，术语，例如在常用词典中定义的那些，应解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的背景中的含义一致的含义，不能在理想或过于正式的意义中解释，除非本文明确定义如此。
[0040]图1为根据发明构思的示例性实施例的基板处理设备的剖视图。参见图1，基板处理设备10使用等离子体处理基板W。例如，基板处理设备10可对基板W执行刻蚀工艺。基板处理设备10包括腔室100、支撑单元200、介电板300、气体供应单元400、天线500和加热单元600。
[0041]腔室100提供执行基板处理工艺的空间。腔室100包括腔室壳体110和内衬130。
[0042]腔室壳体110具有上表面开放的空间。腔室壳体110的内部空间被提供作为执行基板处理工艺的空间。腔室壳体110可由金属材料形成。腔室壳体110可由铝材形成。腔室壳体I1可接地。腔室壳体110的底面形成有排气孔102。排气孔102与排气管线151连接。腔室壳体110的内部空间中的气体和在处理基板过程中停留产生的副产物通过排气管线151排出到外部。降低了腔室壳体110的内侧压力。
[0043]腔室壳体110内提供有内衬130。内衬130具有内部空间，该内部空间具有开放的上、下表面。内衬130可被提供具有圆柱体形状。内衬130具有对应于腔室壳体110的内表面的半径。内衬130沿腔室壳体110的内表面提供。内衬130保护腔室壳体110的内表面。例如，内衬130防止腔室壳体110的内表面被弧光放电损坏。此外，内衬130防止处理过程中产生的杂质沉积于腔室壳体110的内壁上。
[0044]支撑单元200设置在腔室壳体110中。支撑单元200支撑基板W。支撑单元200包括静电吸盘210，该静电吸盘使用静电力吸附基板W。与此相对照，支撑单元200可使用例如机械夹持器等的各种方式支撑基板W。以下，将描述包括静电吸盘210的支撑单元200。
[0045]支撑单元200包括静电吸盘210、绝缘板250和下盖270。支撑单元200设置为向上与腔室100中的腔室壳体110的底面间隔开。静电吸盘210包括内介电板220、电极223、内加热器225、支撑板230、以及聚焦环240。
[0046]内介电板220放置于静电吸盘210上。内介电板220由圆盘形介电质形成。基板W置于内介电板220的上表面上。内介电板220的上表面的半径小于基板W的半径。第一供应通道221形成于内介电板220处，用作用于传送热载体(heart transfer medium)至基板W的下表面的通道。电极223和内加热器225放置在内介电板220中。电极223放置于加热器225上。电极223与第一低电源223a电连接。施加于电极223的电流允许电极223和基板W之间产生静电力，基板W通过该静电力吸附在内介电板220上。内加热器225与第二低电源225a电连接。内加热器225抵抗自第二低电源225a施加的电流，以产生热。上述产生的热通过内介电板220传送到基板W。内加热器225产生的上述热使基板W能够保持在预定温度。内加热器225可包括螺旋形线圈。支撑板230设置在内介电板220之下。内介电板220的下表面和支撑板230的上表面由粘合剂236粘结。支撑板230包括第一循环通道231、第二循环通道232、和第二供应通道233。第一循环通道231用作循环热载体的通道。第二循环通道232用作循环冷却液的通道。第二供应通道233连接第一循环通道231和第一供应通道221。聚焦环240设置在静电吸盘210的边缘。聚焦环240具有环形形状。聚焦环240沿内介电板220的边缘设置以支撑基板W的边缘。绝缘板250设置于支撑板230的下面。绝缘板250由绝缘材料形成，使支撑板230和下盖270电绝缘。下盖270放置于支撑板200的下面。升降销模块(未示出)置于下盖270的内部空间中，该升降销模块用于将外部传送构件传送来的基板W发送到静电吸盘210。
[0047]气体供应单元400提供工艺气体至腔室壳体110内。气体供应单元400包括气体供应喷嘴410、气体供应管线420和气体存储单元430。气体供应喷嘴410安装于介电板300的中心。喷嘴形成于气体供应喷嘴410的下表面。喷嘴置于介电板300的底部，且供应工艺气体至腔室100。气体供应管线420连接气体供应喷嘴410和气体存储单元430。气体供应管线420将气体存储单元430中存储的工艺气体供应给气体供应喷嘴410。阀421安装于气体供应管线420上。阀421关闭和打开气体供应管线420，且调节通过气体供应管线420供应的工艺气体的流量。
