薄膜磁头的晶圆的制作方法

专利名称：薄膜磁头的晶圆的制作方法
技术领域：
本发明涉及薄膜磁头的晶圆，具体涉及用于研磨由多个磁头(slider)形成的长形条(bar)的研磨量传感器的配置。
背景技术：
作为高速、大容量、高可靠性、低成本的记录媒体的磁盘驱动器(disk drive)，广泛地应用于记录数字信息。经过多年的技术开发，磁盘驱动器的记录密度(recording density)已经超越100千兆比特(Gbit)/平方英寸，并作为新的用途，用于数字家电、信息设备、便携式电话机等中。其中，用于便携式电话的硬盘驱动器(HDD)的磁盘(disk)直径比其它用途的小且为1英寸以下。与此同时，磁头的小型化也有进展，从以往用的30％磁头(1.0mm×1.235mm×0.3mm左右大小的磁头)小型化到20％磁头(0.7mm×0.85mm×0.23mm左右大小的磁头)，其进一步的小型化还在研究中。磁头的小型化并不只针对便携式电话用HDD的用途，还与薄膜集成工艺的高集成度有关，并与单位元件(1个磁头)的成本减少直接有关，因此在经济性的观点上很理想。
在磁头的制造过程中，首先，制作元件形成为二维状的晶圆，接着，将晶圆切断成长方形状，形成长形条，该长形条上具有多个可成为磁头的部分。长形条上交互地配置形成了成为磁头部分的磁头形成部和切断间隙部。切断间隙部上设有称为阻抗研磨向导(Resistance Lapping Guide，RLG)或电性研磨向导(Electric Lapping Guide，ELG)的、用于研磨ABS(air bearing surface，空气支承面)形成面时的传感器(sensor)。这些传感器由以下部分构成即设于ABS形成面的阻抗膜、连接在阻抗膜两端的、从ABS形成面垂直延伸出的一对引线、连接在各引线的、向层叠方向上侧延伸的一对凸起(bump)、以及连接到各凸起的、形成于层叠部顶面的触点(pad)。所述凸起通常具有10～20μm的厚度。这里，ABS指的是磁头的与记录媒体相对的面，该面上形成有预定尺寸的写入元件和读取元件。另外，ABS形成面指的是，通过后工序的研磨形成ABS的面，比最后形成的ABS稍微伸出。研磨ABS形成面时阻抗膜也被研磨，并通过装在触点上的金属丝等取出因截面积减少而导致的电阻变化，从而监视研磨量。
但是，为了高集成化，需要减小磁头形成部的面积的同时减小切断间隙部的面积。但触点的大小为使引线可与触点整齐地接触并彼此间不相接触而需要某一程度的面积。因此，切断间隙部的面积受触点面积的制约(参照专利文献1、2)。为解决上述问题公开了这样的技术例如将一对触点构成为从ABS离开的触点和相邻的触点，使两触点彼此相对的缘部相对ABS倾斜地形成(参照专利文献2)。
但是，切断间隙部的面积因凸起的配置而很受限制。这里，例如凸起可由以下步骤形成首先，在引线导体上通过图案形成来形成框架(frame)状的抗蚀层(resist)，给所述框架内部镀铜而形成凸起。接着，在凸起周围形成氧化铝等保护层(overcoat)，将其整体研磨后，在凸起上形成平面状的触点。读取、写入元件的引线通过镀膜法等薄膜形成技术，在各元件形成前后的工序中适当形成。另外，各凸起在形成读取、写入元件及其引线后，用镀膜技术形成。但是，由于凸起较厚，难以在凸起周围光滑地形成保护层，且有可能在凸起周边的保护层上产生龟裂或气孔等的缺陷。保护层是用以保护下层的写入元件等的保护膜，但由于经过磁头形成部和切断间隙部之间连续/一体地形成，若缺陷在磁头形成部侧发生，则有可能影响磁头的可靠性。因此，切断间隙的长度要有一定程序的余量，使得在磁头形成部不发生缺陷。
传统技术中，采用长形条长度方向的长度约60μm的凸起时，其两侧约30μm处易产生缺陷，因此需要设置总计约120μm的切断间隙宽。还有，为防止保护层的缺陷，公开了在凸起的外圆周面设置向引线导体底襟宽度扩大的裙子面的技术等(参照专利文献3)。
