专利名称：抛光装置及其异常处理方法
技术领域：
本发明涉及半导体器件及制造领域，特别涉及一种抛光装置及其异常处理方法。
背景技术：
随着半导体产业的不断发展，半导体制作工艺已经进入纳米时代，在进行超大规模集成电路芯片的生产时，需要在几平方厘米的芯片面积上形成数千万个晶体管和数千万条互连线，而多层金属技术使单个集成电路中百万晶体管和支持元件的内部互连成为可能。而化学机械抛光(CMP，Chemical Mechanical Polishing)则成为实现多层金属技术的主要平坦化技术。化学机械抛光(CMP,Chemical Mechanical Polishing)工艺由 IBM 于 1984 年引入集成电路制造工业，并首先用在后道工艺的金属间绝缘介质(IMD，Inter Metal Dielectric)的平坦化，然后通过设备和工艺的改进用于钨的平坦化，随后用于浅沟槽隔离 (STI)和铜的平坦化。化学机械抛光为近年来IC制程中成长最快、最受重视的一项技术。化学机械抛光的机理是表面材料与研磨料发生化学反应生成一层相对容易去除的表面层，所述表面层通过研磨料中研磨剂和研磨压力与抛光垫的相对运动被机械地磨去。特别地，在对金属材料进行CMP时，研磨料与金属表面接触并产生金属氧化物，并通过研磨去除所述金属氧化物以达到抛光的效果。但是，当金属材料的表面(尤其是铝和铜) 长时间暴露在去离子水或研磨液中时，极易发生腐蚀而而导致器件失效。目前的化学机械抛光工艺过程已经完全实现了电脑精确控制，在化学机械抛光设备工作过程中，如果出现非正常的情况，例如压力、转速等异常，抛光设备会自动停止工作并且发出报警，等待设备工程师来处理，在等待的这段时间内，未完成化学机械抛光的晶圆 (包括处于研磨中的晶圆以及处于研磨后清洗中的晶圆)一直停留在研磨液或清洗液(一般为去离子水)中，导致晶圆上的金属材料的表面被腐蚀，从而影响了晶圆的质量。关于化学机械抛光可参考申请号为US20050112894A1的美国专利，该专利公开了一种形成铝金属层的抛光研磨液、用该研磨液进行抛光的方法、用所述抛光方法形成铝布线的方法。
发明内容
本发明解决的问题是抛光装置对晶圆的抛光过程中因异常情况产生报警并停止工作，从而使所述抛光装置中的晶圆的表面长时间接触研磨液或清洗液，导致晶圆上的金属材料的表面被腐蚀而导致器件失效。为解决上述问题，本发明提供一种抛光装置，包括研磨机构、清洗机构、报警单元、处理单元，所述报警单元，当抛光过程中因异常产生报警时，发送报警信号给所述处理单元；所述处理单元，基于接收到的所述报警信号以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行处理。可选的，所述报警产生于所述研磨机构，所述报警单元发送的所述报警信号为第一报警信号，所述处理单元以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行处理包括以所述有机酸溶液对所述研磨机构中的晶圆进行处理。可选的，所述报警产生于所述清洗机构，所述报警单元发送的所述报警信号为第二报警信号，所述处理单元以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行处理包括以所述有机酸溶液对所述研磨机构以及所述清洗机构中的晶圆进行处理。可选的，所述抛光装置还包括研磨头清洗及晶圆装卸机构，所述处理单元以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行处理还包括以所述有机酸溶液对所述研磨头清洗及晶圆装卸机构中的晶圆进行处理。可选的，所述处理单元以有机酸溶液对所述研磨机构中的晶圆进行的处理包括 将经过所述研磨机构研磨处理后的晶圆置于盛有所述有机酸溶液的隔离槽中。可选的，所述处理单元以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行的处理包括 向所述晶圆喷射所述有机酸溶液。可选的，所述处理单元在接收到所述报警信号后的第一处理时间内，持续向所述晶圆喷射所述有机酸溶液。可选的，所述第一处理时间为1至5分钟。