专利名称：防着板、防着板-靶材组件及等离子体溅射设备的制作方法
技术领域：
本实用新型属于等离子体技术领域，具体涉及一种防着板和防着板-靶材组件及等离子体溅射设备。
背景技术：
在沉积镀膜工艺中，尤其是薄膜晶体管液晶显示器(Thin FilmTransistorLiquid Crystal Display，TFT-LCD)的生产制造过程中，需要使用等离子体溅射设备、例如使用磁控溅射机进行镀膜。采用磁控溅射机进行镀膜时，磁控溅射机中的溅射源在电场的作用下产生加速电子，这些加速电子与磁控溅射机真空腔中预先充入的惰性气体碰撞得到带正电的粒子，带正电的粒子受到阴极(靶材)的吸引而撞击靶材表面的原子，这些原子因受到带正电的粒子的撞击而获得动量转移，进而产生垂直靶材表面的作用力，将靶材表面的原子碰撞出去而沉积在被镀物上完成镀膜。为防止靶材原子溅射到被镀物以外的其它位置，需要在真空腔室中设置防着板，例如，腔室的四周。目前高世代TFT-1XD生产线所用的铟锡氧化物(ITO)立式磁控溅射设备中，ITO靶材通常是多联的，例如12块ITO靶材并排排列称为12联靶材。然而，每两联(块)ITO靶材之间的边缘由于ITO粉尘的回落沉积，会形成一定的非侵蚀区域，且镀膜工艺中形成颗粒和缺陷较多，良品率下降；并且长时间沉积可能造成短路。为了防止ITO粉尘回落到靶材上需要设置防着板，该防着板能附着ITO粉尘保护靶材，但使用一段时间后，防着板的附着ITO粉尘的能力下降，需要对防着板进行更换。同时，防着板能减少靶材的非侵蚀区域，从而减少镀膜工艺中形成颗粒和缺陷，防止良品率下降。防着板的形状以及与靶材之间相对位置关系影响非侵蚀区域的大小，现有技术常见的防着板如图1所示，靶材2和防着板I并排放置，防着板I在垂直于靶材2方向上与靶材2没有重叠的部分，使防着板I不能有效的遮挡ITO粉尘回落至靶材2，造成非侵蚀区域4较大，在5mm以上。非侵蚀区域4较大会缩短防着板的使用寿命，造成需要更频繁地更换防着板，增加了人工工作量，而且使磁控溅射设备的停机和恢复时间延长，稼动率较低。因此，设计合适形状的防着板降低非侵蚀区域成为研发的重点。
实用新型内容本实用新型的一个目的是提供一种减少非侵蚀区域，延长更换周期的防着板。解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种防着板，设置于设有靶材的等离子体溅射设备中，所述的防着板包括用于遮挡靶材上表面边缘的突出部，所述靶材的上表面是指所述靶材的被等离子体轰击的表面。具有突出部的防着板能够防止ITO粉尘回落到靶材上；同时，防着板能减少靶材的非侵蚀区域，延长了防着板的更换周期，从而减少镀膜工艺中形成颗粒和缺陷，防止镀膜的良品率下降。[0010]优选的是，所述突出部的纵截面为矩形。优选的是，所述防着板的突出部具有向外倾斜的侧面。优选的是，所述的防着板还具有设在靶材侧方的支撑部，所述突出部连接于所述支撑部。优选的是，所述防着板的支撑部的两侧各连接有一个突出部。本实用新型的另一目的是提供一种减少非侵蚀区域，延长更换周期的防着板-靶材组件。解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种防着板-靶材组件，包括靶材和设在靶材边缘处的防着板，所述的防着板包括用于遮挡靶材上表面边缘的突出部，所述靶材的上表面是指所述靶材的被等离子体轰击的表面。优选的是，所述的靶材的纵截面为矩形。优选的是，所述的靶材靠近防着板的一侧具有从靶材中心向外向下倾斜的上表面。本实用新型的另一目的是提供一种稼动率高的等离子体溅射设备。解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种等离子体溅射设备包括上述的防着板-靶材组件。本实用新型通过测试选取适当的形状防着板和防着板-靶材组件，减少了非侵蚀区域，延长了防着板的更换周期，提升了等离子体溅射设备的稼动率，同时使镀膜工艺的良品率得到了提升。
