基板处理设备的制造方法
【技术领域】
[0001]在此描述的发明构思的实施例涉及基板处理设备，尤其涉及使用等离子体来处理基板的设备。
【背景技术】
[0002]通常，等离子体是指由离子、电子、自由基等形成的电离气体。等离子体由极高温度、强电场或高频的电和磁场产生。
[0003]等离子体处理设备为将反应物转化为等离子态(plasma state)以将其沉积于半导体基板上，以及利用等离子态的反应物清洁、灰化(ash)或刻蚀半导体基板的设备。
[0004]半导体产业的发展使半导体设备能够具有大容量和高功能。因此，必须在狭窄的空间内集成更多构件。为此，半导体设备制造技术正在开发和研宄尺寸缩小(scale-down)和高度集成的模式。对于这种尺寸缩小和高度集成的模式，制造工艺中正在应用使用等离子体的干法刻蚀技术。在干法刻蚀技术中，反应气体被激活以转换成等离子态，然后反应气体的等离子态的正离子或自由基刻蚀半导体基板的预定区域。
[0005]特别是，电感親合等离子(Inductively Coupled Plasma，ICP)处理设备使用介电窗作为高频电能(power)的传送路径。在处理开始时或在处理的过程中，会产生处理结果彼此不同的事件，这是因为进行处理时，受腔室内的等离子体的影响，温度发生改变。
[0006]因此，在传统介电窗外的介电窗的周围提供有加热器以加热介电窗加热法。然而，在这种情况下，介电窗的中心区域受热小于介电窗的边缘部分，从而降低处理效率。
【发明内容】
[0007]本发明构思实施例提供一种基板处理设备，当使用等离子体处理基板时，该基板处理设备能够通过加热整个介电板提高工艺效率。
[0008]本发明构思实施例还提供一种基板处理设备，该基板处理设备能够通过精确控制介电板每个区域的温度使介电板的温度分布均匀。
[0009]本发明构思实施例的一个方面是直接提供一种基板处理设备，所述基板处理设备包括腔室、支撑单元、介电板、气体供应单元、天线和加热单元。所述腔室可在其内具有工艺空间，所述工艺空间的上表面可为开放的。所述支撑单元可设置在所述腔室中，且支撑基板。所述介电板可安装在所述腔室的开放的上表面上以覆盖所述开放的上表面。所述气体供应单元可供应所述腔室中的气体。所述天线可设置在所述介电板的上方，且可用所述气体产生等离子体。所述加热单元可设置在所述天线的上方，且可加热所述介电板。
[0010]所述加热单元可包括多个灯和辐射角限制单元，所述辐射角限制单元配置为限定从所述灯入射到所述介电板的光的辐射角。
[0011]所述辐射角限制单元可包括壳体，所述壳体具有围绕所述灯的侧部的侧壁，使得所述光不直接入射到所述天线上。
[0012]所述辐射角限制单元可包括壳体，所述壳体具有侧壁和上壁以提供底部开放的空间，其中所述灯设置在所述空间中。
[0013]所述壳体可配置为使得所述光不直接辐射到所述天线上。
[0014]所述壳体的内壁可由反射所述光的材料形成。
[0015]所述壳体和所述灯可形成为具有环形形状。
[0016]所述壳体可形成为基于水平轴是可旋转的。
[0017]反射构件可以是可拆卸的，且可安装在所述壳体的内表面上。
[0018]所述反射构件可包括第一反射构件和第二反射构件，所述第一反射构件和所述第二反射构件可形成为具有不同的反射角，并且，从所述第一反射构件和所述第二反射构件中选出的一个可安装在所述壳体上。
[0019]所述天线可包括第一天线和第二天线，所述第一天线配置为在所述腔室的中心区域产生所述等离子体；所述第二天线设置为与所述第一天线的外侧间隔开，且配置为在所述腔室的边缘区域产生所述等离子体。所述第一天线和第二天线可形成为具有环形形状。
[0020]所述加热单元可包括第一加热单元，所述第一加热单元放置于所述第一天线和所述第二天线之间的区域的上方。
[0021]所述加热单元还可包括置于所述第二天线的外侧的上方的第二加热单元。
[0022]所述加热单元还可包括放置于所述第一天线的内侧的上方的第三加热单元。
[0023]所述基板处理设备还可包括加热器，所述加热器配置为在所述介电板的侧部加热所述介电板。
【附图说明】
[0024]通过以下参照下面的附图的描述，上述内容和其它的目的和特征将变得显而易见，其中，除非另有规定，全部各附图中，相同的附图标记指代相同部件，其中
[0025]图1为根据本发明构思的示例性实施例的基板处理设备的剖视图；
[0026]图2为图1中介电板的立体图；
[0027]图3为示意性阐明图2的光如何辐射的示意图；