可选的，所述处理单元向所述晶圆喷射有机酸溶液的流速大于1000毫升/分钟。可选的，所述处理单元在所述第一处理时间后至所述报警解除前的第二处理时间内，间隔地向所述晶圆喷射所述有机酸溶液。可选的，所述间隔的时间为所述第一处理时间的20% 90%。可选的，所述处理单元向所述晶圆喷射所述有机酸溶液的流速大于500毫升/分钟。可选的，所述有机酸为草酸、丙二酸、丁二酸、顺丁烯二酸、邻苯二甲酸或氨基酸。可选的，所述有机酸溶液的浓度为0. 01 10wt%。为解决上述问题，本发明还提供一种抛光装置的异常处理方法，包括当抛光过程中因异常产生报警时，发送报警信号；基于接收到的所述报警信号以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行处理。可选的，所述报警产生于所述抛光装置的研磨机构，所述报警信号为第一报警信号，所述以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行处理包括以所述有机酸溶液对所述抛光装置的研磨机构中的晶圆进行处理。可选的，所述报警产生于所述抛光装置的清洗机构，所述报警信号为第二报警信号，所述以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行处理包括以所述有机酸溶液对所述抛光装置的研磨机构以及清洗机构中的晶圆进行处理。可选的，所述以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行处理还包括以所述有机酸溶液对所述抛光装置的研磨头清洗及晶圆装卸机构中的晶圆进行处理。可选的，所述以有机酸溶液对所述研磨机构中的晶圆进行的处理包括将经过所述研磨机构研磨处理后的晶圆置于盛有所述有机酸溶液的隔离槽中。可选的，所述以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行的处理包括向所述晶圆喷射所述有机酸溶液。可选的，接收到所述报警信号后的第一处理时间内，持续对所述晶圆喷射所述有
5机酸溶液。可选的，所述第一处理时间为1至5分钟。可选的，所述向所述晶圆喷射有机酸溶液的流速大于1000毫升/分钟。可选的，在所述第一处理时间后至所述报警解除前的第二处理时间内，间隔地向所述晶圆喷射所述有机酸溶液。可选的，所述间隔的时间为所述第一处理时间的20% 90%。可选的，所述向所述晶圆喷射所述有机酸溶液的流速大于500毫升/分钟。可选的，所述有机酸为草酸、丙二酸、丁二酸、顺丁烯二酸、邻苯二甲酸或氨基酸。可选的，所述有机酸溶液的浓度为0. 01 10wt%。与现有技术相比，本发明具有以下优点当抛光装置在对晶圆进行抛光过程中因异常情况产生报警时，通过所述报警单元发送报警信号给所述处理单元，由其以有机酸溶液对抛光装置上的晶圆进行处理，从而避免了所述晶圆的表面因长时间接触研磨液或清洗液而导致晶圆上的金属材料的表面被腐蚀，由此提高了晶圆的质量。
图1是本发明提供的抛光装置的一种实施例示意图；图2是本发明提供的抛光装置的另一种实施例示意图；图3是本发明提供的抛光装置的异常处理方法的流程示意图。
具体实施例方式为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式
的限制。现有技术的抛光装置一般主要包括研磨机构、清洗机构以及研磨头清洗及晶圆装卸机构(HCLU，Head Clean Load/Unload)，当然，还包括将晶圆在各机构之间传递的传动机构，例如传送带、机械手等装置。整个抛光过程一般分为研磨和清洗两个步骤，前者主要由所述研磨机构完成，后者主要由所述清洗机构完成。所述研磨机构主要由研磨台(platen)、 研磨头(抛光头)、设置于所述研磨台上的研磨垫、研磨液喷头组成。研磨步骤中，由所述 HCLU将需要进行抛光处理的晶圆送入所述研磨机构进行研磨，具体地，以对金属材料进行抛光处理为例，所述研磨液喷头向所述研磨垫上喷射包含研磨剂的研磨液，所述研磨头真空吸附住所述晶圆，置于所述研磨垫上的所述研磨液中，所述研磨剂将晶圆的金属表面氧化形成金属氧化物，由所述研磨头施以向下的压力，并由所述研磨台带动所述研磨垫转动 (研磨头也可以与所述研磨台反方向转动)，晶圆表面的金属氧化物通过压力与研磨垫的相对运动被机械地磨去。