专利名称：固态图像传感器及其制造方法以及照相机的制作方法
技术领域：
本发明涉及固态图像传感器及其制造方法以及照相机。
背景技术：
近年来，已经提出了具有导光部的固态图像传感器，以增加要入射到光电转换部分上的光。正如日本专利公开号2004-207433中所描述的，在其上形成光电二极管的半导体基底上由低压CVD (化学气相沉积)方法形成硅氮化物膜，在硅氮化物膜上形成层间绝缘膜，并且使用硅氮化物膜作为蚀刻终止层，蚀刻层间绝缘膜。通过蚀刻层间绝缘膜形成形成导光部所需的开口部分。此外，经由开口部分通过蚀刻硅氮化物膜，在硅氮化物膜中也形成开口部分。还有，正如日本专利公开号2004-207433中所描述的，由于作为蚀刻终止层的硅氮化物膜具有高的氢吸收效果，所以能够防止氢进入由硅氮化物膜所覆盖的部分(0019至0021、0030和0031段)。此外，在日本专利公开号2004-207433中所描述的结构中，每个光电二极管的上表面的部分区域(每个导光部的周围区域)由硅氮化物膜经由栅绝缘膜覆盖(0021 段，图 3 (B))。
日本专利公开号2004-207433中所描述的硅氮化物膜用于防止氢进入该膜所覆盖的部分。因此，应当理解，硅氮化物膜是氢含量小的膜，也就是使用二氯磺酞(SiH2Cl2:后文将称为DCS)的由低压CVD方法形成的硅氮化物膜(后文将称为DCS-SiN)。当像素被DCS-SiN覆盖时，对每个光电转换部分的氢供给变得不足，并且自由键无法充分地封端。因此难以获得具有低暗电流的固态图像传感器。
另一方面，已经提出了通过等离子体增强CVD (PECVD)方法在每个光电转换部分上形成硅氮化物膜(后文将称为P-SiN)的方法，以增加对光电转换部分的氢供给量。不过，利用这种方法，由于在P-SiN形成之时基底遭受了等离子体损害，由P-SiN覆盖像素的结构可能增加光电转换部分的晶体缺陷。因此，这种方法不利于获得具有低暗电流的固态图像传感器。发明内容
本发明提供了有利于减小固态图像传感器的暗电流的技术。
本发明的第一方面提供了具有光电转换部分的固态图像传感器的制造方法，所述方法包括:使用六氯乙硅烷(Si2Cl6)作为原料气体通过低压化学气相沉积方法形成硅氮化物膜，使得所述硅氮化物膜覆盖所述光电转换部分的至少一部分。
本发明的第二方面提供了具有光电转换部分的固态图像传感器，所述固态图像传感器包括:定位为覆盖所述光电转换部分的至少一部分的硅氮化物膜，所述硅氮化物膜使用六氯乙硅烷作为原料气体通过低压化学气相沉积方法形成。
本发明的第三方面提供了照相机，包括:如本发明的所述第二方面定义的固态图像传感器；以及用于处理从所述固态图像传感器输出的信号的处理单元。
参考附图从示例性实施例的以下说明，本发明的进一步特征将变得显而易见。
图1A至IC是用于解释根据本发明的第一实施例的固态图像传感器及其制造方法的视图2A至2C是用于解释根据本发明的第一实施例的固态图像传感器及其制造方法的视图3A和3B是用于解释根据本发明的第一实施例的固态图像传感器及其制造方法的视图4是显示低压CVD装置的结构实例的视图5是柱状图，显示HCD-SiN和DCS-SiN中S1-H和N-H键密度的分析结果；
图6A至6C是用于解释根据本发明的第二实施例的固态图像传感器及其制造方法的视图7A至7C是用于解释根据本发明的第二实施例的固态图像传感器及其制造方法的视图8A和SB是用于解释根据本发明的第二实施例的固态图像传感器及其制造方法的视图。
具体实施方式
后文将描述本发明的实施例。本发明的一实施例针对具有光电转换部分的固态图像传感器的制造方法。所述制造方法包括使用六氯乙硅烷(Si2Cl6=HCD)作为原料气体通过低压CVD (LPCVD)方法形成硅氮化物膜的过程，以便覆盖每个光电转换部分的至少一部分。在这种情况下，在光电转换部分与硅氮化物膜之间可以形成也可以不形成诸如绝缘膜的膜。硅氮化物膜可以覆盖光电转换部分的整个区域。根据这实施例，由于形成对光电转换部分具有优良氢供给性能的硅氮化物膜，光电转换部分的自由键由氢封端，从而减小了暗电流。还有，这实施例有利于减小暗电流也因为，与通过等离子体增强CVD方法形成硅氮化物膜的情况不同，对光电转换部分没有等离子体损害。
