专利名称：等离子体产生设备、沉积设备和沉积方法
技术领域：
0001本发明涉及一种等离子体产生设备、使用该等离子体产生
设备的沉积设备以及使用该沉积设备的沉积方法。
背景技术：
00021近年来，对于大量生产诸如液晶显示器(LCD)或等离子 体显示器面板(PDP)的使用大显示器基板的显示器装置有很强的需 求。等离子体束中的电极由于待产生的等离子体束的较高的放 电阻抗而可以具有较高的能量，并因此可以增加沉积速率。为了增加 放电阻抗，例如，必须减小膜形成期间的压力，或者必须减小待引入 到等离子体枪中的Ar气的流量。
图1是本发明的沉积方法中采用的沉积设备10的示例的侧 视图。图2是图1中所示的沉积设备10的俯视图。图2示出从图1 中的箭头X的方向看到的状态，并且图l示出从图2中的箭头Y的方 向看到的状态。容纳挥发性材料31的盘32布置在沉积设备10的沉积室30中的下部处。沉积室30可以被抽成真空。进行沉积的基板33 (例如， 用于显示器的大玻璃基板)布置在沉积室30中的上部处以与挥发性材 料盘32相对。当连续地使用挥发性材料31在基板33上形成膜时，基 板33由基板支架(未示出)支持的同时在距盘32预定距离处被连续 地运输，如箭头43指示。虽然已经参照典型实施例说明本发明，但应理解本发明不 限制于所公开的典型实施例。下述权利要求的范围将与最广泛解释一 致，从而包含所有这些修改和等同结构以及功能。
权利要求
1.一种等离子体产生设备，其从等离子体枪发射等离子体束并且之后通过布置成将所述等离子体束夹在中间的一对相对的第一磁体而使所发射的等离子体束变形，所述等离子体产生设备包括布置在所述等离子体枪和所述第一磁体之间的至少一个第二磁体，所述至少一个第二磁体包括所发射的等离子体束通过的孔以及从所述孔沿着与所发射的等离子体束垂直的方向向外延伸的磁体部分，并且所述至少一个第二磁体形成的磁场包括从所述孔到达外部或者从外部到达所述孔的磁力线，其中所述至少一个第二磁体使所发射的等离子体束集中。
2. 根据权利要求l所述的等离子体产生设备，其中所述第二磁体 包括形成为使得在所述孔中具有相同磁极的环形永久磁体和环形电磁 体之一。
3. 根据权利要求l所述的等离子体产生设备，其中所述第二磁体 由冷却剂流过的传导构件支承。
4. 一种用于在沉积靶上形成膜的沉积设备，其包括根据权利要求 1至3中任一项所述的等离子体产生设备。
5. —种使用根据权利要求4所述的沉积设备在沉积靶上形成膜的 ; 冗积方法。
6. 根据权利要求5所述的方法，其中所形成的膜包括MgO膜。
全文摘要
本发明涉及一种等离子体产生设备、沉积设备和沉积方法，其从等离子体枪(20)发射等离子体束(25)并且之后通过布置成将等离子体束(25)夹在中间的一对相对的第一磁体(27、29)而使发射的等离子体束(25)变形。该等离子体产生设备包括布置在等离子体枪(20)和第一磁体(27、29)之间的至少一个第二磁体(11)，第二磁体包括等离子体束(25)通过的孔(12)以及从孔沿着与等离子体束(25)垂直的方向向外延伸的磁体部分，并且形成具有从孔(12)到达外部或者从外部到达孔(12)的磁力线的磁场。至少一个第二磁体(11)使发射的等离子体束集中。
文档编号C23C14/35GK101560643SQ200910134888
公开日2009年10月21日 申请日期2009年4月15日 优先权日2008年4月15日
发明者中河原均, 佐佐木雅夫, 斋藤友康, 森胁崇行 申请人:佳能安内华股份有限公司