专利名称：溅射靶材的制作方法
技术领域：
本发明涉及溅射靶材。更具体地说，本发明涉及具有提高溅射板材料利用率这样设计的溅射靶材。
背景技术：
本发明的实施例涉及用于溅射工艺室的溅射靶材。溅射靶材包括溅射板和支承板。在集成电路和显示器的制作中，溅射室用于溅射沉积材料至基片上。在当前技术中，溅射室已是众所周知，其被描述在下列专利中=Allen等人的美国专利申请公开第2008/0308416号，其题为“具有增加寿命和溅射均匀性的溅射靶材”;Fu的美国专利第6183614号，其题为“旋转的磁控溅射组件”;Gopalraja等人的美国专利第6274008号，其题为“电镀填空镀铜的集成工艺”，所有这些均通过引用的方式结合到本申请中。典型地，溅射室包括屏蔽罩、工艺区、气体激发器和排气口，其中，屏蔽罩在溅射靶材周围且溅射靶材正对着基片支撑件，工艺区用于导入工艺气体，气体激发器用于对工艺气体供能，排气口用于排气和控制室内工艺气体的压力。在被激发的气体里形成的激活离子轰击溅射靶材，促使要被溅射的材料脱离溅射板并沉积在基片上成膜。溅射室也可具有磁场发生器，其用于成形和限定溅射靶材周围的磁场，从而提高溅射靶材的溅射板材料的溅射。溅射板材料可以是金属的，比如铝、钥、铜、钨、钛、钴、镍、钽或合金。可以用像氩气或氪气这样的惰性气体溅射基元材料，而且可采用像氮气或氧气这样的气体溅射基元材料，从而形成像氮化钽、氮化钨、氮化钛或氧化铝这样的化合物。然而，在这样的溅射工艺中，溅射板的一部分可以以比其它部分更高的溅射速率溅射，这会导致在处理一批基片之后，该溅射板表现出不均匀的横截面厚度或表面外形。溅射板的这种不均匀溅射可能源于局部等离子密度的不同，而这些不同是由溅射室的几何形状、靶材周围的磁场形状、靶材中感应的涡电流和其它因素引起的。不均匀溅射也可能是由晶粒尺寸的差异或溅射板材料结构的不同引起的。例如，人们已经发现，溅射板的不均匀溅射可导致形成凹陷，材料在此凹陷处以比周围区域更高的速率从溅射板溅射。当凹陷变得更深时，溅射板后的室壁和支承板便暴露出来且可被溅射出去，这会导致基片被这些材料污染。而且，具有可变非均匀表面轮廓的溅射板可导致基片表面溅射材料不均匀厚度的沉积。因此，通常在形成于溅射板上的任意凹陷变得太深、太宽或太多之前，将溅射靶材从溅射室移走。结果，大部分厚度的溅射板依旧还没有被用，因为溅射靶材不得不过早地被从溅射室移走。因此，需要具有提高溅射板材料利用率这样设计的溅射靶材。
发明内容
本发明的一方面是提供了一种溅射靶材，其包括支承板和安装在该支承板上的溅射板，所述的支承板包括前表面和后表面，所述的溅射板包括溅射表面和后表面。所述溅射靶材的另一方面是所述的溅射板具有平面形状。
所述溅射靶材的另一方面在于，所述溅射板的后表面包括凹槽，相对于所述溅射板的邻近区域，所述凹槽成形且大小对应于所述溅射板的更高溅射的被观察区。所述的支承板包括第一材料，所述的溅射板包括第二材料，插入块包括第三材料。所述的第一、第二和第三材料互不相同。将插入块置于所述的凹槽里。所述溅射靶材的另一方面在于，所述支承板的前表面包括凹槽，相对于所述溅射板的邻近区域，所述凹槽成形且大小对应于所述溅射板的更高溅射的被观察区。所述的支承板包括第一材料，所述的溅射板包括第二材料，插入块包括第三材料。所述的第一、第二和第三材料互不相同，且将插入块置于所述的凹槽里。所述溅射靶材的另一方面在于，所述支承板的后表面包括凹槽，相对于所述溅射板的邻近区域，所述凹槽成形且大小对应于所述溅射板的更高溅射的被观察区。所述的支承板包括第一材料，所述的溅射板包括第二材料，插入块包括第三材料。