另一方面，在覆盖每个光电转换部分的至少一部分的硅氮化物膜形成时，当DCS被用作供给硅所需的原料气体时，所获得的硅氮化物膜的氢含量极小。因为这个原因，例如，在氢气中的烧结过程之时，对由这层硅氮化物膜覆盖的光电转换部分的氢供给量变小。结果，自由键无法充分地封端，所以难以获得具有低暗电流的固态图像传感器。
后文将描述本发明的更实用的实施例，但是本发明不限于以下实施例。例如，每个以下实施例的固态图像传感器都具有导光部，但是导光部可以是任意采纳的。每个以下实施例的固态图像传感器都是前面照射传感器，但是本发明也适用于背面照射传感器。
下面将参考图1A至1C、图2A至2C以及图3A和3B，描述根据本发明的第一实施例的固态图像传感器及其制造方法。第一实施例的固态图像传感器包括像素部分1611和外围电路部分1616。典型情况下，像素部分1611包括多个像素，并且每个像素都包括一个光电转换部分。外围电路部分1616是像素部分1611以外的区域。外围电路部分1616能够包括例如垂直扫描电路(行选择电路)、水平扫描电路(列选择电路)、读出电路和控制电路。图1A至1C、图2A至2C以及图3A和3B展示了包括两个光电转换部分的像素部分1611和包括一个晶体管304的外围电路部分1616。不过，像素部分1611包括更多的光电转换部分，而外围电路部分1616包括更多晶体管。
下面将描述根据第一实施例的固态图像传感器的制造方法。在图1A所示的过程中，准备了其上形成诸如晶体管和光电转换部分的元件的半导体基底301，并且在半导体基底301的主面302上形成硅氮化物膜305、硅氧化物膜306和硅氮化物膜307作为绝缘膜。典型情况下，半导体基底301是硅基底，并且具有主面302。半导体基底301包括:分别构成光电转换部分(光电二极管)的η型半导体区域202和203、像素部分1611的晶体管303和外围电路部分1616的晶体管304。η型半导体区域202和203用作累积电荷(在这个实例中是电子)的电荷累积区域。转移晶体管的栅电极206和207分别对应于η型半导体区域202和203，并且具有转移η型半导体区域202和203中电荷的功能。
在作为电荷累积区域的η型半导体区域202和203的下方形成η型半导体区域314。η型半导体区域314比作为电荷累积区域的η型半导体区域202和203具有更低的杂质浓度。P型半导体区域315定位在η型半导体区域314的下方。至少η型半导体区域202和314以及P型半导体区域315构成一个光电转换部分。还有，至少η型半导体区域203和314以及P型半导体区域315构成一个光电转换部分。η型半导体区域202和203被隔离部分216彼此隔离。
像素部分1611的晶体管303具有η型源/漏区309和栅电极308。ρ型半导体区域316定位在晶体管303的源/漏区309和浮动扩散区210的下方。在外围电路部分1616中，定位有NMOS晶体管和PMOS晶体管，它们构成CMOS电路。不过，图1A至1C、图2A至2C以及图3A和3B仅仅示范了 NMOS晶体管。外围电路部分1616的晶体管304具有定位在ρ型半导体区域313中的η型源/漏区311以及在源/漏区311之间的半导体基底301的主面302上定位的栅电极310。注意，在图1A至3Β中，没有显示栅绝缘膜。诸如晶体管303和313的晶体管被元件隔离部分317彼此隔离。