[0048]图2为图1的介电板的立体图。图3为示意性阐明图2的光如何辐射的示意图。
[0049]参见图1至图3，介电板300覆盖腔室壳体110的开放的上表面。介电板300形成为板状形状且胶封住腔室壳体I1的内部空间。介电板300可包括介电窗。
[0050]介电板300保持腔室100的真空状态，并同时允许从天线500产生的电场传送到腔室100。从天线500产生的电场通过介电板300传送到腔室100，并与腔室100中的气体发生反应以产生等离子体。
[0051 ] 天线500设置在介电板300上。天线500将腔室100中的工艺气体激发为等离子态。天线500设置在天线室505中。
[0052]如图1至图3中所示，天线500通过多匝螺旋状线圈来实现。天线500包括第一天线510和第二天线520。第一天线510设置在介电板300的上部中心。第一天线510在腔室100的中心区域产生等离子体。第二天线520设置在第一天线510的外侧以与第一天线510间隔开，第二天线520在腔室100的边缘产生等离子体。第一天线510和第二天线520形成为具有环形形状。与此相对照，天线的形状和数量可不同程度的改变。
[0053]天线室505具有圆柱体形状，该圆柱体形状的底部开放。天线室505包括内部空间。天线室505被配置为直径对应于腔室100的直径。天线室505的下部被配置为可从介电板300上拆卸。
[0054]等离子体电源530与天线500连接。天线500被供应来自于等离子体电源530的电能。例如，高频电能可施加于天线500。如果被供应高频电能，天线500用气体供应单元400供应的工艺气体产生等离子体。等离子体电源530放置于腔室100的外部。当被供应高频电能时，天线500在腔室100的处理空间内形成电场。电场允许工艺气体被激发成等离子态。
[0055]参见图1至图3，加热单元600设置在天线500上方。加热单元600加热介电板300。加热单元600使介电板300的温度保持在恒定的高温水平。加热单元600包括第一加热单元610，第二加热单元620和第三加热单元630。
[0056]图4至图6为图2的天线和加热单元的平面图。
[0057]参见图4，加热单元600配置为使第一加热单元610和第二加热单元620 —起放置。第一加热单元610放置于第一天线510和第二天线520之间的区域的上方。第二个加热单元620放置于第二天线520外侧的上方。如图3所示，第一加热单元610放置在第一天线510和第二天线520之间，并加热介电板300在第一天线510和第二天线520之间的区域下方的区域A。第二加热单元630加热第二天线520的外部区域B。在图4中，本发明构思实施例的示例为，四个第一加热单元610彼此间隔开，四个第二加热单元620中的每个设置在彼此邻近的两个第一加热单元610之间。然而，第一加热单元610和第二加热单元620的数量、布局、和/或形状可不同程度的改变。例如，第一加热单元610和第二加热单元620中每个可包括一个具有环形形状的灯。
[0058]参见图5，加热单元600仅仅由第一加热单元610形成，不包括第二加热单元620。第一加热单元610设置和配置成与图4中的第一加热单元610大致相同。
[0059]参见图6，除第一加热单元610和第二加热单元620之外，加热单元600还包括第三加热单元630。第一加热单元610和第二加热单元620设置和配置成与图4中的第一加热单元610以及第二加热单元620大致相同。第三加热单元630设置在第一天线510内侧的上方。在图6中，本发明构思的实施例的示例为，第三加热单元630的数量为“I”。然而第三加热单元630的形状和数量可改变。可选地，第三加热单元630可省略。
[0060]参见图3，如上所述，加热单元600独立加热介电板300的中心区域A和边缘区域B，从而使得能够精确地控制介电板300的整个区域的温度，无需使用电能RF (RFpower-based)热源。因此，除直接被高频电能加热的区域(不包括A和B)外，加热单元600的热源在介电板300其余区域A和B具有两个热源:加热单元600加倍控制温度。这种结构可允许大面积介电板300