所述的第一、第二和第三材料互不相同。将插入块置于所述的凹槽里。所述溅射靶材的另一方面在于，至少所述溅射板的后表面、所述支承板的前表面或所述支承板的后表面的其中之一包括凹槽，相对于所述溅射板的邻近区域，所述凹槽成形且大小对应于所述溅射板的更高溅射的被观察区。所述的支承板包括第一材料，所述的溅射板包括第二材料，插入块包括第三材料。所述的第一、第二和第三材料互不相同，且将插入块置于所述的凹槽里。所述的第一材料至少包括下列材料之一铜、铜合金、不锈钢、铝、铝合金、铜/铬、铝/铜或它们的其它合金；所述的第二材料至少包括下列材料之一铝、铝合金、钥、钥合金、铜、铜合金、钨、钛、钽、任意其它的非磁性材料或合金、或者任意其它的非金属材料或合金；第三材料包括Ni、不锈钢、变压器钢或磁导率大于20的铁磁材料。其中，所述插入块的形状为矩形或具有矩形横截面的环形。所述的无磁性材料和非金属材料或合金选自这样的组合，其由碳、碳化物、娃、娃化物、锗、锗合金、导电氧化物和导电氧化物组分组成。所述溅射靶材的另一方面在于，所述的第一材料包括CuCr合金，而所述的第二材料包括铝或钥。所述溅射靶材的另一方面在于，插入块安装在所述支承板的后表面上。此外，另一方面在于插入块位于所述溅射板的后表面和所述支承板的前表面之间。此外，另一方面在于隔板位于所述溅射板的后表面和所述支承板的前表面之间。另外，所述溅射靶材的另一方面是一种控制溅射靶材电磁特性的方法，所述的溅射靶材包括安装在支承板上的溅射板，该方法包括提供包括第一材料的支承板；至少形成一个凹槽，其位于所述溅射板的后表面、所述支承板的前表面或所述支承板的后表面的其中之一或更多；用具有与所述第一材料不同电磁特性的第二材料填充所述至少一个凹槽。所述的第一材料至少包括下列材料之一铜、不锈钢或铝和铝合金。所述的第二材料包括磁性材料，所述的磁性材料包括Ni、不锈钢、变压器钢或磁导率大于20的铁磁材料。所述插入块的形状为矩形或具有矩形横截面的环形。
另外，所述溅射靶材的另一方面是一种控制溅射靶材电磁特性的方法，所述的溅射靶材包括安装在支承板上的溅射板，该方法包括将插入块安装在所述支承板的后表面上，所述的支承板包括第一材料；所述的插入块包括第二材料；所述的第一和第二材料具有不同的电磁特性。所述方法此外还包括将插入块放置在所述支承板的前表面和所述溅射板的后表面之间。下面，以示意图的形式显示和描述本发明的实施例，对于本领域那些技术人员来说，有关这些实施例的下列描述使得本发明的优势 变得更加明显。所要明白的是，本发明适用于其它和不同的实施例，而且其细节可在各方面做出修改。
从本文的描述和权利要求以及结合显示结构细节和示意性实施例的附图中，可以明白本发明的这些和其它方面，其中在下面将要描述的本发明实施例中，通过例子的形式，参照所列简图，特别阐述本发明的这些和其它特色及它们的优势，其中图IA示出溅射靶材的实施例；图IB示出溅射靶材的另一实施例；图2A示出根据本发明制作的溅射板的第一实施例；图2B示出根据本发明制作的溅射板的第二实施例；图3A示出根据本发明制作的溅射板的第一实施例；图3B示出根据本发明制作的溅射板的第二实施例；图4A示出根据本发明制作的支承板的第一实施例；图4B示出根据本发明制作的支承板的第二实施例；图5A示出根据本发明制作的支承板的第一实施例；图5B示出根据本发明制作的支承板的第二实施例；图6A示出根据本发明制作的支承板的第三实施例；图6B示出根据本发明制作的支承板的第四实施例；图7A示出根据本发明制作的支承板的第三实施例；图7B示出根据本发明制作的支承板的第四实施例；图8A示出根据本发明制作的溅射靶材的第一实施例；图8B示出根据本发明制作的溅射靶材的第二实施例；图9A示出根据本发明制作的支承板的第五实施例；和图9B示出根据本发明制作的支承板的第六实施例。