在图1A所示的过程中，在像素部分1611和外围电路部分1616的区域上的半导体基底301的主面302上都形成多层堆叠的绝缘膜。更确切地说，在主面302上形成硅氧化物膜(未显示)，在硅氧化物膜上形成硅氮化物膜305，并且在硅氮化物膜305上形成硅氧化物膜306。至于像素部分1611的外围电路部分1616和外围电路部分1616,娃氧化物膜(未显示)、硅氮化物膜305和硅氧化物膜306被蚀刻以在栅电极310的侧壁上形成侧面隔离区312。使用这些侧面隔离区312，能够形成源/漏区311以具有LDD结构。在像素部分1611上保留的硅氮化物膜305能够在形成接触孔时被用作蚀刻终止层，并且也能够被用作抗反射膜。
在源/漏区311和栅电极310上能够形成高熔点金属的硅化物层比如硅化钴。该硅化物层能够选择地仅仅在外围电路部分1616的晶体管上形成。这是为了减小源/漏区311和栅电极310的电阻。注意，硅化物层能够在源/漏区311和栅电极310之一上形成。
在像素部分1611和外围电路部分1616的区域上都能够形成硅氮化物膜(绝缘膜)307。在形成硅氮化物膜307之前，在像素部分1611和外围电路部分1616上都可以形成硅氧化物膜(未显示)。这是为了防止半导体基底的主面302从外围电路部分1616的晶体管304的源/漏区311暴露。
下一步，在图1B所示的过程中，在像素部分1611和外围电路部分1616上形成的硅氮化物膜307被图案化以形成硅氮化物膜317和硅氮化物膜318。在这种情况下，当形成硅氧化物膜(未显示)时，可以将其图案化为与硅氮化物膜317和318具有相同的形状。硅氮化物膜317能够定位在作为电荷累积区域的η型半导体区域202和203上，也就是，覆盖光电转换部分的至少一部分和转移晶体管的栅电极207的至少一部分。在像素部分1611的其他区域上，通过蚀刻去除了硅氮化物膜307。在外围电路部分1616上，不蚀刻而保留硅氮化物膜307作为硅氮化物膜318。
下一步，在图1C所示的过程中，能够形成多个层间绝缘膜319、接触插塞320、第一布线层321和包括导孔插塞的第二布线层322。这多个层间绝缘膜319能够通过交替堆叠硅氧化物膜和硅氮化物膜配置。这多个层间绝缘膜319能够被用作导光部的包层。第一布线层321和第二布线层322能够由镶嵌方法，使用例如含铜作为主要成分的材料形成，但是它们也可以使用其他材料比如铝形成。
下一步，在图2Α所示的过程中，在多个层间绝缘膜319中形成开口 323。通过在光电转换部分(η型半导体区域202和203)对应的区域中形成具有开口的光阻图案(未显示)，并且使用该图案作为掩模蚀刻多个层间绝缘膜319，来形成开口 323。这种蚀刻能够例如是各向异性蚀刻。更确切地说，对多个层间绝缘膜319能够执行等离子体蚀刻，直到暴露出硅氮化物膜317。硅氮化物膜317是蚀刻时降低对光电转换部分(η型半导体区域202和203)的等离子体损害所需的膜，并且也用作蚀刻终止膜。前述的硅氧化物膜(未显示)、硅氮化物膜305和硅氧化物膜306定位在半导体基底的主面302与硅氮化物膜317之间，对于变为入射到光电转换部分(η型半导体区域202和203)上的光，它们能够用作抗反射膜。
下一步，在图2Β所示的过程中，折射率高于用作包层的多个层间绝缘膜319的透明材料，填充开口 323以形成用作将光引导到光电转换部分所用的导光部的芯的若干部分。在这种情况下，在开口 323中形成硅氮化物，其折射率高于作为多个层间绝缘膜319的主要材料的硅氧化物。更确切地说，通过高密度等离子体CVD方法(后文将称为HDP-CVD方法)将硅氮化物沉积在整个表面，从而以硅氮化物324填充开口 323。在开口 323以外的部分上形成的硅氮化物能够由例如化学机械抛光(后文将缩写为CMP)或等离子体蚀刻去除。这个过程使硅氮化物的表面平坦，从而形成硅氮化物膜325。能够由多个层间绝缘膜319和作为高折射率材料的硅氮化物324配置每个导光部。能够在硅氮化物膜325的上表面上形成硅氮氧化物膜(绝缘膜)326。