图1为现有技术的防着板的纵向剖面示意图。图2为本实用新型实施例1的一种防着板的纵向剖面示意图。图3为本实用新型实施例1的另一种防着板的纵向剖面示意图。图4为本实用新型实施例2的一种靶材-防着板组件的纵向剖面示意图。其中:1.防着板；2.靶材；3.突出部；4.非侵蚀区域；5.支撑部；6.上表面。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细描述。实施例1如图2至图3所示，本实施例提供一种设置于设有靶材的等离子体溅射设备中的防着板1，该防着板I包括用于遮挡靶材2的上表面6的边缘的突出部3，这里，靶材2的上表面6是指被等离子体轰击的表面。发明人发现，在靶材2周围ITO粉尘大量回落，而该防着板I的突出部3能够像雨伞一样防止ITO粉尘回落到祀材2上；同时,防着板I能减少革巴材2的非侵蚀区域4，延长了防着板I的更换周期，从而减少镀膜工艺中形成颗粒和缺陷，防止镀膜的良品率下降。优选的，如图2所示，防着板I的突出部3具有向外倾斜的侧面。经过测试，这种截面可以更好地压缩非侵蚀区域4的面积。[0030]优选的，突出部3的纵截面也可以为矩形。如图3所示，优选的，防着板I还具有用于设在靶材2侧面方的支撑部5，该支撑部5用于支撑防着板I。当然，突出部3也可以采用其它方式固定于靶材2的上方，例如，悬挂
坐寸ο优选的，如图3所示，防着板I的支撑部5的顶部两侧各连接有一个突出部3，防着板I位于多联靶材2的每两联靶材2之间时，每个支撑部5可以同时支撑两个突出部3，防止ITO粉尘回落到支撑部5两侧的靶材2上(即防着板I为中心防着板)。优选的，两个突出部3也可以对称分布，并一体成型。优选的，突出部3和支撑部5也可以一体成型。经过测试，上述形状的防着板I均能使非侵蚀区域4的长度控制在3mm以下，减少了非侵蚀区域4 ;延长了防着板I的更换周期，相同靶材2周期内更换次数由通常的5次降低到2次，提高了设备的稼动率；减少镀膜工艺中形成颗粒和缺陷，提升了镀膜的良品率。实施例2如图4所示，本实施例提供一种防着板-靶材组件，包括靶材2和设在靶材2边缘处的防着板1，防着板I的突出部3遮挡在靶材2边缘。优选的，如图4所示，防着板I的突出部3也可以是纵截面为矩形；当然，防着板I也可以为实施例1中的任一其它形状。优选的，靶材2也可以为纵截面为矩形的靶材2。优选的，如图4所示，靶材2也可在靠近防着板I的一侧具有从靶材2中心向外向下倾斜的上表面6。更优选的，如图4所示，防着板I的支撑部5的顶部两侧各连接有一个突出部3，突出部3对称分布，纵截面为矩形；支撑部5的两侧各有一个靶材2，靶材2靠近防着板I的一侧具有从靶材2中心向外向下倾斜的上表面6。实施例3本实施例提供一种等离子体溅射设备，该等离子体溅射设备包括上述的防着板-靶材组件。经过测试，上述形状的防着板-靶材组件均能使非侵蚀区域4的长度控制在2_以下；减少了非侵蚀区域4 ;延长了防着板I的更换周期，相同靶材2周期内更换次数有通常的5次降低到2次，提高了等离子体溅射设备的稼动率；减少镀膜工艺中形成颗粒和缺陷，提升了镀膜的良品率。可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种防着板，设置于设有靶材的等离子体溅射设备中，其特征在于，所述的防着板包括用于遮挡靶材上表面边缘的突出部，所述靶材的上表面是指所述靶材的被等离子体轰击的表面。
2.如权利要求1所述的防着板，其特征在于，所述突出部的纵截面为矩形。
3.如权利要求1所述的防着板，其特征在于，所述防着板的突出部具有向外倾斜的侧面。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的防着板，其特征在于，所述的防着板还具有设在靶材侧方的支撑部，所述突出部连接于所述支撑部。
5.如权利要求4所述的防着板，其特征在于，所述防着板的支撑部的两侧各连接有一个关出部。
6.一种防着板-靶材组件，包括靶材和设在靶材边缘处的防着板，其特征在于，所述防着板为权利要求1至5中任意一项所述的防着板。
7.如权利要求6所述的防着板-靶材组件，其特征在于，所述的靶材的纵截面为矩形。
8.如权利要求6所述的防着板-靶材组件，其特征在于，所述的靶材靠近防着板的一侧具有从靶材中心向外向下倾斜的上表面。
9.一种等离子体溅射设备，其包括如权利要求6-8任一所述的防着板-靶材组件。
专利摘要本实用新型提供一种防着板、防着板-靶材组件及等离子体溅射设备，属于等离子技术领域，其可解决现有的防着板和防着板-靶材组件的导致非侵蚀区域较大，防着板需要频繁更换的问题。本实用新型的防着板包括用于遮挡靶材上表面边缘的突出部。本实用新型的防着板能够防止ITO粉尘回落到靶材上；同时，防着板能减少靶材的非侵蚀区域，延长了防着板的更换周期，从而减少镀膜工艺中形成颗粒和缺陷，防止镀膜的良品率下降。
文档编号C23C14/34GK203007392SQ20122063254
公开日2013年6月19日 申请日期2012年11月26日 优先权日2012年11月26日
发明者赵欣凯, 刘勃, 李胜斌, 李正勋, 金相起, 车奉周, 刘占伟 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司