应当注意的是，所有的附图都是示意性的，没有按比例绘制。这些图中部件的相对尺寸和比例在大小上或被扩大或被缩小，目的是为了附图的清晰和便捷。按照常规，对于不同实施例中的对应部位或相似部位，采用统一的附图标号。因此，实际上将所列附图和描述看作是示意性的而非限制性的。
具体实施例方式如本文说明书和权利要求中采用的那样，近似语言可用于修饰任意数量的表述，在与之相关的基本功能上不引起变化的情况下，可允许该表述改变。因此，采用比如“大约”这样的词或短语修饰的值不受限于所规定的精确值。至少在一些例子中，所述的近似语言可与用于测量所述值的仪器精度相对应。范围限制可结合和/或相互交换，这样的范围是一致的且包括文中陈述的所有子范围，除非上下文或表述具有另外的说明。除了在所述的操作性例子中或其中的另外说明之外，用在所述说明书或所述权利要求里的所有涉及到成分数量、反应条件和类似表达的数字或符号，可理解为像在所有例子中用词语“大约”修饰的那样。“可选的”或“任意地”表明接下来描述的事件或情况可发生或可不发生，或者表明接下来指定的材料可存在或可不存在，而且还表明所用的描述包括所述事件或情况发生的例子或所述材料存在的例子，以及所述事件或情况不发生的例子或所述材料不存在的例子。如文中所采用的那样，词语“包括”、“包含”、“有”或其中任意别的变体，希望涵盖 非独有的包括。例如，一种工艺、一种方法、一件物品或一种设备，其包括一系列组成部分，但不必仅局限于那些组成部分，且可包括其它的组成部分，只是没有特意列在或附在这样的工艺、方法、物品或设备上。单数形式“一”、“一个”和“特指的那个”包括对应的复数指代，除非上下文明确指出不同。图IA和图IB显示的是溅射靶材10的示意性实施例，所述靶材能够提供更长的工艺寿命、更好的溅射均匀性，而且能够减少因侵蚀凹槽而产生的污染。参看图IA和图1B，溅射靶材10包括支承板40，其作为基座支撑溅射板20，该溅射板包括要被溅射进溅射室里的溅射材料。溅射板20包括溅射表面21，其被置于直接对着基片，以便向所述基片提供直接对传式的溅射物。溅射板20可与支承板40机械结合，或采用别的方法，比如扩散结合。在一实施例中，溅射板20至少包括下列材料之一铝和铝合金、钥和钥合金、铜和铜合金、钨、钛或钽、或者是任意其它的无磁性金属和非金属材料和合金，包括碳、碳化物、硅、硅化物、锗、锗合金、导电氧化物和导电氧化物组分。支承板40具有前表面41和后表面42。前表面41与后表面42是相对着的。后表面42可适合于形成所述室的外壁或被安装在室盖或适配器上。支承板40具有外围边缘43，其延伸至溅射板20以外。在一实施例中，支承板40包括金属，比如铝、铜、不锈钢或它们的其它合金，比如铜/铬或铝/铜。在另一实施例中，支承板40包括铜铬合金，也就是公知的CuCr合金。在又一实施例中，支承板40可包括铝、铜、不锈钢、铜/铬、铝/铜或它们的其它合金的其中的一种或多种。在一实施例中，溅射板20成形且安装于支承板40上，成形的溅射板20由要溅射至基片上的材料制成。典型地，溅射板20包括的材料不同于与支承板40的材料。例如，溅射板20可包括金属，比如铝、铜、钴、钥、镍、钯、钼、钽、钛或钨。