(专利文献1)美国专利第5,361,547号说明书
(专利文献2)特开2002-245606号公报(专利文献3)特开平9-73609号公报如此，为进一步缩小切断间隙而缩小凸起的必要空间极为重要。但是，采用如专利文献3那样的凸起形状时，因需要形成凸起层的周边沟部而不能缩小凸起的必要空间。

发明内容
本发明鉴于上述课题构思而成，旨在提供配置了可缩小长形条的切断间隙部面积的研磨量传感器的晶圆。
本发明的晶圆，其上搭载了一列以上、通过层叠多层膜而形成的、成为磁头的部分即磁头形成部。所述列包括沿成为所述磁头的记录媒体相对面的面、即露出该列的长度方向的侧面的ABS形成面方向排列的多个所述磁头形成部和在该磁头形成部之间设置的切断间隙部；所述切断间隙部具有至少一个在所述ABS形成面上形成的、随研磨而电阻变化的阻抗膜；与具有所述阻抗膜的所述切断间隙部相邻的所述磁头形成部，其一端通过设于所述阻抗膜之间的电连接部件电连接到所述阻抗膜，另一端设有向所述晶圆的层叠部顶面沿层叠方向延伸的凸起。
如此，本发明的晶圆中，切断间隙部上未设凸起，且凸起周围的保护层的缺陷不会在磁头形成部上产生，因此在设定切断间隙部的面积时，无需考虑与缺陷发生区域对应的余量。
所述电连接部件设有在该切断间隙部的内部从所述阻抗膜的两侧端部向相邻的两侧所述磁头形成部的内部沿彼此相离的方向延伸的一对引线；所述凸起在与所述切断间隙部相邻的两侧所述磁头形成部上各设一个，并分别与所述引线相连接。另外，设有所述凸起的所述磁头形成部形成于所述层叠部顶面，并具有与所述凸起的所述层叠部顶面侧的端部电连接的中继触点，与设有所述凸起的所述磁头形成部相邻两侧的所述切断间隙部之一形成于所述层叠部顶面，并具有通过在所述层叠部顶面延伸的连接线连接到该中继触点的终端触点。所述连接线把接受所述磁头形成部的读入元件或写入元件的电信号的元件用触点作为所述中继触点，向所述切断间隙部延伸。另外，所述凸起与所述接受所述磁头形成部的读入元件或写入元件的电信号的元件共用触点。
如此，由于在本发明的晶圆中将向外部传输阻抗膜的电流的凸起设于磁头形成部，因而消除了限制切断间隙部的面积的最大要因，进而缩小切断间隙部的面积。这样就可从同一尺寸的晶圆制造更多磁头，并能提高生产效率。


图1(a)、1(b)、1(c)是本发明晶圆以及切断晶圆形成的长形条的概略外形图。
图2是图1所示的长形条的磁头形成部和切断间隙部的部分放大图。
图3是图1所示的长形条的磁头形成部的剖视图。
图4A是图1所示的长形条的保护层的俯视图。
图4B是表示阻抗膜和仅抽出与阻抗膜相连的布线和触点加以表示的透视图。
图5是长形条的研磨加工装置的概略结构图。
图6A是本发明的实施例2的晶圆的长形条的保护层的俯视图。
图6B是表示图6A所示的晶圆的阻抗膜和仅抽出与阻抗膜相连的布线和触点加以表示的透视图。
图7A是本发明的实施例2的晶圆的长形条的保护层的俯视图。
图7B是表示图7A所示的晶圆的阻抗膜和仅抽出与阻抗膜相连的布线和触点加以表示的透视图。
标号说明1 晶圆G ABS形成面2 长形条3、3a、3b 磁头形成部
4、4a、4b 切断间隙部9 屏蔽间隙膜10 MR元件11 引线16 保护层161 层叠部顶面23b、24b写入触点25b、26b读入触点28b、29b、30b、31a、31b 凸起32、32a 阻抗膜321、322端部33a、33b、331a、332a传感器用触点34a、34b、38b、40b 连接线35b、39b引线36b 备用凸起37b 备用触点具体实施方式
下面将参考附图对本发明晶圆实施例进行详细说明。
