一种用于消除继电器轭铁清角折弯不良的冲压模具的制作方法

文档序号:14669693发布日期:2018-06-12 19:41阅读:405来源:国知局
一种用于消除继电器轭铁清角折弯不良的冲压模具的制作方法

本实用新型涉及机械加工领域,特别是涉及一种用于消除继电器轭铁清角折弯不良的冲压模具



背景技术:

继电器轭铁采用纯铁DT4E制造。现有技术的加工方式通常分为三步。第一步,先将继电器轭铁冲压成型130°的一次折角;第二步,对一次折角继续冲压形成90°二次折角;第三步,对二次折角进行侧推冲压,形成88°的三次折角。但在实际的加工生产过程中发现,在成型二次折角和三次折角时,由于对工件产生了较大的侧推力,容易造成工件的位移,并引起产品尺寸不稳。同时,也会造成清角部分的鼓料和弯边弯曲问题。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于克服现有技术之不足,提供了一种用于消除继电器轭铁清角折弯不良的冲压模具,通过改变一次折角,使得加工成型二次折角和三次折角时,需要的侧推力减小,消除了由于侧推力过大造成的工件位移,以及清角折弯不良、鼓料等问题。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种用于消除继电器轭铁清角折弯不良的冲压模具,其特征在于:包括上模、下模、第一冲压模块、第二冲压模块和侧推模块,通过上模和下模的扣合,所述上模具有第一冲压模块、第二冲压模块和侧推模块依次对继电器轭铁进行弯折,所述第一冲压模块成型的一次折角为95°~105°,所述第二冲压模块成型的二次折角为90°,所述侧推模块成型的三次折角为88°。

作为一种优选,所述侧推模块包括打杆、驱动块和滑块,所述打杆在上模的驱动下沿竖直方向运动,并向下按压所述驱动块,所述驱动块通过一楔形面与所述滑块配合,并随所述打杆下压侧推所述滑块,使滑块对所述继电器轭铁进行加工。

作为一种优选,还包括滑块垫块,所述滑块的底面与该滑块垫块滑动配合。

作为一种优选,所述第一冲压模块包括可互相扣合配合的第一凸模和第一凹模,所述第一凸模在所述上模的带动下与所述第一凹模扣合配合,并对继电器轭铁冲压加工形成一次折角。

作为一种优选,所述第一凸模的端部具有弧形导角,该弧形导角的内侧切向角度与一次折角相匹配。

作为一种优选,所述第二冲压模块包括可互相扣合配合的第二凸模和第二凹模,所述第二凸模在所述上模的带动下与所述第二凹模扣合配合,并对继电器轭铁冲压加工形成二次折角。

作为一种优选,所述第二凸模的端部具有弧形导角,该弧形导角的内侧趋近于垂直。

本实用新型的有益效果是:

1、通过改变一次折角,使得加工成型二次折角和三次折角时,需要的侧推力减小,消除了由于侧推力过大造成的工件位移,以及清角折弯不良、鼓料等问题。

2、第一凸模和第二凸模的端部均具有弧形导角,使得第一凸模、第二凸模在与工件接触时,折弯角度逐渐增大,防止由于应力突变造成折弯不良。

以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步详细说明;但本实用新型的一种用于消除继电器轭铁清角折弯不良的冲压模具不局限于实施例。

附图说明

图1是本实用新型的第一冲压模块的侧面剖视图;

图2是本实用新型的第二冲压模块的侧面剖视图;

图3是本实用新型的侧推模块的侧面剖视图。

具体实施方式

实施例:

参见图1至图3所示,本实用新型的一种用于消除继电器轭铁清角折弯不良的冲压模具,其特征在于:包括上模1、下模2、第一冲压模块、第二冲压模块和侧推模块,通过上模1和下模2的扣合,所述上模1具有第一冲压模块、第二冲压模块和侧推模块依次对继电器轭铁进行弯折,所述第一冲压模块成型的一次折角为100°,所述第二冲压模块成型的二次折角为90°,所述侧推模块成型的三次折角为88°。

所述侧推模块包括打杆51、驱动块52和滑块53,所述打杆51在上模1的驱动下沿竖直方向运动,并向下按压所述驱动块52,所述驱动块52通过一楔形面与所述滑块53配合,并随所述打杆51下压侧推所述滑块53,使滑块53对所述继电器轭铁进行加工。

还包括滑块垫块54,所述滑块53的底面与该滑块垫块54滑动配合。

所述第一冲压模块包括可互相扣合配合的第一凸模31和第一凹模32,所述第一凸模31在所述上模1的带动下与所述第一凹模32扣合配合,并对继电器轭铁冲压加工形成一次折角。

所述第一凸模31的端部具有弧形导角,该弧形导角的内侧切向角度与一次折角相匹配。

所述第二冲压模块包括可互相扣合配合的第二凸模41和第二凹模42,所述第二凸模41在所述上模1的带动下与所述第二凹模42扣合配合,并对继电器轭铁冲压加工形成二次折角。

所述第二凸模41的端部具有弧形导角,该弧形导角的内侧趋近于垂直。

上述实施例仅用来进一步说明本实用新型的一种用于消除继电器轭铁清角折弯不良的冲压模具,但本实用新型并不局限于实施例,凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均落入本实用新型技术方案的保护范围内。

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