在另一实施例中，溅射板可包括铝、铝合金、钥、钥合金、铜、铜合金、钴、镍、钯、钼、钨、钛、钽、碳、碳化物、硅、硅化物、锗、锗合金、导电氧化物、导电氧化物组分、任意其它的非磁性金属材料或其合金、或者是任意其它的非金属材料或其合金的其中的一种或多种。认为溅射板20和支承板40可以是任意合适的形状，这取决于要处理的基片的形状，包括但不限于圆形和矩形。圆形用于圆基片，比如半导体片，而矩形用于矩形基片，比如显示板。参看图2A和图2B，可以看出，溅射板20具有后表面22，其与溅射表面21是相对着的。在溅射板20的一实施例中，溅射板20的后表面22具有一个或多个的凹槽30。凹槽30的深度小于溅射板20的厚度。因此，在凹槽30的基底31与溅射表面21之间存在溅射靶材材料。参照图3A和图3B，在溅射板20的一些实施例中，将插入块50置于后表面22的凹槽30里，其中，在这些实施例的大 多数中，插入块50的尺寸对应于凹槽30的尺寸。在一些实施例中，插入块50占据凹槽30的约1%至100%。在其它的实施例中，插入块50占据凹槽30的约25%至99%。在另外一些实施例中，插入块50占据凹槽30的约50%至98%。在另外一些实施例中，插入块50占据凹槽30的约75%至97%。在一些实施例中，凹槽30里没有被插入块50占据的空间里填充有焊料。相对于邻近的由试验或建模决定的溅射板区域，凹槽30成形且大小对应于更高溅射板20侵蚀的被观察区。例如，对于许多溅射靶材10 (其没有凹槽30和插入块50)来说，溅射板20高侵蚀区域的位置和形状可之前通过绘制所述的溅射板侵蚀区域来决定，在预选的工艺条件下，在室中通过多重溅射工艺，运行所述的溅射靶材。基于所述的观察侵蚀凹槽，选取一个以上凹槽30的形状和尺寸。因此，所述的一个以上凹槽30的形状和尺寸也会改变，这取决于所述室采用的工艺条件和其它的工艺参数以及所要安装溅射靶材10的溅射室的几何形状。一个以上凹槽30的结构也可能取决于所述的靶材材料本身、用于从溅射靶材10溅射材料的能量场的形状和对称性以及甚至溅射过程中运用的穿过溅射靶材10的磁场的形状。因此，本发明的范围不应局限于文中用于示意性目的而演示的凹槽的形状。在一实施例中，当插入块50由与用于形成支承板40的第一材料不同的第二材料形成时，凹槽30也可用于改变溅射靶材10的磁特性。选择所述的第二材料，以便改变插入块50周围的电特性或磁特性，从而也改变插入块50位置处的涡电流。在另一实施例中，当插入块50由与用于形成溅射板20的第一材料不同的第二材料形成时，凹槽30也可用于改变溅射靶材10的磁特性。选择所述的第二材料，以便改变插入块50周围的电特性或磁特性，从而也改变插入块50位置处的涡电流。在一实施例中，当插入块50由与用于形成支承板40的第一材料和用于形成派射板20的第二材料均不相同的第三材料形成时，凹槽30也可用于改变溅射靶材10的磁特性。选择所述的第三材料，以便改变插入块50周围的电特性或磁特性，从而也改变插入块50位置处的涡电流。所述的第一、第二、第三材料互不相同。在一实施例中，通过胶粘剂、扩散结合、机械法、锡焊、搅拌摩擦焊、铜焊或电镀法，将插入块50粘附或粘结在凹槽30里。在典型的实施例中，插入块50包括磁性材料(比如Ni，变压器钢或磁导率大于20的铁磁材料)。在一实施例中，通过挑选基于所述材料电磁特性的材料，比如它的相对磁导率(μ )和电导率(σ )，选择插入块50的材料来控制所述涡电流的数量。取决于所要的应用，插入块50的材料可以是(i)相对磁导率略小于I的反磁性体(其中，I表示真空的相对磁导率)，比如银；(ii)相对磁导率略高于I的顺磁性体，比如铝；或(“)相对磁导率远大于I的铁磁体，比如相对磁导率μ约为100的镍、μ约为200的铁、钢、铁-镍-铬合金和μ为20，000的“Mu-金属”。