由所述研磨机构进行研磨处理后的晶圆再通过所述HCLU取出并送入所述清洗机构进行清洗。所述清洗机构(例如清洗槽、清洗刷等)一般采用去离子水对晶圆进行清洗以消除晶圆表面上的微小擦痕、颗粒(研磨剂颗粒、研磨后产生的颗粒等)以及其他化学沾污物。如背景技术中所述，现有技术的抛光装置在工作过程中，通过电脑(该电脑也可作为所述抛光装置的一部分)对其工作状态进行检测，如果出现非正常的情况，例如研磨头的压力、转速等出现异常，抛光装置会自动停止工作并且发出报警，等待设备工程师来处理。所述报警既可能发生在所述研磨机构中，也可能发生在所述清洗机构中，如果报警产生于所述研磨机构，则位于所述研磨台上的晶圆将停止研磨处理，在警报解除前(设备工程师处理前)将一直被置于所述研磨液的环境中，而位于所述清洗机构的晶圆则完成清洗后放回晶圆盒；如果报警产生于所述清洗机构，则位于所述清洗机构的晶圆则停止清洗处理， 在警报解除前将一直被置于清洗液(一般为去离子水)的环境中，而位于所述研磨机构的晶圆则完成研磨后通过所述HCLU置于一盛有去离子水的隔离槽中。在等待设备工程师来处理的这段时间内，无论是位于所述研磨机构中的晶圆还是位于所述清洗机构中的晶圆都一直停留在研磨液或清洗液(一般为去离子水)的环境中， 而发明人发现，由于在对晶圆的金属材料进行抛光时，还会暴露出晶圆上的阻挡层(与金属材料一同抛光)，该阻挡层的材料一般为钽(Ta)或氮化钽(TaN)，与所述金属材料(一般为铝和铜)具有不同特性，如果所述金属材料(特别是铝和铜)长时间处于研磨液或清洗液等电解质溶液中极易发生电化腐蚀(galvanic corrosion)，导致晶圆上的金属材料的表面被腐蚀。所述电化腐蚀通常指不纯的金属(或合金)接触到电解质溶液所发生的原电池反应，比较活泼的金属原子失去电子而被氧化所引起的腐蚀。为了避免抛光装置对晶圆的抛光过程中因异常情况产生报警时，使晶圆上的金属材料长时间接触研磨液或清洗液而导致所述金属材料的表面被腐蚀，本发明提供了一种抛光装置。下面结合附图，以具体实施例对本发明提供的抛光装置作详细说明。图1是本发明提供的抛光装置的一种实施例示意图。如图1所示，所述抛光装置包括研磨机构103、清洗机构104、研磨头清洗及晶圆装卸机构(HCLU) 102以及干燥机构106。当然，所述抛光装置还包括在各机构之间进行传递的传动机构(例如传送带、机械手等装置)，在本实施例中不作详细描述。由于实际实施时，一方面为了加快晶圆的抛光速度，将晶圆置于多个研磨台上进行研磨处理，另一方面，不同的研磨台可能具有不同材质的研磨垫，分别用于对晶圆上的不同材料进行研磨，因此可能出现某片晶圆需要在不同的研磨台上进行研磨处理。图1示出了所述研磨机构103包含的三个研磨台，分别是研磨台103a、研磨台103b、研磨台103c， 具体实施时，通过所述研磨头清洗及晶圆装卸机构102将晶圆101装入所述研磨机构103 的某个研磨台，经研磨处理之后的晶圆101再通过所述研磨头清洗及晶圆装卸机构102由传动机构送入所述清洗机构104进行清洗处理，经过清洗处理后的晶圆101再经干燥机构 106干燥处理后放回晶圆盒。本实施例中所述的研磨处理为对晶圆的金属材料(例如为铝、 铜)进行的研磨处理。所述抛光装置还包括报警单元10、处理单元20，所述报警单元10，当抛光过程中因异常产生报警时，发送报警信号给所述处理单元20;所述处理单元20，基于接收到的所述报警信号以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行处理。在具体实施例中，所述报警单元10和处理单元20既可以为所述抛光装置的软件控制系统，控制相关硬件装置进行工作，所述报警单元10和处理单元20也可以包括在软件控制系统控制下完成相应工作的硬件装置。在所述研磨机构103、清洗机构104上都设置有报警装置，可以包括异常监测装置和警示装置，所述异常监测装置对抛光装置的工作情况进行监测，例如对研磨头的压力、转速等进行实时检测并发回检测到的数据。