一种用于化学机械抛光设备的清洗装置制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种用于化学机械抛光设备的清洗装置，其特点是，包含：壳体、间隔设置在壳体上的一排多个喷头；所述喷头包含用于向晶片喷水的直喷头和用于向化学机械抛光设备顶盖内壁喷水的弯喷头；各所述喷头通过水管与外部的进水管连接。所述直喷头垂直设置在壳体上。所述弯喷头折弯成一钝角。各所述弯喷头设为出水口方向不同。本发明设置在化学机械抛光设备的各抛光台的相邻位置。本发明能够在清洗晶片的同时对化学机械抛光设备的顶盖内壁进行清洗，以使其一直保持湿润状态，抛光过程中喷溅到顶盖内壁上的研磨液不会干燥结晶，降低抛光过程中研磨液结晶掉落划伤晶片的几率，提高抛光生产的成品率，并且本发明装置结构简单，使用方便，成本低廉。
【专利说明】一种用于化学机械抛光设备的清洗装置
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种清洗装置，尤其涉及一种用于化学机械抛光设备的清洗装置。
【背景技术】
[0002]参阅附图1所示，在半导体生产中使用的化学机械抛光设备，通常包含多个抛光台10，抛光台10上方设置有多个抛光头，抛光头的上方设置有顶盖，各抛光台10的相邻位置设置有晶片清洗装置11，抛光台10的邻近位置还设置有晶片传载机构12，参阅附图2和附图3所示，晶片清洗装置11包含壳体I和垂直间隔设置在壳体I上的多个直喷头21，该直喷头21的出水口向正上方，图3中的箭头表示直喷头21的出水口的喷射方向。晶片抛光生产中，在各个抛光台10上设置抛光垫，并在抛光垫上添加研磨液，抛光头将待抛光面朝下的晶片吸持后压置在抛光垫上进行抛光，完成一次抛光后，抛光头吸持着晶片移动到设置在抛光台10相邻位置的晶片清洁装置11上方，晶片清洗装置11的多个直喷头21垂直向上喷射高压去离子水，清洗晶片的抛光面。由于在抛光过程中，抛光台10或抛光头快速旋转对晶片进行抛光，抛光垫中的研磨液喷溅到上方的顶盖内壁上，喷溅到顶盖上的研磨液干燥后成为研磨液结晶附着在顶盖内壁上。随着化学机械抛光设备使用时间的增加，附着在顶盖内壁上的研磨液结晶将逐渐增加，在晶片抛光生产过程中，这些附着在顶盖内壁上的研磨液结晶有时候会掉落下来，划伤晶片表面。而现有的晶片清洗装置11仅能对移动到其正上方的晶片进行清洗。
【发明内容】
[0003]本发明提供了一种用于化学机械抛光设备的清洗装置，能够在清洗晶片的同时对化学机械抛光设备的顶盖内壁进行清洗，降低抛光过程中晶片划伤的几率，提高抛光生产的成品率，并且本发明装置结构简单，使用方便，成本低廉。
[0004]本发明采用如下技术方案实现:
一种用于化学机械抛光设备的清洗装置，包含多个抛光台，抛光台上方设有多个抛光头，抛光头的上方设置有顶盖，抛光台的邻近位置还设置有晶片传载机构，各抛光头吸持晶片在抛光台上抛光，各所述抛光头可移动；其特点是，所述该清洗装置包含:壳体、间隔设置在壳体上的一排多个喷头；所述喷头包含用于向晶片喷水的直喷头和用于向化学机械抛光设备顶盖内壁喷水的弯喷头；各所述喷头通过水管与外部的进水管连接。
[0005]上述的用于化学机械抛光设备的清洗装置，其特点是，所述直喷头垂直设置在壳体上。
[0006]上述的用于化学机械抛光设备的清洗装置，其特点是，所述弯喷头折弯成一钝角。
[0007]上述的用于化学机械抛光设备的清洗装置，其特点是，所述弯喷头优选折弯成一135°钝角。
[0008]上述的用于化学机械抛光设备的清洗装置，其特点是，各所述弯喷头设为出水口方向不同。[0009]上述的用于化学机械抛光设备的清洗装置，其特点是，所述用于化学机械抛光设备的清洗装置设置在各抛光台的相邻位置。
[0010]上述的用于化学机械抛光设备的清洗装置，其特点是，各所述喷头通过水管与外部的进水管连接，通过设置在外部的进水管上的阀门控制，各所述喷头可同时喷水。
[0011]一种包含清洗装置的化学机械抛光设备，其特点是，包含:多个抛光台，设置在抛光台上方的多个抛光头，设置在抛光头上方的顶盖，设置在所述抛光台相邻位置的多个清洗装置，设置在抛光台邻近位置的晶片传载机构；各所述抛光头吸持晶片在抛光台上抛光，各所述抛光头可移动；所述清洗装置包含:壳体、间隔设置在壳体上的一排多个喷头；所述喷头包含用于向晶片喷水的直喷头和用于向化学机械抛光设备顶盖内壁喷水的弯喷头；所述直喷头垂直设置在壳体上；各所述喷头通过水管与外部的进水管连接；通过设置在外部的进水管上的阀门控制，各所述喷头可同时喷水。
