专利名称：一种高抗折钼方片的制造工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种金属材料的制造工艺，具体涉及一种高抗折钼方片的制造工艺。
技术背景电力半导体器件应用逐渐向第二代、第三代发展，钼方片是元器件中不可缺少的重 要组成部份。但目前国内生产钼方片通过一次直角(90度)折弯即出现分层开裂，影响 元件使用寿命。市场要求普通钼方片向高抗折钼方片转化。 发明内容本发明所要解决的技术问题是提供一种高抗折钼方片的制造工艺，通过此工艺制造 的钼方片经过二次直角(卯度)折弯后也不会出现分层开裂。 为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下 一种高抗折钼方片的制造工艺，它包括如下步骤(1) 钼坯在1250 1300'C下加热保温70~80分钟，轧制成7~8mm厚的钼板；(2) 钼板在1050 1150。C下加热保温60 70分钟，轧制成3~3.5 mm厚的钼板；(3) 钼板在900 1050。C下加热保温30-40分钟，轧制成1.8~2 mm厚的钼片；(4) 将钼片剪切分块，使得宽度为75 80mrn，这样有利于钼片的交叉轧制；(5) 钼片在800 卯(TC下加热保温30~40分钟，把钼片轧制成1.2 1.3rnrn厚； '(6)酸洗，即用20~30% (v/v)的醋酸清洗；(7) 钼片在400 450'C下加热保温40 50分钟，轧制成0.7 0.8mrn厚；(8) 钼片在820 860'C下退火加热保温60 70分钟，把钼片轧制成0.45-0.5 mm厚；(9) 将钼片经冲床冲制成各种规格的钼方片；(10) 清洗。有益效果通过本发明的制造工艺制备的钼方片具有高抗折特性，经过二次直角(90 度)折弯后也不会出现分层开裂，且工艺方法简单，易于实现。
具体实施例方式根据下述实施例，可以更好地理解本发明。然而，本领域的技术人员容易理解，实 施例所描述的具体的物料配比、工艺条件及其结果仅用于说明本发明，而不应当也不会 限制权利要求书中所详细描述的本发明。 实施例l:将钼坯(lcm厚)在1250 130(TC下加热保温80分钟，上轧机轧制成8mm (厚) X100mm (宽)的钼板；将钼板在1050-1150'C下加热保温70分钟，上轧机轧制成3.5mm (厚)X100mm (宽)的钼板；将钼板在900 1050。C下加热保温40分钟，上轧机轧制成1.8mm(厚)X 100mm(宽) 的钼片；把钼片剪成80mm (宽)X100mm (长)若干块；钼片在800 卯0'C下加热保温30分钟，上轧机把钼片轧制成L2mm (厚)X 100mm (宽)；用25% (v/v)醋酸清洗；钼片在400 450'C下加热保温50分钟，上轧机轧制成0.7mm (厚)X 100mm (宽) 的钼片；钼片在820 86(TC下退火加热保温60~70分钟;把钼片在室温下轧制成0.45 mm(厚) X100mm (宽)；将钼片经冲床冲制成各种规格的钼方片； 用水和普通清洗剂清洗干净。
权利要求
1、一种高抗折钼方片的制造工艺，其特征在于它包括如下步骤(1)钼坯在1250～1300℃下加热保温70～80分钟，轧制成7～8mm厚的钼板；(2)钼板在1050～1150℃下加热保温60～70分钟，轧制成3～3.5mm厚的钼板；(3)钼板在900～1050℃下加热保温30～40分钟，轧制成1.8～2mm厚的钼片；(4)将钼片剪切分块，使得宽度为75～80mm；(5)钼片在800～900℃下加热保温30～40分钟，把钼片轧制成1.2～1.3mm厚；(6)酸洗；(7)钼片在400～450℃下加热保温40～50分钟，轧制成0.7～0.8mm厚；(8)钼片在820～860℃下退火加热保温60～70分钟，把钼片轧制成0.45～0.5mm厚；(9)将钼片经冲床冲制成各种规格的钼方片；(10)清洗。
2、根据权利要求1所述的高抗折钼方片的制造工艺，其特征在于步骤(6)所述 的酸洗是用20~30%的醋酸溶液清洗。
全文摘要
本发明公开了一种高抗折钼方片的制造工艺将钼坯经过三次轧制后，剪切分块，使得宽度为75～80mm；再经三次轧制成0.45～0.5mm厚；经冲床冲制成各种规格的钼方片；清洗干净即得。通过本发明的制造工艺制备的钼方片具有高抗折特性，经过二次直角(90度)折弯后也不会出现分层开裂，且工艺方法简单，易于实现。
文档编号B21B1/00GK101402101SQ20081023612
公开日2009年4月8日 申请日期2008年11月24日 优先权日2008年11月24日
发明者敏 吴 申请人:宜兴市东昊合金材料有限公司