当监测到所述抛光装置(研磨机构103、清洗机构104)出现非正常的情况时，触发所述警示装置发出报警以通知设备工程师前来处理。所述报警装置可以包含于所述报警单元10之中。所述研磨机构103通过所述异常监测装置将检测到的数据发送给所述报警单元10，若发现异常，则由其包括的所述警示装置发出报警(报警产生于所述研磨机构103的情况)，所述报警单元10向所述处理单元20发送所述报警信号；所述清洗机构104通过所述异常监测装置将检测到的数据发送给所述报警单元 10，若发现异常，则由其包括的所述警示装置发出报警(报警产生于所述清洗机构104的情况)，所述报警单元10向所述处理单元20发送所述报警信号。具体实施例中，所述有机酸溶液中的有机酸可以为草酸、丙二酸、丁二酸、顺丁烯二酸、邻苯二甲酸或氨基酸，所述有机酸溶液的浓度为0.01 IOwt % (重量/质量百分比)。所述处理单元20以有机酸溶液对所述晶圆进行处理的方式既可以是通过一喷射头向所述晶圆喷射所述有机酸溶液，也可以将所述晶圆放置于盛有所述有机酸溶液的隔离槽中，上述处理方式将在下面详细说明。所述报警既可能产生于所述研磨机构103中，也可能产生于所述清洗机构104中。 若所述报警产生于所述研磨机构103，则所述报警单元10向所述处理单元20发送的所述报警信号为第一报警信号，所述处理单元20接收到所述第一报警信号后，以所述有机酸溶液对所述研磨机构103和所述研磨头清洗及晶圆装卸机构102中的晶圆进行处理。具体地， 所述处理单元20控制所述研磨机构103的喷射头向所述研磨台上的晶圆喷射出所述有机酸溶液，另外，所述处理单元20还可以控制所述研磨头清洗及晶圆装卸机构102中的喷射头向处于该机构中的晶圆(具体为经研磨处理后但未放入所述清洗机构104的晶圆)喷射所述有机酸溶液。这样既可以去除所述晶圆表面的研磨液(包括研磨剂颗粒)、研磨后产生的颗粒等，也可以使晶圆处于所述有机酸的环境中(在该有机酸环境中不易发生腐蚀)，相当于在所述晶圆的金属材料表面形成了保护层，从而避免所述金属材料表面受到腐蚀。至于所述清洗机构104，将正在处理的晶圆清洗后，送入所述干燥机构106进行干燥处理后放回晶圆盒，至此，由于所述研磨机构103已停止工作，也就没有经研磨处理后的晶圆需要清洗，因此，所述清洗机构104也停止工作。若所述报警产生于所述清洗机构104，则所述报警单元10向所述处理单元20发送的所述报警信号为第二报警信号，所述处理单元20接收到所述第二报警信号后，控制所述研磨机构103、所述清洗机构104以及所述研磨头清洗及晶圆装卸机构102以所述有机酸溶液对所述研磨机构103、所述清洗机构104以及所述研磨头清洗及晶圆装卸机构102中的晶圆进行处理。所述清洗机构104 —般使用刷洗器(scrubbing brush)对晶圆进行清洗，所述刷洗器选材一般是聚乙烯醇(PVA)，清洗过程中多孔海绵状呈挤压状态，可同时与PH值 2 12的化学溶液一同使用，例如去离子水，通过向晶圆喷射液体和刷洗同时进行。具体地，所述处理单元20接收到所述第二报警信号后，对所述清洗机构104中的晶圆进行的处理可以通过所述刷洗器喷射出所述有机酸溶液。另外，也可以通过所述研磨头清洗及晶圆装卸机构102中的喷射头向处于该机构中的晶圆(具体为经研磨处理后但未放入所述清洗
8机构104的晶圆)喷射所述有机酸溶液。喷射所述有机酸溶液的作用如上所述。当所述处理单元20以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行的处理为向所述晶圆喷射所述有机酸溶液的方式时，例如上述的通过所述研磨机构103的喷射头向所述研磨台上的晶圆喷射出所述有机酸溶液、通过所述研磨头清洗及晶圆装卸机构102中的喷射头向处于该机构中的晶圆喷射所述有机酸溶液、通过所述清洗机构104的所述刷洗器向处于该机构中的晶圆喷射出所述有机酸溶液。在所述处理单元20以喷射的方式对所述晶圆进行处理时，本发明提供了两个喷射阶段第一阶段，当所述处理单元20在接收到所述报警信号后的第一处理时间内，持续向所述晶圆喷射所述有机酸溶液，并且喷射的流速大于1000毫升/分钟。由于在所述第一处理时间内是持续喷射所述有机酸的，因此，第一阶段喷射所述有机酸的时间即为所述第一处理时间。