专利名称：一种多层介质双银层低辐射膜及其生产工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种双银低辐射膜。
背景技术：
目前，市场上的低辐射镀膜产品大体可分为两大类 一类是高可见光透过 率，高遮阳系数；另一类是低可见光透过率，较低的遮阳系数。市场还缺乏一 种产品，具有高的可见光透过率，同时满足低的遮阳系数，即达到较高的选择 系数。
传统的低辐射镀膜产品的膜结构一般为 玻璃/底层介质膜/阻挡层/Ag层/阻挡层/顶层介质层；
或玻璃/底层介质膜/Ag层/阻挡层/中间层介质膜/Ag层/阻挡层/顶层介 质层。
上述两种结构中，有一个共同的特点，介质膜均采用单层。产品不能同时 兼顾透过率和遮阳系数两个指标，选择系数只能达到1.4。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有较高的透过率，同时具有较低遮阳系数的多 层介质双银层低辐射膜。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是采用下述膜结构制成的膜层: 基片/多层介质膜层VAg层/阻挡层/多层介质膜层2/Ag层/阻挡层/多层介质膜 层3/Si:凡。所述多层介质膜层l、 2或3的组成模式包括Ti0x/Sn0y/Zn0:Al、 Sn0y/Si3N4/Sn0y、 Zn0x/Sn0y/Zn0x、 Ti0x/Sn0y/Ti0x、或Nb0y/Si3N4/Nb0y。所 述多层介质膜层1、 2和3采用相同的膜结构，即均采用相同的任意一种膜结构。 所述多层介质膜层1、 2禾卩3采用不同的膜结构，即所述多层介质膜层1、 2和3 分别采用包括Ti0x/Sn0y/Zn0:Al 、 Sn0y/Si3N4/Sn0y 、 Zn0x/Sn0y/Zn0x 、 Ti0x/Sn0y/Ti0x、或NbOy/Si:凡/NbOy中的任意2种或3种膜结构。所述阻挡层1、或2的膜层材质包括NiCr、 Nb、 Ti、 NiCr0x、或NbOx。所述阻挡层1、或 2的膜层材质采用相同的膜结构，即均采用相同的任意一种膜结构。所述阻挡层 1、或2的膜层材质采用不同的膜结构，即所述阻挡层1、或2的膜层材质分别 采用包括NiCr、 Nb、 Ti、 NiCrOx、或NbOx中的任意2种膜结构。所述基片的材 质包括玻璃、或塑料。
本发明的另一个目的是提供一种用于所述多层介质双银层低辐射膜的生产 工艺，其特征在于运用真空磁控溅射镀膜方法生产出双银低辐射镀膜产品，具 体工艺步骤如下
(1) 基片清洗；
(2) 进入真空溅射区；
(3) 双旋转阴极，TiOx陶瓷靶材，中频反应磁控溅射沉积TiOx膜层，膜厚 10-15nm;
(4) 双旋转阴极，Sn金属靶材，中频反应磁控溅射沉积SnOy膜层，膜厚 10-15nm;
(5) 双旋转阴极，ZnO:Al陶瓷靶材(Al含量2wt。/。)，中频反应磁控溅射沉积 ZnO:Al膜层，膜厚10-15nm;
(6) 单靶桶旋转阴极，直流磁控溅射沉积Ag层，膜厚ll-13nm;
(7) 单靶桶旋转阴极，直流磁控溅射沉积NiCrOx层，膜厚3-8nm;
(8) 双旋转阴极，TiOx陶瓷靶材，中频反应磁控溅射沉积TiOx膜层，膜厚 10-15nm;
(9) 双旋转阴极，Sn金属靶材，中频反应磁控溅射沉积SnOy膜层，膜厚 10-15nm;
(10) 双旋转阴极，ZnO:Al陶瓷靶材(Al含量2wt。/cO，中频反应磁控溅射沉积 ZnO:Al膜层，膜厚10-15nm;
(11) 单靶桶旋转阴极，直流磁控溅射沉积Ag层，膜厚ll-13nm; (②单耙桶旋转阴极，直流磁控溅射沉积MCrOx层，膜厚3-8皿；(13) 双旋转阴极，Ti0x陶瓷靶材，中频反应磁控溅射沉积Ti0x膜层，膜厚 10-15nm;
(14) 双旋转阴极，Sn金属靶材，中频反应磁控溅射沉积SnOy膜层，膜厚 10-15nm;
(⑤双旋转阴极，ZnO:Al陶瓷靶材(Al含量2wty。)，中频反应磁控溅射沉积 ZnO:Al膜层，膜厚10-15nm;
(16)双旋转阴极，SiAl陶瓷靶材，中频反应磁控溅射沉积Si晶膜层，膜厚 20-25nm。
从而使制成的产品膜结构为基片/复合介质膜层/Ag层/阻挡层/多层介质 膜层/Ag层/阻挡层/多层介质膜层/S:UN4。