下一步，在图2C所示的过程中，硅氮化物膜325和硅氮氧化物膜326被图案化。在图2C所示的实例中，在外围电路部分1616上的硅氮化物膜325和硅氮氧化物膜326被去除。不过，仅仅需要去除硅氮化物膜325和硅氮氧化物膜326的整个区域上至少导孔插塞331的预期形成区域。在导孔插塞331的预期形成区域上也可以保留硅氮化物膜325和硅氮氧化物膜326。通过各向异性蚀刻，例如等离子体蚀刻，使硅氮化物膜325和硅氮氧化物膜326图案化。利用这个过程，硅氮化物膜325和硅氮氧化物膜326被图案化为具有开口329的硅氮化物膜327和硅氮氧化物膜328。此后，形成绝缘膜330填充开口 329并覆盖硅氮化物膜327和硅氮氧化物膜328。绝缘膜330能够由例如硅氧化物配置。绝缘膜330能够通过例如等离子体增强CVD方法形成。下一步，形成导孔插塞331，它连接绝缘膜330和第二布线层322。导孔插塞331由例如钨配置，并且能够具有钛和氮化钛的势垒金属。然后能够在导孔插塞331上方形成第三布线层333。第三布线层333能够由例如含铝作为主要成分的导体配置。在这种情况下，第三布线层333也能够用作外围电路区域的光屏蔽膜。
下一步，在图3A所示的过程中，形成绝缘膜334所需的第一绝缘膜和形成绝缘膜335所需的第二绝缘膜以这种次序形成。在第二绝缘膜上形成透镜形的光阻图案，并且使用该图案作为掩模蚀刻第二绝缘膜，从而形成层内透镜337。此后，形成绝缘膜336所需的第三绝缘膜在透镜上形成。通过去除焊盘比如输入和输出焊盘对应的区域的第三绝缘膜，形成绝缘膜336。在这种情况下，绝缘膜335是具有层内透镜337的透镜层，而绝缘膜334和336能够用作绝缘膜335的抗反射膜。
在图3B所示的过程中，树脂平坦层338、包括对应于多种颜色的滤色器的滤色器层339和包括微透镜341的微透镜层340以这种次序形成。
在固态图像传感器的前述制造方法中，硅氮化物膜305和307中的至少一个能够由使用六氯乙硅烷(HCD)作为原料气体的低压CVD方法形成，以便覆盖每个光电转换部分的至少一部分。由这样的方法形成的硅氮化物膜被称为HCD-SiN。使用例如图4所示的气相沉积装置，能够形成硅氮化物膜305和307。图4所示的气相沉积装置100是批量型低压CVD装置。气相沉积装置100具有在半导体基底上形成硅氮化物膜所需的加工室12。在加工室12中，定位着由舟26保持的基底。气相沉积装置100包括用于引入形成硅氮化物膜所需的反应气体14的气管25，控制反应气体14的流量比(或流速)所需的质量流量控制器(MFC)18,以及排出加工室12中气体所需的排气泵20。气相沉积装置100也具有控制反应气体14的流量比以及加工室12内部温度和压力所需的控制单元(未显示)。
在一个实例中，硅氮化物膜305能够由低压CVD方法形成，使用HCD作为供给硅所用的反应气体，和使用氨(NH3)作为供给氮所用的反应气体。更确切地说,加工室12的内部压力被降低到13.3至133帕(0.1至1.0托)范围内的预定压力。此后，在气体流量比HCD/NH3=约10至100、600°C的温度和约30分钟的膜形成时间的处理条件下，硅氮化物膜305生长。那么，能够形成具有约50nm厚度的HCD-SiN作为硅氮化物膜305。由于温度被设定在600°C左右，HCD-SiN能够具有大的氢含量，同时确保了给定的膜形成率。硅氮化物膜307也能够在与硅氮化物膜305相同的条件下形成。
在这种情况下，不需要硅氮化物膜305和307 二者都作为HCD-SiN形成，而是仅仅需要形成硅氮化物膜305和307中的至少一个作为HCD-SiN。例如，能够形成硅氮化物膜305作为DCS-SiN，而能够形成硅氮化物膜307作为HCD-SiN。作为替代，能够形成硅氮化物膜305作为HCD-SiN，而能够形成硅氮化物膜307作为DCS-SiN。
下面将示范作为DCS-SiN形成硅氮化物膜305或307的过程。加工室12的内部压力被降低到13.3至133帕(0.1至1.0托)范围内的预定压力。此后，使用DCS和氨(NH3)作为反应气体，在气体流量比DCS/NH3=约10/1至1、770°C的温度和约20分钟的膜形成时间的处理条件下，硅氮化物膜生长。因此，能够获得具有约50nm厚度的硅氮化物膜(DCS-SiN)。