在本实施例中，所述第一处理时间优选为1至5分钟。通过接收到所述报警信号后的最初一段时间内(所述第一处理时间)持续、高速地喷射所述有机酸溶液，可以充分、快速地去除所述晶圆表面的研磨液(包括研磨剂颗粒)、研磨后产生的颗粒等，也可以使晶圆充分、快速处于所述有机酸的环境中，从而可以及时有效地避免所述金属材料表面受到腐蚀。第二阶段，当所述处理单元20在所述第一处理时间后至所述报警解除前的第二处理时间内，间隔地向所述晶圆喷射所述有机酸溶液，并且喷射的流速大于500毫升/分钟。所述间隔的时间优选为所述第一处理时间的20 % 90 %，而所述处理单元20每次向所述晶圆喷射所述有机酸溶液的时间可以是相同的，即为所述第一处理时间与所述间隔的时间之差(即所述处理单元20向所述晶圆喷射所述有机酸溶液的时间对应为所述第一处理时间的10% 80% )，当然，所述处理单元20每次向所述晶圆喷射所述有机酸溶液的时间也可以是不同的。出于控制方式简单的考虑，本实施例中优选为所述处理单元20每次向所述晶圆喷射所述有机酸溶液的时间是相同的。下面以所述第一处理时间为1分钟、所述间隔的时间为所述第一处理时间的90%为例进行说明，当所述处理单元20向所述晶圆喷射所述有机酸溶液持续喷了 1分钟后，间隔了讨秒钟(1分钟*90% )之后，再向所述晶圆喷
射6秒钟(1分钟秒钟)的所述有机酸溶液，再间隔M秒钟，再喷射6秒钟......直
至设备工程师将警报解除为止。当然，也可以在所述处理单元20向所述晶圆喷射所述有机酸溶液持续喷了 1分钟后，再接着喷射6秒钟，然后间隔M秒钟，再喷射6秒钟，再间隔M
秒钟......直至警报解除为止。当然，也存在如下的特例如果在所述第一处理时间内已
经将警报解除，则也不存在所述第二处理时间了 ；或者所述第二处理时间很短，甚至没有所述间隔的时间。上述特例包括于本实施例中。由于在第一阶段喷射过程中，已经基本上能去除所述晶圆表面的研磨液(包括研磨剂颗粒)、研磨后产生的颗粒等，也可以使晶圆充分、 快速处于所述有机酸的环境中，之后的第二阶段喷射只需要喷射较短的时间，并且以相对于第一阶段喷射的流速小很多的流速进行喷射，起到将晶圆维持在所述有机酸溶液的环境中并进一步去除所述晶圆表面的研磨剂颗粒、研磨后产生的颗粒以及其他化学沾污物。这样，可以在达到避免晶圆的金属材料表面受到腐蚀的同时节省有机酸溶液的成本的目的。当所述处理单元20接收到所述第二报警信号后，所述处理单元20以有机酸溶液对所述研磨机构103中的晶圆进行的处理还包括将经过所述研磨机构103研磨处理后的晶圆置于盛有所述有机酸溶液的隔离槽105中。具体地，将经过所述研磨机构103研磨处理后的晶圆置于所述研磨头清洗及晶圆装卸机构102后，再由所述传动机构将所述晶圆放置于盛有所述有机酸溶液的隔离槽105中。这样主要可以使所述晶圆处于所述有机酸的环境中，避免晶圆的金属材料表面受到腐蚀。待报警解除后，所述抛光装置重新工作，所述隔离槽105中的晶圆会被送入所述清洗机构104进行清洗处理，届时，所述晶圆表面的有机酸溶液会被去离子水洗掉。现有技术中，在报警产生于抛光装置的研磨机构时，虽然也将处于所述研磨机构中的晶圆完成研磨后置于一盛有去离子水的隔离槽中，但是，所述晶圆去离子水的环境下，其金属材料的表面仍然会被腐蚀，本发明将所述隔离槽105中盛满所述有机酸溶液则可以解决这一问题。现有技术中，所述报警装置可包括于一控制单元(例如对抛光装置进行控制的电脑)中，所述控制单元基于所述异常监测装置检测到的数据，控制抛光装置的各机构停止工作，并通过所述警示装置发出报警。因此，在其他实施例中，可以通过所述控制单元来获取抛光装置中哪个机构发生异常。图2是本发明提供的抛光装置的另一种实施例示意图。 如图2所示，所述抛光装置与上一种实施例中有所区别的是报警单元10’与控制单元30连接，所述报警装置设置于所述控制单元30，所述研磨机构103通过所述异常监测装置将检测到的数据发送给所述控制单元30，若发现异常，则由所述警示装置发出报警(报警产生于所述研磨机构103的情况)，并控制所述报警单元10’发送报警信号给所述处理单元20 ； 所述清洗机构104通过所述异常监测装置将检测到的数据发送给所述控制单元30，若发现异常，则由所述警示装置发出报警(报警产生于所述清洗机构104的情况)，并控制所述报警单元10’发送报警信号给所述处理单元20。