在另一实施例中，插入块50的材料包括铁磁性材料，比如镍或不锈钢，而所述的支承板包括顺磁性材料，比如铝，插入块50调节溅射板20周围的磁场，从而在溅射板20的周围产生净低磁场，这会使得溅射表面21在插入块50上的侵蚀较少。当插入块50包括顺磁性材料比如铝时，插入块50调节所述的涡电流，以便降低溅射板20周围的涡电流，从而在溅射板20的周围产生净高磁场，这会使得溅射表面21在插入块50上的侵蚀较多。
由于涡电流正比于电导率，所以通过选择包括插入块50的材料的电导率，也可控制涡电流的数量。另外一种调节溅射靶材10的一部分，比如溅射板20周围磁场的方法是使插入块50材料的电导率低于支承板40材料的电导率。可以看出，认为在一些实施例中，凹槽30和插入块50的形状可以是矩形的。在其它的实施例中，认为凹槽30和插入块50的形状可以是具有矩形横截面的环形，比如垫圈形状。此外，认为在一些实施例中，凹槽30的深度低于约2cm，例如约O. 3cm至约1cm，比如约
0.5cm。在其它的实施例中，凹槽30的深度在约O. Icm至约O. 5cm之间。在另外一些实施例中，凹槽30的宽度在约O. Icm至约20cm之间。此外，在其它的实施例中，凹槽30的容积在约O. OOlcm3至约2000cm3之间,优选的是,在约O. Olcm3至约200cm3之间,最优选的是,在约O. Icm3至20cm3之间。然而，相对于所述溅射板的邻近区域，本领域技术人员可选择其它形状与大小的凹槽30和插入块50，以便对应于所述溅射板的更高溅射的被观察区。参看图4A和图4B，可以看出，溅射支承板40具有前表面41，其与后表面42是相对着的。在溅射支承板40的一实施例中，支承板40的前表面41具有一个或多个的凹槽30。凹槽30的深度小于支承板40的厚度。因此，在凹槽30的基底31与支承板40的后表面42之间存在支承板材料。参看图5A和图5B，可以看出，插入块50位于前表面41的凹槽30里。在一些实施例中，插入块50占据凹槽30的约1%至100%。在其它的实施例中，插入块50占据凹槽30的约25%至99%。在另外一些实施例中，插入块50占据凹槽30的约50%至98%。在另外一些实施例中，插入块50占据凹槽30的约75%至97%。在一些实施例中，凹槽30里没有被插入块50占据的空间里填充有焊料。参看图6A和图6B，可以看出，溅射支承板40具有后表面42，其与前表面41是相对着的。在溅射支承板40的一实施例中，支承板40的后表面42具有一个或多个凹槽30。凹槽30的深度小于支承板40的厚度。因此，在凹槽30的基底31与支承板40的前表面41之间存在支承板材料。参看图7A和图7B，插入块50位于支承板40后表面42的凹槽30里。在一些实施例中，插入块50占据凹槽30的约1%至100%。在其它的实施例中，插入块50占据凹槽30的约25%至99%。在另外一些实施例中，插入块50占据凹槽30的约50%至98%。在另外一些实施例中，插入块50占据凹槽30的约75%至97%。在一些实施例中，凹槽30里没有被插入块50占据的空间里填充有焊料。此外，认为在一些实施例中，支承板40的前表面41和溅射板20的后表面22 二者均可具有凹槽30。插入块50可部分地嵌在支承板40前表面41的凹槽30里，部分地嵌在溅射板20后表面22的凹槽30里。在一实施例中，约1%至25%之间的插入块50嵌在支承板40的前表面41里，而约75%至99%之间的插入块50嵌在溅射板20的后表面22里。