真空级铝钼硅合金的制作方法

文档序号:3406546阅读:333来源:国知局
专利名称:真空级铝钼硅合金的制作方法
技术领域
本发明是关于合金,尤其是关于作为冶炼用的中间合金的真空级铝钼硅合金。
背景技术
合金材料随冶炼技术的发展和市场的需求而日新月异。在合金材料的冶炼过程中,常使用中间合金使熔炼过程稳定,容易控制操作。2005年6月22日公开号为CN1629331A名称为“一种铝钼硅中间合金及其制备方法”的发明专利申请,公开了一种按重量百分比计的组成为Mo38~48%,Si3.5~4.5%,Al为余量的铝钼硅中间合金,采用镁屑炉外点火冶炼法,将配料重量组成以Al为1kg计,工业Si为0.034~0.044kg、MoO3为0.781~0.935kg、CaF2为0.36~0.42kg、KClO3为0.149~0.174kg的原料在30~60℃温度下装炉,经点火、冶炼后,冷却出炉的制备方法。该铝钼硅中间合金比现有的铝钛稀土化合物型中间合金(专利申请号94112628.5)相比,其抗氧化性能较好,而且适应面广,可满足现代钛合金生产多样化的要求。但该铝钼硅中间合金的钼含量还偏低,更主要的其成份偏析严重、合金中夹渣(见图1),并且它是一种铝基合金,其一步法的冶炼过程短,仅二十秒左右,其中气体杂质不易逸出,特别是氢气、氮气和氧气含量较高,合金的晶格粗、不致密,不适宜于制备高等级的钛合金。

发明内容
本发明的目的在于提供一种真空级铝钼硅合金及其制备方法,解决非真空级铝钼硅合金成份偏析严重、合金夹渣、不致密、气体杂质含量高的技术问题,其次为解决钼含量偏低的技术问题。
本发明解决上述技术问题的技术方案为
一种真空级铝钼硅合金,其特征在于该合金无偏析、夹渣、结构致密,其组成以重量百分比计为Mo为40~63%、Si为4.0~5.0%、O≤0.015%、H≤0.002%、N≤0.006%、C≤0.06%、Fe≤0.10%、Al为余量。
一种上述真空级铝钼硅合金的制备方法,其特征在于为炉外铝热冶炼和继后的真空熔炼的二步法;炉外铝热冶炼时原料装炉温度为室温,配料重量组成以Al为1kg计,MoO3为0.75~1.28kg、Si为0.048~0.08kg、CaF2为0.4~0.82kg、KClO3为0~0.2kg;真空熔炼的熔炼温度为1450~1600℃,真空度≤0.67Pa,炉料全部熔化后在1500℃以上的高温短时沸腾精炼6~15分钟,并在真空条件下进行合金的浇铸。
进一步真空熔炼时,待炉内炉料熔化1/4~2/5时,充入氩气,使炉内压力保持在50~80Pa内,防止炉内溶液过于沸腾。
再进一步合金浇铸的温度为1480℃~1550℃,浇注速度V≤2.5/D公分/分钟。
更进一步浇铸后的合金应在真空状态下保温3小时以上方可破真空出炉。
本发明的有益效果是1.合金成分均匀,且钼含量高于现有技术冶炼的铝钼硅合金,能开发出新的钛合金或其它合金,扩大了该中间合金的用途。
2.由于采用二步法,与现有的一步法(即炉外法冶炼)相比,所获得的中间合金成份更均匀、稳定,合金致密,无氧化膜和夹渣(参见图2所示),尤其是气体杂质的含量特别低,这对于易含氢气等气体杂质的铝基合金来说有重大意义,因此十分有利于制备高等级的钛合金。