图1(a)是从薄膜磁头元件的层叠方向上侧(图中由空白箭头表示)看本发明晶圆的概略外形图。晶圆1在硅(Si)等基板上、由多个二维状排列的薄膜磁头元件而形成。晶圆1首先沿ABS形成面G被切断成长形条2。图1(b)是与图1(a)一样从层叠方向上侧(图中由空白箭头表示)看的、切断后的长形条的透视图。另外，图1(c)是使长形条的ABS形成面G朝上而看的、即按图1(b)所示的旋转箭头方向旋转长形条的状态下的长形条的透视图。所述长形条2上交替排列了用于形成具有薄膜磁头元件的磁头的磁头形成部3和切断间隙部4。所述切断间隙部4用于在研磨长形条2的ABS形成面G而形成ABS后，将长形条2切断成单个磁头。
图2是磁头形成部3和切断间隙部4的部分放大图。该图也是从与图1(c)相同的方向看的图。图2中经切开示出的磁头形成部3和切断间隙部4，实际上是一体的。另外，图3是沿图2的3-3线的磁头形成部的剖视图。以下参照这些附图，就磁头形成部3和切断间隙部4的结构进行说明。
所述磁头形成部3从层叠方向下侧依次层叠了基板5、绝缘层6、下部屏蔽层8、屏蔽间隙膜9、磁阻(MR)元件10、下部磁极层12，其上形成上部磁极层14和线圈15，且整个由保护层16(overcoat)所覆盖。
所述基板5采用Al2O3/TiC等陶瓷材料制成。基板5上形成的绝缘层6由氧化铝(Al2O3)等绝缘材料制成。下部屏蔽层8的材料，例如可采用坡莫合金(NiFe)。屏蔽间隙膜9的材料，例如可采用氧化铝。屏蔽间隙膜9通过层叠下部的屏蔽间隙膜和上部的屏蔽间隙膜(未同时图示)而形成。读入元件即磁阻(Magneto Resistive，MR)元件10靠近ABS形成面G，并在下部屏蔽间隙膜和上部屏蔽间隙膜之间屏蔽而设置。MR元件10可采用显示AMR(AnisotropicMagneto Resistive，各向异性磁阻效应)元件、GMR(Giant Magneto Resistive，巨磁电阻效应)元件或TMR(Tunnel Magneto-resistance，隧道磁阻效应)元件等磁阻效应的感磁膜元件。
另外，MR元件10与传送读取的信号的一对引线11连接。引线11由导电材料形成，与层叠方向延伸的凸起30b(或31b)(参照图4B)相连接。下部磁极层12兼有作为记录头的下部磁极层功能和作为再现(Reproduce)头(MR元件10)的上部屏蔽层功能，其可采用例如坡莫合金或CoNiFe等并用镀膜法成膜的磁性材料。在下部磁极层12和上部磁极层14之间的ABS形成面G侧的端面，设有位于下部磁极层12和上部磁极层14之间并用以绝缘两者的记录间隙13。记录间隙13的材料，可采用例如NiP等可用镀膜法成膜的非磁性金属材料。
所述上部磁极层14和下部磁极层12通过连接部17相连接，整个形成一个U字型导体。上部磁极层14的材料，可采用例如坡莫合金或CoNiFe等可用镀膜法成膜的磁性材料，但最好采用高饱和磁通密度材料。
在上部磁极层14和下部磁极层12之间，设有缠绕连接部17周围的线圈15(图中仅示出4个线圈截面，但它们是连续的1圈线圈不同部位的截面)。线圈15可为两重以上的多层累积结构。线圈15通过绝缘层(未图示)与下部磁极层12、上部磁极层14相绝缘。线圈15材料可采用铜等导电材料。上部磁极层14、下部磁极层12、记录间隙13和线圈15，构成对记录媒体的写入元件即感应型磁变换元件。感应型磁变换元件可为对记录媒体面内方向进行记录的水平记录方式和对记录媒体面外方向进行记录的垂直记录方式中的一种方式。线圈15经由层叠方向延伸的导电性通孔18，连接到接受来自外部电流信号的引线19。引线19也由导电材料形成，可为与上部磁极层14相同的材料。引线19还与层叠方向延伸的凸起28b(或29b)(参照图4B)相连接。
在这些层叠部的上方形成有保护层16。保护层16的顶面成为层叠部顶面161。保护层16的材料，可采用例如氧化铝等的绝缘材料。层叠部顶面161上形成有写入触点23b、24b和读入触点25b、26b。写入触点23b、24b分别是经由凸起28b、29b接受外部写入电流的写入元件用触点。读入触点25b、26b分别是经由凸起30b、31b接受外部读入电流的读入元件用触点。磁头制造完成时，触点23b、24b、25b、26b与延伸至磁头折片组合(head gimbal assembly，HGA，未图示)的未设磁头的相反端部的布线(未图示)相连接。切断间隙部4与磁头形成部3不同，并没有形成用以写入或读入的元件，但基本的膜结构与磁头形成部3相同。