在另一实施例中，约25%至50%之间的插入块50嵌在支承板40的前表面41里，而约50%至75%之间的插入块50嵌在溅射板20的后表面22里。在另一实施例中，约75%至99%之间的插入块50嵌在支承板40的前表面41里，而约1%至25%之间的插入块50嵌在溅射板20的后表面22里。参看图8A和图8B，可以看出，在溅射支承板40的一实施例中，可将一个或多个插入块50置于溅射板后表面22和支承板前表面41之间。垫片(spacer) 60填充在溅射板后表面22和支承板前表面41之间的且没有被一个或多个插入块50所占据的剩余区域。在一实施例中，垫片60是焊料。然而，认为本领域技术人员可为垫片60选择采用另外的材料。参看图9A和图9B，可以看出，在溅射支承板40的一实施例中，可将一个或多个插入块50与溅射支承板40的后表面42相粘附。在一实施例中，支承板40由第一材料制成，溅射板20由第二材料制成，而附着在溅射支承板40后表面42是的一个或多个插入块50则是由第三材料形成的。所述的第一、第二和第三材料互不相同。在另一实施例中，支承板 40由第一材料制成，而一个或多个与溅射支承板40后表面42相粘附的插入块50则是由与所述第一材料不同的第二材料形成的。在另一实施例中，溅射板20由第一材料制成，而附着到溅射支承板40后表面42是的一个或多个插入块50则是由与所述第一材料不同的第二材料形成的。认为附着在溅射支承板40后表面42上的一个或多个插入块50通过胶粘剂、机械结合、锡焊而被附着，或通过电镀直接形成在支承板40上。在另一实施例中，附着在溅射支承板40后表面42上的一个或多个插入块50通过焊料粘结而被安装，进而通过惰性聚合物涂层进行密封，从而保护所述一个或多个插入块50免受腐蚀。因此，认为溅射靶材10、溅射板20和支承板40的一些实施例可具有包含插入块50的一个或多个凹槽30，如图2A至图7B所示。此外，认为溅射靶材10的一些实施例具有包含插入块50的一个或多个凹槽30，如图2A至图7B所示，而这些实施例也可具有一个或多个插入块50和垫片60，如图8A和8B所示。另外，认为溅射靶材10的一些实施例具有包含插入块50的一个或多个凹槽30，如图2A至图7B所示，而这些实施例也可具有一个或多个插入块50和垫片60，如图8A和8B所示，并且所述一个或多个插入块50可附着到溅射支承板40的后表面42上，如图9A和9B所示。此外，认为溅射靶材10的一些实施例可具有一个或多个插入块50和垫片60，如图8A和8B所示，并且一个或多个插入块50可附着到溅射支承板40的后表面42上，如图9A和9B所示。另外，认为溅射靶材10的一些实施例仅具有一个或多个插入块50和垫片60，如图8A和8B所示。此外，认为溅射靶材10的一些实施例仅具有一个或多个附着在溅射支承板40后表面42上的插入块50，如图9A和9B所示。本发明的另一实施例包括一种控制溅射靶材10的电磁特性的方法，该溅射靶材包括安装在支承板40上的溅射板20。在一实施例中，所述方法包括提供包括第一材料的支承板40 ;在溅射板20的后表面22、所述支承板40的前表面41或所述支承板40的后表面42的其中一个或多个上形成至少一个凹槽30 ;用具有与所述第一材料不同电磁特性的第二材料(插入块50)填充至少一个凹槽30。在一实施例中，所述的第一材料至少包括下列材料之一铝、铜、不锈钢、铜/铬、铝/铜或这其中的其它合金；所述的第二材料包括磁性材料，比如Ni、不锈钢、变压器钢或磁导率大于20的铁磁材料。在另一实施例中，所述的方法包括将插入块50安装在支承板40的后表面42上，支承板40包括第一材料；插入块50包括第二材料。在一些实施例中，所述的第一和第二材料具有不同的电磁特性。此外，在一些实施例中，所述方法进一步包括将插入块50放置在支承板40的前表面41和所述溅射板20的后表面22之间。