[0028]图4-图6为图2的天线和加热单元的平面图；
[0029]图7为根据本发明构思的另一个示例性实施例，示意性(schematically)阐明图2的加热单元的示意图；
[0030]图8和图9为根据本发明构思的再一个示例性实施例，示意性阐明图2的加热单元的示意图；
[0031]图1OA为根据本发明构思的示例性实施例，示意性阐明束缚在图8的壳体上的反射构件的示意图；
[0032]图1OB为根据本发明构思的另一个示例性实施例，示意性阐明束缚在图8的壳体上的反射构件的示意图；
[0033]图11为根据本发明构思的再一个示例性实施例，示意性阐明图2的加热单元的示意图。
【具体实施方式】
[0034]将参照附图详细描述实施例。然而，以各种不同形式体现的本发明构思，不应当被解释为仅限定于所示实施例O更确切些，这些实施例作为示例来提供，使得对于本领域技术人员而言，该公开是彻底且完整的，并充分地表达了本发明构思的范围。相应地，对于本发明构思的一些实施例，并没有描述已知工艺、构件和技术。除非另有说明，在全部附图和书面描述中，相同的附图标记表示相同的构件，因此将不会重复描述。在附图中，为清楚起见，层和区域的尺寸和相对尺寸可能被放大。
[0035]应当理解的是，虽然本文可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等以描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但是这些构件、组件、区域、层和/或部分不应受限于这些术语。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分从另一个区域、层或部分中区分出来。因此，在不脱离本发明构思教导的情况下，以下讨论的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
[0036]为了便于描述，本文可使用空间相对术语例如“在…下面(beneath) ”、“在…下方(below) ”、“下面的(lower) ”、“在…之下(under) ”、“在…上方(above) ”、“上面的(upper)，，等，以描述如附图中阐述的一个构件或特征与另一个(多个)构件或(多个)特征之间的关系。应当理解的是，除附图中描述的方位以外，空间相对术语意图包含设备在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的设备被倒置，描述为在其他构件或特征“下方(below)”或“下面(beneath)”或“之下(under) ”的构件将随之调整为在其他构件或特征的“上方”。因此，示例性术语“下方(below)”和“之下(under)”可包含上方和下方两个方位。设备可作其他调整(旋转90度或处于其他方位)，且本文使用的空间相对术语相应解释。此外，还应当理解的是，当层被称为在两层“之间”时，可为两层之间的唯一层，或者也可存在一个或多个插入层。
[0037]本文所用术语仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限定本发明构思。如本文使用的单数形式的“一个(a，an)”和“该/所述(the) ”旨在还包含复数形式，除非上下文清楚指出并非如此。还应当理解的是，在该说明书中使用术语“包含(comprises和/或comprising) ”时，指定存在所述特征、整体、步骤、操作、构件、和/或组件，但是不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、构件、组件、和/或以上的组合。如本文所用，术语“和/或”包括列出的一个或多个关联项目的任何和所有组合。此外，术语“示例性”的目的是指例子或实例。
[0038]应当理解，当构件或层被称为“在…上”、“连接至”、“耦合至”、或“邻近”另一个构件或层时，可为直接在…上、直接连接至、直接耦合至、或直接邻近另一个构件或层，或可存在插入构件或层。与此相反，当一个构件被称为“直接在…上”、“直接连接至”、“直接耦合至”、或“直接邻近”另一个构件或层时，不存在插入构件或层。
[0039]除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明构思所属领域的普通技术人员普遍理解的含义相同的含义。还应当理解