[0012]上述的包含清洗装置的化学机械抛光设备，其特点是，所述弯喷头折弯成一钝角。
[0013]上述的包含清洗装置的化学机械抛光设备，其特点是，各所述弯喷头设为出水口方向不同。
[0014]本发明具有以下积极效果:
本发明由于包含用于向晶片喷水的直喷头和用于向化学机械抛光设备顶盖内壁喷水的多个弯喷头，弯喷头折弯成一钝角，并且各个弯喷头的出水口方向不一致，各喷头可同时喷水，因此本发明装置可以向其正上方和周围斜上方各个方向喷射去离子水，从而可以在清洗移动到本发明正上方的晶片的同时清洗周围上方的化学机械抛光设备的抛光头和顶盖内壁，并使抛光头和顶盖内壁保持湿润状态，抛光过程中喷溅到顶盖内壁和抛光头上的研磨液不会干燥结晶，降低抛光过程中顶盖内壁上的研磨液结晶掉落划伤晶片抛光表面的几率，提高抛光生产的成品率，并且本发明装置结构简单，因此使用方便，成本低廉。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1为现有技术的化学机械抛光设备的平面示意图；
图2为现有技术的化学机械抛光设备晶片清洗装置示意图；
图3为现有技术的化学机械抛光设备晶片清洗装置的直喷头外形示意图；
图4为本发明一种化学机械抛光设备清洗装置示意图；
图5为本发明一种化学机械抛光设备清洗装置的弯喷头外形示意图；
图6为本发明一种化学机械抛光设备清洗装置的应用实施例的示意图。
【具体实施方式】
[0016]以下结合附图，通过详细说明一个较佳的具体实施例，对本发明做进一步阐述。
[0017]在半导体生产中使用的一种化学机械抛光设备，包含多个抛光台10，抛光台10上方设置有多个抛光头，抛光头的上方设置有顶盖，抛光台10的邻近位置还设置有晶片传载机构12，晶片抛光生产中，在各个抛光台10上设置抛光垫，并在抛光垫上添加研磨液，抛光头将待抛光面朝下的晶片吸持后压置在抛光台10上的抛光垫上进行抛光，各抛光头可移动。
[0018]参阅附图4所示，本发明一种用于化学机械抛光设备的清洗装置，包含:壳体I和间隔设置在壳体I上的一排多个喷头2 ;喷头2包含用于向晶片喷水的直喷头21和用于向化学机械抛光设备顶盖内壁喷水的弯喷头22 ;各喷头2通过水管与外部的进水管连接。
[0019]直喷头21垂直设置在壳体I上，其出水口的喷射方向为垂直于壳体I向正上方喷射。
[0020]参阅附图5所示，弯喷头22折弯成一钝角，其出水口的喷射方向为斜向上。图5中的箭头表示弯喷头的喷射方向。弯喷头22优选折弯成一 135°钝角。
[0021]各弯喷头22设为出水口方向不同。各弯喷头22可以同时向本发明装置周围多个方向的斜上方喷射高压去离子水。
[0022]本实施例中，在壳体I上设置的一排多个喷头2中，在直喷头21的两侧分别间隔设置多个弯喷头22,各喷头的设置方向如附图4所不。直喷头21相邻两侧的两个弯喷头22的出水口方向互为相反。直喷头21相间隔一个喷头的两侧的两个弯喷头22的出水口方向互为相反。直喷头21 —侧的多个弯喷头22的出水口方向互为夹角。
[0023]参阅附图6所示，本发明设置在化学机械抛光设备的各个抛光台10的相邻位置，本发明的的各个喷头2通过水管与化学机械抛光设备的进水管连接，由化学机械抛光设备的进水管为本发明提供高压去离子水，并且通过设置在进水管上的阀门控制，各喷头2可同时喷水。抛光头吸持晶片压置在设置在抛光台10上的抛光垫上完成一次抛光后，抛光头吸持着晶片转移到设置在抛光台10相邻位置的本发明清洗装置的正上方，化学机械抛光设备的控制系统开启供水管路，本发明中的直喷头21向正上方垂直于晶片抛光面喷射高压的去离子水，清洗晶片的抛光面，同时，各个弯喷头22向各个不同方向的斜上方喷射高压的去离子水，这些喷向斜上方的高压去离子水喷射到抛光头和顶盖内壁上，对各个抛光头和顶盖内壁进行清洗。同时由于抛光头和顶盖内壁频繁受到去离子水的清洗，保持湿润状态，抛光过程中喷溅到顶盖内壁和抛光头上的研磨液不会干燥结晶，从而降低了抛光过程中顶盖内壁上的研磨液结晶掉落划伤晶片抛光表面的几率，提高了抛光生产的合格率。