在又一实施例中，所述方法包括提供包括第一材料的支承板40 ;在溅射板20的后表面22、所述支承板40的前表面41或所述支承板40的后表面42中的一个或多个上形成至少一个凹槽30 ;将由第二材料制成的插入块50放置在至少一个凹槽30里。在一些实施例中，所述的方法包括将由第二材料制成的插入块50安装在支承板40的后表面42上。在一些实施例中，所述方法此外还包括将由第二材料制成的插入块50放置在所述支承板40的前表面41和派射板20的后表面22之间。在一实施例中，所述的第二材料具有与所述第一材料不同的电磁特性。在一实施例中，所述的第一材料至少包括下列材料之一铝、铜、不锈钢、铜/铬、铝/铜或这其中的其它合金，所述的第二材料包括磁性材料，比如Ni、不锈钢、变压器钢或磁导率大于20的铁磁材料。结合上述的具体实施例，已对本发明进行了描述，很明显，对于本领域那些技术人员来说，许多选择、结合、修改和变更是显然的。相应地，本发明的优选实施例，就如上面阐述的那样，希望仅是示意性的，而不是限制意义上的。在不脱离本发明的实质及不超越本发明的范围情况下，可做出各种变更。因此，本发明的技术范围不仅仅包括上述的那些实施例，而且还包括所有含在所附权利要求范围内的实施例。此份书面描述采用例子公开本发明，包括最佳模式，而且也能够使本领域任何技术人员实践本发明，包括制作和使用任何装置或系统以及进行任意合并的工艺。本发明的专利范围由所述的权利要求确定，并且可包括本领域那些技术人员碰到的其它例子。如果这些其它的例子具有的结构组成不同于所述权利要求字面语言的话，或者如果它们包括等价的结构组成与所述权利要求的字面语言没有实质不同的话，那么它们被确定为在所述的权利要求范围以内。
权利要求
1.ー种派射IE材，其包括 支承板和安装在该支承板上的溅射板，所述的支承板包括具有前表面和后表面的板，所述的溅射板包括溅射表面和后表面。
2.根据权利要求I所述的溅射靶材，其中，所述的溅射板具有平面形状。
3.根据权利要求I所述的溅射靶材，其中，所述溅射板的后表面包括凹槽，相对于所述溅射板的邻近区域，所述凹槽成形且大小对应于所述溅射板的更高溅射的被观察区。
4.根据权利要求3所述的溅射靶材，其中，所述的支承板包括第一材料，所述的溅射板包括第二材料，插入块包括第三材料；所述的第一、第二、第三材料是互不相同的，其中，所述插入块定位于所述的凹槽里。
5.根据权利要求I所述的溅射靶材，其中，所述支承板的前表面包括凹槽，相对于所述溅射板的邻近区域，所述凹槽成形且大小对应于所述溅射板的更高溅射的被观察区。
6.根据权利要求5所述的溅射靶材，其中，所述的支承板包括第一材料，所述的溅射板包括第二材料，插入块包括第三材料；所述的第一、第二、第三材料是互不相同的，其中，所述插入块定位于所述的凹槽里。
7.根据权利要求I所述的溅射靶材，其中，所述支承板的后表面包括凹槽，相对于所述溅射板的邻近区域，所述凹槽成形且大小对应于所述溅射板的更高溅射的被观察区。
8.根据权利要求7所述的溅射靶材，其中，所述的支承板包括第一材料，所述的溅射板包括第二材料，插入块包括第三材料；所述的第一、第二、第三材料是互不相同的，其中，所述插入块定位于所述的凹槽里。
