专利名称：一种蓝宝石切片的研磨方法
技术领域：
本发明本发明涉及适用于制造氮化物半导体发光器件的蓝宝石基板等切片的研磨方法，特别涉及一种不产生同心圆状凹凸不良的多数蓝宝石切片同时研磨的研磨方法。
背景技术：
在制造氮化物半导体发光器件的场合，成长高品质的沉淀薄膜非常重要，对于用于成长沉淀薄膜的蓝宝石基板等切片，要求没有加工歪斜的残留，没有清洗的缺陷、平滑的表面，十分重要。所述用于氮化物半导体发光器件的蓝宝石基板等切片，以前，蓝宝石等的结晶利用线切割将特定的结晶方位露出表面作成切片加工，利用研磨砂进行机械研磨或者利用胶产生的机械力研磨，进行单面镜面研磨后，作成用于沉淀薄膜生长的基板。蓝宝石基板等切片的单面研磨方法，通常如图3所示，数枚切片W在陶瓷等的圆形座子30上用蜡固定，圆形座子30如图2所示装载于抛光头部10的下面，同时压在装着研磨布21的回转定盘20上。一边往研磨布21上供给胶40，一边固定切片W的圆形座子30 回转研磨。进行这样的单面镜面研磨，因为抛光头部10的回转中心以及回转定盘10的回转中心始终是一定的，在研磨布21上的切片W的接触轨迹会复制到切片W上，如同图4所示的同心圆状的凹凸50就会在切片W的研磨面上生成，切片表面的加工歪斜也会残留。但是，即使是切片W表面有同心圆状的凹凸50产生，以前，没有这种不良的检测手段的原因，形成同心圆状凹凸50的切片就这样使用与沉淀薄膜生长用的基板中。近年来， 由于光学表面检查装置的发展，明确了同心圆状凹凸与沉淀薄膜的缺陷存在的关系，希望得到没有同心圆状凹凸不良的切片。因此，单面镜面研磨后的切片进行检查，发生同心圆状凹凸不良时，必须更换研磨布，将切片再度单面镜面研磨，导致成本升高。更进一步，研磨部件(对应所述抛光头部)的中心与定盘的运动方向，在垂直方向上做往复运动，使切片平均研磨的方法，以及抛光头部与回转定盘做相互直交方向同时摇动的切片研磨方法开发出来了。但是，不管哪一种的方法，都只能是1枚切片转载于抛光头部进行研磨。但是由于具备所述各种条件的一个定盘上不能组装2组以上的研磨部件(抛光头部)，多数切片同时研磨的方法也就不能实现。
发明内容
本发明着力于上述问题，提供一种不产生同心圆状凹凸不良，可以同时研磨多数切片的研磨方法，可以提供用于制造高品质氮化物半导体发光器件的低成本的蓝宝石基板 (切片)。为了实现上述目的，本发明提供以下技术方案
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一种蓝宝石切片的研磨方法，以“切片固定在抛光头部，压在装着研磨布的回转定盘上进行切片研磨的研磨方法”作为前提，所述抛光头部的中心部与回转定盘的回转方向大约45°的角度方向上，所述回转定盘做往复运动。作为本发明的优选技术方案，相互对称的4个抛光头部压在所述回转定盘上。作为本发明的优选技术方案，所述抛光头部上固定多数的切片。作为本发明的优选技术方案，所述回转定盘的往复运动距离在士 Imm以上。作为本发明的优选技术方案，所述回转定盘的往复运动速度在切片的研磨速度之上。本发明带来的有益效果是1.抛光头部的中心部与回转定盘的回转方向大约45°的角度方向上，回转定盘做往复运动，不产生同心圆状的凹凸不良；同时所述回转定盘上可以安装最大4组的抛光头部，多数切片的同时研磨可以达到；2.根据这些，可以提供用于制造高品质的氮化物半导体发光器件的低成本的蓝宝
石基板。附图方式
图1为本发明的原理2为圆形座子安装示意3为蓝宝石基板等切片单面研磨方法的结构原理4为切片研磨面示意中标号为10-抛光头部 20-回转定盘21-研磨布30-圆形座子 40-胶50-同心圆状的凹凸A-抛光头部的中心部B-表示回转定盘方向的箭头C-表示回转定盘反复运动(摇动)方向的箭头W-切片
