1.一种在目标器件上形成图案化的石墨烯的方法，其特征在于：采用气相沉积法在金属衬底上生长的石墨烯转移至所需要应用的目标器件上的转移过程中且尚未转移到目标器件之前，先对石墨烯薄膜进行图案化，再将图案化的石墨烯薄膜最终转移至目标器件。
2.根据权利要求1所述的在目标器件上形成图案化的石墨烯的方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)将生长好石墨烯的金属箔与基底膜贴合，形成金属箔/石墨烯/基底膜的复合叠层结构；
2)通过刻蚀液刻蚀掉金属箔，将石墨烯保留在基底膜上，形成石墨烯/基底膜的复合膜结构；
3)对基底膜上的石墨烯进行图案化；
4)再将步骤3)得到的图案化的石墨烯/基底膜的石墨烯面与与所述目标器件贴合，形成基底膜/图案化石墨烯/目标器件结构，移除基底膜，即在目标器件上形成图案化的石墨烯。
3.根据权利要求2所述的在目标器件上形成图案化的石墨烯的方法，其特征在于：所述步骤3)中，用激光照射所述步骤2)所得复合膜的正面或背面，以对基底膜上的石墨烯进行照射刻蚀。
4.根据权利要求3所述的石墨烯薄膜的图案化方法，其特征在于：所述步骤3)，通过激光机以4-12W的功率，2200-3000mm/s的走速进行照射刻蚀。
5.根据权利要求2所述的石墨烯薄膜的图案化方法，其特征在于：所述步骤3)中，从所述步骤2)所得复合膜的石墨烯的方向直接对石墨烯进行图案化，优选的，所述图案化工艺为激光直写的方法或等离子体刻蚀的方法。
6.根据权利要求1所述的在目标器件上形成图案化的石墨烯的方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)将生长好石墨烯的金属箔与基底膜贴合，形成金属箔/石墨烯/基底膜的复合叠层结构；
2)用激光从基底膜的方向透过基底膜对石墨烯表面进行图案化刻蚀，得到金属箔/图案化的石墨烯/基底膜的复合叠层结构；
3)刻蚀掉金属箔，得到图案化的石墨烯/基底膜的结构；
4)再将步骤3)得到的图案化的石墨烯/基底膜的石墨烯面与与所述目标器件贴合，形成基底膜/图案化石墨烯/目标器件结构，移除基底膜，即在目标器件上形成图案化的石墨烯。
7.根据权利要求6所述的在目标器件上形成图案化的石墨烯的方法，其特征在于：所述步骤2)中，通过激光机以4-12W的功率，2200-3000mm/s的走速进行照射刻蚀。
8.根据权利要求1所述的在目标器件上形成图案化的石墨烯的方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)先对生长好石墨烯的金属箔上的石墨烯面直接进行图案化处理，得到金属箔/图案化的石墨烯的复合结构；
2)在步骤1)得到的金属箔/图案化的石墨烯的石墨烯膜表面贴合基底膜，得到金属箔/图案化的石墨烯/基底膜的复合结构；
3)刻蚀掉金属箔，得到图案化的石墨烯/基底膜的复合结构；
4)再将步骤3)得到的图案化的石墨烯/基底膜的石墨烯面与与所述目标器件贴合，形成基底膜/图案化石墨烯/目标器件结构，移除基底膜，即在目标器件上形成图案化的石墨烯。
9.根据权利要求8所述的在目标器件上形成图案化的石墨烯的方法，其特征在于：所述图案化处理采用激光直写或等离子体刻蚀的方法。
10.根据权利要求1-9任一项所述的在目标器件上形成图案化的石墨烯的方法，其特征在于：所述的金属箔包含铜箔、镍箔、钌箔、铂箔、钯箔或者它们的合金箔；箔厚度为10μm～100μm，优选厚度为15μm～30μm；所述的基底膜具有粘性的胶质层，石墨烯与胶质层的结合力小于石墨烯与目标器件的结合力；
胶质层受热的情况下与石墨烯分离，以至于可以使已图案化的石墨烯充分转移至目标器件上。