9.根据权利要求I所述的溅射靶材，其中，所述溅射板的后表面、所述支承板的前表面或所述支承板的后表面中的至少ー个包括凹槽，相对于所述溅射板的邻近区域，所述凹槽成形且大小对应于所述溅射板的更高溅射的被观察区。
10.根据权利要求9所述的溅射靶材，其中，所述的支承板包括第一材料，所述的溅射板包括第二材料，插入块包括第三材料；所述的第一、第二、第三材料是互不相同的，其中，所述插入块定位于所述的凹槽里。
11.根据权利要求10所述的溅射靶材，其中，所述的第一材料至少包括下列材料之一铜、铜合金、不锈钢、铝、铝合金、铜/铬、铝/铜或它们的其它合金； 所述的第二材料至少包括下列材料之一铝、铝合金、钥、钥合金、铜、铜合金、钨、钛、钽、任意其它的非磁性材料或合金、或者任意其它的非金属材料或合金； 所述的第三材料包括Ni、不锈钢、变压器钢或磁导率大于20的铁磁材料； 其中，所述插入块的形状为矩形或具有矩形横截面的环形。
12.根据权利要求11所述的溅射靶材，其中，所述的非磁性材料和非金属材料或合金选自由碳、碳化物、硅、硅化物、锗、锗合金、导电氧化物和导电氧化物组分构成的组。
13.根据权利要求11所述的溅射靶材，其中，所述的第一材料包括CuCr合金，而所述的第二材料包括铝或钥。
14.根据权利要求11所述的溅射靶材，此外还包括安装在所述支承板后表面上的插入块。
15.根据权利要求11所述的溅射靶材，此外还包括位于所述溅射板后表面和所述支承板前表面之间的插入块。
16.根据权利要求15所述的溅射靶材，此外还包括位于所述溅射板后表面和所述支承板前表面之间的垫片。
17.—种控制溅射靶材电磁特性的方法，该溅射靶材包括安装在支承板上的溅射板，此方法包括 提供包括第一材料的支承板； 在所述溅射板的后表面、所述支承板的前表面或所述支承板的后表面中的ー个或多个上形成至少ー个凹槽；和 用具有与所述第一材料不同电磁特性的第二材料填充所述的至少ー个凹槽。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述的第一材料至少包括下列材料之一铝、铜、不锈钢、铜/铬、铝/铜或它们的其它合金； 所述的第二材料包括磁性材料，所述的磁性材料包括Ni、不锈钢、变压器钢或磁导率大于20的铁磁材料； 其中，所述插入块的形状为矩形或具有矩形横截面的环形。
19.一种控制溅射靶材电磁特性的方法，该溅射靶材包括安装在支承板上的溅射板，此方法包括 将插入块安装在所述支承板的后表面上，所述的支承板包括第一材料；所述的插入块包括第二材料；所述的第一和第二材料具有不同的电磁特性。
20.根据权利要求19所述的方法，此外还包括将插入块放置在所述支承板的前表面和所述溅射板的后表面之间。
全文摘要
本发明的一方面是提供了一种溅射靶材，其包括支承板(40)和安装在该支承板上的溅射板，所述的支承板包括前表面和后表面，所述的溅射板包括溅射表面和后表面。至少所述溅射板的后表面、所述支承板的前表面或所述支承板的后表面的其中之一具有至少一个凹槽(30)，相对于所述溅射板的邻近区域，所述凹槽成形且大小对应于所述溅射板的更高溅射的观察区。将插入块(50)置于所述的凹槽里。所述的支承板包括第一材料，所述的溅射板包括第二材料，插入块包括第三材料。而所述溅射靶材的另一方面是提供了一种控制溅射靶材电磁特性的方法。
文档编号C23C14/34GK102844460SQ201180019473
公开日2012年12月26日 申请日期2011年2月16日 优先权日2010年2月17日
发明者E.Y.伊瓦诺夫, A.莱波维克, J.里泽 申请人:东曹Smd有限公司