如图2所示，从层叠方向下侧依次层叠基板5、绝缘层6、下部屏蔽层8、屏蔽间隙膜9、下部磁极层12，其上由保护层16所覆盖。切断间隙部4的特征是，如图2所示形成有阻抗膜32a。另外，保护层16的层叠部顶面161设有传感器用触点33a。阻抗膜32a是称为RLG或ELG的传感器，并具有与磁头形成部3中的MR元件10大致相同的层叠方向高度，即设于屏蔽间隙膜9之间。另外，也可以不设置下部屏蔽层8和下部磁极层12。阻抗膜32a可以具有与MR元件10相同的元件结构，但也可以广泛应用NiFe、Cu、NiCr、Au、NiCu等导电性金属膜。
接着，参照图4A，4B说明设于切断间隙部4a的阻抗膜32a对触点的连接方法。
图4A是保护层16的俯视图。图4B是只抽出阻抗膜和连接到阻抗膜的布线以及触点加以表示的透视图。该两图表示长形条2的一部分，从左到右依次排列磁头形成部3a、切断间隙部4a、磁头形成部3b、切断间隙部4b。
另外，图4A中的长形条的内部布线用虚线表示。所述引线35a在屏蔽间隙膜9上中途改变方向并从阻抗膜32a的左侧端部321延伸至相邻的磁头形成部3a的凸起31a。另外，连接线34a在保护层16的层叠部顶面161从与凸起31a相连的读入触点26a延伸至切断间隙部4a的传感器用触点33a，宛如折回。同样地，引线35b在屏蔽间隙膜9上也中途改变方向并从阻抗膜32a的右侧端部322延伸至相邻的磁头形成部3b的凸起31b。引线35b为避免与MR元件10和从MR元件10延伸的引线11a、11b产生干涉而跨过它们的上面。另外，连接线34b在保护层16的层叠部顶面161上从与凸起31b相连的读入触点26b延伸至相邻切断间隙部4b的传感器用触点33b。连接线34a、34b、引线35a、35b由铜或金等导电材料制作。还有，即便对全部的切断间隙部4上设置阻抗膜32，也由于测定用的阻抗膜32通常隔着2～5个而无法全部发挥作用，所以阻抗膜32仅在实际测定用的部位设置即可。如此将阻抗膜32a连接至触点时，通过将设于磁头形成部3a、3b的凸起31a、31b作为中继触点利用，无需在切断间隙部4a上设置阻抗膜32a专用的凸起。结果，切断间隙部4a沿长形条2长度方向的长度无需考虑凸起的必要空间而进行设定，可以根据终端触点即传感器用触点33a、33b的必要空间或切断砂轮的必要切断宽度等的其它原因进行设定。还有，在本实施例中，将与一个阻抗膜32a对应的两个传感器用触点33a、33b分别分散配置在切断间隙部4a、4b上，这样在缩小切断间隙部4a、4b的面积方面更有利。在一个实施例中，切断间隙部4a、4b沿长形条2长度方向的长度可以缩至切断砂轮的必要切断宽度，即50μm左右，从一个长形条上取出磁头的数量可提高至10％以上。
下面就晶圆的制造方法进行说明。参照图3，首先，在基板5上用例如溅镀法(sputtering)形成绝缘层6。接着，在绝缘层6上用例如溅镀法或镀膜法(plating)形成下部屏蔽层8。接着，在下部屏蔽层8上例如用溅镀法形成屏蔽间隙膜9。这时，如图4B所示，磁头形成部3上例如用溅镀法在屏蔽间隙膜9之间形成MR元件10和引线11。构成MR元件10的各层是通过利用图案(pattern)化保护层的一般蚀刻方法、剥离(liftoff)法或并用上述两种方法来形成图案的。切断间隙部4a通过用与MR元件10同样的方法在其上形成阻抗膜32a。并且，在磁头形成部3b上，用例如溅镀法将引线35b形成到凸起31b的位置。同样地，在切断间隙部4a上，用例如溅镀法将引线35a形成到凸起31a的位置。接着，再参照图3，在屏蔽间隙膜9上，用例如溅镀法或镀膜法形成下部磁极层12。接着，在下部磁极层12上，用例如溅镀法形成记录间隙13，接着，用框架镀膜(frameplating)法等形成上部磁极层14的下部部分和线圈15。