图5显示了傅里叶变换IR光谱分析法(后文将称为FT-1R)的分析结果。图5显示了由前述方法形成的HCD-SiN和DCS-SiN的N-H和S1-H键密度。HCD-SiN和DCS-SiN的膜厚度分别为约50nm。正如从图5可见，HCD-SiN是比DCS-SiN具有更高S1-H和N-H键密度以及更大氢含量的硅氮化物膜。期望S1-H和N-H键密度中的至少一个为1.5X1021原子/cm3或更高。根据本发明人的检查，期望以1.5 X IO21原子/cm3或更高密度包含S1-H或N-H键的硅氮化物膜覆盖光电转换部分。然后，在形成布线图案后的烧结过程中的退火时，保留的氢有效地封端每个光电转换部分的自由键，因此获得了低噪声的固态图像传感器。HCD-SiN中的S1-H键密度为3.3 X IO21原子/cm3，而HCD-SiN中的N-H键密度为2.5 X IO21原子/cm3。两种密度都超过了 1.5 X IO21原子/cm3或更高。
下面将参考图6A至6C、图7A至7C以及图8A和8B，描述根据本发明的第二实施例的固态图像传感器及其方法。在第二实施例中，与在第一实施例中不同，在像素部分1611上不保留硅氮化物膜317，并且硅氮化物膜305被用作蚀刻终止层，而其他方面与第一实施例是共同的。
在图6A所示的过程中，通过与参考图1A描述的方法相同的方法形成图6A所示的结构。不过，在第二实施例中，硅氮化物膜305作为HCD-SiN形成。下一步，在图6B所示的过程中，在像素部分1611和外围电路部分1616中的像素部分1611上形成的硅氮化物膜307被去除以保留外围电路部分1616上的硅氮化物膜318。
下一步，在图6C所示的过程中，能够形成多个层间绝缘膜319、接触插塞320、第一布线层321和包括导孔插塞的第二布线层322。这多个层间绝缘膜319能够通过交替堆叠硅氧化物膜和硅氮化物膜配置。这多个层间绝缘膜319能够被用作导光部的包层。第一布线层321和第二布线层322能够由镶嵌方法使用例如含铜作为主要成分的材料形成，但是它们也可以使用其他材料比如铝形成。
下一步，在图7A所示的过程中，在多个层间绝缘膜319和硅氮化物膜306中形成开口 323。能够通过在光电转换部分(η型半导体区域202和203)对应的区域中形成具有开口的光阻图案(未显示)，并且使用该图案作为掩模蚀刻多个层间绝缘膜319，来形成开口323。这种蚀刻能够为例如各向异性蚀刻。更确切地说，对多个层间绝缘膜319和硅氮化物膜306能够执行等离子体蚀刻，直到暴露出硅氮化物膜305。硅氮化物膜305是蚀刻时降低对光电转换部分U型半导体区域202和203)的等离子体损害所需的膜，并且也用作蚀刻终止膜。
下一步，在图7Β所示的过程中，折射率高于用作包层的多个层间绝缘膜319的透明材料，填充开口 323以形成用作导光部的芯的若干部分。在这种情况下，在开口 323中形成硅氮化物，其折射率高于作为多个层间绝缘膜319的主要材料的硅氧化物。更确切地说，使用HCD通过低压CVD方法将硅氮化物(HCD-SiN)沉积在整个表面上，从而以硅氮化物324填充开口 323。在开口 323以外的部分上形成的硅氮化物能够由例如CMP或等离子体蚀刻去除。这个过程使硅氮化物的表面平坦，从而形成硅氮化物膜325。
此后，在图7C、8A和8Β所示的过程中，通过与图2C、3A和3B所示的过程中的方法相同的方法，形成布线层333、平坦层338、滤色器层339和包括微透镜341的微透镜层340。
在第二实施例中，由HCD-SiN配置的硅氮化物膜305比第一实施例中的硅氮化物膜317更接近光电转换部分(η型半导体区域202和203)。因此，第二实施例中的硅氮化物膜305具有比第一实施例中的硅氮化物膜317更高的对光电转换部分的氢供给性能。
