专利名称：一种用于手机保护屏类的塑料基体上镀锡工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于手机保护屏类等塑料基体上镀膜的工艺，具体涉及 一种用于手机保护屏类的塑料基体上镀锡工艺，新型达到手机保护屏膜层要 求的磁控溅射镀膜工艺。
背景技术：
目前的手机保护屏类塑料基体大致采用以下两种方式不处理和真空镀 膜。前一种仅仅起到保护手机LCD屏的作用。后一种可保护手机LCD屏，也
可保护使用者避免太强光线对眼睛的损伤，可以改变屏幕的颜色；但是由于 真空蒸发镀膜是采用伞式结构方式进行的，对于大面积平面有局限，所以产
量大为降低。
真空镀膜大致可分为真空蒸发镀膜、真空磁控溅射镀膜、真空离子镀。
真空蒸发镀膜是通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面的一种技 术，最早由法拉第.M于1857年提出，现代已成为常用镀膜技术之一。磁控溅 射镀膜是利用磁场控制辉光放电产生的等离子体来轰击出靶材表面的粒子并 使其沉积到基体表面的一种技术，于1870年开始用于镀膜技术。
真空离子镀是蒸发物质的分子被电子碰撞电离后以离子沉积在固体表面 的一种技术，是D.麦托克斯于1963年提出的。
蒸发镀膜时蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。
磁控溅射镀膜时通常将欲沉积的材料制成板材——耙，固定在阴极上。 系统抽至高真空后充入10 l帕的气体(通常为氩气)，在阴极和阳极间加几 千伏电压，两极间即产生辉光放电。放电产生的正离子在电场作用下飞向阴 极，与靶表面原子碰撞，受碰撞从耙面逸出的耙原子称为溅射原子，其能量在l至几十电子伏范围。溅射原子在基片表面沉积成膜。与蒸发镀膜不同，溅 射镀膜不受膜材熔点的限制，而且沉积速率比蒸发镀膜高。
离子镀时从蒸发源蒸发的分子通过等离子区时发生电离，正离子被基 片台负电压加速打到基片表面，未电离的中性原子(约占蒸发料的95%)也沉 积在基片或真空室壁表面，电场对离化的蒸汽分子的加速作用(离子能量约几 百 几千电子伏)和氩离子对基片的溅射清洗作用，使膜层附着强度大大提 高。离子镀工艺综合了蒸发(高沉积速率)与溅射(良好的膜层附着力)工艺的 特点，并有很好的绕射性，可为形状复杂的工件镀膜。但是由于离子能量高， 蒸汽分子能量也随之提高，对基体(待镀材料)的耐温性要求较高，不适合 在塑料基体上镀膜。
相比之下，对塑料镀膜而言，磁控溅射镀膜是比较好的选择。
发明内容
为了克服上述缺陷，本发明的目的是为了提供一种用于手机保护屏类的 塑料基体上镀锡工艺。
为实现本发明的目的，本说明书提供一种用于手机保护屏类的塑料基体 上镀锡工艺，工艺可分为如下几个步骤
抽真空---^上架---">预靶---+加热-—">镀膜---+下架-一+出片；
1. 1抽真空指对镀膜设备进行抽气，使之达到预期的3. 0E-3Pa真空度；
1.2上架指将客户需求尺寸的板材装到基片架上；
1.3预靶指对新装上的靶材进行表层剥离，清洁，使之达到与耙材内 部一样的状态，具体可以通过预耙后期的电压稳定性来判断；
1.4加热指基体或待镀材料通过进料室、缓冲室时对其进行加热，使其 表面吸附的杂质气体释放干净，达到镀膜前所需的表面状态；
1.5镀膜指应用在磁场作用下控制靶材的电流电压对基体进行镀膜， 需要有真空度或镀膜时压力、气体等因素的保证；1.6下架指将板材从基片架上卸下来；
1.7出片指完成镀膜后从出料室出来。
镀膜
设备在预靶之后，靶是处于一直开启的状态；通过耙电流调整；然后让基片 架经过靶面，基片架上装载的片材就已经镀上一层膜了。 对出料室出来的产品测透过率，测百格、性能测试。
测透过率作为产品质量的一个重要指标，对产品进行透过率测试，以 便控制在客户需要的透过率要求范围内；
镀膜时的压力控制、电流控制、速度的控制； 进出料操作异常状况上下架时手势动作等； 镀膜操作状况电源的稳定、抽气能力的稳定性等； 检验控制因素主要有透过率测试、性能测试；
透过率测试参考《透过率测试结果》，可以进一步调整工艺参数，以便 对工艺进一步更为可靠的控制；
性能测试参考《性能测试结果》，可以针对性能测试，改变工艺参数， 以便达到性能测试要求；
设备名称立式磁控溅射镀膜机
设备型号HD800S7
设备结构说明
设备主要分为真空室、基片架、传动系统、真空系统、控制系统，靶系 统等；
1、 真空室共有7个真空室，各室分布为进料室、缓冲室、过度室、镀 膜室、过度室、缓冲室、出料室；