[0024]一种包含清洗装置的化学机械抛光设备，包含:多个抛光台10，设置在抛光台10上方的多个抛光头，设置在抛光头上方的顶盖，设置在各抛光台10相邻位置的多个清洗装置，抛光台10的邻近位置还设置有晶片传载机构12。晶片抛光生产中，在各个抛光台10上设置抛光垫，并在抛光垫上添加研磨液，各抛光头将待抛光面朝下的晶片吸持后压置在抛光台10上的抛光垫上进行抛光，各抛光头可移动。其中，清洗装置包含:壳体1、间隔设置在壳体I上的一排多个喷头2 ;喷头2包含用于向晶片喷水的直喷头21和用于向化学机械抛光设备顶盖内壁喷水的弯喷头22。直喷头21垂直设置在壳体I上。各喷头2通过水管与外部的进水管连接。通过设置在外部的进水管上的阀门控制，各喷头2可同时喷水。弯嗔头22折弯成一纯角。各弯嗔头22设为出水口方向不冋。
[0025]综上所述，本发明由于包含用于向晶片喷水的直喷头和用于向化学机械抛光设备顶盖内壁喷水的多个弯喷头，弯喷头折弯成一钝角，并且各个弯喷头的出水口方向不一致，各喷头可同时喷水，因此本发明装置可以向其正上方和周围斜上方各个方向喷射去离子水，从而可以在清洗移动到本发明正上方的晶片的同时清洗周围上方的化学机械抛光设备的抛光头和顶盖内壁，并使抛光头和顶盖内壁保持湿润状态，抛光过程中喷溅到顶盖内壁和抛光头上的研磨液不会干燥结晶，降低抛光过程中顶盖内壁上的研磨液结晶掉落划伤晶片抛光表面的几率，提高抛光生产的成品率，并且本发明装置结构简单，只需对喷头进行更换，而不需要对化学机械抛光设备进行大的改造，因此使用方便，成本低廉。
[0026] 尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。
【权利要求】
1.一种用于化学机械抛光设备的清洗装置，包含多个抛光台(10)，抛光台(10)上方设有多个抛光头，抛光头的上方设置有顶盖，抛光台(10)的邻近位置还设置有晶片传载机构(12)，各抛光头吸持晶片在抛光台上抛光，各所述抛光头可移动；其特征在于，所述该清洗装置包含:壳体(I)、间隔设置在壳体(I)上的一排多个喷头(2);所述喷头(2)包含用于向晶片喷水的直喷头(21)和用于向化学机械抛光设备顶盖内壁喷水的弯喷头(22 );各所述喷头(2 )通过水管与外部的进水管连接。
2.如权利要求1所述的用于化学机械抛光设备的清洗装置，其特征在于，所述直喷头(21)垂直设置在壳体(I)上。
3.如权利要求1所述的用于化学机械抛光设备的清洗装置，其特征在于，所述弯喷头(22)折弯成一钝角。
4.如权利要求1所述的用于化学机械抛光设备的清洗装置，其特征在于，所述弯喷头(22)优选折弯成一 135°钝角。
5.如权利要求1所述的用于化学机械抛光设备的清洗装置，其特征在于，各所述弯喷头(22)设为出水口方向不同。
6.如权利要求1所述的用于化学机械抛光设备的清洗装置，其特征在于，所述该清洗装置设置在化学机械抛光设备的各抛光台(10)的相邻位置。
7.如权利要求1所述的用于化学机械抛光设备的清洗装置，其特征在于，各所述喷头(2)通过水管与外部的进水管连接，通过设置在外部的进水管上的阀门控制，各所述喷头(2)可同时喷水。
8.一种包含清洗装置的化学机械抛光设备，其特征在于，包含:多个抛光台(10)，设置在抛光台(10)上方的多个抛光头，设置在抛光头上方的顶盖，设置在所述抛光台(10)相邻位置的多个清洗装置，设置在抛光台(10)邻近位置的晶片传载机构(12);各所述抛光头吸持晶片在抛光台上抛光，各所述抛光头可移动；所述清洗装置包含:壳体(I)、间隔设置在壳体(I)上的一排多个喷头(2);所述喷头(2)包含用于向晶片喷水的直喷头(21)和用于向化学机械抛光设备顶盖内壁喷水的弯喷头(22);所述直喷头(21)垂直设置在壳体(I)上；各所述喷头(2)通过水管与外部的进水管连接；通过设置在外部的进水管上的阀门控制，各所述喷头(2)可同时喷水。
9.如权利要求7所述的包含清洗装置的化学机械抛光设备，其特征在于，所述弯喷头(22)折弯成一钝角。
10.如权利要求7所述的包含清洗装置的化学机械抛光设备，其特征在于，各所述弯喷头(22)设为出水口方向不同。
【文档编号】B24B29/02GK103878668SQ201210557495
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2012年12月20日 优先权日:2012年12月20日
【发明者】顾军, 邱麟, 刘波 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司