另外，所述控制单元30还可接收抛光装置中其他机构(例如研磨头清洗及晶圆装卸机构102)的监测数据，并控制所述报警单元10’发送相应的报警信号给所述处理单元20(图2中未示出连接关系)。本实施例的具体实施可参考上一种实施例，在此不再赘述。基于所述抛光装置，本发明还提供了一种抛光装置的异常处理方法。图3是本发明提供的抛光装置的异常处理方法的流程示意图，参阅图3，所述抛光装置的异常处理方法包括步骤S301，当抛光过程中因异常产生报警时，发送报警信号。步骤S302，基于接收到的所述报警信号以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行处理。所述抛光装置的异常处理方法的具体实施可参考上述所述抛光装置的实施例进行，在此不再赘述。综上，本发明实施例提供的抛光装置及其异常处理方法，至少具有如下有益效果抛光装置对晶圆的抛光过程中因异常情况产生报警时，通过所述报警单元发送报警信号给所述处理单元，由其以有机酸溶液对抛光装置上的晶圆进行处理，从而避免了所述晶圆的表面因长时间接触研磨液或清洗液而导致晶圆上的金属材料的表面被腐蚀(甚至由此导致器件失效)，由此提高了晶圆的质量。喷射所述有机酸溶液的两个阶段，可以充分、快速地去除所述晶圆表面的各种颗粒，并避免金属材料的表面被腐蚀，也节省了成本。本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
权利要求
1.一种抛光装置，包括研磨机构、清洗机构，其特征在于，还包括报警单元、处理单元，所述报警单元，当抛光过程中因异常产生报警时，发送报警信号给所述处理单元；所述处理单元，基于接收到的所述报警信号以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行处理。
2.根据权利要求1所述的抛光装置，其特征在于，所述报警产生于所述研磨机构，所述报警单元发送的所述报警信号为第一报警信号，所述处理单元以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行处理包括以所述有机酸溶液对所述研磨机构中的晶圆进行处理。
3.根据权利要求1所述的抛光装置，其特征在于，所述报警产生于所述清洗机构，所述报警单元发送的所述报警信号为第二报警信号，所述处理单元以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行处理包括以所述有机酸溶液对所述研磨机构以及所述清洗机构中的晶圆进行处理。
4.根据权利要求2或3所述的抛光装置，其特征在于，所述抛光装置还包括研磨头清洗及晶圆装卸机构，所述处理单元以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行处理还包括 以所述有机酸溶液对所述研磨头清洗及晶圆装卸机构中的晶圆进行处理。
5.根据权利要求3所述的抛光装置，其特征在于，所述处理单元以有机酸溶液对所述研磨机构中的晶圆进行的处理包括将经过所述研磨机构研磨处理后的晶圆置于盛有所述有机酸溶液的隔离槽中。
6.根据权利要求1所述的抛光装置，其特征在于，所述处理单元以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行的处理包括向所述晶圆喷射所述有机酸溶液。
7.根据权利要求6所述的抛光装置，其特征在于，所述处理单元在接收到所述报警信号后的第一处理时间内，持续向所述晶圆喷射所述有机酸溶液。
8.根据权利要求7所述的抛光装置，其特征在于，所述第一处理时间为1至5分钟。
9.根据权利要求7所述的抛光装置，其特征在于，所述处理单元向所述晶圆喷射有机酸溶液的流速大于1000毫升/分钟。
10.根据权利要求7所述的抛光装置，其特征在于，所述处理单元在所述第一处理时间后至所述报警解除前的第二处理时间内，间隔地向所述晶圆喷射所述有机酸溶液。