具体实施例方式下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。如图1抛光头部10中切片固定，压在装着研磨布的回转定盘20上研磨，与通过所述的抛光头部的中心A的回转定盘的箭头B的回转方向大约有45°角度的箭头C所表示的方向上所述研磨定盘做往复运动(摇动)为特征的研磨方法。首先，切片的研磨方法，如图1所示，切片固定在抛光头部10上，压在装着研磨布的回转定盘20上进行研磨。与通过所述抛光头部10的中心部A的回转定盘20的箭头B所表示的回转方向大约45°的角度所表示的箭头C的方向上，所述回转定盘20做往复运动在这里，为了达到固定在各个抛光头部10上的切片的摇动条件都相同的效果，如图1所示一个回转定盘上安装4个抛光头部，与通过所述抛光头部10的中心部A的回转定盘20的箭头B所表示的回转方向大约45°的角度所表示的箭头C的方向上，所述回转定盘20做往复运动是最效率的。但是，4个抛光头部10必须要相互有对称性。以前的技术，角度是0°或90°，这样的话，同时只能安装2组，效率不高。接着，虽然回转定盘的往复运动距离可以任意设定，为了抑制同心圆状凹凸不良的产生，最好士 Imm以上设定回转定盘的往复运动速度的上限没有特别的规定，但极端高速研磨的话，研磨布的磨损会急剧加大，切片的平坦度会变坏。抛光头部的速度是回转定盘速度的1/10以下就可以了。而且，虽然往复运动速度的下限没有特别规定，但如果在研磨速度以上的话，同心圆状凹凸不良不会发生。以上所述，仅为本发明的具体实施方式
，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本领域的技术人员在本发明所揭露的技术范围内，可不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
权利要求
1.一种蓝宝石切片的研磨方法，其特征在于，所述研磨方法以“切片固定在抛光头部， 压在装着研磨布的回转定盘上进行切片研磨的研磨方法”作为前提，所述抛光头部的中心部与回转定盘的回转方向大约45°的角度方向上，所述回转定盘做往复运动。
2.根据权利要求1所述的一种蓝宝石切片的研磨方法，其特征在于，相互对称的4个抛光头部压在所述回转定盘上。
3.根据权利要求1或2所述的一种蓝宝石切片的研磨方法，其特征在于，所述抛光头部上固定多数的切片。
4.根据权利要求1或2所述的一种蓝宝石切片的研磨方法，其特征在于，所述回转定盘的往复运动距离在士 Imm以上。
5.根据权利要求1或2所述的一种蓝宝石切片的研磨方法，其特征在于，所述回转定盘的往复运动速度在切片的研磨速度之上。
全文摘要
本发明提供一种蓝宝石切片的研磨方法，其特征在于，所述研磨方法以“切片固定在抛光头部，压在装着研磨布的回转定盘上进行切片研磨的研磨方法”作为前提，所述抛光头部的中心部与回转定盘的回转方向大约45°的角度方向上，所述回转定盘做往复运动。抛光头部的中心部与回转定盘的回转方向大约45°的角度方向上，回转定盘做往复运动，不产生同心圆状的凹凸不良；同时所述回转定盘上可以安装最大4组的抛光头部，多数切片的同时研磨可以达到；根据这些，可以提供用于制造高品质的氮化物半导体发光器件的低成本的蓝宝石基板。
文档编号B24B37/00GK102152228SQ20111000094
公开日2011年8月17日 申请日期2011年1月5日 优先权日2011年1月5日
发明者徐良 申请人:苏州辰轩光电科技有限公司