接着，用例如框架镀膜法形成上部磁极层14的上部部分，同时形成连接部17。与读取、写入元件的引线11、19连接的凸起28b、29b、30b、31b在形成引线11、19后，用镀膜法形成电极膜(未图示)。然后，以凸起28b等作为掩模(mask)去除电极膜，并用溅镀法等以氧化铝等绝缘材料作为上层而层叠。接着，用例如抛光(polishing)法将绝缘材料削至凸起28b等在上面所要露出的高度，形成保护层16。然后，在凸起28b等的上端部的露出部分上配置写入触点23a、23b、读入触点25b、26b。凸起31a、读入触点26a也一样。
接着，就长形条的研磨方法进行说明。图5是长形条的研磨加工装置的概略结构图。研磨加工装置51中有研磨长形条2的旋转的研磨板52，用于提供将长形条2压紧到研磨板52的力的负荷发生装置54，以及多个负荷传递用夹具55。负荷发生装置54使用例如电磁式或油压式(hydraulic)的微驱动器(actuator)。负荷发生装置54与控制部58相连，并根据阻抗膜32的电阻值进行反馈控制，以将MR高度(从MR元件10的ABS垂直测量的高度)加工至预定值。负荷传递用夹具55位于负荷发生装置54和支撑长形条2的支撑体56之间，经由支撑体56将负荷发生装置54中发生的压力传递到长形条2，使长形条2的ABS形成面G与研磨板52压紧。负荷传递用夹具55沿支撑体56的长度方向设有多个。支撑体56的长形条2安装面按负荷传递用夹具55的接触点由沟槽57隔开，能够使从各负荷传递用夹具55传来的压力仅传到其周围。研磨板52的表面，例如可通过将由Sn(锡)构成的圆板表面埋入金刚石磨粒而形成。研磨板52上连接有旋转轴53，通过动力机构(未图示)旋转。进行研磨时，首先，将长形条2固定于支撑体56上，并使长形条2的长度方向与研磨板52的半径方向一致。接着，在传感器用触点33a、33b上安装金属丝41a、41b(参照图4A)以连接控制部58，同时对阻抗膜32通电。ABS形成面G与旋转的研磨板52压紧，从而ABS形成面G被研磨，这时形成于ABS形成面G的阻抗膜32也被研磨。结果，阻抗膜32的截面积逐渐缩小，而电阻增加。电流值传送到控制部58，控制部58基于各阻抗膜32的电流变化而检测长形条2各部分的研磨量，并将该检测结果反馈给负荷发生装置54。结果，在长形条2的ABS形成面G上形成在长度方向具有均匀的预定MR高度的ABS，然后结束研磨。之后，在ABS上设置凹凸形状，并进行清洗/检查等，完成磁头。
以上，就本发明的晶圆进行了说明，但本发明的晶圆并不以上述实施例为限。以下，参照附图就其它实施例进行说明。
图6A、6B是实施例2晶圆的、对阻抗膜触点连接方法的说明图。图6A、6B分别与图4A、4B对应。本实施例的不同点在于，利用磁头形成部3b中的备用凸起36b和备用触点37b。备用凸起36b和备用触点37b，例如可采用与MR元件10周围的屏蔽间隙膜9相连接的、用于确认MR元件10和屏蔽间隙膜9之间绝缘的凸起和触点。但是，备用凸起36b和备用触点37b也可以有其它用途，也可以是新设的，更普遍的是在磁头形成部3b上设置的第五凸起和触点。引线39b在屏蔽间隙膜9上从阻抗膜32a的右侧端部322延伸至备用凸起36b。连接线38b在保护层16的层叠部顶面161上从与备用凸起36b相连的备用触点37b延伸至读入触点26b，并且与实施例1相同的连接线34b从读入触点26b延伸至相邻的切断间隙部4b的传感器用触点33b。如此，本实施例的特征在于，其不与读入(或写入)用的凸起共用，而借用磁头形成部以外的凸起。从而，其与读入(或写入)用的凸起的布线相分离，且结构简单、具有不良率低的效果。
