度200。C )进行喷雾，以23。C、湿度50%干燥30分钟，形 成熔化保护层17。干燥后的该熔化保护层17的平均厚度是20nm。在该熔 化保护层17的相反侧粘贴粘接剂层All，制作带熔化保护层的激光加工用 粘接片。使用得到的激光加工用粘接片进行与实施例1同样的切断加工，结果 是在粘接片与装夹台之间未发现有熔接。 比專支例1在实施例1中除了在背面不设置熔化保护层以外进行与实施例1同样 的实验。在切断加工后确认有粘接片的一部分与装夹台有熔接。本发明能在半导体晶片例如硅晶片、锗晶片、镓晶片、砷晶片和电路 基板、陶瓷基板、金属基板、半导体激光器等发光或受光元件基板、MEMS (Micro Electro Mechanical System)基板以及半导体封装等中使用，負fe 对于所有使用激光的广阔范围加工所利用。
权利要求
1、一种激光加工用粘接片，其是在基体材料膜和该基体材料膜的表面上层合有粘接剂层的激光加工用粘接片，其特征在于，所述基体材料膜在背面具有熔化保护层。
2、 如权利要求1所述的激光加工用粘接片，其中，熔化保护层是由具 有20(TC以上熔点材料构成的层。
3、 如权利要求1所述的激光加工用粘接片，其中，熔化保护层是由从 无机化合物、金属、有机化合物和它们组合构成的组中选择的材料所形成 的层。
4、 如权利要求1所述的激光加工用粘接片，其中，基体材料膜具有50% 以上的光透过率。
5、 如权利要求1所述的激光加工用粘接片，其中，基体材料膜至少含 有一层聚烯烃系树脂。
6、 如权利要求5所述的激光加工用粘接片，其中，聚烯烃系树脂是从 聚乙烯、聚丙烯、乙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯共聚物构成的组中 选择的一种以上。
7、 如权利要求1所述的激光加工用粘接片，其中，基体材料膜至少还 含有两层以上断裂伸长率不同的层，且邻接熔化保护层配置断裂伸长率大 的层。
8、 如权利要求1所述的激光加工用粘接片，其中，断裂伸长率大的层 具有100%以上的断裂伸长率。
全文摘要
本发明提供一种激光加工用粘接片，在使用激光切断半导体晶片等被加工物时，能把基体材料膜自身的切断限制到最小左右，防止基体材料膜向加工用工作台的局部附着，能容易且高效率地进行以后的工序。在基体材料膜的表面上层合有粘接剂层的激光加工用粘接片，所述基体材料膜在背面具有熔化保护层。
文档编号B23K26/00GK101130670SQ20071014237
公开日2008年2月27日 申请日期2007年8月22日 优先权日2006年8月22日
发明者佐佐木贵俊, 山本晃好, 新谷寿朗, 浅井文辉, 高桥智一 申请人:日东电工株式会社