本发明的有益效果是它通过运用真空磁控溅射镀膜方法生产出双银低辐 射镀膜产品。即采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积多层介质膜层，用单 旋转阴极、直流磁控溅射沉积Ag层和阻挡层。该膜结构可镀膜在玻璃上，也可 镀膜在软基片上。该产品具有较高的透过率，同时具有较低的遮阳系数，且便 于外观颜色和室内颜色的调整，它的透过率达到81°/。；遮阳系数达到0.4。它可 广泛应用于建筑领域和车船窗户风挡玻璃等领域；也可以镀制在软基片上，作 为贴膜之用。
图l是本发明的结构示意图。
图2是实施例1的结构示意图。
具体实施例方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明如下
本发明为满足市场对高选择系数双银低辐射产品的需求，本发明提供了 一
种多层介质膜的双银低辐射产品。该产品的膜结构为玻璃或软基片/多层介质
膜层1/Ag层1/阻挡层1/多层介质膜层2/Ag层2/阻挡层2/多层介质膜层 3/Si3N4。所述多层介质膜层1、 2或3的组成可以是TiOx/SnOy/ZnO:Al、Sn0y/Si3N4/Sn0y、 Zn0x/Sn0y/Zn0x、 Ti0x/Sn0y/Ti0x、或NbOy/Si:凡/NbOy等。 所述阻挡层的膜层可以采用NiCr、 Nb、 Ti、 NiCrOx、或NbOx等。 实施例l，本发明的多层介质膜层采用TiOx/SnOy/ZnO:Al，阻挡层的膜层
采用NiCrOx，构成本发明的膜结构为玻璃/TiOx/SnOy/ZnO:Al/Ag/NiCrOx/
TiOx/SnOy/ZnO:Al/Ag/NiCrOx/TiOx/SnOy/ZnO:Al/Si:凡。本应用实例的生产工
艺为
(1) 基片清洗；
(2) 进入真空溅射区；
(3) 双旋转阴极，TiOx陶瓷靶材，中频反应磁控溅射沉积TiOx膜层，膜厚 10-15nm;
(4) 双旋转阴极，Sn金属靶材，中频反应磁控溅射沉积SnOy膜层，膜厚 10-15nm;
(5) 双旋转阴极，ZnO:Al陶瓷靶材(Al含量2wt。/。)，中频反应磁控溅射沉积 ZnO:Al膜层，膜厚10-15nm;
(6) 单靶桶旋转阴极，直流磁控溅射沉积Ag层，膜厚ll-13nm;
(7) 单靶桶旋转阴极，直流磁控溅射沉积NiCr0x层，膜厚3-8nm;
(8) 双旋转阴极，Ti0x陶瓷靶材，中频反应磁控溅射沉积TiOx膜层，膜厚 10-15nm;
(9) 双旋转阴极，Sn金属靶材，中频反应磁控溅射沉积Sn0y膜层，膜厚 10-15nm;
(10) 双旋转阴极，Zn0:Al陶瓷靶材(Al含量2wt。/。)，中频反应磁控溅射沉积 ZnO:Al膜层，膜厚10-15nm;
m)单靶桶旋转阴极，直流磁控溅射沉积Ag层，膜厚ll-13mn;
(12) 单靶桶旋转阴极，直流磁控溅射沉积NiCr0x层，膜厚3-8nm;
(13) 双旋转阴极，Ti0x陶瓷靶材，中频反应磁控溅射沉积Ti0x膜层，膜厚 10-15nm;(14) 双旋转阴极，Sn金属靶材，中频反应磁控溅射沉积Sn0y膜层，膜厚 10-15nm;
(15) 双旋转阴极，ZnO:Al陶瓷靶材(Al含量2wt90，中频反应磁控溅射沉积 ZnO:Al膜层，膜厚10-15nm;
(16) 双旋转阴极，SiAl陶瓷靶材，中频反应磁控溅射沉积Si美膜层，膜厚 20-25nm;
按上述膜结构和生产工艺，在6mm厚度的玻璃上镀膜出的双银低辐射产品 的基本参数是透过率81%;遮阳系数0.4。参阅图1和图2。
实施例2，本发明所述多层介质膜层1、 2或3的组成也可以是 Sn0y/Si:,N4/Sn0y、 Zn0x/Sn0y/Zn0x、 Ti0x/Sn0y/Ti0x、或Nb0y/Si3NVNb0y等， 所述多层介质膜层l、 2和3既可以是相同的上述任意一种膜结构，也可以是不 同的上述任意2种或3种膜结构。所述阻挡层1、或2的膜层可以采用NiCr、 Nb、 Ti、 NiCr0x、或Nb0x等。所述阻挡层1、或2的膜层既可以是相同的上述 任意一种膜结构，也可以是不同的上述任意2种膜结构。所述基片采用的材质 可包括玻璃、塑料及其它软基片等可供成膜的材料。参阅图1和图2，其余同实 施例1。
权利要求
1、一种多层介质双银层低辐射膜，其特征在于其膜结构为基片/多层介质膜层1/Ag层/阻挡层/多层介质膜层2/Ag层/阻挡层/多层介质膜层3/Si3N4。
2、 根据权利要求1所述的多层介质双银层低辐射膜，其特征是所述多 层介质膜层l、 2或3的组成模式包括Ti0x/Sn0y/Zn0:Al、 Sn0y/Si晶/Sn0y、 Zn0x/Sn0y/Zn0x、 Ti0x/Sn0y/Ti0x、或Nb0y/Si3N4/Nb0y。