11.根据权利要求10所述的抛光装置，其特征在于，所述间隔的时间为所述第一处理时间的20% 90%。
12.根据权利要求10所述的抛光装置，其特征在于，所述处理单元向所述晶圆喷射所述有机酸溶液的流速大于500毫升/分钟。
13.根据权利要求1所述的抛光装置，其特征在于，所述有机酸为草酸、丙二酸、丁二酸、顺丁烯二酸、邻苯二甲酸或氨基酸。
14.根据权利要求1所述的抛光装置，其特征在于，所述有机酸溶液的浓度为0.01 IOwt %。
15.一种抛光装置的异常处理方法，其特征在于，包括当抛光过程中因异常产生报警时，发送报警信号；基于接收到的所述报警信号以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行处理。
16.根据权利要求15所述的抛光装置的异常处理方法，其特征在于，所述报警产生于所述抛光装置的研磨机构，所述报警信号为第一报警信号，所述以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行处理包括以所述有机酸溶液对所述抛光装置的研磨机构中的晶圆进行处理。
17.根据权利要求15所述的抛光装置的异常处理方法，其特征在于，所述报警产生于所述抛光装置的清洗机构，所述报警信号为第二报警信号，所述以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行处理包括以所述有机酸溶液对所述抛光装置的研磨机构以及清洗机构中的晶圆进行处理。
18.根据权利要求16或17所述的抛光装置的异常处理方法，其特征在于，所述以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行处理还包括以所述有机酸溶液对所述抛光装置的研磨头清洗及晶圆装卸机构中的晶圆进行处理。
19.根据权利要求17所述的抛光装置的异常处理方法，其特征在于，所述以有机酸溶液对所述研磨机构中的晶圆进行的处理包括将经过所述研磨机构研磨处理后的晶圆置于盛有所述有机酸溶液的隔离槽中。
20.根据权利要求15所述的抛光装置的异常处理方法，其特征在于，所述以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行的处理包括向所述晶圆喷射所述有机酸溶液。
21.根据权利要求20所述的抛光装置的异常处理方法，其特征在于，接收到所述报警信号后的第一处理时间内，持续对所述晶圆喷射所述有机酸溶液。
22.根据权利要求21所述的抛光装置的异常处理方法，其特征在于，所述第一处理时间为1至5分钟。
23.根据权利要求21所述的抛光装置的异常处理方法，其特征在于，所述向所述晶圆喷射有机酸溶液的流速大于1000毫升/分钟。
24.根据权利要求21所述的抛光装置的异常处理方法，其特征在于，在所述第一处理时间后至所述报警解除前的第二处理时间内，间隔地向所述晶圆喷射所述有机酸溶液。
25.根据权利要求M所述的抛光装置的异常处理方法，其特征在于，所述间隔的时间为所述第一处理时间的20% 90%。
26.根据权利要求M所述的抛光装置的异常处理方法，其特征在于，所述向所述晶圆喷射所述有机酸溶液的流速大于500毫升/分钟。
27.根据权利要求15所述的抛光装置的异常处理方法，其特征在于，所述有机酸为草酸、丙二酸、丁二酸、顺丁烯二酸、邻苯二甲酸或氨基酸。
28.根据权利要求15所述的抛光装置的异常处理方法，其特征在于，所述有机酸溶液的浓度为0. 01 IOwt %。
全文摘要
一种抛光装置及其异常处理方法，所述抛光装置的异常处理方法包括当抛光过程中因异常产生报警时，发送报警信号；基于接收到的所述报警信号以有机酸溶液对所述抛光装置中的晶圆进行处理。本发明能防止抛光装置在对晶圆的抛光过程中因异常情况产生报警并停止工作后晶圆上的金属材料被腐蚀而导致器件失效。
文档编号B24B37/34GK102485424SQ20101057312
公开日2012年6月6日 申请日期2010年12月3日 优先权日2010年12月3日
发明者蒋莉, 黎铭琦 申请人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司