作为根据以上实施例的固态图像传感器的应用示例，下面将示例化加入固态图像传感器的照相机。照相机的概念不仅包括主要意在图像捕获操作的装置，而且包括以图像捕获功能作为辅助功能的装置(例如个人电脑和便携式终端)。照相机包括根据被示例化为这些实施例的本发明的固态图像传感器，以及用于处理从固态图像传感器输出的信号的处理单元。处理单元能够包括例如A/D转换器，以及处理从A/D转换器输出的数字数据的处理器。
虽然已经参考示例性实施例描述了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。以下权利要求书的范围应当赋予最广泛的解释以包含一切这样的修改以及等效结构和功能。
权利要求
1.一种具有光电转换部分的固态图像传感器的制造方法，所述方法包括: 使用六氯乙硅烷(Si2Cl6)作为原料气体通过低压化学气相沉积方法形成硅氮化物膜，使得所述硅氮化物膜覆盖所述光电转换部分的至少一部分。
2.根据权利要求1的方法，进一步包括: 在所述硅氮化物膜上形成层间绝缘膜； 在所述层间绝缘膜中形成开口 ；以及 以硅氮化物填充所述开口， 其中，所述层间绝缘膜和填充所述开口的所述硅氮化物形成用于将光弓I导到所述光电转换部分的导光部。
3.根据权利要求2的方法，其中，在以所述硅氮化物填充所述开口时，通过等离子体增强化学气相沉积方法以所述硅氮化物填充所述开口。
4.根据权利要求2的方法，其中，在所述层间绝缘膜中形成所述开口时，通过使用由所述低压化学气相沉积方法形成的所述硅氮化物膜作为蚀刻终止层，蚀刻所述层间绝缘膜来形成所述开口。
5.根据权利要求1的方法，其中，所述固态图像传感器包括:包括所述光电转换部分的像素部分，以及包括晶体管的外围电路部分，以及 在通过所述低压化学气相沉积方法形成所述硅氮化物膜时，形成所述硅氮化物膜以覆盖所述光电转换部分的至少一部分和所述晶体管。
6.根据权利要求1的方法，进一步包括:在通过所述低压化学气相沉积方法形成所述硅氮化物膜之前，形成另一硅氮化物膜以覆盖所述光电转换部分的至少一部分， 其中，在通过所述低压化学气相沉积方法形成所述硅氮化物膜时，在所述另一硅氮化物膜上形成所述硅氮化物膜。
7.根据权利要求6的方法，其中，在所述形成另一硅氮化物膜时，使用六氯乙硅烷作为原料气体形成所述另一硅氮化物膜，以覆盖所述光电转换部分的至少一部分。
8.根据权利要求1的方法，其中，所述固态图像传感器包括:包括所述光电转换部分的像素部分，以及包括晶体管的外围电路部分，以及 所述方法进一步包括形成另一硅氮化物膜以覆盖所述晶体管。
9.根据权利要求1的方法，其中，在通过所述低压化学气相沉积方法形成所述硅氮化物膜时，形成所述硅氮化物膜以包含S1-H键和N-H键，使得所述S1-H键和所述N-H键中的至少一个的密度不小于1.5 X IO21原子/cm3。
10.一种具有光电转换部分的固态图像传感器，所述固态图像传感器包括: 定位为覆盖所述光电转换部分的至少一部分的硅氮化物膜，使用六氯乙硅烷作为原料气体通过低压化学气相沉积方法形成所述硅氮化物膜。
11.根据权利要求10的固态图像传感器，其中，所述硅氮化物膜包含S1-H键和N-H键；以及 所述S1-H键和所述N-H键中的至少一个的密度不小于1.5 X IO21原子/cm3。
12.—种照相机，包括: 根据权利要求10的固态图像传感器；以及 处理从所述固态图像传感器输出的信号的处理单元。
全文摘要
本发明公开了固态图像传感器及其制造方法以及照相机。具有光电转换部分的固态图像传感器的制造方法包括使用六氯乙硅烷(Si2Cl6)作为原料气体通过低压化学气相沉积方法形成硅氮化物膜，使得所述硅氮化物膜覆盖所述光电转换部分的至少一部分。
文档编号C23C16/30GK103107176SQ20121037533
公开日2013年5月15日 申请日期2012年9月29日 优先权日2011年10月6日
发明者庄山敏弘 申请人:佳能株式会社