图7A、7B是实施例3的晶圆的对阻抗膜触点连接方法的说明图。图7A、7B分别与图4A、4B对应。本实施例的特征在于，设有与实施例2相同的备用凸起和备用触点，并在设有阻抗膜的切断间隙部上设置两个触点。与实施例2相同的引线39b在屏蔽间隙膜9上从阻抗膜32a的右侧端部322延伸至备用凸起36b。连接线40b从与备用凸起36b相连的备用触点37b延伸至切断间隙部4a的传感器用触点332a。由于本实施例中没有跨越磁头的引线，所以能够降低因MR元件10或写入元件的引线和传感器用的引线而产生的寄生电容(straycapacitance)。以上的实施例中，能够利用其它ELG，即电气特性测定来取代RLG，即取代阻抗测定。例如，可将在晶圆集成面上具有平行绝缘膜的TMR元件置换成阻抗膜32，并将引线35连接在该TMR元件的晶圆面方向的上下方，且可以取代阻抗膜32的阻抗值测定，采用在ABS形成面研磨时测定TMR元件晶圆面上下间的电容，并由该电容变化测定研磨量。
权利要求
1.一种晶圆，其上搭载了一列以上、通过层叠多层膜而形成的成为磁头的部分即磁头形成部，其特征在于所述列包括沿成为所述磁头的记录媒体相对面的面、即露出该列的长度方向的侧面的ABS形成面方向排列的多个所述磁头形成部和在该磁头形成部之间设置的切断间隙部；所述切断间隙部具有至少一个在所述ABS形成面上形成的、随研磨而电阻变化的阻抗膜；与具有所述阻抗膜的所述切断间隙部相邻的所述磁头形成部，其一端通过设于所述阻抗膜之间的电连接部件电连接到所述阻抗膜，另一端设有向所述晶圆的层叠部顶面沿层叠方向延伸的凸起。
2.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于所述电连接部件设有在该切断间隙部的内部从所述阻抗膜的两侧端部向相邻的两侧所述磁头形成部的内部沿彼此相离的方向延伸的一对引线；所述凸起在与所述切断间隙部相邻的两侧所述磁头形成部上各设一个，并分别与所述引线相连接。
3.如权利要求1或2所述的晶圆，其特征在于设有所述凸起的所述磁头形成部形成于所述层叠部顶面，并具有与所述凸起的所述层叠部顶面侧的端部电连接的中继触点，与设有所述凸起的所述磁头形成部相邻两侧的所述切断间隙部之一形成于所述层叠部顶面，并具有通过在所述层叠部顶面延伸的连接线连接到该中继触点的终端触点。
4.如权利要求3所述的晶圆，其特征在于所述连接线把接受所述磁头形成部的读入元件或写入元件的电信号的元件用触点作为所述中继触点，向所述切断间隙部延伸。
5.如权利要求1至4中任一项所述的晶圆，其特征在于所述凸起与所述接受所述磁头形成部的读入元件或写入元件的电信号的元件共用触点。
全文摘要
本发明公开了一种配置研磨量传感器，以能缩小长形条的切断间隙部的面积的晶圆。在晶圆上搭载了一列以上、通过层叠多层膜而形成的、成为磁头的部分即磁头形成部(3a、4a)。所述列包括沿成为所述磁头的记录媒体相对面的面、即露出该列的长度方向的侧面的ABS形成面(G)方向排列的多个所述磁头形成部(3a、4a)和在该磁头形成部(3a、4a)之间设置的切断间隙部(4a、4b)。所述切断间隙部(4a)具有至少一个在所述ABS形成面(G)上形成的、随研磨而电阻变化的阻抗膜(32a)；与具有所述阻抗膜(32a)的所述切断间隙部(4a)相邻的所述磁头形成部(3a、4a)，其一端通过设于所述阻抗膜(32a)之间的电连接部件(35a、35b)电连接到所述阻抗膜(32a)，另一端设有向所述晶圆的层叠部顶面沿层叠方向延伸的凸起(31a、31b)。
文档编号B24B49/10GK1811920SQ20051000667
公开日2006年8月2日 申请日期2005年1月26日 优先权日2005年1月26日
发明者藤井隆司, 饭岛淳 申请人:新科实业有限公司, 新科技研有限公司