一种半导体研磨硅片取片方法
【专利摘要】本发明涉及一种半导体研磨硅片取片方法，该方法是利用中心设有孔洞，后端连接有气囊的乳胶吸盘进行取片，取片时，将气囊中的空气排出部分后，然后将乳胶吸盘的中心孔洞对准硅片的1/2半径处，之后将气囊松开，硅片就吸附在乳胶吸盘上，将硅片取出后，用手将气囊内的空气排出，硅片从乳胶吸盘上自动脱落即可。采用本发明，硅片表面的擦痕减少，非倒角硅片崩边率下降，硅片返工片比例从原来的2%左右下降到了0.5%。
【专利说明】 一种半导体研磨硅片取片方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体研磨硅片取片方法。
【背景技术】
[0002]目前，在硅片研磨工艺中，当硅片研磨结束后，硅片吸附在磨盘上，需要将硅片从磨盘中取出，而从磨盘中取片工艺有两种，一种是将磨盘中的硅片载体行星片取出，然后将硅片用手抚到磨盘边缘，使硅片部分面积脱离磨盘的接触，用手直接从脱离接触的位置抓取硅片，该种工艺优点是取片速度快，但是容易造成硅片表面的擦痕以及硅片碰撞产生崩边；另一种是采用小铲直接在载体行星片中将硅片铲取，该种工艺不易上手，要求操作人员技术娴熟，如果操作不当很容易造成硅片边缘崩边。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是提供能够有效的减少硅片边缘崩边和硅片表面的擦痕，降低返工片比例的一种半导体研磨硅片取片方法。
[0004]本发明采取的技术方案是:一种半导体研磨硅片取片方法，其特征在于利用中心设有孔洞，后端连接有气囊的乳胶吸盘进行取片，取片时，将气囊中的空气排出部分后，然后将乳胶吸盘的中心孔洞对准硅片的1/2半径处，之后将气囊松开，硅片就吸附在乳胶吸盘上，将硅片取出后，用手将气囊内的空气排出，硅片从乳胶吸盘上自动脱落即可。
[0005]采用本发明，硅片表面的擦痕减少，非倒角硅片崩边率下降，硅片返工片比例从原来的2%左右下降到了 0.5%。
[0006]【具体实施方式】
下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。具体如下:
采用直径约2?5 cm的乳胶吸盘(根据硅片直径选择相应直径的吸盘)，吸盘中心有孔洞，吸盘后端连接6?10 cm左右长度，直径I cm左右的乳胶真空气囊管进行取片，取片时，将气囊管中的空气排出约1/5后，然后将乳胶吸盘的中心孔洞对准硅片的1/2半径处，之后将气囊松开，硅片就吸附在乳胶吸盘上，将硅片取出后，用手将气囊内的空气排出，硅片从乳胶吸盘上自动脱落即可。
【权利要求】
1.一种半导体研磨硅片取片方法，其特征在于利用中心设有孔洞，后端连接有气囊的乳胶吸盘进行取片，取片时，将气囊中的空气排出部分后，然后将乳胶吸盘的中心孔洞对准硅片的1/2半径处，之后将气囊松开，硅片就吸附在乳胶吸盘上，将硅片取出后，用手将气囊内的空气排出，硅片从乳胶吸盘上自动脱落即可。
【文档编号】B24B37/34GK103600286SQ201310477685
【公开日】2014年2月26日 申请日期:2013年10月14日 优先权日:2013年10月14日
【发明者】陈 峰, 汪利峰 申请人:万向硅峰电子股份有限公司