2、 基片架底座50X1200X100 (钢质)，采用方钢作为支撑；
3、 传动方式闭环控制、摩擦传动；可实现基片架自动回转，且无跳动；
4、 真空系统机械泵2X-70、罗茨泵ZJP-600、分子泵F3500;可实现半
小时抽真空达到3. OE-3Pa;
5、 控制系统主要由分子泵电源、靶电源、加热器控制器以及PLC控制 面板组成；靶电源采用中频(40kHz)方式；
6、 靶系统平面永磁铁方式。 异常操作说明
1、 如果透过率产生异常，需及时査看耙电流的变化；
2、 如果测试产生变化，如百格测试，需及时査看加热温度设定及实际 温度值的差异是否在规定范围内。
本发明工艺合理，镀膜电源的稳定、抽气能力的稳定性，镀膜的透光性 好，膜与基体的紧密性好。 具体实施方案
下面结合实施例对本发明作进一步说明 工艺操作说明
一种用于手机保护屏类的塑料基体上镀锡工艺，工艺可分为如下几个步
骤
抽真空---"^上架一-今预靶-一^加热一-^镀膜---+下架-一^出片；
l.l抽真空指对镀膜设备进行抽气，使之达到预期的3.0E-3Pa真空度; 上架指将客户需求尺寸的板材装到基片架上；
1.2预靶指对新装上的靶材进行表层剥离，清洁，使之达到与靶材内 部一样的状态，具体可以通过预靶后期的电压稳定性来判断；
1.3加热指基体或待镀材料通过进料室、缓冲室时对其进行加热，使 其表面吸附的杂质气体释放干净，达到镀膜前所需的表面状态；
1.4镀膜指应用在磁场作用下控制靶材的电流电压对基体进行镀膜， 需要有真空度或镀膜时压力、气体等因素的保证；
下架指将板材从基片架上卸下来； 1.5出片指完成镀膜后从出料室出来。 靶材锡革巴(纯度:》99. 6%);
电流1.8A (40kHz中频电源)； 时长30-60min;
判断标准以电源显示的电压稳定表示预靶完成； 设定1#、 2tt、 3#真空室设置为IO(TC; 判断标准100±5°C; 镀膜
设备在预靶之后，靶是处于一直开启的状态；通过靶电流调整；然后让基片 架经过靶面，基片架上装载的片材就己经镀上一层膜了。
最后，应当指出，以上实施例仅是本发明较有代表性的例子。显然，本 发明的技术方案并不限于上述实施例，还可以有许多变形。本领域的普通技 术人员能从本发明公开的内容直接导出或联想到的所有变形，均应认为是本 发明的保护范围。
权利要求
1、一种用于手机保护屏类的塑料基体上镀锡工艺，其特征在于工艺可分为如下几个步骤抽真空---→上架---→预靶---→加热---→镀膜---→下架---→出片；1.1抽真空指对镀膜设备进行抽气，使之达到预期的3.0E-3Pa真空度；上架指将客户需求尺寸的板材装到基片架上；1.2预靶指对新装上的靶材进行表层剥离，清洁，使之达到与靶材内部一样的状态，具体可以通过预靶后期的电压稳定性来判断；1.3加热指基体或待镀材料通过进料室、缓冲室时对其进行加热，使其表面吸附的杂质气体释放干净，达到镀膜前所需的表面状态；1.4镀膜指应用在磁场作用下控制靶材的电流电压对基体进行镀膜，需要有真空度或镀膜时压力、气体等因素的保证；下架指将板材从基片架上卸下来；1.5出片指完成镀膜后从出料室出来。
2、 根据权利要求1所述的一种用于手机保护屏类的塑料基体上镀锡工艺， 其特征在于靶材为纯度>99.6%的锡靶。
3、 根据权利要求1所述的一种用于手机保护屏类的塑料基体上镀锡工艺， 其特征在于电流1.8A (40kHz中频电源)；时长30-60min。
4、 根据权利要求1所述的一种用于手机保护屏类的塑料基体上镀锡工艺， 其特征在于加热温度为100±5°C。
全文摘要
本发明涉及一种用于手机保护屏类的塑料基体上镀锡工艺，其特征在于工艺可分为如下几个步骤1.1抽真空指对镀膜设备进行抽气，使之达到预期的3.0E-3Pa真空度；上架指将客户需求尺寸的板材装到基片架上；1.2预靶指对新装上的靶材进行表层剥离，清洁，使之达到与靶材内部一样的状态，具体可以通过预靶后期的电压稳定性来判断；1.3加热指基体或待镀材料通过进料室、缓冲室时对其进行加热，使其表面吸附的杂质气体释放干净，达到镀膜前所需的表面状态；1.4镀膜指应用在磁场作用下控制靶材的电流电压对基体进行镀膜；下架指将板材从基片架上卸下来；1.5出片指完成镀膜后从出料室出来。本发明工艺合理，镀膜电源的稳定、抽气能力的稳定性，镀膜的透光性好，膜与基体的紧密性好。
文档编号C23C14/14GK101343730SQ200810059530
公开日2009年1月14日 申请日期2008年1月31日 优先权日2008年1月31日
发明者宋光耀, 崔龙范, 张双文, 赵斌通 申请人:杭州博纳特光电科技有限公司