激光加工装置的制作方法

本发明涉及射出脉冲激光光线的激光加工装置。

背景技术：

1、将正面上由交叉的多条分割预定线划分而形成有ic、lsi等多个器件的晶片利用切割装置、激光加工装置分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片用于移动电话、个人计算机等电子设备。

2、另外，当在晶片的正面上层叠有被称为low-k膜的低介电常数绝缘膜的情况下利用切削刀具对晶片进行切削时，存在如下的问题：low-k膜像云母那样剥离，该剥离从分割预定线到达器件，使该器件的品质降低。

3、因此，本申请人提出了如下的技术：对分割预定线的两侧照射激光光线而形成两条槽并利用切削刀具将该两条槽之间切断，以确保即使利用切削刀具对分割预定线进行切削绝缘膜的剥离也不会到达器件(参照专利文献1)。

4、专利文献1：日本特开2005-064230号公报

5、但是，当通过层叠sio2膜而制作low-k膜(厚度为10μm)时，存在激光光线的漏光使low-k膜与硅基板的界面产生剥离而导致从晶片逐个分割的器件的品质降低的问题，谋求改善。

技术实现思路

1、因此，本发明的目的在于提供激光加工装置，即使通过层叠sio2膜而制作low-k膜(厚度为10μm)，也能够抑制激光光线的漏光并确保不在low-k膜与硅基板的界面产生剥离。

2、根据本发明，提供激光加工装置，其中，该激光加工装置具有：卡盘工作台，其对晶片进行保持；激光光线照射单元，其对该卡盘工作台所保持的该晶片照射脉冲激光光线；以及进给机构，其将该卡盘工作台和该激光光线照射单元相对地进行加工进给，该激光光线照射单元包含：激光振荡单元，其射出脉冲激光光线；以及聚光器，其会聚该激光振荡单元所射出的脉冲激光光线并会聚于该卡盘工作台所保持的该晶片，该激光振荡单元按照比层叠于硅基板的上表面的sio2膜的热扩散时间短的脉冲间隔振荡出深紫外光的脉冲激光，并射出脉冲激光光线。

3、优选该深紫外光是具有266nm以下的波长的激光光线，该激光振荡单元所射出的脉冲激光光线的脉冲宽度是与能量密度的最低点对应的200fs以下。优选照射该激光振荡单元所射出的脉冲激光光线的脉冲间隔小于作为sio2膜的热扩散时间的1.0μs。

4、根据本发明，能够抑制激光光线照射单元所照射的脉冲激光光线的漏光，在实施激光加工时，能够解决在由sio2膜形成的low-k膜与硅基板的界面产生剥离的问题。

技术特征：

1.一种激光加工装置，其中，

2.根据权利要求1所述的激光加工装置，其中，

3.根据权利要求1所述的激光加工装置，其中，

技术总结
本发明提供激光加工装置，即使Low‑k膜(厚度为10μm)是通过层叠SiO<subgt;2</subgt;膜而制作的，该激光加工装置也能够抑制激光光线的漏光并确保不在Low‑k膜与硅基板的界面产生剥离。激光加工装置的激光光线照射单元包含：激光振荡单元，其射出脉冲激光光线；以及聚光器，其会聚该激光振荡单元所射出的脉冲激光光线并会聚于卡盘工作台所保持的晶片。该激光振荡单元按照比层叠于硅基板的上表面的SiO<subgt;2</subgt;膜的热扩散时间短的脉冲间隔射出深紫外光的脉冲激光光线。

技术研发人员：桐原直俊
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：
技术公布日：2024/3/11