应用于慢波系统的焊接机构的制作方法

文档序号:3218686阅读:104来源:国知局
专利名称:应用于慢波系统的焊接机构的制作方法
技术领域
本实用新 型涉及的是一种行波管慢波系统制作过程的焊接机构,尤其涉及的是一种应用于慢波系统的焊接机构。
背景技术
行波管是一种微波信号放大器件,为真空器件,包括电子枪、慢波系统、收集级、输能结构和聚焦结构等。在其器件制造过程中,需要采用各种焊接方法将各种金属、非金属的零部件组装固定在一起,形成具有功能不同的组件,最后再将各种组件焊接成一体,经过排气处理后,制得器件。慢波系统的每段结构包括窗口、舱室和慢波组件,它们采用不同的组装方式装配在一起,相互之间最后需要进行焊接成一体。其中慢波组件为细长杆结构,冷弹压组装成一体后和舱室焊接在一体时,对气密性和结构强度有一定的要求,不能整体放入设备内进行加热焊接,通常采用的焊接方式为高频钎焊焊接。常用的高频钎焊的高频加热区域大,对附近的零部件温度冲击影响大。由于在行波管慢波结构和舱室焊接中,舱室结构中存在陶瓷封接件,高频焊接时由于焊接区域离陶瓷距离近,容易导致高频焊接对陶瓷温度冲击产生漏气,组件焊接合格率低。

实用新型内容本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供了一种应用于慢波系统的焊接机构,通过在慢波组件和舱室之间增设套环,将高频焊接的位置远离舱室,从而减小对舱室焊接的热冲击,提高组件焊接的合格率。本实用新型是通过以下技术方案实现的,本实用新型的焊接机构设置于慢波系统的慢波组件和舱室之间,所述焊接机构包括套环,所述套环的外侧面环绕设置一个凸台,套环的顶部和位于慢波组件之下,凸台位于舱室之上,套环的底部位于舱室内。为了方便放置高频钎焊焊料,所述套环的内径和慢波组件的外径相同,套环的顶部设有闻频钎焊焊料。所述凸台和舱室的接触面上设有钎焊焊料。本实用新型相比现有技术具有以下优点本实用新型在慢波组件和舱室之间增设套环,将原来的一个焊接位置改进为两个焊接位置,由于钎焊焊料的熔点比高频钎焊焊料的熔点要高,这样将舱室和高频钎焊的焊接面远离舱室区域,且套环为薄壁结构,减少高频钎焊焊接时的加热能量,从而减小高频钎焊对舱室区域的热量,进而减小对焊接区域外陶瓷件的热冲击,组件焊接合格率由原先的35%提高到95%。

图I是本实用新型的结构示意图;图2是套环的局部示意图。
具体实施方式
下面对本实用新型的实施例作详细说明,本实施例在以本实用新型技术方案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本实用新型的保护范围不限于下述的实施例。如图I和图2所示,本实施例的焊接机构设置于慢波系统的慢波组件I和舱室2之间,焊接机构包括套环3,套环3为非磁性金属制成,本实施例选用蒙乃尔合金,套环3的厚度在满足气密性要求下不大于O. 6mm,长度不小于4mm。套环3的外侧面环绕设置一个凸台4,套环3的顶部和位于慢波组件I之下,凸台4位于舱室2之上,套环3的底部位于舱室2内。为了方便放置高频钎焊焊料,套环3的内径和慢波组件I的外径相同,套环3的顶 部设有闻频钎焊焊料5。凸台4和舱室2的接触面上设有钎焊焊料6,其中高频钎焊焊料5比钎焊焊料6的熔点温度低至少30°C。先将舱室2的焊接孔增大,慢波组件I底端的外径变小、长度增加,套环3的凸台4和底部放置在舱室2的焊接孔内,采用钎焊方法把套环3焊接在舱室2上,套环3的顶部接触慢波组件I的底端,将慢波组件I在高度上固定住,高频钎焊焊料5放置在套环3的顶面,将套环3和慢波组件I进行二次高频钎焊。
权利要求1.一种应用于慢波系统的焊接机构,该焊接机构设置于慢波系统的慢波组件(I)和舱室(2 )之间,其特征在于,所述焊接机构包括套环(3 ),所述套环(3 )的外侧面环绕设置一个凸台(4),套环(3 )的顶部位于慢波组件(I)之下,凸台(4)位于舱室(2 )之上,套环(3 )的底部位于舱室(2)内。
2.根据权利要求I所述的应用于慢波系统的焊接机构,其特征在于所述套环(3)的内径和慢波组件(I)的外径相同,套环(3)的顶部设有高频钎焊焊料(5)。
3.根据权利要求I所述的应用于慢波系统的焊接机构,其特征在于所述凸台(4)和舱室(2)的接触面上设有钎焊焊料(6)。
专利摘要本实用新型公开了一种应用于慢波系统的焊接机构,本实用新型的焊接机构设置于慢波系统的慢波组件和舱室之间,焊接机构包括套环,套环的外侧面环绕设置一个凸台,套环的顶部和位于慢波组件之下,凸台位于舱室之上,套环的底部位于舱室内。本实用新型在慢波组件和舱室之间增设套环,将原来的一个焊接位置改进为两个焊接位置,由于钎焊焊料的熔点比高频钎焊焊料的熔点要高,这样将舱室和高频钎焊的焊接面远离舱室区域,且套环为薄壁结构,减少高频钎焊焊接时的加热能量,从而减小高频钎焊对舱室区域的热量,进而减小对焊接区域外陶瓷件的热冲击,组件焊接合格率由原先的35%提高到95%。
文档编号B23K3/00GK202715918SQ201220140500
公开日2013年2月6日 申请日期2012年4月5日 优先权日2012年4月5日
发明者吴华夏, 张文丙, 王鹏康, 朱刚, 刘志意, 任振国, 张丽 申请人:安徽华东光电技术研究所
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