图1是由炉外加热法冶炼的铝钼硅合金金相照片(放大180倍)。
图2是本发明真空级铝钼硅合金的金相照片(放大180倍)。
具体实施例方式本发明是一种合金成份均匀、钼含量高和气体杂质低的以铝为基础的真空级铝钼硅中间合金,其组成以重量百分比计为Mo为40~60%、Si为4.0~5.0%、C≤0.06%、O≤0.015%、H≤0.002%、N≤0.006%、Fe≤0.10%、Al为余量。该铝钼硅中间合金为由炉外法冶炼和真空熔炼二步法制备;该炉外法冶炼阶段与现有铝钼硅合金的制备方法基本相同,需要先将原料烘干、在室温下装炉、并用点火剂炉外点火,而有差异之处则在于原料烘干温度为80~90℃,烘干时间应不少于36小时,主要使用铝粉屑为点火剂,也可以使用镁粉屑为点火剂。本发明装炉时的配料组成与现有技术有明显的区别,而且它还需经真空冶炼,具体配料视中间合金中要求钼含量的多少,以Al为1kg计,其它原料在下述的范围作适当的调整MoO3为0.75~1.28kg、Si为0.048~0.08kg、CaF2为0.4~0.8kg、KClO3为0~0.2kg;本发明在第一步炉外加热法冶炼获得初步产品后,再将其置入真空感应炉内进行第二步的真空熔炼,熔炼温度为1450~1600℃,真空度≤0.67Pa,其中,当炉料熔化1/4至2/5时,可充入氩气,使炉内压力保持在50~80Pa内,以防止炉内溶液过于沸腾。直至炉料全部熔化完后,使熔化炉内进入短时间的高温沸腾精炼,该精炼的时间为6~15分钟,温度应≥1500℃,直至合金液面平静,无气泡逸出,然后在合金溶液温度为1480℃~1550℃时,以V≤2.5/D(公分/分钟)的速度在高真空下带电浇铸,公式中D为铸锭的直径(cm)。
浇铸完后铸锭应在真空状态下保温3小时或3小时以上,方可破真空出炉,以防止合金氧化。
以下就几个制备配料和成品组成的实施例对本发明作进一步说明
实施例1.
配料重量组成以Al为1kg计,MoO3为0.75kg、Si为0.052kg、CaF2为0.42kg、KClO3为0.18kg;成品组成重量百分比Mo为40.0%、Si为4.31%、C为0.05%、Fe为0.05%、H为0.0012%、N为0.004%、O为0.011%、Al为余量。
实施例2.
配料重量组成以Al为1kg计,MoO3为0.81kg、Si为0.050kg、CaF2为0.46kg、KClO3为.0.19kg;成品组成重量百分比Mo为42.0%、Si为4.23%、C为0.05%、Fe为0.05%、H为0.0012%、N为0.004%、O为0.011%、Al为余量。
图2为本实施例放大180倍的金相图,从图中可见,本发明的合金无偏析、夹渣、结构致密。
实施例3.
配料重量组成以Al为1kg计,MoO3为0.99kg、Si为0.057kg、CaF2为0.36kg;成品组成重量百分比Mo为50.8%、Si为4.32%、C为0.06%、Fe为0.05%、H为0.0014%、N为0.005%、O为0.013%、Al为余量。
实施例4.
配料重量组成以Al为1kg计,MoO3为1.28kg、Si为0.053kg、CaF2为0.63kg;成品组成重量百分比Mo为63%、Si为4.36%、C为0.05%、Fe为0.05%、H为0.0015%、N为0.005%、O为0.015%、Al为余量。
本发明可在第一步炉外加热法冶炼获得初步产品进行检测后,根据检测的结果可在进行第二步真空冶炼时,加入适量的配料对产品的成份进行精确的调整。
权利要求
1.一种真空级铝钼硅合金,其特征在于该合金无偏析、夹渣、结构致密,其组成以重量百分比计为Mo为40~63%、Si为4.0~5.0%、O≤0.015%、H≤0.002%、N≤0.006%、C≤0.06%、Fe≤0.10%、Al为余量。
2.一种上述真空级铝钼硅合金的制备方法,其特征在于为炉外铝热冶炼和继后的真空熔炼的二步法;炉外铝热冶炼时原料装炉温度为室温,配料重量组成以Al为1kg计,MoO3为0.75~1.28kg、Si为0.048~0.08kg、CaF2为0.4~0.82kg、KClO3为0~0.2kg;真空熔炼的熔炼温度为1450~1600℃,真空度≤0.67Pa,炉料全部熔化后在1500℃以上的高温短时沸腾精炼6~15分钟,并在真空条件下进行合金的浇铸。
3.根据权利要求2所述的真空级铝钼硅合金的制备方法,其特征在于真空熔炼时,待炉内炉料溶化1/4~2/5时,充入氩气,使炉内压力保持在50~80Pa内,防止炉内溶液过于沸腾。
4.根据权利要求2所述的真空级铝铜硅合金的制备方法,其特征在于合金浇铸的温度为1480℃~1550℃,浇注的速度V≤2.5/D公分/分钟。
5.根据权利要求3所述的真空级铝铜硅合金的制备方法,其特征在于合金浇铸的温度为1480℃~1550℃,浇注的速度V≤2.5/D公分/分钟。
6.根据权利要求2、3、4或5所述的真空级铝铜硅合金的制备方法,其特征在于浇铸后的合金铸锭应在真空状态下保温3小时或3小时以上方可破真空出炉。
全文摘要
本发明是关于冶炼用的中间合金。一种真空级铝钼硅合金,其特征在于该合金无偏析、夹渣、结构致密,其组成以重量百分比计为Mo为40~63%、Si为4.0~5.0%、O≤0.015%、H≤0.002%、N≤0.006%、C≤0.06%、Fe≤0.10%、Al为余量。本发明解决非真空级铝硅合金成份偏析严重、合金夹渣、不致密、气体杂质含量高的技术问题,其次解决合金钼含量偏低的技术问题。
文档编号C22C27/00GK101037741SQ200710039949
公开日2007年9月19日 申请日期2007年4月25日 优先权日2007年4月25日
发明者陆树兴, 孙友祥 申请人:上海康沃有色金属经贸物资有限公司, 陆树兴
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