3、 根据权利要求2所述的多层介质双银层低辐射膜，其特征是所述多 层介质膜层l、 2和3采用相同的膜结构，即均采用相同的任意一种膜结构。
4、 根据权利要求2所述的多层介质双银层低辐射膜，其特征是所述多 层介质膜层1、 2和3采用不同的膜结构，即所述多层介质膜层1、 2和3分别 采用包括 TiOx/SnOy/ZnO:Al 、 Sn0y/Si3N4/Sn0y 、 Zn0x/Sn0y/Zn0x 、 TiOx/SnOy/TiOx、或NbOy/Si3N4/NbOy中的任意2种或3种膜结构。
5、 根据权利要求1所述的多层介质双银层低辐射膜，其特征是所述阻 挡层l、或2的膜层材质包括NiCr、 Nb、 Ti、 NiCrOx、或NbOx。
6、 根据权利要求5所述的多层介质双银层低辐射膜，其特征是所述阻 挡层1、或2的膜层材质采用相同的膜结构，即均采用相同的任意一种膜结构。
7、 根据权利要求5所述的多层介质双银层低辐射膜，其特征是所述阻 挡层1、或2的膜层材质采用不同的膜结构，即所述阻挡层1、或2的膜层材 质分别采用包括NiCr、 Nb、 Ti、 NiCrOx、或NbOx中的任意2种膜结构。
8、 根据权利要求1所述的多层介质双银层低辐射膜，其特征是所述基 片的材质包括玻璃、或塑料。
9、 一种用于权利要求1所述多层介质双银层低辐射膜的生产工艺，其特 征在于运用真空磁控溅射镀膜方法生产出双银低辐射镀膜产品，具体工艺步骤 如下-(1) 基片清洗；(2) 进入真空溅射区；(3) 双旋转阴极，Ti0x陶瓷靶材，中频反应磁控溅射沉积TiOx膜层，膜厚 10-15nm;(4) 双旋转阴极，Sn金属靶材，中频反应磁控溅射沉积Sn0y膜层，膜厚 10-15mn;(5) 双旋转阴极，ZnO:Al陶瓷靶材(Al含量2wt90，中频反应磁控溅射沉积 ZnO:Al膜层，膜厚10-15nm;(6) 单靶桶旋转阴极，直流磁控溅射沉积Ag层，膜厚ll-13nm;(7) 单靶桶旋转阴极，直流磁控溅射沉积NiCrOx层，膜厚3-8nm;(8) 双旋转阴极，Ti0x陶瓷靶材，中频反应磁控溅射沉积TiOx膜层，膜厚 10-15nm;(9) 双旋转阴极，Sn金属靶材，中频反应磁控溅射沉积Sn0y膜层，膜厚 10-15nm;卿双旋转阴极，ZnO:Al陶瓷靶材(Al含量2wtQ/0，中频反应磁控溅射沉积 Zn0:Al膜层，膜厚10-15nm;(11) 单靶桶旋转阴极，直流磁控溅射沉积Ag层，膜厚ll-13nm;(12) 单靶桶旋转阴极，直流磁控溅射沉积NiCr0x层，膜厚3-8nm;(13) 双旋转阴极，Ti0x陶瓷靶材，中频反应磁控溅射沉积Ti0x膜层，膜厚 10-15nm;(14) 双旋转阴极，Sn金属靶材，中频反应磁控溅射沉积Sn0y膜层，膜厚 10-15nm;(15) 双旋转阴极，ZnO:Al陶瓷靶材(Al含量2wt。/。)，中频反应磁控溅射沉积 ZnO:Al膜层，膜厚10-15nm;(16) 双旋转阴极，SiAl陶瓷靶材，中频反应磁控溅射沉积Si3N4膜层，膜厚 20-25nm。
全文摘要
一种多层介质双银层低辐射膜及其生产工艺，它属于一种双银层低辐射膜及生产工艺。它主要是解决现有双银层低辐射膜产品不能同时兼顾透过率和遮阳系数两个指标等技术问题。其技术方案要点是它通过运用真空磁控溅射镀膜方法生产出双银低辐射镀膜产品基片/多层介质膜层1/Ag层/阻挡层/多层介质膜层2/Ag层/阻挡层/多层介质膜层3/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>的膜产品。所述多层介质膜层1、2或3的组成模式包括TiOx/SnOy/ZnO:Al、SnOy/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>/SnOy、ZnOx/SnOy/ZnOx、TiOx/SnOy/TiOx、或NbOy/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>/NbOy。它具有较高的透过率，同时具有较低的遮阳系数，且便于外观颜色和室内颜色的调整。它可广泛应用于建筑领域和车船窗户风挡玻璃等领域；也可镀制在软基片上，作为贴膜之用。
文档编号C23C14/06GK101417520SQ20081014334
公开日2009年4月29日 申请日期2008年10月17日 优先权日2008年10月17日
发明者李国强, 理 陈 申请人:湖南玉丰真空科学技术有限公司